JPS6187113A - 導波形光モジユ−ルおよびその製造方法 - Google Patents
導波形光モジユ−ルおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6187113A JPS6187113A JP20908084A JP20908084A JPS6187113A JP S6187113 A JPS6187113 A JP S6187113A JP 20908084 A JP20908084 A JP 20908084A JP 20908084 A JP20908084 A JP 20908084A JP S6187113 A JPS6187113 A JP S6187113A
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- JP
- Japan
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- lens
- optical waveguide
- light emitting
- emitting element
- substrate
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、同一基板上に光導波路と発光素子とを有する
導波形光モジュール、およびその製造方法に関するもの
である。
導波形光モジュール、およびその製造方法に関するもの
である。
「従来の技術」
光集積回路の実現形卯としては、モノリシック構成とハ
イプリント構成の１つが考えられる。モノリシック構成
とは、発光素子、光導波路および受光素子をすべて同一
の材料（例えば、ＩｎＧａＡｓＰ糸）を用いて同一基板
上に形成するものであるロ一方、ハイブリッド構成とは
、光導波路を形成しである基板上に、発光素子、受光素
子を組み込んで光集積回路を構成するものである０例え
ば、基板上に光導波路を形成し、導波路端部に発光素子
。
イプリント構成の１つが考えられる。モノリシック構成
とは、発光素子、光導波路および受光素子をすべて同一
の材料（例えば、ＩｎＧａＡｓＰ糸）を用いて同一基板
上に形成するものであるロ一方、ハイブリッド構成とは
、光導波路を形成しである基板上に、発光素子、受光素
子を組み込んで光集積回路を構成するものである０例え
ば、基板上に光導波路を形成し、導波路端部に発光素子
。
受光素子（例えば、ＩｎＰ系、ＧａＡｓ 系の半導体
材料）を設置する０このようなハイブリッド光集積回路
には、光導波路として、低損失の極めて良質な材料（例
えば、石英系光導波路）を用いることができるという大
きなメリットがある。これに対シて、モノリシック元集
積回路の場合、光導波路として半導体材料を用いること
になるが−これらＫは、大きな吸収損失が存在する。ま
た、多モード用光回路に適した厚膜導波路は、半導体材
料では形成できないので、ハイブリッド構成にならざる
を得ない。
材料）を設置する０このようなハイブリッド光集積回路
には、光導波路として、低損失の極めて良質な材料（例
えば、石英系光導波路）を用いることができるという大
きなメリットがある。これに対シて、モノリシック元集
積回路の場合、光導波路として半導体材料を用いること
になるが−これらＫは、大きな吸収損失が存在する。ま
た、多モード用光回路に適した厚膜導波路は、半導体材
料では形成できないので、ハイブリッド構成にならざる
を得ない。
「発明が解決しようとする問題点」
ところで、ハイブリッド集積回路を実現するためには、
同一基板上で光導波路と発光素子とを結合することが必
要である。この場合光等波路と発光素子の元のスポット
サイズが大きく異なるため、光導波路と発光素子この間
にレンズを介在させてスポットサイズの変換を行ない、
結合効率を高める必要がある。しかしながら、これら光
導波路。
同一基板上で光導波路と発光素子とを結合することが必
要である。この場合光等波路と発光素子の元のスポット
サイズが大きく異なるため、光導波路と発光素子この間
にレンズを介在させてスポットサイズの変換を行ない、
結合効率を高める必要がある。しかしながら、これら光
導波路。
レンズおよび発光素子を同一基板上に配置する上で、こ
れら相互の位置合わせが極めて困難であるという問題が
あり、上記のような同一基板上で発光素子と光導波路と
を高効率結合したハイブリッド光集積回路は実現されて
いない。
れら相互の位置合わせが極めて困難であるという問題が
あり、上記のような同一基板上で発光素子と光導波路と
を高効率結合したハイブリッド光集積回路は実現されて
いない。
「問題点を解決するための手段」
前記問題点を解決するために、本発明の導波形光モジュ
ールは、光導波路を形成した基板上に１この光導波路に
対してレンズと発光素子とを適正位置に位置決めするガ
イドを設けたものであり、本発明の導波形光モジュール
の製造方法は、基板上に光導波膜を形成した後に、この
光導波膜をエツチングすること罠より、光導波路とガイ
ドとを同時に形成し、次いでガイドにレンズと発光素子
とを固定するよう圧したものである◎ 「作 用」 本発明においては、光導波路に対するレンズおよび発光
素子の位置合わせが簡便となり、かつ、光導波路と発光
素子とを高効率で結合することができる〇 「実施例」 以下本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。
ールは、光導波路を形成した基板上に１この光導波路に
対してレンズと発光素子とを適正位置に位置決めするガ
イドを設けたものであり、本発明の導波形光モジュール
の製造方法は、基板上に光導波膜を形成した後に、この
光導波膜をエツチングすること罠より、光導波路とガイ
ドとを同時に形成し、次いでガイドにレンズと発光素子
とを固定するよう圧したものである◎ 「作 用」 本発明においては、光導波路に対するレンズおよび発光
素子の位置合わせが簡便となり、かつ、光導波路と発光
素子とを高効率で結合することができる〇 「実施例」 以下本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第１図〜第Ｓ図は、本発明の第１実施例を示すものであ
る。′この導波形光モジュールは、基板１上に、光導波
路 （チャネル光導波路）２が形成されるとともに、こ
の光導波路２の端部に光収束用の球形のレンズ３を介し
て発光素子（例えばレーザダイオード、発光ダイオード
）４が対向させられ、これらレンズ３および発光素子４
０両側の基板１上にこれらレンズ３および発光素子４の
各各を光導波路２に対して位置決めするレンズ用のガイ
ド５および発光素子用のガイド６が設けられている。
る。′この導波形光モジュールは、基板１上に、光導波
路 （チャネル光導波路）２が形成されるとともに、こ
の光導波路２の端部に光収束用の球形のレンズ３を介し
て発光素子（例えばレーザダイオード、発光ダイオード
）４が対向させられ、これらレンズ３および発光素子４
０両側の基板１上にこれらレンズ３および発光素子４の
各各を光導波路２に対して位置決めするレンズ用のガイ
ド５および発光素子用のガイド６が設けられている。
前記光導波路２は、基板１に接するバッファ層２ａと、
この上のコア層２ｂと、さらてその上のクラッド層２Ｃ
とからなっている。
この上のコア層２ｂと、さらてその上のクラッド層２Ｃ
とからなっている。
前記レンズ３０半径ｒは第３図に示す如く、前記バッフ
ァ層２ａの厚さｔ、とコア層２ｂの厚さｔ、のｈこの和
に等しい寸法に設定されている。
ァ層２ａの厚さｔ、とコア層２ｂの厚さｔ、のｈこの和
に等しい寸法に設定されている。
前記発光素子４は第３図に示す如く、基板ＩＫ接するベ
ース層４ａと、この上の活性層４ｂと、この上の表面層
４Ｃとからなっている。そして、ベース層４ａの厚さｔ
、は前記レンズ３の半径ｒに等しい寸法に設定されてい
る。すなわち、活性層４ｂと、レンズ３の中心と、コア
層２ｂの中心とは全て等しい高さとされている。
ース層４ａと、この上の活性層４ｂと、この上の表面層
４Ｃとからなっている。そして、ベース層４ａの厚さｔ
、は前記レンズ３の半径ｒに等しい寸法に設定されてい
る。すなわち、活性層４ｂと、レンズ３の中心と、コア
層２ｂの中心とは全て等しい高さとされている。
前記レンズ用のガイド５は、第２図に示す如くレンズ３
を光導波路２の長手方向と直交する基板１と平行な方向
に挾んで対向する一対の挾持片５ａ＊５ａからなり、両
挾持片５ａの対向面は、レンズ３０半径ｒとほぼ等しい
半径ｒで湾曲する円弧面に形成され、両対向面間の最大
相対距離は、ｌｒＫ設定されている。すなわち、このガ
イド５は、レンズ３を、基板１と直交する方向から挿入
してレンズ３を嵌合させることができ、かつ、嵌合状態
においてレンズ３の中心な光導波路２の中心線（第２図
［１−１−ｌ１ｌ上に保持するとともに、レンズ３と光
導波路２この間隔ｄ１をレンズ３の焦点距離に基づいた
適正距離に保持するようになっている。
を光導波路２の長手方向と直交する基板１と平行な方向
に挾んで対向する一対の挾持片５ａ＊５ａからなり、両
挾持片５ａの対向面は、レンズ３０半径ｒとほぼ等しい
半径ｒで湾曲する円弧面に形成され、両対向面間の最大
相対距離は、ｌｒＫ設定されている。すなわち、このガ
イド５は、レンズ３を、基板１と直交する方向から挿入
してレンズ３を嵌合させることができ、かつ、嵌合状態
においてレンズ３の中心な光導波路２の中心線（第２図
［１−１−ｌ１ｌ上に保持するとともに、レンズ３と光
導波路２この間隔ｄ１をレンズ３の焦点距離に基づいた
適正距離に保持するようになっている。
前記発光素子用のガイド６は、第２図の如く、前記ガイ
ド５と同一方向に発光素子４を挾んで対向する一対の挾
持片５ａ、５ａからなり、両挟持片６ａ間の距離は発光
素子４０幅寸法Ｗとほぼ等しいＹＩ！Ｗｔ＝ ｖｃ段設
定れるとともに、両迭持片６ａの対向面におけるレンズ
３側の端部には、突部６ｂが形成されている。すなわち
、このガイド６は、発光素子４を基板１と直交する方向
、あるいは前記端部と反対側の端部から挿入して、発光
素子４を嵌合させることができ、かつ、嵌合状態におい
て、発光素子４０幅方向の中心を光導波路２の中心銀上
に保持するとともに、発光素子４とレンズ３この開隔ｄ
２をレンズ３の焦点距離に基づいた鑓正距烈に保持する
ようになっている。
ド５と同一方向に発光素子４を挾んで対向する一対の挾
持片５ａ、５ａからなり、両挟持片６ａ間の距離は発光
素子４０幅寸法Ｗとほぼ等しいＹＩ！Ｗｔ＝ ｖｃ段設
定れるとともに、両迭持片６ａの対向面におけるレンズ
３側の端部には、突部６ｂが形成されている。すなわち
、このガイド６は、発光素子４を基板１と直交する方向
、あるいは前記端部と反対側の端部から挿入して、発光
素子４を嵌合させることができ、かつ、嵌合状態におい
て、発光素子４０幅方向の中心を光導波路２の中心銀上
に保持するとともに、発光素子４とレンズ３この開隔ｄ
２をレンズ３の焦点距離に基づいた鑓正距烈に保持する
ようになっている。
このような壜波形光モジュールは、例えば、次のように
してｌｌＪ造できる◎はじめに、第弘図罠示す基板１上
に光導波膜２／を形成する。この−ｙｔ導波膜２１はバ
ッファ７Ｖ２’ａ、＝ｚア＃２’ ｂ、クラッド＃２’
Ｃよりなる３／１ｍ造である。本実施例では、基板１
としてシリコン基板を用い、光導波膜２′として石英系
光導波膜を用いた。このようなシリコン基板上の石英系
光導波膜２Ｉは、例えば、８４Ｃ１，、ＴｉＣｌ４を原
料とする火炎加水分解反応を利用しスート状のガラスを
堆積させ、これを加熱して透明ガラス化する製作法〔特
願昭−５８−１４７３７８）により得られる。第ダ図中
符号７は、フォトマスクであり、ここに所望の回路バタ
ンか描かれている。７２はチャネル光導波路部分、７３
はレンズ用のガイド部分、７４は発光素子用のガイド部
分である。チャネル光導波路部分７２はｅａｓｏμｍ（
ミ々ロンメートル、）に設計しである◎レンズ用のガイ
ド部分７３は挿入するレンズの半径に合わせて、バタン
半径ｒを決める＠また、発光素子用のガイド部分７４０
幅も、挿入する発光素子の幅Ｗに合わせて決定する。さ
らに、導波路−レンズ−発光素子間の距離が最適になる
ように、あらかじめ判定したレンズの焦点距離を基準と
して、導波路−レンズ間距離ｄｌおよびレンズ−発党赤
子間距雛ｄ、を決める。このフォトマスク７を用いて、
ＡＺレジスト／アモルファスＳｉをマスク材とし、Ｃ，
Ｆ、 、Ｃ，Ｈ。
してｌｌＪ造できる◎はじめに、第弘図罠示す基板１上
に光導波膜２／を形成する。この−ｙｔ導波膜２１はバ
ッファ７Ｖ２’ａ、＝ｚア＃２’ ｂ、クラッド＃２’
Ｃよりなる３／１ｍ造である。本実施例では、基板１
としてシリコン基板を用い、光導波膜２′として石英系
光導波膜を用いた。このようなシリコン基板上の石英系
光導波膜２Ｉは、例えば、８４Ｃ１，、ＴｉＣｌ４を原
料とする火炎加水分解反応を利用しスート状のガラスを
堆積させ、これを加熱して透明ガラス化する製作法〔特
願昭−５８−１４７３７８）により得られる。第ダ図中
符号７は、フォトマスクであり、ここに所望の回路バタ
ンか描かれている。７２はチャネル光導波路部分、７３
はレンズ用のガイド部分、７４は発光素子用のガイド部
分である。チャネル光導波路部分７２はｅａｓｏμｍ（
ミ々ロンメートル、）に設計しである◎レンズ用のガイ
ド部分７３は挿入するレンズの半径に合わせて、バタン
半径ｒを決める＠また、発光素子用のガイド部分７４０
幅も、挿入する発光素子の幅Ｗに合わせて決定する。さ
らに、導波路−レンズ−発光素子間の距離が最適になる
ように、あらかじめ判定したレンズの焦点距離を基準と
して、導波路−レンズ間距離ｄｌおよびレンズ−発党赤
子間距雛ｄ、を決める。このフォトマスク７を用いて、
ＡＺレジスト／アモルファスＳｉをマスク材とし、Ｃ，
Ｆ、 、Ｃ，Ｈ。
混合ガスをエッチャントとする反応性イオンエツチング
を打ない・不要部分の石英系光導波膜２′を除去するこ
とＫより、第Ｓ図に示す光導波路２．レンズ用のガイド
５および発光素子用のガイド６を有する基板ｌが形成さ
れる。しかる後に、前記両ガイド５．６に各々レンズ３
０発光素子４を挿入すれば第１図に示すような導波形光
モジュールを製造することができる。
を打ない・不要部分の石英系光導波膜２′を除去するこ
とＫより、第Ｓ図に示す光導波路２．レンズ用のガイド
５および発光素子用のガイド６を有する基板ｌが形成さ
れる。しかる後に、前記両ガイド５．６に各々レンズ３
０発光素子４を挿入すれば第１図に示すような導波形光
モジュールを製造することができる。
つまりこのように構成された導波形光モジュールは、基
板ｌ上に段げられたガイド５．６にレンズ３および発光
素子４を挿入するだけで、レンズ３、発光素子４を光導
波路２に対する適正位置に位置合わせすることができ、
しかも、発光素子４と光導波路２とを高効率で結合する
ことができる０次いで実験例を示して本発明の作用効果
をより明確にする。
板ｌ上に段げられたガイド５．６にレンズ３および発光
素子４を挿入するだけで、レンズ３、発光素子４を光導
波路２に対する適正位置に位置合わせすることができ、
しかも、発光素子４と光導波路２とを高効率で結合する
ことができる０次いで実験例を示して本発明の作用効果
をより明確にする。
本実験例では発光素子４として、ベース層の厚さがｔ、
−７０μｍの端面発光ＬＥＤ（発光ダイオード）を用い
た０発光素子４．レンズ３および光導波路２の高さを合
わせるために、レンズ３として半径ｒ−ｔｏμｍのサフ
ァイア球を用いた。
−７０μｍの端面発光ＬＥＤ（発光ダイオード）を用い
た０発光素子４．レンズ３および光導波路２の高さを合
わせるために、レンズ３として半径ｒ−ｔｏμｍのサフ
ァイア球を用いた。
また、石英系チャネル光導波路２の各層の厚さはバッフ
ァ層（１１）＝≠５μｍ、コア層（ｔ、）＝ＳＯμｍ、
クラッド層−３μｍとした０発光素子４およびレンズ３
を組み込み、発光素子４と石英系チャネル光導波路２こ
の結合効率を測定したところ、−１０ｄＢという値が得
られた。レンズを用いないで、発光素子４と光導波路２
とを直接結合した場合の結合効率は高々％−ｔ４ｃ〜−
１３ｄＢ程度であるので、レンズを組み込むことにより
、７ｄＢ以上の＆善がはかられた。なお、本実施例にお
いて、シリコン基板１は発光素子４のヒートシンクとな
っている。
ァ層（１１）＝≠５μｍ、コア層（ｔ、）＝ＳＯμｍ、
クラッド層−３μｍとした０発光素子４およびレンズ３
を組み込み、発光素子４と石英系チャネル光導波路２こ
の結合効率を測定したところ、−１０ｄＢという値が得
られた。レンズを用いないで、発光素子４と光導波路２
とを直接結合した場合の結合効率は高々％−ｔ４ｃ〜−
１３ｄＢ程度であるので、レンズを組み込むことにより
、７ｄＢ以上の＆善がはかられた。なお、本実施例にお
いて、シリコン基板１は発光素子４のヒートシンクとな
っている。
一方、第６図は本発明の第コ実施例を示し、第１笑施例
の球形のレンズ３に代えて、円柱状のレンズ８を用いた
ものである。このようなレンズ８を使用した場合、光導
波路２に対するレンズ８の軸方向の位り設定は自由であ
“るから、レンズ用のガイド９は発光素子用のガイド６
この間でレンズ８を挾持する形状のものでよい。
の球形のレンズ３に代えて、円柱状のレンズ８を用いた
ものである。このようなレンズ８を使用した場合、光導
波路２に対するレンズ８の軸方向の位り設定は自由であ
“るから、レンズ用のガイド９は発光素子用のガイド６
この間でレンズ８を挾持する形状のものでよい。
また、第７図は、本発明の第３％施例な示し、第１実施
例の球状のレンズ３を発光素子４と光導波路２とを結ぶ
方向に、２信置列忙並べた炸合レンズ系導波形光モジュ
ールである〇 これら第一、第３実施例の導波形光モジュールのどちら
についても、第１実施例と同様の方法で製造することが
でき、かつ、レンズ３．８および発光素子４をガイド５
． ６． ９に挿入するだけで位置合わせが完了し、か
つ、高い結合効率が得られるものである。
例の球状のレンズ３を発光素子４と光導波路２とを結ぶ
方向に、２信置列忙並べた炸合レンズ系導波形光モジュ
ールである〇 これら第一、第３実施例の導波形光モジュールのどちら
についても、第１実施例と同様の方法で製造することが
でき、かつ、レンズ３．８および発光素子４をガイド５
． ６． ９に挿入するだけで位置合わせが完了し、か
つ、高い結合効率が得られるものである。
なお、前記実施例では、同一基板上で光等波路２と発光
素子４とを結合する例について説明したが、発光素子４
に代えて受光素子を組み込んでもよい。また、ガイド５
． ６． ９の形状は実施例に示したものに限らず、エ
ツチングによって形成可能な適宜の形状としてよい。
素子４とを結合する例について説明したが、発光素子４
に代えて受光素子を組み込んでもよい。また、ガイド５
． ６． ９の形状は実施例に示したものに限らず、エ
ツチングによって形成可能な適宜の形状としてよい。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明忙よれば、基板上の５ｔｓ
波路に対して、レンズおよび発光素子を最適位置に位置
決めするガイドな基板上に設け、このガイドにレンズお
よび発光素子を固定するようにしたので、レンズおよび
ガイドの位置合わせが簡便となって組み立て作業性が向
上するとともに、光導波路と発光素子とを高効率で結合
することができ、同一基板上で発光素子と光導波路とを
一体化したハイブリッド光集積回路の実現が可能となる
ものである〇
波路に対して、レンズおよび発光素子を最適位置に位置
決めするガイドな基板上に設け、このガイドにレンズお
よび発光素子を固定するようにしたので、レンズおよび
ガイドの位置合わせが簡便となって組み立て作業性が向
上するとともに、光導波路と発光素子とを高効率で結合
することができ、同一基板上で発光素子と光導波路とを
一体化したハイブリッド光集積回路の実現が可能となる
ものである〇
第１図〜第ｊ図は本発明の一実施例を示し、第１図は斜
視図、第２図は平面図、第３図は第１図のＩＩＩ−ＩＩ
Ｉ線矢視図、第参図および第５図は製造方法を説明する
斜視図、第６図および第７図は各々本発明の第コ、第３
実施例を示す斜視図である０１・・・・・・基板、２・
・・・・・光等波路、２ａ・・・・・・バッファ層、２
ｂ・・・・・・コア層、２Ｉ・・・・・・光尋波膜、３
．８・・・・・・レンズ、４・・・・・−発光素子ｓ４
ａ・・・・・・ベース層、４ｂ・・・・・・活性層、５
．６．９・・・・−・ガイド、ｄ、。 ｄ、・・・・・・間隔ｓ ｔｌ、 ’！ｓ ”＊−
”・・・・厚さ、ｒ・・・・・・半径◎
視図、第２図は平面図、第３図は第１図のＩＩＩ−ＩＩ
Ｉ線矢視図、第参図および第５図は製造方法を説明する
斜視図、第６図および第７図は各々本発明の第コ、第３
実施例を示す斜視図である０１・・・・・・基板、２・
・・・・・光等波路、２ａ・・・・・・バッファ層、２
ｂ・・・・・・コア層、２Ｉ・・・・・・光尋波膜、３
．８・・・・・・レンズ、４・・・・・−発光素子ｓ４
ａ・・・・・・ベース層、４ｂ・・・・・・活性層、５
．６．９・・・・−・ガイド、ｄ、。 ｄ、・・・・・・間隔ｓ ｔｌ、 ’！ｓ ”＊−
”・・・・厚さ、ｒ・・・・・・半径◎
Claims (4)
- （１）基板上に光導波路が形成されるとともに、この光
導波路の端部にレンズを介して発光素子が結合されてな
る導波形光モジュールであつて、前記基板上にはレンズ
および発光素子を光導波路に対する適正位置に位置決め
するガイドが設けられたことを特徴とする導波形光モジ
ュール。 - （２）前記基板はシリコン基板であり、かつ、光導波路
は石英系光導波路であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の導波形光モジュール。 - （３）基板上に光導波路が形成されるとともに、この光
導波路の端部にレンズを介して発光素子を結合してなる
導波形光モジュールの製造方法に おいて、前記基板上に光導波膜を形成した 後、この光導波膜をエッチングすることに より、光導波路とこの光導波路に対する適 正位置にレンズおよび発光素子を位置決めするガイドと
を形成し、しかる後に、このガイドにレンズおよび発光
素子を固定することを特徴とする導波形光モジュールの
製造方法。 - （４）シリコン基板上に石英系光導波膜を形成した後、
反応性イオンエッチングによつて光導波路とガイドとを
形成することを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
導波形光モジュールの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20908084A JPH0230485B2 (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | Dohagatahikarimojuuruoyobisonoseizohoho |
| CA000486477A CA1255382A (en) | 1984-08-10 | 1985-07-08 | Hybrid optical integrated circuit with alignment guides |
| US06/753,632 US4750799A (en) | 1984-08-10 | 1985-07-10 | Hybrid optical integrated circuit |
| DE8585108730T DE3575208D1 (de) | 1984-08-10 | 1985-07-12 | Optischer, integrierter hybridschaltkreis und verfahren zu seiner herstellung. |
| EP85108730A EP0171615B1 (en) | 1984-08-10 | 1985-07-12 | Hybrid optical integrated circuit and fabrication method thereof |
| US07/038,127 US4735677A (en) | 1984-08-10 | 1987-04-02 | Method for fabricating hybrid optical integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20908084A JPH0230485B2 (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | Dohagatahikarimojuuruoyobisonoseizohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187113A true JPS6187113A (ja) | 1986-05-02 |
| JPH0230485B2 JPH0230485B2 (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=16566930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20908084A Expired - Lifetime JPH0230485B2 (ja) | 1984-08-10 | 1984-10-05 | Dohagatahikarimojuuruoyobisonoseizohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230485B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63280206A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Nec Corp | 光接続回路 |
| US5414787A (en) * | 1993-07-27 | 1995-05-09 | Nec Corporation | Coupling structure between optical semiconductor and optical waveguide, and coupling method of the same |
| US5659566A (en) * | 1993-10-13 | 1997-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser module and method of assembling semiconductor laser module |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003344719A (ja) * | 2002-05-27 | 2003-12-03 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | レーザ集光機用保持具、及びレーザ集光機 |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP20908084A patent/JPH0230485B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63280206A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Nec Corp | 光接続回路 |
| US5414787A (en) * | 1993-07-27 | 1995-05-09 | Nec Corporation | Coupling structure between optical semiconductor and optical waveguide, and coupling method of the same |
| US5659566A (en) * | 1993-10-13 | 1997-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser module and method of assembling semiconductor laser module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0230485B2 (ja) | 1990-07-06 |
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