JPH05241048A - 光部品の結合装置 - Google Patents
光部品の結合装置Info
- Publication number
- JPH05241048A JPH05241048A JP3961592A JP3961592A JPH05241048A JP H05241048 A JPH05241048 A JP H05241048A JP 3961592 A JP3961592 A JP 3961592A JP 3961592 A JP3961592 A JP 3961592A JP H05241048 A JPH05241048 A JP H05241048A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- polarizer
- guide
- substrate
- laser
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 薄型偏光子を使用する光部品の結合におい
て、煩雑な結合効率を高める作業を軽減、無調整で行う
結合装置を提供する。 【構成】 シリコン基板１の中央部に、偏光子面２１と
基板１表面とを垂直にして薄型偏光子２が設置され、こ
の薄型偏光子２の偏光子面２１を挟むように、レーザ用
ガイド溝３と光ファイバ用ガイド溝４が基板１に構成さ
れている。また、光路用の溝５が、前記ガイド溝３、４
および薄型偏光子２を結んで基板１に構成されている。
そして、半導体レーザを設置したレーザ用ガイド７と光
ファイバ８とが、それぞれのガイド溝３、４に配置され
ている。この時、レーザ用ガイド７と光ファイバ８との
光軸が一致し、かつ前記光軸と偏光子面２１とが直角に
なるように、ガイド溝３、４は構成されている。
て、煩雑な結合効率を高める作業を軽減、無調整で行う
結合装置を提供する。 【構成】 シリコン基板１の中央部に、偏光子面２１と
基板１表面とを垂直にして薄型偏光子２が設置され、こ
の薄型偏光子２の偏光子面２１を挟むように、レーザ用
ガイド溝３と光ファイバ用ガイド溝４が基板１に構成さ
れている。また、光路用の溝５が、前記ガイド溝３、４
および薄型偏光子２を結んで基板１に構成されている。
そして、半導体レーザを設置したレーザ用ガイド７と光
ファイバ８とが、それぞれのガイド溝３、４に配置され
ている。この時、レーザ用ガイド７と光ファイバ８との
光軸が一致し、かつ前記光軸と偏光子面２１とが直角に
なるように、ガイド溝３、４は構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信分野における薄型
偏光子を使用する光部品の結合装置に関する。
偏光子を使用する光部品の結合装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄型偏光子を使用した光部品の結合方法
では、結合損失を抑制し、消光比を高めるために、それ
ぞれの光部品の光軸および偏光子への光の入射角度を調
整する必要がある。このため、従来における結合方法で
は、部品を微動させながら結合損失が低く、かつ消光比
が高くなるように調整し、紫外線硬化樹脂等により部品
を固定する。なお、光結合における従来技術の具体的内
容については、１９８９年電子情報通信学会春季全国大
会Ｎｏ．Ｃ−５１６に記載されている。また、偏光子と
してＬＡＭＩＰＯＬを用いた例は、１９８９年電子情報
通信学春季全国大会Ｎｏ．Ｃ−４５２に記載されてい
る。
では、結合損失を抑制し、消光比を高めるために、それ
ぞれの光部品の光軸および偏光子への光の入射角度を調
整する必要がある。このため、従来における結合方法で
は、部品を微動させながら結合損失が低く、かつ消光比
が高くなるように調整し、紫外線硬化樹脂等により部品
を固定する。なお、光結合における従来技術の具体的内
容については、１９８９年電子情報通信学会春季全国大
会Ｎｏ．Ｃ−５１６に記載されている。また、偏光子と
してＬＡＭＩＰＯＬを用いた例は、１９８９年電子情報
通信学春季全国大会Ｎｏ．Ｃ−４５２に記載されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】薄型偏光子を使用する
対となった光部品を結合させる場合、例えば、半導体レ
ーザと光ファイバの結合においては、結合損失を抑制
し、消光比を高めるために、半導体レーザと光ファイバ
の光軸を一致させ、さらに、薄型偏光子への光の入射角
度を考慮した調整が必要である。そのため、半導体レー
ザを発光させ、半導体レーザおよび光ファイバを上下左
右に微動させながら、結合損失が低く、かつ消光比が高
くなるように調整することが不可欠であり、この作業に
は多大な労力と時間を要する。
対となった光部品を結合させる場合、例えば、半導体レ
ーザと光ファイバの結合においては、結合損失を抑制
し、消光比を高めるために、半導体レーザと光ファイバ
の光軸を一致させ、さらに、薄型偏光子への光の入射角
度を考慮した調整が必要である。そのため、半導体レー
ザを発光させ、半導体レーザおよび光ファイバを上下左
右に微動させながら、結合損失が低く、かつ消光比が高
くなるように調整することが不可欠であり、この作業に
は多大な労力と時間を要する。
【０００４】本発明は以上の問題点に鑑み、光部品の光
軸、薄型偏光子への光の入射角度を無調整で合わすこと
により、結合損失を抑え、かつ消光比を高めた、効率の
高い結合を行うことを目的とする。
軸、薄型偏光子への光の入射角度を無調整で合わすこと
により、結合損失を抑え、かつ消光比を高めた、効率の
高い結合を行うことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、基板に取り付けた薄型偏光子の偏光子面を挟んで、
対となった光部品設置用のガイド溝を同一基板上に形成
し、ガイド溝にそれぞれの光部品を配置することを特徴
とする。
に、基板に取り付けた薄型偏光子の偏光子面を挟んで、
対となった光部品設置用のガイド溝を同一基板上に形成
し、ガイド溝にそれぞれの光部品を配置することを特徴
とする。
【０００６】
【作用】本発明により、ガイド溝に光部品を設置するこ
とによって、部品を微動させながら調整することなく、
薄型偏光子の偏光子面への光の入射角度および光部品の
光軸が合い、結合損失を抑え、かつ消光比を高めた、効
率の高い結合が行うことができる。また、機械的強度が
高く、位置ずれが生じにくいため、固定後の位置ずれに
よる結合効率の劣化を防ぐことができる。
とによって、部品を微動させながら調整することなく、
薄型偏光子の偏光子面への光の入射角度および光部品の
光軸が合い、結合損失を抑え、かつ消光比を高めた、効
率の高い結合が行うことができる。また、機械的強度が
高く、位置ずれが生じにくいため、固定後の位置ずれに
よる結合効率の劣化を防ぐことができる。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の薄型偏光子を使用した半導
体レーザと光ファイバの光部品の結合装置の一実施例を
示したものである。
体レーザと光ファイバの光部品の結合装置の一実施例を
示したものである。
【０００８】シリコン基板１の中央部に、偏光子面２１
と基板１表面とを垂直にして薄型偏光子２が設置され、
この薄型偏光子２の偏光子面２１を挟むように、レーザ
用ガイド溝３と光ファイバ用ガイド溝４が基板１に構成
されている。また、光路用の溝５が、前記ガイド溝３、
４および薄型偏光子２を結んで基板１に構成されてい
る。そして、半導体レーザを設置したレーザ用ガイド７
と光ファイバ８とが、それぞれのガイド溝３、４に配置
されている（図１）。この時、レーザ用ガイド７と光フ
ァイバ８との光軸が一致し、かつ前記光軸と偏光子面２
１とが直角になるように、ガイド溝３、４は構成されて
いる。
と基板１表面とを垂直にして薄型偏光子２が設置され、
この薄型偏光子２の偏光子面２１を挟むように、レーザ
用ガイド溝３と光ファイバ用ガイド溝４が基板１に構成
されている。また、光路用の溝５が、前記ガイド溝３、
４および薄型偏光子２を結んで基板１に構成されてい
る。そして、半導体レーザを設置したレーザ用ガイド７
と光ファイバ８とが、それぞれのガイド溝３、４に配置
されている（図１）。この時、レーザ用ガイド７と光フ
ァイバ８との光軸が一致し、かつ前記光軸と偏光子面２
１とが直角になるように、ガイド溝３、４は構成されて
いる。
【０００９】これにより、レーザ用ガイド７と光ファイ
バ８の位置はそれぞれのガイド溝３、４により確定さ
れ、かつ、薄型偏光子２は基板１に位置決めして構成さ
れているため、半導体レーザの活性層７１と光ファイバ
８のコアとの光軸を高い精度で一致させ、かつ前記光軸
と偏光子面２１との角度を垂直とすることが無調整で行
うことができる。
バ８の位置はそれぞれのガイド溝３、４により確定さ
れ、かつ、薄型偏光子２は基板１に位置決めして構成さ
れているため、半導体レーザの活性層７１と光ファイバ
８のコアとの光軸を高い精度で一致させ、かつ前記光軸
と偏光子面２１との角度を垂直とすることが無調整で行
うことができる。
【００１０】また、図２は、上記の光部品結合装置の実
施例における基板作製の工程の概略を示したものであ
る。この図を参照してその工程を説明する。
施例における基板作製の工程の概略を示したものであ
る。この図を参照してその工程を説明する。
【００１１】シリコン基板１表面をホトレジスト（図示
せず）をマスクにした反応性イオンエッチングをするこ
とにより、レーザ用ガイド溝３と光ファイバ用ガイド溝
４、および、前記ガイド溝３、４を結ぶ光路用の溝５と
を形成する（図２（ａ））。この時、基板１の表面下２
μｍの位置にそれぞれにマウントされるレーザ５と光フ
ァイバ８の光軸が一致するように、ガイド溝３、４を加
工する必要がある。そして、ガイド溝４に沿って光ファ
イバ８を挿入しながら薄型偏光子２に近づけていく時、
あらかじめ決められた位置で光ファイバ８が止まるよう
に、また、レーザ用ガイド７の位置を確定するように、
光路用の溝５はそれぞれのガイド溝３、４よりも幅を狭
く、あるいは深さを浅く加工する。
せず）をマスクにした反応性イオンエッチングをするこ
とにより、レーザ用ガイド溝３と光ファイバ用ガイド溝
４、および、前記ガイド溝３、４を結ぶ光路用の溝５と
を形成する（図２（ａ））。この時、基板１の表面下２
μｍの位置にそれぞれにマウントされるレーザ５と光フ
ァイバ８の光軸が一致するように、ガイド溝３、４を加
工する必要がある。そして、ガイド溝４に沿って光ファ
イバ８を挿入しながら薄型偏光子２に近づけていく時、
あらかじめ決められた位置で光ファイバ８が止まるよう
に、また、レーザ用ガイド７の位置を確定するように、
光路用の溝５はそれぞれのガイド溝３、４よりも幅を狭
く、あるいは深さを浅く加工する。
【００１２】次に、前記光部品の光軸と垂直になるよう
に、ブレードソーにより幅３０μｍの薄型偏光子用の切
れ込み６を形成する（図２（ｂ））。そして、半導体レ
ーザを有するレーザ用ガイド７を別途作製する。その
後、このレーザ用ガイド７と別に用意した光ファイバ８
をそれぞれのガイド溝３およびガイド溝４に設置し、ま
た、薄型偏光子２を薄型偏光子用の切れ込み６に挿入
し、紫外線硬化樹脂により固定する（図１）。
に、ブレードソーにより幅３０μｍの薄型偏光子用の切
れ込み６を形成する（図２（ｂ））。そして、半導体レ
ーザを有するレーザ用ガイド７を別途作製する。その
後、このレーザ用ガイド７と別に用意した光ファイバ８
をそれぞれのガイド溝３およびガイド溝４に設置し、ま
た、薄型偏光子２を薄型偏光子用の切れ込み６に挿入
し、紫外線硬化樹脂により固定する（図１）。
【００１３】本工程によれば、薄型偏光子２と同一基板
１上にガイド溝３、４をエッチング法により構成するた
め、光軸のずれおよび偏光子への入射角度の誤差を小さ
くすることができる。これと合わせて、薄型偏光子２と
してＬＡＭＩＰＯＬを用いた場合、挿入損失０．５ｄＢ
以下、消光比５０ｄＢ以上が得られ、極めて効率の高い
光結合が行うことができる。
１上にガイド溝３、４をエッチング法により構成するた
め、光軸のずれおよび偏光子への入射角度の誤差を小さ
くすることができる。これと合わせて、薄型偏光子２と
してＬＡＭＩＰＯＬを用いた場合、挿入損失０．５ｄＢ
以下、消光比５０ｄＢ以上が得られ、極めて効率の高い
光結合が行うことができる。
【００１４】本発明は前述の実施例に限らず様々な変形
が可能である。
が可能である。
【００１５】例えば、対となる光部品の結合は一対一に
限らず、一対二をはじめ、複数対複数の光部品における
結合でもよい。また、光部品も半導体レーザおよび光フ
ァイバに限らず、例えば、光導波路と光ファイバ、半導
体レーザと光導波路を基板上で結合するものでも良い。
限らず、一対二をはじめ、複数対複数の光部品における
結合でもよい。また、光部品も半導体レーザおよび光フ
ァイバに限らず、例えば、光導波路と光ファイバ、半導
体レーザと光導波路を基板上で結合するものでも良い。
【００１６】また、光路用の溝５はガイド溝３、４の溝
よりも幅を広く、深さを深く、もしくは一致させ、ま
た、レーザ用ガイド溝３はレーザ用ガイド７よりも光軸
方向に長く加工し、薄型偏光子２からの距離の微調整を
行うため、それぞれの光部品を光軸方向に移動できるよ
うにしても良い。
よりも幅を広く、深さを深く、もしくは一致させ、ま
た、レーザ用ガイド溝３はレーザ用ガイド７よりも光軸
方向に長く加工し、薄型偏光子２からの距離の微調整を
行うため、それぞれの光部品を光軸方向に移動できるよ
うにしても良い。
【００１７】実施例では、薄型偏光子用の切れ込み６は
基板にブレードソーにより切れ込みを入れることにより
形成したが、その形成方法は問わず、例えば、エッチン
グ法により形成しても良い。また、基板にはシリコン、
薄型偏光子にはＬＡＭＩＰＯＬを用いたが、材質はこれ
に限らず、例えば、薄型偏光子には方解石を用いても良
い。また、ガイド溝３、４に配置する光部品は光部品単
体に限らず、実施例のように必要に応じて光部品本体の
ガイドを作製し、そのガイドと光部品とを組み合わせた
ものとしても良い。
基板にブレードソーにより切れ込みを入れることにより
形成したが、その形成方法は問わず、例えば、エッチン
グ法により形成しても良い。また、基板にはシリコン、
薄型偏光子にはＬＡＭＩＰＯＬを用いたが、材質はこれ
に限らず、例えば、薄型偏光子には方解石を用いても良
い。また、ガイド溝３、４に配置する光部品は光部品単
体に限らず、実施例のように必要に応じて光部品本体の
ガイドを作製し、そのガイドと光部品とを組み合わせた
ものとしても良い。
【００１８】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば部品を微動
させて調整すること無く、結合損失を抑え、かつ消光比
を高めた効率の高い結合を行うことができる。また、機
械的強度が高く、固定後の位置ずれが生じにくいため結
合効率の劣化を防ぎ、高い信頼性を得ることができる。
させて調整すること無く、結合損失を抑え、かつ消光比
を高めた効率の高い結合を行うことができる。また、機
械的強度が高く、固定後の位置ずれが生じにくいため結
合効率の劣化を防ぎ、高い信頼性を得ることができる。
【図１】本発明の実施例の概略図である。
【図２】本発明の実施例の基板作製の工程の概略図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例の基板の断面図である。
１…シリコン基板、２…薄型偏光子、２１…偏光子面、
３…レーザ用ガイド溝、４…光ファイバ用ガイド溝、５
…光路用溝、６…薄型偏光子用の切れ込み、７…半導体
レーザを有したレーザ用ガイド、７１…半導体レーザの
活性層、８…光ファイバ。
３…レーザ用ガイド溝、４…光ファイバ用ガイド溝、５
…光路用溝、６…薄型偏光子用の切れ込み、７…半導体
レーザを有したレーザ用ガイド、７１…半導体レーザの
活性層、８…光ファイバ。
Claims (2)
- 【請求項１】 対となった光部品設置用のガイド溝を、
基板に取り付けた薄型偏光子の偏光子面を挟んで同一基
板上に構成し、前記ガイド溝にそれぞれの光部品を配置
することを特徴とする光部品の結合装置。 - 【請求項２】 前記偏光子を偏光子用の溝に挿入して構
成することを特徴とする請求項１記載の光部品の結合装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3961592A JPH05241048A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光部品の結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3961592A JPH05241048A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光部品の結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05241048A true JPH05241048A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12558017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3961592A Pending JPH05241048A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光部品の結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05241048A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0860914A2 (en) * | 1997-02-13 | 1998-08-26 | Nec Corporation | Semiconductor laser module |
| WO1999001790A1 (en) * | 1997-07-01 | 1999-01-14 | Agilent Technologies, Inc. | Improved micro-photonics module integrated on a single substrate |
| EP0989641A2 (en) * | 1998-09-25 | 2000-03-29 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Optical hybrid integrated device and method of making the same |
| WO2001091257A3 (en) * | 2000-05-23 | 2002-06-06 | Honeywell Int Inc | System and method for vcsel polarization control |
| JP2005109055A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP3961592A patent/JPH05241048A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0860914A2 (en) * | 1997-02-13 | 1998-08-26 | Nec Corporation | Semiconductor laser module |
| EP0860914A3 (en) * | 1997-02-13 | 1998-09-16 | Nec Corporation | Semiconductor laser module |
| US5963697A (en) * | 1997-02-13 | 1999-10-05 | Nec Corporation | Semiconductor laser module |
| WO1999001790A1 (en) * | 1997-07-01 | 1999-01-14 | Agilent Technologies, Inc. | Improved micro-photonics module integrated on a single substrate |
| JP2002510405A (ja) * | 1997-07-01 | 2002-04-02 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 単一基板上に集積された改良式マイクロフォトニクスモジュール |
| JP4632325B2 (ja) * | 1997-07-01 | 2011-02-16 | アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 単一基板上に集積された改良式マイクロフォトニクスモジュール |
| EP0989641A2 (en) * | 1998-09-25 | 2000-03-29 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Optical hybrid integrated device and method of making the same |
| EP0989641A3 (en) * | 1998-09-25 | 2001-11-07 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Optical hybrid integrated device and method of making the same |
| WO2001091257A3 (en) * | 2000-05-23 | 2002-06-06 | Honeywell Int Inc | System and method for vcsel polarization control |
| US6963598B1 (en) | 2000-05-23 | 2005-11-08 | Finisar Corporation | System and method for VCSEL polarization control |
| JP2005109055A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
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