JPH09159866A - 光結合装置用基板、光結合装置およびそれらの製造方法 - Google Patents
光結合装置用基板、光結合装置およびそれらの製造方法Info
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- JPH09159866A JPH09159866A JP34435895A JP34435895A JPH09159866A JP H09159866 A JPH09159866 A JP H09159866A JP 34435895 A JP34435895 A JP 34435895A JP 34435895 A JP34435895 A JP 34435895A JP H09159866 A JPH09159866 A JP H09159866A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｓｉ基板のＶ溝に光ファイバを高精度に安定
して実装できるようにする。 【構成】 Ｓｉ基板１の表・裏面に、エッチング用マス
ク８、９を形成し、まず裏側を所定の深さまでエッチン
グし、その後両側から異方性エッチングを行って、（１
１１）面６ａを有する表側Ｖ溝６と裏側Ｖ溝７とを形成
し、両溝を連結させて貫通穴３を形成する。光ファイバ
２を表側Ｖ溝６に実装し、接着剤などにより固着する。
して実装できるようにする。 【構成】 Ｓｉ基板１の表・裏面に、エッチング用マス
ク８、９を形成し、まず裏側を所定の深さまでエッチン
グし、その後両側から異方性エッチングを行って、（１
１１）面６ａを有する表側Ｖ溝６と裏側Ｖ溝７とを形成
し、両溝を連結させて貫通穴３を形成する。光ファイバ
２を表側Ｖ溝６に実装し、接着剤などにより固着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信において必
要とされる光導波路やＬＤ・ＰＤ等の光部品と光ファイ
バとの高精度無調整結合用の実装用ガイド溝を有する基
板、該基板を用いた光結合装置およびそれらの製造方法
に関するものである。
要とされる光導波路やＬＤ・ＰＤ等の光部品と光ファイ
バとの高精度無調整結合用の実装用ガイド溝を有する基
板、該基板を用いた光結合装置およびそれらの製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光導波路やＬＤ・ＰＤ等の光部品と光フ
ァイバの光軸無調整接続方式としては、水酸化カリウム
（ＫＯＨ）などのアルカリ液を用いた異方性エッチング
によってＳｉ基板にＶ溝を形成して、そのＶ溝によって
光ファイバを支持するＳｉのＶ溝光ファイバ用ガイドに
よる方法がある。
ァイバの光軸無調整接続方式としては、水酸化カリウム
（ＫＯＨ）などのアルカリ液を用いた異方性エッチング
によってＳｉ基板にＶ溝を形成して、そのＶ溝によって
光ファイバを支持するＳｉのＶ溝光ファイバ用ガイドに
よる方法がある。
【０００３】光ファイバ支持用のＶ溝をＳｉ基板に形成
する際に、Ｓｉ基板の＜１１０＞方向がＶ溝形成マスク
の縁方向に対して角度ずれを持っていると、形成される
Ｖ溝の幅が拡がる。この結果、Ｖ溝で支えられる光ファ
イバが下方に余分に沈み込むため、光ファイバと光導波
路などの光部品との光軸に位置ずれが生じる。これに対
して、マスクパターンを分割、あるいはマスクパターン
に凹凸を設けるることにより、角度ずれを補償する方法
が特開平７−３５９４８号公報により提案されている。
すなわち、図９（ａ）に示すように、マスクパターンを
Ｖ溝形成マスク８ａと細分化したり、図９（ｂ）に示す
ように、Ｖ溝形成マスク８ａの境界線に凹凸をつけるこ
とによって光ファイバ支持用の（１１１）面６ａを不連
続にして、前記のＶ溝幅の拡がりによる光軸ずれを少な
く抑える方法である。
する際に、Ｓｉ基板の＜１１０＞方向がＶ溝形成マスク
の縁方向に対して角度ずれを持っていると、形成される
Ｖ溝の幅が拡がる。この結果、Ｖ溝で支えられる光ファ
イバが下方に余分に沈み込むため、光ファイバと光導波
路などの光部品との光軸に位置ずれが生じる。これに対
して、マスクパターンを分割、あるいはマスクパターン
に凹凸を設けるることにより、角度ずれを補償する方法
が特開平７−３５９４８号公報により提案されている。
すなわち、図９（ａ）に示すように、マスクパターンを
Ｖ溝形成マスク８ａと細分化したり、図９（ｂ）に示す
ように、Ｖ溝形成マスク８ａの境界線に凹凸をつけるこ
とによって光ファイバ支持用の（１１１）面６ａを不連
続にして、前記のＶ溝幅の拡がりによる光軸ずれを少な
く抑える方法である。
【０００４】図９には、Ｖ溝の底に（１００）面６ｃが
現れている状態が示されている。また、マスクの下には
光ファイバ支持用の（１１１）面６ａ以外の（１１１）
面６ｄも現れている。この方法でＶ溝が形成された基板
上に光ファイバ２を装着した状態を図１０に示す。同図
において、３２は、光ファイバ２と光結合される、Ｌ
Ｄ、光導波路などの光部品である。図１０に示されるよ
うに、光ファイバ２は、Ｖ溝形成マスクの縁方向がＳｉ
基板の＜１１０＞方向に対して角度ずれがある場合に
は、細分化されたＶ溝ブロック３１の角の集合（細分化
Ｖ溝列）によって支持され、また角度ずれがない場合
（１１１）面６ａによって支えられる。
現れている状態が示されている。また、マスクの下には
光ファイバ支持用の（１１１）面６ａ以外の（１１１）
面６ｄも現れている。この方法でＶ溝が形成された基板
上に光ファイバ２を装着した状態を図１０に示す。同図
において、３２は、光ファイバ２と光結合される、Ｌ
Ｄ、光導波路などの光部品である。図１０に示されるよ
うに、光ファイバ２は、Ｖ溝形成マスクの縁方向がＳｉ
基板の＜１１０＞方向に対して角度ずれがある場合に
は、細分化されたＶ溝ブロック３１の角の集合（細分化
Ｖ溝列）によって支持され、また角度ずれがない場合
（１１１）面６ａによって支えられる。
【０００５】図１１は、従来の光ファイバのガイド用溝
への実装方法を示す断面図である。従来、同図に示され
るように、ガイド用のＶ溝６に熱硬化樹脂や紫外線硬化
樹脂などの接着剤を介して光ファイバ２を装着し、光フ
ァイバの上から荷重用ブロック（スペーサ）３０などに
よって荷重をかけつつ、接着剤を硬化させて光ファイバ
をＶ溝に固定をしていた。
への実装方法を示す断面図である。従来、同図に示され
るように、ガイド用のＶ溝６に熱硬化樹脂や紫外線硬化
樹脂などの接着剤を介して光ファイバ２を装着し、光フ
ァイバの上から荷重用ブロック（スペーサ）３０などに
よって荷重をかけつつ、接着剤を硬化させて光ファイバ
をＶ溝に固定をしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図９に示した従来のＶ
溝形成方法では、以下に述べるような問題がある。一般
に、Ｓｉの異方性エッチングにおいては、エッチング深
さに比例して、図１２に示すように、四角形パターンの
角が異方性エッチング用マスク８の下の（ｎｎ１）面２
１などのエッチングによって面取りされていくコーナー
アンダーカット（以下、コーナーカットという）と呼ば
れる現象がある。Ｖ溝マスクの角度ずれがない場合は光
ファイバは（１１１）面によって支えられるが、エッチ
ングの進行とともにコーナーカット量が大きくなると、
光ファイバを支持する（１１１）面の光ファイバに接す
る部分が（ｎｎ１）面による侵食の結果消滅してしまう
ため、光ファイバを安定に支えることができなくなる。
溝形成方法では、以下に述べるような問題がある。一般
に、Ｓｉの異方性エッチングにおいては、エッチング深
さに比例して、図１２に示すように、四角形パターンの
角が異方性エッチング用マスク８の下の（ｎｎ１）面２
１などのエッチングによって面取りされていくコーナー
アンダーカット（以下、コーナーカットという）と呼ば
れる現象がある。Ｖ溝マスクの角度ずれがない場合は光
ファイバは（１１１）面によって支えられるが、エッチ
ングの進行とともにコーナーカット量が大きくなると、
光ファイバを支持する（１１１）面の光ファイバに接す
る部分が（ｎｎ１）面による侵食の結果消滅してしまう
ため、光ファイバを安定に支えることができなくなる。
【０００７】また、細分化したＶ溝列によって光ファイ
バを実装する場合であって、Ｖ溝形成マスクがＳｉ＜１
１０＞方向に対して角度ずれを持つ時には、マスクパタ
ーンの大きさが極端に大きくなければ、光ファイバは図
１０に示す態様にて実装されるため、軸ずれ量は主とし
てコーナーカット量に依存し、コーナーカット量ととも
に大きくなる。
バを実装する場合であって、Ｖ溝形成マスクがＳｉ＜１
１０＞方向に対して角度ずれを持つ時には、マスクパタ
ーンの大きさが極端に大きくなければ、光ファイバは図
１０に示す態様にて実装されるため、軸ずれ量は主とし
てコーナーカット量に依存し、コーナーカット量ととも
に大きくなる。
【０００８】上記コーナーカット量を少なくするための
手段として、例えば、図１３に示すように、エッチン
グ用マスク８の角にコーナーカット補償パターン部１９
を設けたり、コーナーカットの進行速度そのものを遅
くするために、例えば異方性エッチングのエッチャント
であるＫＯＨにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の
アルコールを添加する方法がある。
手段として、例えば、図１３に示すように、エッチン
グ用マスク８の角にコーナーカット補償パターン部１９
を設けたり、コーナーカットの進行速度そのものを遅
くするために、例えば異方性エッチングのエッチャント
であるＫＯＨにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の
アルコールを添加する方法がある。
【０００９】しかし、のコーナーカット補償パターン
の方法のみでコーナーカットを補償しようとする場合に
は、補償パターンが非常に大きくなってしまう（例えば
ＩＰＡ添加の場合の５倍強程度（それぞれＫＯＨ２０ｗ
ｔ％、８０°Ｃのエッチャントを用いる場合））ため、
Ｖ溝幅の値などによる制約から細分化Ｖ溝形成マスクの
設計自由度が低くなるという問題がある。
の方法のみでコーナーカットを補償しようとする場合に
は、補償パターンが非常に大きくなってしまう（例えば
ＩＰＡ添加の場合の５倍強程度（それぞれＫＯＨ２０ｗ
ｔ％、８０°Ｃのエッチャントを用いる場合））ため、
Ｖ溝幅の値などによる制約から細分化Ｖ溝形成マスクの
設計自由度が低くなるという問題がある。
【００１０】よって、のアルコール添加の方法を組み
合わせる必要が出てくるが、ＩＰＡ等のアルコールを添
加すると、エッチングで現れる（１００）面にマイクロ
ピラミッド（微細な突起）が発生し易くなる。このマイ
クロピラミッドが残っていると光ファイバをＶ溝に安定
に着座させることができないため、光ファイバと光導波
路の光軸を設計通りに調芯することができなくなるとい
う問題がある。
合わせる必要が出てくるが、ＩＰＡ等のアルコールを添
加すると、エッチングで現れる（１００）面にマイクロ
ピラミッド（微細な突起）が発生し易くなる。このマイ
クロピラミッドが残っていると光ファイバをＶ溝に安定
に着座させることができないため、光ファイバと光導波
路の光軸を設計通りに調芯することができなくなるとい
う問題がある。
【００１１】さらに、光ファイバを装着するためのＶ溝
を形成していく時、細分化Ｖ溝ブロックの上部でコーナ
ーカット補償パターン部の下部のＳｉがちょうど消滅し
た段階（本来のマスク８のコーナー部Ａにまでエッチン
グが進行したとき）でも、ブロックのコーナー下部には
コーナーカット補償パターン部マスクの痕跡の残存Ｓｉ
２０が残される〔図１３（ａ）、（ｂ）〕。この補償パ
ターン部マスクの痕跡の残存Ｓｉが大きい場合、光ファ
イバを装着する際の障害になる。よって、これを消すた
めにさらにオーバーエッチングを行う必要がある。この
結果、コーナーカット量を完全に補償することができな
く、光軸ずれの要因となる。
を形成していく時、細分化Ｖ溝ブロックの上部でコーナ
ーカット補償パターン部の下部のＳｉがちょうど消滅し
た段階（本来のマスク８のコーナー部Ａにまでエッチン
グが進行したとき）でも、ブロックのコーナー下部には
コーナーカット補償パターン部マスクの痕跡の残存Ｓｉ
２０が残される〔図１３（ａ）、（ｂ）〕。この補償パ
ターン部マスクの痕跡の残存Ｓｉが大きい場合、光ファ
イバを装着する際の障害になる。よって、これを消すた
めにさらにオーバーエッチングを行う必要がある。この
結果、コーナーカット量を完全に補償することができな
く、光軸ずれの要因となる。
【００１２】また、従来の光ファイバ実装方法では次の
ような問題がある。接着剤の樹脂を硬化させる間、上か
らスペーサーなどによって荷重をかけて光ファイバをＶ
溝に押しつける必要があるために、スペーサーの形状の
精度が悪いと、光ファイバや基板とスペーサーの間に
「ガタ」が生じるため、 ・荷重の方向や大きさによっては光ファイバがずれやす
い、 ・同時に複数の光ファイバに均等に荷重をかけにくい、
など、信頼性に問題がある。
ような問題がある。接着剤の樹脂を硬化させる間、上か
らスペーサーなどによって荷重をかけて光ファイバをＶ
溝に押しつける必要があるために、スペーサーの形状の
精度が悪いと、光ファイバや基板とスペーサーの間に
「ガタ」が生じるため、 ・荷重の方向や大きさによっては光ファイバがずれやす
い、 ・同時に複数の光ファイバに均等に荷重をかけにくい、
など、信頼性に問題がある。
【００１３】さらに、紫外線硬化樹脂を用いて光ファイ
バをＶ溝に固定する場合、光ファイバに紫外線光が散乱
・吸収される分、光ファイバとＶ溝の接着面に対する紫
外線の照射量が減るために、樹脂の硬化に要する時間が
余計にかかる。そのため、樹脂硬化中に光ファイバと光
導波路の光軸にずれが生じる可能性が高くなる。
バをＶ溝に固定する場合、光ファイバに紫外線光が散乱
・吸収される分、光ファイバとＶ溝の接着面に対する紫
外線の照射量が減るために、樹脂の硬化に要する時間が
余計にかかる。そのため、樹脂硬化中に光ファイバと光
導波路の光軸にずれが生じる可能性が高くなる。
【００１４】本願発明は、以上の従来例の問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、第１に、マイク
ロピラミッドや補償マスクに起因する残存Ｓｉなどが発
生することのないようにして、光ファイバのガイドＶ溝
への装着が妨害されることのないようにすることであ
り、第２に、ガイドＶ溝への光ファイバの装着を容易に
かつ高い精度で行いうるようにすることである。
てなされたものであって、その目的は、第１に、マイク
ロピラミッドや補償マスクに起因する残存Ｓｉなどが発
生することのないようにして、光ファイバのガイドＶ溝
への装着が妨害されることのないようにすることであ
り、第２に、ガイドＶ溝への光ファイバの装着を容易に
かつ高い精度で行いうるようにすることである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による光結合装置用基板は、光部品と光学的
に結合される光ファイバが装着されるＶ溝が形成された
ものであって、このＶ溝の底部分は除去されて基板裏面
に通じる貫通穴が設けられていることを特徴としてい
る。
めの本発明による光結合装置用基板は、光部品と光学的
に結合される光ファイバが装着されるＶ溝が形成された
ものであって、このＶ溝の底部分は除去されて基板裏面
に通じる貫通穴が設けられていることを特徴としてい
る。
【００１６】また、上記の目的を達成するための本発明
による光結合装置用基板の製造方法は、基板の表面上に
Ｖ溝形成用マスクを設け、該マスクを介して所定の深さ
まで異方性のエッチングを行って少なくとも光ファイバ
と接触する部分がＶ字形状となるように加工する工程を
有しており、前記エッチング工程の前または後もしくは
同時にに、エッチングの結果形成されるべきまたは形成
された溝の底部分を除去して貫通穴が形成されるように
する工程が付加されていることを特徴としている。
による光結合装置用基板の製造方法は、基板の表面上に
Ｖ溝形成用マスクを設け、該マスクを介して所定の深さ
まで異方性のエッチングを行って少なくとも光ファイバ
と接触する部分がＶ字形状となるように加工する工程を
有しており、前記エッチング工程の前または後もしくは
同時にに、エッチングの結果形成されるべきまたは形成
された溝の底部分を除去して貫通穴が形成されるように
する工程が付加されていることを特徴としている。
【００１７】また、上記の目的を達成するための本発明
による光結合装置は、光ファイバが装着されるＶ溝が形
成された光結合装置用基板と、該光結合装置用基板のＶ
溝に装着された光ファイバと、該光ファイバと光学的に
結合された光部品とを有するものであって、前記光結合
装置用基板には前記Ｖ溝に沿って前記Ｖ溝の底部分を除
去する貫通穴が設けられていることを特徴としている。
による光結合装置は、光ファイバが装着されるＶ溝が形
成された光結合装置用基板と、該光結合装置用基板のＶ
溝に装着された光ファイバと、該光ファイバと光学的に
結合された光部品とを有するものであって、前記光結合
装置用基板には前記Ｖ溝に沿って前記Ｖ溝の底部分を除
去する貫通穴が設けられていることを特徴としている。
【００１８】また、上記の目的を達成するための本発明
による光結合装置の製造方法は、光ファイバが装着され
る貫通穴付Ｖ溝が形成され、表面に光部品が固着された
光結合装置用基板に光ファイバを接着する工程を有する
ものであって、前記貫通穴を介して真空吸着を行いなが
らあるいは接着剤を硬化するための紫外線を照射しなが
ら光ファイバを接着することを特徴としている。
による光結合装置の製造方法は、光ファイバが装着され
る貫通穴付Ｖ溝が形成され、表面に光部品が固着された
光結合装置用基板に光ファイバを接着する工程を有する
ものであって、前記貫通穴を介して真空吸着を行いなが
らあるいは接着剤を硬化するための紫外線を照射しなが
ら光ファイバを接着することを特徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の
実施の形態を説明するための斜視図および断面図であ
る。本発明による光結合装置用基板を作製するには、図
１（ａ）に示すように、（１００）面を主面とするＳｉ
基板１の表面に、溝形成方向が＜１１０＞方向となるよ
うに、異方性エッチング用マスク８を形成する。マスク
８は、ストライプ形状のマスクとすることができるが、
図９（ａ）に示す細分化されたマスクや図９（ｂ）に示
す凹凸のあるパターンとすることができる。図９
（ａ）、（ｂ）に示すパターンのマスクを用いる場合、
さらに図１３に示すようなコーナーカット補償パターン
部を付加することができる。
実施の形態を説明するための斜視図および断面図であ
る。本発明による光結合装置用基板を作製するには、図
１（ａ）に示すように、（１００）面を主面とするＳｉ
基板１の表面に、溝形成方向が＜１１０＞方向となるよ
うに、異方性エッチング用マスク８を形成する。マスク
８は、ストライプ形状のマスクとすることができるが、
図９（ａ）に示す細分化されたマスクや図９（ｂ）に示
す凹凸のあるパターンとすることができる。図９
（ａ）、（ｂ）に示すパターンのマスクを用いる場合、
さらに図１３に示すようなコーナーカット補償パターン
部を付加することができる。
【００２０】エッチングマスクの材料としては、単層も
しくは多層金属膜または合金膜、熱酸化ＳｉＯ2 膜、Ｃ
ＶＤＳｉＯ2 膜、ＣＶＤＳｉ3 Ｎ4 膜等を用いることが
できる。マスクを形成した後、ＫＯＨを用いてＳｉ基板
１をエッチングする。エッチャントとしてＩＰＡを添加
したものを用いることができる。Ｖ溝６が、光ファイバ
を（１１１）面で保持できる深さに形成された段階で、
エッチングを中止する。この状態ではＶ溝６の断面形状
は台形状であって未だは完全なＶ字状とはなっていな
い。ここで、基板表面側からのエッチング深さを浅く限
定しているのは、深いエッチングをすることによって、
（（１１１）面方向の）サイドエッチングによるＶ溝幅
拡大や、Ｖ溝の細分化をした場合のコーナーカット量が
大きくなるのを避けるためである。
しくは多層金属膜または合金膜、熱酸化ＳｉＯ2 膜、Ｃ
ＶＤＳｉＯ2 膜、ＣＶＤＳｉ3 Ｎ4 膜等を用いることが
できる。マスクを形成した後、ＫＯＨを用いてＳｉ基板
１をエッチングする。エッチャントとしてＩＰＡを添加
したものを用いることができる。Ｖ溝６が、光ファイバ
を（１１１）面で保持できる深さに形成された段階で、
エッチングを中止する。この状態ではＶ溝６の断面形状
は台形状であって未だは完全なＶ字状とはなっていな
い。ここで、基板表面側からのエッチング深さを浅く限
定しているのは、深いエッチングをすることによって、
（（１１１）面方向の）サイドエッチングによるＶ溝幅
拡大や、Ｖ溝の細分化をした場合のコーナーカット量が
大きくなるのを避けるためである。
【００２１】台形形状のＶ溝を形成した状態では、Ｖ溝
６の底面にはマイクロピラミッド１８が形成されていた
り、またマスクにコーナカット補償パターン部が付加さ
れたパターンのマスクを用いた場合には、補償パターン
の痕跡を示す残存Ｓｉ（図示なし）が形成される可能性
があり、光ファイバの装着が妨害される可能性がある。
そこで、本発明においては、Ｖ溝（台形状溝）の底部を
除去して、マイクロピラミッドや残存Ｓｉを除去する。
６の底面にはマイクロピラミッド１８が形成されていた
り、またマスクにコーナカット補償パターン部が付加さ
れたパターンのマスクを用いた場合には、補償パターン
の痕跡を示す残存Ｓｉ（図示なし）が形成される可能性
があり、光ファイバの装着が妨害される可能性がある。
そこで、本発明においては、Ｖ溝（台形状溝）の底部を
除去して、マイクロピラミッドや残存Ｓｉを除去する。
【００２２】Ｖ溝の底部の除去方法としては、以下の手
段を用いることができる。 図１（ａ）に示す状態に加工した後、ダイシングソ
ーなどの機械的手段を用いて図１（ｂ）に示すように貫
通穴３を形成する。図１（ｂ）において、１６が貫通穴
によるＳｉの除去部分である。 基板表面からのエッチングに先だって基板裏面から
エッチング後のＶ溝の底部が到達する深さの穴を予め開
けておく。 基板裏面にもエッチングマスクを形成し、基板裏面
側からもエッチングを行う。
段を用いることができる。 図１（ａ）に示す状態に加工した後、ダイシングソ
ーなどの機械的手段を用いて図１（ｂ）に示すように貫
通穴３を形成する。図１（ｂ）において、１６が貫通穴
によるＳｉの除去部分である。 基板表面からのエッチングに先だって基板裏面から
エッチング後のＶ溝の底部が到達する深さの穴を予め開
けておく。 基板裏面にもエッチングマスクを形成し、基板裏面
側からもエッチングを行う。
【００２３】図２は、基板裏面側からもエッチングを行
った場合の断面図である。図２に示す例では、基板表面
にはコーナーカット補償パターン部１９を有する異方性
エッチング用マスク８形成し、また基板裏面側に異方性
エッチング用マスク９を形成してエッチングを行い、表
側Ｖ溝６と裏側Ｖ溝７とを形成しこれにより貫通穴を形
成している。表側Ｖ溝６のみを形成する場合には、Ｖ溝
６の底部には（１００）面６ｃが現れまた底部のコーナ
ー部にはマスクの痕跡の残存Ｓｉ２０が形成されるが、
これらは裏面側からのエッチングにより除去される。
った場合の断面図である。図２に示す例では、基板表面
にはコーナーカット補償パターン部１９を有する異方性
エッチング用マスク８形成し、また基板裏面側に異方性
エッチング用マスク９を形成してエッチングを行い、表
側Ｖ溝６と裏側Ｖ溝７とを形成しこれにより貫通穴を形
成している。表側Ｖ溝６のみを形成する場合には、Ｖ溝
６の底部には（１００）面６ｃが現れまた底部のコーナ
ー部にはマスクの痕跡の残存Ｓｉ２０が形成されるが、
これらは裏面側からのエッチングにより除去される。
【００２４】貫通穴によって裏面側に通じるＶ溝６の形
成が終了した後、図１（ｂ）に示すように、Ｖ溝６を光
ファイバ２を搭載し接着剤（図示なし）を用いて接着す
る。この場合、マイクロピラミッド１８や補償パターン
部マスクに起因する残存Ｓｉなどは最早存在していない
ので、光ファイバを安定して着座させることができる。
この接着工程において、貫通穴３を通して基板１の裏面
１ｂ方向から吸気することができる。これによって、光
ファイバ２は表側Ｖ溝６の（１１１）面に押しつけら
れ、吸着される。この状態は、光ファイバを単にＶ溝に
載せただけの状態よりも安定であるので、この状態でＶ
溝に接着固定することによってより高精度に光ファイバ
を実装することが可能になる。
成が終了した後、図１（ｂ）に示すように、Ｖ溝６を光
ファイバ２を搭載し接着剤（図示なし）を用いて接着す
る。この場合、マイクロピラミッド１８や補償パターン
部マスクに起因する残存Ｓｉなどは最早存在していない
ので、光ファイバを安定して着座させることができる。
この接着工程において、貫通穴３を通して基板１の裏面
１ｂ方向から吸気することができる。これによって、光
ファイバ２は表側Ｖ溝６の（１１１）面に押しつけら
れ、吸着される。この状態は、光ファイバを単にＶ溝に
載せただけの状態よりも安定であるので、この状態でＶ
溝に接着固定することによってより高精度に光ファイバ
を実装することが可能になる。
【００２５】図３、図４は、光ファイバの他の実装方法
を示す断面図である。図３に示すように、光ファイバ固
着用の接着剤に紫外線硬化樹脂１０を用い、基板裏面側
から貫通穴３を通して紫外線１１を照射して光ファイバ
の固着を行うことができる。この方法によれば、基板裏
面から照射される紫外線は光ファイバに散乱または吸収
されることがないため、裏面からの紫外線照射によりあ
るいは表面からの照射を併用することによって紫外線硬
化樹脂をより短時間で硬化させることができ、作業性を
向上させることができる外、接着工程中における光ファ
イバの位置ずれの起こる可能性を低くすることができ
る。
を示す断面図である。図３に示すように、光ファイバ固
着用の接着剤に紫外線硬化樹脂１０を用い、基板裏面側
から貫通穴３を通して紫外線１１を照射して光ファイバ
の固着を行うことができる。この方法によれば、基板裏
面から照射される紫外線は光ファイバに散乱または吸収
されることがないため、裏面からの紫外線照射によりあ
るいは表面からの照射を併用することによって紫外線硬
化樹脂をより短時間で硬化させることができ、作業性を
向上させることができる外、接着工程中における光ファ
イバの位置ずれの起こる可能性を低くすることができ
る。
【００２６】また、図４に示すように、偏波保存光ファ
イバ１２を表側Ｖ溝６に実装する場合において、基板の
貫通穴３を通して基板裏面方向からコヒーレントあるい
はインコヒーレントな照明光１３を照射する。その結果
得られる偏波保存ファイバ１２の透過光１４の強度分布
像１５を基板表面１ａ側において観察すると、この透過
像は偏波保存ファイバ１２の光軸回りの回転変位によっ
て変化する。このため、例えば基板面に対して垂直ある
いは平行方向などの所望の偏波方向に対する透過光強度
分布を予め観察して知っておくことによって、以降の偏
波保存光ファイバ実装においては、偏波保存ファイバ導
波光パワーの測定によるモニタリングをすることなく、
透過光強度分布観察によって簡便に偏波方向を合わせる
ことができる。この方法による偏波保存光ファイバの偏
波方向の調整では、表裏を反転して基板の基板表面１ａ
方向から照明光を入射して裏面１ｂ方向から観察すると
いう構成でも可能である。
イバ１２を表側Ｖ溝６に実装する場合において、基板の
貫通穴３を通して基板裏面方向からコヒーレントあるい
はインコヒーレントな照明光１３を照射する。その結果
得られる偏波保存ファイバ１２の透過光１４の強度分布
像１５を基板表面１ａ側において観察すると、この透過
像は偏波保存ファイバ１２の光軸回りの回転変位によっ
て変化する。このため、例えば基板面に対して垂直ある
いは平行方向などの所望の偏波方向に対する透過光強度
分布を予め観察して知っておくことによって、以降の偏
波保存光ファイバ実装においては、偏波保存ファイバ導
波光パワーの測定によるモニタリングをすることなく、
透過光強度分布観察によって簡便に偏波方向を合わせる
ことができる。この方法による偏波保存光ファイバの偏
波方向の調整では、表裏を反転して基板の基板表面１ａ
方向から照明光を入射して裏面１ｂ方向から観察すると
いう構成でも可能である。
【００２７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図５、図６は、この発明の光結合装
置を光ファイバ用Ｖ溝と石英ガラス系の光導波路を同一
Ｓｉ基板上に形成することによって構成する場合におい
て、Ｖ溝底面部に設ける基板の貫通穴をＳｉ基板の両面
からの異方性エッチングによって形成する方法を用いる
場合の工程を、工程順に示したものである。まず、図５
（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１上に、表面１ａと裏面
１ｂにそれぞれ異方性エッチング用マスク８、９を設け
る。裏側の異方性エッチング用マスク９の形成位置に関
しては、図５（ａ）のように、表面Ｖ溝に対応する基板
を挟んで反対側の部分にのみ設ければよい。すなわち、
裏面からのエッチングによってつくられる表面と反対向
きの裏側Ｖ溝７が表側Ｖ溝６とつながることによって貫
通穴ができて、光ファイバが置かれるべき部分の（１０
０）面が除去され、かつＶ溝底部に残存するコーナーカ
ット補償パターンの痕跡の残存Ｓｉが、オーバーエッチ
ングによる深いエッチングをすることなく除去できるよ
うな位置に設ける。
て詳細に説明する。図５、図６は、この発明の光結合装
置を光ファイバ用Ｖ溝と石英ガラス系の光導波路を同一
Ｓｉ基板上に形成することによって構成する場合におい
て、Ｖ溝底面部に設ける基板の貫通穴をＳｉ基板の両面
からの異方性エッチングによって形成する方法を用いる
場合の工程を、工程順に示したものである。まず、図５
（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１上に、表面１ａと裏面
１ｂにそれぞれ異方性エッチング用マスク８、９を設け
る。裏側の異方性エッチング用マスク９の形成位置に関
しては、図５（ａ）のように、表面Ｖ溝に対応する基板
を挟んで反対側の部分にのみ設ければよい。すなわち、
裏面からのエッチングによってつくられる表面と反対向
きの裏側Ｖ溝７が表側Ｖ溝６とつながることによって貫
通穴ができて、光ファイバが置かれるべき部分の（１０
０）面が除去され、かつＶ溝底部に残存するコーナーカ
ット補償パターンの痕跡の残存Ｓｉが、オーバーエッチ
ングによる深いエッチングをすることなく除去できるよ
うな位置に設ける。
【００２８】このマスクは異方性エッチングにＫＯＨな
どのアルカリ溶液をエッチャントとして用いる場合、例
えばＫＯＨに対してエッチングされにくいタングステン
シリサイド（ＷＳｉ）やＡｕなどを用いればよい。石英
ガラス系の光導波路を同一基板上に設けるのでない場合
には、単なる光ファイバガイド用のＶ溝形成のための異
方性エッチングのマスクとしてならば、Ｓｉの熱酸化膜
を用いることも可能である。なお、表側と裏側の異方性
エッチング用マスク８、９の形成する手段としては、マ
スク形成材料層を形成した後に、例えばフォトレジスト
を塗布してから両面マスクアライナなどを用いて露光し
パターン形成を行えばよい。
どのアルカリ溶液をエッチャントとして用いる場合、例
えばＫＯＨに対してエッチングされにくいタングステン
シリサイド（ＷＳｉ）やＡｕなどを用いればよい。石英
ガラス系の光導波路を同一基板上に設けるのでない場合
には、単なる光ファイバガイド用のＶ溝形成のための異
方性エッチングのマスクとしてならば、Ｓｉの熱酸化膜
を用いることも可能である。なお、表側と裏側の異方性
エッチング用マスク８、９の形成する手段としては、マ
スク形成材料層を形成した後に、例えばフォトレジスト
を塗布してから両面マスクアライナなどを用いて露光し
パターン形成を行えばよい。
【００２９】石英ガラス系光導波路をＳｉ基板上に形成
する場合には、次に、図５（ｂ）に示すように、異方性
エッチング用マスク８、９を形成後の基板の表面１ａ
に、クラッド４とコア５からなる石英ガラス系の光導波
路を形成する。この光導波路は次のようにして形成する
ことができる。例えばＡＰ−ＣＶＤ法や火炎堆積法によ
って石英ガラス系材料からなる下層クラッド４ｂと光導
波路コア材料層を堆積し、コア材料層をフォトリソグラ
フィ法および反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によっ
てパターンニングして光導波路コア５を形成した後、下
層クラッドと同様の方法で上層クラッド４ａを堆積す
る。次に、光導波路形成用マスク４０を上層クラッド４
ａの上に形成する。このマスク４０は、図５（ｃ）、図
５（ｃ′）に示すように、光ファイバガイド用のＶ溝を
形成する位置を避けて、光導波路上層クラッドのうち残
したい部分の上部に形成すればよい。
する場合には、次に、図５（ｂ）に示すように、異方性
エッチング用マスク８、９を形成後の基板の表面１ａ
に、クラッド４とコア５からなる石英ガラス系の光導波
路を形成する。この光導波路は次のようにして形成する
ことができる。例えばＡＰ−ＣＶＤ法や火炎堆積法によ
って石英ガラス系材料からなる下層クラッド４ｂと光導
波路コア材料層を堆積し、コア材料層をフォトリソグラ
フィ法および反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によっ
てパターンニングして光導波路コア５を形成した後、下
層クラッドと同様の方法で上層クラッド４ａを堆積す
る。次に、光導波路形成用マスク４０を上層クラッド４
ａの上に形成する。このマスク４０は、図５（ｃ）、図
５（ｃ′）に示すように、光ファイバガイド用のＶ溝を
形成する位置を避けて、光導波路上層クラッドのうち残
したい部分の上部に形成すればよい。
【００３０】次に、図６（ｄ）に示すように、裏側の異
方性エッチング用マスク９を用いて基板の裏面から適当
な深さにエッチングをする。この時、Ｓｉ基板の表面１
ａでは、Ｓｉが露出していないので、まだエッチングを
受けない。また、この時の裏面からの具体的なエッチン
グ深さの設定は、基板の厚さがＴ（μｍ）でかつ後工程
での両面エッチングの結果の表面からのエッチング深さ
がｄ（μｍ）である場合には、 Ｔ−２ｄ（μｍ）程度 にすればよい。
方性エッチング用マスク９を用いて基板の裏面から適当
な深さにエッチングをする。この時、Ｓｉ基板の表面１
ａでは、Ｓｉが露出していないので、まだエッチングを
受けない。また、この時の裏面からの具体的なエッチン
グ深さの設定は、基板の厚さがＴ（μｍ）でかつ後工程
での両面エッチングの結果の表面からのエッチング深さ
がｄ（μｍ）である場合には、 Ｔ−２ｄ（μｍ）程度 にすればよい。
【００３１】その後、前記の光導波路端面形成用マスク
４０を用いて、光導波路クラッド４と光導波路コア５か
らなる導波路層のエッチングを行い、図６（ｅ）に示す
ように、光導波路部４２に光導波路を形成する。光導波
路部４２の端面には終端端面４２ａが形成される。な
お、石英ガラス系の導波路層の場合、上記のエッチング
は例えばバッファード弗酸を用いたウエットエッチング
や例えばＣＦ系ガスを用いた反応性イオンエッチングに
よって行えばよい。この結果、基板の表面のＶ溝形成部
４１ではＳｉが露出する。
４０を用いて、光導波路クラッド４と光導波路コア５か
らなる導波路層のエッチングを行い、図６（ｅ）に示す
ように、光導波路部４２に光導波路を形成する。光導波
路部４２の端面には終端端面４２ａが形成される。な
お、石英ガラス系の導波路層の場合、上記のエッチング
は例えばバッファード弗酸を用いたウエットエッチング
や例えばＣＦ系ガスを用いた反応性イオンエッチングに
よって行えばよい。この結果、基板の表面のＶ溝形成部
４１ではＳｉが露出する。
【００３２】更に、基板の両面から異方性エッチングを
行うことによって、図６（ｆ）に示すように、表側Ｖ溝
６の下底部に貫通穴３が設けられる。この結果、Ｖ溝下
底部のうち光ファイバが横たわるべき部分１７に（１０
０）面が残っていない構造が実現される。したがって、
（１００）面にマイクロピラミッドが形成されることが
あってもこれが残存することはなくなる。また、Ｖ溝を
細分化して形成した場合においても、Ｖ溝底部に残存す
べきコーナーカット補償パターン部マスクの痕跡の残存
Ｓｉ２０は除去される（図２参照）。
行うことによって、図６（ｆ）に示すように、表側Ｖ溝
６の下底部に貫通穴３が設けられる。この結果、Ｖ溝下
底部のうち光ファイバが横たわるべき部分１７に（１０
０）面が残っていない構造が実現される。したがって、
（１００）面にマイクロピラミッドが形成されることが
あってもこれが残存することはなくなる。また、Ｖ溝を
細分化して形成した場合においても、Ｖ溝底部に残存す
べきコーナーカット補償パターン部マスクの痕跡の残存
Ｓｉ２０は除去される（図２参照）。
【００３３】以上のようにＳｉ基板のエッチングを２段
階で行うようにすれば、例えば基板厚さが５００μｍで
光ファイバ装着用の表側Ｖ溝の必要なエッチング深さが
６０μｍであるような場合、表面からと裏面からのエッ
チング深さを異ならせることができ、肝心の表側Ｖ溝６
のエッチングを必要以上に深くしてコーナーカットを大
きくしてしまうことは回避できる。
階で行うようにすれば、例えば基板厚さが５００μｍで
光ファイバ装着用の表側Ｖ溝の必要なエッチング深さが
６０μｍであるような場合、表面からと裏面からのエッ
チング深さを異ならせることができ、肝心の表側Ｖ溝６
のエッチングを必要以上に深くしてコーナーカットを大
きくしてしまうことは回避できる。
【００３４】なお、上記の方法では、マイクロピラミッ
ドの発生する可能性のある（１００）面が光ファイバの
横たわるべき部分において、かつＶ溝底部に残存するコ
ーナーカット補償パターン部マスクの痕跡の残存Ｓｉ
が、オーバーエッチングをすることなく除去することが
できればよいのであるから、裏面からの異方性エッチン
グを行う位置について高い精度は必要ではない。
ドの発生する可能性のある（１００）面が光ファイバの
横たわるべき部分において、かつＶ溝底部に残存するコ
ーナーカット補償パターン部マスクの痕跡の残存Ｓｉ
が、オーバーエッチングをすることなく除去することが
できればよいのであるから、裏面からの異方性エッチン
グを行う位置について高い精度は必要ではない。
【００３５】このようにして形成された光結合装置用基
板の斜視図を図７（ａ）に示す。次に、先に説明した方
法のうちの何れかの方法を用いて図７（ｂ）に示すよう
にＶ溝に光ファイバを実装することになるが、貫通穴付
のＶ溝が形成された段階では、図７（ａ）に示されるよ
うに、、異方性エッチングによって現れるＳｉ（１１
１）面のうち、光導波路部の終端端面４２ａが縁となっ
ている（１１１）面６ｂが存在しているために、光ファ
イバ端を光導波路部の終端端面４２ａに完全に突き当て
ることができない。そこで、Ｖ溝に光ファイバを装着す
る前に、図８に示すように、Ｖ溝形成部４１と光導波路
部４２との間に、表側Ｖ溝よりも深い切削溝５１をダイ
シングソー等で設ける。これにより、新たな光導波路部
の終端端面４２ｂが形成される。
板の斜視図を図７（ａ）に示す。次に、先に説明した方
法のうちの何れかの方法を用いて図７（ｂ）に示すよう
にＶ溝に光ファイバを実装することになるが、貫通穴付
のＶ溝が形成された段階では、図７（ａ）に示されるよ
うに、、異方性エッチングによって現れるＳｉ（１１
１）面のうち、光導波路部の終端端面４２ａが縁となっ
ている（１１１）面６ｂが存在しているために、光ファ
イバ端を光導波路部の終端端面４２ａに完全に突き当て
ることができない。そこで、Ｖ溝に光ファイバを装着す
る前に、図８に示すように、Ｖ溝形成部４１と光導波路
部４２との間に、表側Ｖ溝よりも深い切削溝５１をダイ
シングソー等で設ける。これにより、新たな光導波路部
の終端端面４２ｂが形成される。
【００３６】なお、Ｓｉ基板上に形成する光導波路は石
英系ガラス光導波路に限ることなく、例えば、フッ素化
ポリイミド等の光導波路でもよいことは明らかである。
さらに、光ファイバと結合させる光部品は、光導波路以
外のレーザダイオードやフォトダイオード等であっても
よい。また、基板材料としては、異方性エッチングによ
ってＶ溝を形成することができればよいので、Ｓｉに代
えＧａＡｓやＩｎＰを用いることができる。
英系ガラス光導波路に限ることなく、例えば、フッ素化
ポリイミド等の光導波路でもよいことは明らかである。
さらに、光ファイバと結合させる光部品は、光導波路以
外のレーザダイオードやフォトダイオード等であっても
よい。また、基板材料としては、異方性エッチングによ
ってＶ溝を形成することができればよいので、Ｓｉに代
えＧａＡｓやＩｎＰを用いることができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光結
合装置用基板は、光ファイバの装着されるＶ溝の底部に
残るべき（１００）面を除去したものであるので、マイ
クロピラミッドは原理的に発生することがなく、また、
Ｖ溝底部に残存すべきコーナーカット補償パターン部マ
スクの痕跡の残存Ｓｉはオーバーエッチングによる深い
エッチングをすることなく除去することができる。よっ
て、本発明によれば、マイクロピラミッドやコーナーカ
ット補償パターン部マスクの痕跡の残存Ｓｉに邪魔され
ることなく、光ファイバを高精度にかつ安定に支持する
ことができるので、光導波路などの光部品と光ファイバ
の無調整結合方式の光結合装置において、量産性および
信頼性を兼ね備えた高効率の結合が可能となる。
合装置用基板は、光ファイバの装着されるＶ溝の底部に
残るべき（１００）面を除去したものであるので、マイ
クロピラミッドは原理的に発生することがなく、また、
Ｖ溝底部に残存すべきコーナーカット補償パターン部マ
スクの痕跡の残存Ｓｉはオーバーエッチングによる深い
エッチングをすることなく除去することができる。よっ
て、本発明によれば、マイクロピラミッドやコーナーカ
ット補償パターン部マスクの痕跡の残存Ｓｉに邪魔され
ることなく、光ファイバを高精度にかつ安定に支持する
ことができるので、光導波路などの光部品と光ファイバ
の無調整結合方式の光結合装置において、量産性および
信頼性を兼ね備えた高効率の結合が可能となる。
【００３８】また、本発明によれば、Ｖ溝に光ファイバ
を実装する際に基板の裏面から吸気することができるの
で、光ファイバに基板表面（Ｖ溝の上側）からスペーサ
ー等で荷重をかける必要がなくなり、簡易にかつ高精度
に実装することがが可能になる。さらに、基板表面の光
ファイバの上方からだけでなく、上記の貫通穴を通して
基板裏面からも紫外線硬化樹脂に紫外線を照射すること
ができるので、より短時間で光ファイバをＶ溝に固定で
きる。そのため、作業性が向上する外光導波路と光ファ
イバの光軸ずれが生じる確率が小さくなる。
を実装する際に基板の裏面から吸気することができるの
で、光ファイバに基板表面（Ｖ溝の上側）からスペーサ
ー等で荷重をかける必要がなくなり、簡易にかつ高精度
に実装することがが可能になる。さらに、基板表面の光
ファイバの上方からだけでなく、上記の貫通穴を通して
基板裏面からも紫外線硬化樹脂に紫外線を照射すること
ができるので、より短時間で光ファイバをＶ溝に固定で
きる。そのため、作業性が向上する外光導波路と光ファ
イバの光軸ずれが生じる確率が小さくなる。
【００３９】また、偏波保存ファイバの偏波方向を調整
実装する際に下方または上方からのコヒーレントあるい
はインコヒーレントな照明光を照射しその偏波保存光フ
ァイバ透過像を顕微鏡等で観察することによって偏波方
向を合わせることができるので、従来の偏波保存ファイ
バの導波光パワーをモニタリングする方法に比較して、
偏波保存ファイバの角度調整を簡便に行うことが可能に
なる。すなわち、本発明によれば、高精度光ファイバ無
調整実装方式の光結合装置において、光ファイバの実装
に要する時間を短縮し、信頼性および作業性を向上させ
ることができる。
実装する際に下方または上方からのコヒーレントあるい
はインコヒーレントな照明光を照射しその偏波保存光フ
ァイバ透過像を顕微鏡等で観察することによって偏波方
向を合わせることができるので、従来の偏波保存ファイ
バの導波光パワーをモニタリングする方法に比較して、
偏波保存ファイバの角度調整を簡便に行うことが可能に
なる。すなわち、本発明によれば、高精度光ファイバ無
調整実装方式の光結合装置において、光ファイバの実装
に要する時間を短縮し、信頼性および作業性を向上させ
ることができる。
【図１】 本発明の実施の形態を説明するための斜視図
と断面図。
と断面図。
【図２】 本発明の実施の形態を説明するための断面
図。
図。
【図３】 本発明の実施の形態を説明するための断面
図。
図。
【図４】 本発明の実施の形態を説明するための断面
図。
図。
【図５】 本発明の一実施例の製造方法を説明するため
の工程順断面図。
の工程順断面図。
【図６】 本発明の一実施例の製造方法を説明するため
の、工程順の断面図と斜視図。
の、工程順の断面図と斜視図。
【図７】 本発明の一実施例の斜視図と断面図。
【図８】 本発明の一実施例の製造方法を説明するため
の断面図。
の断面図。
【図９】 従来例を説明するための平面図。
【図１０】 従来例を説明するための平面図。
【図１１】 従来例を説明するための断面図。
【図１２】 従来例の問題点を説明するための斜視図。
【図１３】 従来例の問題点を説明するための斜視図と
断面図。
断面図。
１ Ｓｉ基板 １ａ Ｓｉ基板表面 １ｂ Ｓｉ基板裏面 ２ 光ファイバ ３ 貫通穴 ４ 光導波路クラッド ４ａ 上層クラッド ４ｂ 下層クラッド ５ 光導波路コア ６ 表側Ｖ溝 ６ａ、６ｂ、６ｄ （１１１）面 ６ｃ （１００）面 ７ 裏側Ｖ溝 ８、９ 異方性エッチング用マスク ８ａ Ｖ溝形成マスク １０ 紫外線硬化樹脂 １１ 紫外線 １２ 偏波保存光ファイバ １３ 照明光 １４ 透過光 １５ 強度分布像 １６ 貫通穴によるＳｉ除去部分 １７ 光ファイバが横たわるべき部分 １８ マイクロピラミッド １９ コーナーカット補償パターン部 ２０ コーナーカット補償パターン部マスクの痕跡の残
存Ｓｉ ２１ （ｎｎ１）面 ３０ 荷重用ブロック（スペーサー） ３１ 細分化Ｖ溝ブロック ３２ ＬＤ・光導波路等の光部品 ４０ 導波路形成用マスク ４１ Ｖ溝形成部 ４２ 光導波路部 ４２ａ 光導波路部の終端端面 ４２ｂ （切削溝形成後の）光導波路部の終端端面 ５１ 切削溝
存Ｓｉ ２１ （ｎｎ１）面 ３０ 荷重用ブロック（スペーサー） ３１ 細分化Ｖ溝ブロック ３２ ＬＤ・光導波路等の光部品 ４０ 導波路形成用マスク ４１ Ｖ溝形成部 ４２ 光導波路部 ４２ａ 光導波路部の終端端面 ４２ｂ （切削溝形成後の）光導波路部の終端端面 ５１ 切削溝
Claims (9)
- 【請求項１】 光部品と光学的に結合される光ファイバ
が装着されるＶ溝が形成された光結合装置用基板であっ
て、前記Ｖ溝の底部分は除去されて基板裏面に通じる貫
通穴がＶ溝に沿って設けられていることを特徴とする光
結合装置用基板。 - 【請求項２】 基板の表面上にＶ溝形成用マスクを設
け、該マスクを介して所定の深さまで異方性のエッチン
グを行って少なくとも光ファイバと接触する部分がＶ字
形状となるように加工する工程を有する光結合装置用基
板の製造方法であって、前記エッチング工程の前または
後に、エッチングの結果形成されるべきまたは形成され
た溝の底部分を除去して貫通穴が形成されるようにする
工程が付加されていることを特徴とする光結合装置用基
板の製造方法。 - 【請求項３】 基板の表面上および裏面上にＶ溝形成用
マスクを設け、各マスクを介して基板の表裏面から所定
の深さまで異方性のエッチングを行って、少なくとも表
面側に形成される溝の光ファイバと接触する部分がＶ字
形状となるように加工するとともに、表面側から形成さ
れる溝と裏面側から形成される溝とが連結されて貫通穴
が形成されるようにすることを特徴とする光結合装置用
基板の製造方法。 - 【請求項４】 基板裏面側から所定の深さまでエッチン
グを行い、その後、基板表・裏面から同時にエッチング
を行うことを特徴とする請求項３記載の光結合装置用基
板の製造方法。 - 【請求項５】 基板表面からのエッチング量は、形成さ
れる溝の断面が台形形状となる量であり、かつ、該台形
形状の水平部分は基板表面からのエッチング以外の手段
で除去されることを特徴とする請求項２または３記載の
光結合装置用基板の製造方法。 - 【請求項６】 光ファイバが装着されるＶ溝が形成され
た光結合装置用基板と、該光結合装置用基板のＶ溝に装
着された光ファイバと、該光ファイバと光学的に結合さ
れた光部品とを有する光結合装置において、前記光結合
装置用基板には前記Ｖ溝に沿って前記Ｖ溝の底部分を除
去する貫通穴が設けられていることを特徴とする光結合
装置。 - 【請求項７】 光ファイバが装着される貫通穴付Ｖ溝が
形成され、表面に光部品が固着された光結合装置用基板
に光ファイバを接着する工程を有する光結合装置の製造
方法であって、前記貫通穴を介して真空吸着を行いなが
ら光ファイバを接着することを特徴とする光結合装置の
製造方法。 - 【請求項８】 光ファイバが装着される貫通穴付Ｖ溝が
形成され、表面に光部品が固着された光結合装置用基板
に光ファイバを接着する工程を有する光結合装置の製造
方法であって、紫外線硬化型の接着剤を用い少なくとも
基板裏面から前記貫通穴を介して紫外線を照射して前記
接着剤を硬化させることを特徴とする光結合装置の製造
方法。 - 【請求項９】 光ファイバが装着される貫通穴付Ｖ溝が
形成され、表面に光部品が固着された光結合装置用基板
に偏波保存光ファイバを接着する工程を有する光結合装
置の製造方法であって、基板裏面から前記貫通穴を通し
て光を照射しその透過光強度分布を観察して、あるい
は、基板表面から光を照射し貫通穴を通してその透過光
強度分布を観察して、偏波保存光ファイバの偏波方向を
調整することを特徴とする光結合装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7344358A JP3014035B2 (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 光結合装置用基板、光結合装置およびそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7344358A JP3014035B2 (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 光結合装置用基板、光結合装置およびそれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09159866A true JPH09159866A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3014035B2 JP3014035B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=18368626
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7344358A Expired - Fee Related JP3014035B2 (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 光結合装置用基板、光結合装置およびそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3014035B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001015151A1 (fr) * | 1999-08-25 | 2001-03-01 | Seiko Instruments Inc. | Tete optique a champ proche et procede de fabrication de celle-ci |
| WO2007099935A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 光システム及びその製造方法 |
| WO2008029914A1 (fr) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Dispositif optique, système optique et procédé de fabrication de dispositif optique |
| JP2019020618A (ja) * | 2017-07-19 | 2019-02-07 | 株式会社ネクスティエレクトロニクス | 光合波器及び光合波器の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9759868B2 (en) | 2015-11-05 | 2017-09-12 | International Business Machines Corporation | Structures for preventing dicing damage |
Citations (5)
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