JPS6184626A - 電気光学表示素子 - Google Patents
電気光学表示素子Info
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- JPS6184626A JPS6184626A JP60199617A JP19961785A JPS6184626A JP S6184626 A JPS6184626 A JP S6184626A JP 60199617 A JP60199617 A JP 60199617A JP 19961785 A JP19961785 A JP 19961785A JP S6184626 A JPS6184626 A JP S6184626A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/1396—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the liquid crystal being selectively controlled between a twisted state and a non-twisted state, e.g. TN-LC cell
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/02—Liquid crystal materials characterised by optical, electrical or physical properties of the components, in general
- C09K19/0208—Twisted Nematic (T.N.); Super Twisted Nematic (S.T.N.); Optical Mode Interference (O.M.I.)
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本光明はコントラストの視角１ぺ件性が極めて小さくま
た特（／ｉｌ：急峻な（ｓｔｅθｐ）電気光学特性を有
する。に気光学表示要素に関する。
た特（／ｉｌ：急峻な（ｓｔｅθｐ）電気光学特性を有
する。に気光学表示要素に関する。
ネマティックまたはネマティック−コレステリック液晶
材料の諸性質は、鏝晶衣不要素の光学的性質例えば光透
過、光散乱、複屈折、反射または色を電場の影響の下に
有意に変化させるために用いられる。このタイプの表示
要素の慨能はこの場合例えば勅的故乱、配向相の変杉、
またはねじｎセルにおける／ヤットーヘルフリノヒ（５
ｃｈａｄｔ −Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ ）効果光いう現家に
基づいている。
材料の諸性質は、鏝晶衣不要素の光学的性質例えば光透
過、光散乱、複屈折、反射または色を電場の影響の下に
有意に変化させるために用いられる。このタイプの表示
要素の慨能はこの場合例えば勅的故乱、配向相の変杉、
またはねじｎセルにおける／ヤットーヘルフリノヒ（５
ｃｈａｄｔ −Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ ）効果光いう現家に
基づいている。
これら遡常のタイプの妓、′、ム表示焚素の中でも、ね
じれたネマティックセル（ＴＮセル）は最近特に重要さ
を増してきている。というのは、そ几らは、小型電池を
もってさえも容易に利用可１泪な比較的低い制御電圧で
動作できるからである。
じれたネマティックセル（ＴＮセル）は最近特に重要さ
を増してきている。というのは、そ几らは、小型電池を
もってさえも容易に利用可１泪な比較的低い制御電圧で
動作できるからである。
更に、これら表示要素はこれまで、計容し得ない程多数
の制ｆＩ配腺、４入線（引込み泳）および桿出巌（引出
し腺）を用いることなく高情報密度の描出を可能にする
マトリックス表示要素として購成されうる最良のもので
ある。
の制ｆＩ配腺、４入線（引込み泳）および桿出巌（引出
し腺）を用いることなく高情報密度の描出を可能にする
マトリックス表示要素として購成されうる最良のもので
ある。
しかしながら、表扉に用いる場合、（特にマトリックス
大小要素の形の）ＴＮセルは憤然として相当な困難を生
じる。これらには就中、多少の注ぐまあれコントラスト
の著しい視角依存性および制約された時分；し１］駆動
性（マルチプレクシングキャパノテイ）が営まれる。
大小要素の形の）ＴＮセルは憤然として相当な困難を生
じる。これらには就中、多少の注ぐまあれコントラスト
の著しい視角依存性および制約された時分；し１］駆動
性（マルチプレクシングキャパノテイ）が営まれる。
画間退に対して提案されている解決策は既に文献（／（
みられ、そしてその一部は実用化されている。すなわち
、例えば、ＴＮセル（でおけるコントラストの視角依存
性は屈折率異方性△ｎおよびセルＩｆ ｄを適切に選択
することにより著しく向ヒしうる（ Ｌ、Ｐｏｈｌ 、
Ｇ、Ｗｅｂｅｒ 、 Ｒ，Ｅｉｄｅｎｓｃｈｉｎｋ。
みられ、そしてその一部は実用化されている。すなわち
、例えば、ＴＮセル（でおけるコントラストの視角依存
性は屈折率異方性△ｎおよびセルＩｆ ｄを適切に選択
することにより著しく向ヒしうる（ Ｌ、Ｐｏｈｌ 、
Ｇ、Ｗｅｂｅｒ 、 Ｒ，Ｅｉｄｅｎｓｃｈｉｎｋ。
Ｇ、 ＢａｕｒおよびＷ、Ｆｅｈｒｅｎｂａｃｈ、Ａｐ
ｐｌ、Ｐｈｙ＋３．Ｌｅｔｔ。
ｐｌ、Ｐｈｙ＋３．Ｌｅｔｔ。
あ（１９８１） ４９７．）。
特にいわゆるＧｏｏｃｈおよびＴａｒｒｙによる第１元
透過率極小値〔Ｃ，Ｈ，ＧｏｏｃｈおよびＨ，Ａ、 Ｔ
ａｒｒｙ。
透過率極小値〔Ｃ，Ｈ，ＧｏｏｃｈおよびＨ，Ａ、 Ｔ
ａｒｒｙ。
Ｊ、Ｐｈｙｓ、 Ｄ８ （１９７５） １５７５参照〕
においては、コントラストの視角依存性Ｖｉ極小となる
。これには □、４、。＝λ・シ の条件が満たされる心安がある（λ−１更用尤の波長）
。
においては、コントラストの視角依存性Ｖｉ極小となる
。これには □、４、。＝λ・シ の条件が満たされる心安がある（λ−１更用尤の波長）
。
ＴＮセルの時分割出動能は液晶、（＋ラメータＫｌ、Ｋ
２、Ｋ３（広がり、ねじれおよび囲がシに対する弾性定
数）、窮電率ε土およびε７１、および屈折率ｎ。およ
びｎ。、および更にセルのパラメータｙすえば基板面で
のねじれ角および１唄斜角によって決められる。これら
材料の／Ｒパラメータよびセルのパラメータは既には名
の看者によって研死されている（ Ｄ、Ｗ、Ｂｅｒｒｅ
ｍａｎ 、 Ｊ、Ａｐｐｌ＋Ｐｈｙｓ、４６（１９７
５） ３７４６ ； Ｆ、Ｇｈａｒａｄｊｅｄａｇｈｉ
および：ｆ、ＲＯ−ｂａｒｔ 、 Ｒｅｖ、Ｐｈｙａ、
Ａｐｐｌ、 １１ （１９７６） ４６７ ； Ｇ。
２、Ｋ３（広がり、ねじれおよび囲がシに対する弾性定
数）、窮電率ε土およびε７１、および屈折率ｎ。およ
びｎ。、および更にセルのパラメータｙすえば基板面で
のねじれ角および１唄斜角によって決められる。これら
材料の／Ｒパラメータよびセルのパラメータは既には名
の看者によって研死されている（ Ｄ、Ｗ、Ｂｅｒｒｅ
ｍａｎ 、 Ｊ、Ａｐｐｌ＋Ｐｈｙｓ、４６（１９７
５） ３７４６ ； Ｆ、Ｇｈａｒａｄｊｅｄａｇｈｉ
および：ｆ、ＲＯ−ｂａｒｔ 、 Ｒｅｖ、Ｐｈｙａ、
Ａｐｐｌ、 １１ （１９７６） ４６７ ； Ｇ。
Ｂａｕｒ 、 Ｔｈｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ ＬｉｑｕｌｄＣｒｙｓｔａｌ
Ｄｅｖｉｃｅａ ｌｌ（Ｇ、 Ｊ、５ｐｒｏｋｅｌ
ｌｉｉ ） Ｐｌｅｎｕｍ。
ｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ ＬｉｑｕｌｄＣｒｙｓｔａｌ
Ｄｅｖｉｃｅａ ｌｌ（Ｇ、 Ｊ、５ｐｒｏｋｅｌ
ｌｉｉ ） Ｐｌｅｎｕｍ。
Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ 、 （１９８１） ６１ Ａ以ｐ４
； Ｇ、 Ｂａｕｒ 、 Ｍｏｌ。
； Ｇ、 Ｂａｕｒ 、 Ｍｏｌ。
０ｒｙｓｔ１． Ｌｉｑ、 Ｇｒｙｓｔ、 ６３ （１
９８１） ４５ ； Ｃ，Ｚ、 ｖａｎＤｏｏｒｎ 、
Ｏ，Ｊ、 ＧｅｒｒｉｔｓｍａおよびＪ、 Ｊ、’Ｍ
、 Ｊ、ｄｅ Ｋｌ−ｅｒｋ 、 ” Ｔｈｅ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｌｉ
ｑｕｉｄＣｒｙｓｔ、ａｌ ＤｅｖｉＣｅｓ”（Ｇ、Ｊ
、５ｐｒｏｋｅ１４Ｍ ） Ｐｌｅｎｕｍ。
９８１） ４５ ； Ｃ，Ｚ、 ｖａｎＤｏｏｒｎ 、
Ｏ，Ｊ、 ＧｅｒｒｉｔｓｍａおよびＪ、 Ｊ、’Ｍ
、 Ｊ、ｄｅ Ｋｌ−ｅｒｋ 、 ” Ｔｈｅ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｌｉ
ｑｕｉｄＣｒｙｓｔ、ａｌ ＤｅｖｉＣｅｓ”（Ｇ、Ｊ
、５ｐｒｏｋｅ１４Ｍ ） Ｐｌｅｎｕｍ。
Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、（１９８０） 、 ９５頁以降；
Ｆ、 Ｊ、ＫａｈｒおよびＨ，Ｂｉｒｅｃｋｉ、Ｔｈｅ
Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙｏｆ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｅｖｉｃｅｓ ”
（Ｇ、、Ｔ、、５ｐｒｏｋｅｌ如） Ｐｌｅｎｕｍ 、
Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ 、 （１９８０ａ ）、（１９８
０ｂ）、１２５負以唯）〕。
Ｆ、 Ｊ、ＫａｈｒおよびＨ，Ｂｉｒｅｃｋｉ、Ｔｈｅ
Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙｏｆ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｅｖｉｃｅｓ ”
（Ｇ、、Ｔ、、５ｐｒｏｋｅｌ如） Ｐｌｅｎｕｍ 、
Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ 、 （１９８０ａ ）、（１９８
０ｂ）、１２５負以唯）〕。
近似式に従って、時分ガリ駆動性は
ｌｌこより評１曲される（ Ｍ、５ｃｈａｄｔおよびＰ
、 Ｒ，Ｇｅｒｂｅｒ。
、 Ｒ，Ｇｅｒｂｅｒ。
Ｚｅｉｔｓｃｈｒｉｆｔ Ｎａｔｕｒｆｏｒｓｃｈ、
３７ａ （１９８２） １６５参照〕。
３７ａ （１９８２） １６５参照〕。
ｐが小さい程、時分割駆動性は大となる。この評１ｌＩ
Ｉｉ林によれば、 Ｋ３／Ｋｌ比と△ｎ、ａのみが菟′
２（を学時注の急峻性、そしてそれ故に時分割駆動性に
影響する。Ｋ２ ／ Ｋ１および（εＩＩ−ε上）／ε
土＝、Δε／ε１ 比は無視される。
Ｉｉ林によれば、 Ｋ３／Ｋｌ比と△ｎ、ａのみが菟′
２（を学時注の急峻性、そしてそれ故に時分割駆動性に
影響する。Ｋ２ ／ Ｋ１および（εＩＩ−ε上）／ε
土＝、Δε／ε１ 比は無視される。
これまで主に用いられているＷ高材料を用いたＴＮセル
の実塘研冗から、第２光透過率極小値にあ・ける電気光
学特性の急峻性は第２極小１直におけるそれよりも良い
のに対し、第１極小１直における視角依存性は第２光透
過率溪小櫃に２けるそれよりも良いことが示されている
。
の実塘研冗から、第２光透過率極小値にあ・ける電気光
学特性の急峻性は第２極小１直におけるそれよりも良い
のに対し、第１極小１直における視角依存性は第２光透
過率溪小櫃に２けるそれよりも良いことが示されている
。
これまでに却られている成果された解決策によれば、Ｔ
Ｎセルの構成および１更用に伴う最も原型な難点はなる
程個別四には解決し侍でも同時にはｊ’ｌ（決し得ない
。
Ｎセルの構成および１更用に伴う最も原型な難点はなる
程個別四には解決し侍でも同時にはｊ’ｌ（決し得ない
。
本発明の目的は、ＧＯＯＣｈおよびＴａｒｒｙ Ｋよる
第１光透過率極小値で表示要素を動作することにより、
極小の視角依存性と同時に町盲化な厳も、急峻な電気光
学特性が床証される厄気元学炙示安素を提供することに
ある。
第１光透過率極小値で表示要素を動作することにより、
極小の視角依存性と同時に町盲化な厳も、急峻な電気光
学特性が床証される厄気元学炙示安素を提供することに
ある。
今般、成品・９ラメータを適切に選択すれば７ｔｇ〈べ
きことに、表示要素を第１元通過率極小値で動作するこ
表により極小の視角、依存性と同時に急峻な電気光学特
性を得ることができることが見出された。
きことに、表示要素を第１元通過率極小値で動作するこ
表により極小の視角、依存性と同時に急峻な電気光学特
性を得ることができることが見出された。
本発明の主題は従って、第１光透過率甑小１直での電気
光学特注が、第１元通過率極小値でのそれと少くとも同
程度に、急峻であることを特徴とする、少くとも２成分
よりなる液晶相を有する電気光学表示要素である。偏光
板、電極基板および、特定の相接する液晶分子が通常、
一方の峨１返から１也方に対して（）σだけねじれるよ
うに表面処理された電極よりなる本発明の液晶表示９素
の構成は、かかる表示要素に通常用いられるタイプの構
成に相当する。通常用いられるタイプの＋４成という慨
念ｌ・まこの場合、極めて広義に解され、またねじれた
ネマティックセルの文厭に知られるすべての変形および
改変を含み、そして特にマトリックス表示要素および西
独特許出願公開第２，７４８，７３８号明細書に記載の
、付加的に磁石を含む表示要素をも包含する。しかしな
がら、本発明の表示要素と従来から通常用いられそして
ねじれたネマティックセルに基づく・ものとの間の本質
的な相違は、液晶層中の液晶・？ラメータの選択である
。例えば、このタイプの表７Ｔ′、要素に也常用いられ
る液晶相のに３／に０比ｖ、ｔ ＞ ｏ、ｓであり、ま
た△ε／ε土比は通常１．２〜１．７であるのに対し本
発明の表示要素のに３／に１は≦０．８である。
光学特注が、第１元通過率極小値でのそれと少くとも同
程度に、急峻であることを特徴とする、少くとも２成分
よりなる液晶相を有する電気光学表示要素である。偏光
板、電極基板および、特定の相接する液晶分子が通常、
一方の峨１返から１也方に対して（）σだけねじれるよ
うに表面処理された電極よりなる本発明の液晶表示９素
の構成は、かかる表示要素に通常用いられるタイプの構
成に相当する。通常用いられるタイプの＋４成という慨
念ｌ・まこの場合、極めて広義に解され、またねじれた
ネマティックセルの文厭に知られるすべての変形および
改変を含み、そして特にマトリックス表示要素および西
独特許出願公開第２，７４８，７３８号明細書に記載の
、付加的に磁石を含む表示要素をも包含する。しかしな
がら、本発明の表示要素と従来から通常用いられそして
ねじれたネマティックセルに基づく・ものとの間の本質
的な相違は、液晶層中の液晶・？ラメータの選択である
。例えば、このタイプの表７Ｔ′、要素に也常用いられ
る液晶相のに３／に０比ｖ、ｔ ＞ ｏ、ｓであり、ま
た△ε／ε土比は通常１．２〜１．７であるのに対し本
発明の表示要素のに３／に１は≦０．８である。
本発明の表示笈素においては、表示要素を１ｉｉＪ記第
１光透過率極小値で動作することにより極小の視角依存
性と四〇４に可能な最も鋭い電気光学特性が保証される
ように成品・Ｑラメータに３／に工および７へε／ε［
が選択された液晶相が用いられる。
１光透過率極小値で動作することにより極小の視角依存
性と四〇４に可能な最も鋭い電気光学特性が保証される
ように成品・Ｑラメータに３／に工および７へε／ε［
が選択された液晶相が用いられる。
第１図は第１光透過率極小１直に２ける゛：ｎ気光学特
性が第２光透過率極小値におけるそれよりも急峻である
ことを保証するために選択できる・Ｑラメータに３ ／
Ｋ１および△ε／ε土１直対（体斤続線域の下側）を
示す概略図である。断続線ｉ（＋Ｑのヒ側では、第２光
透過率極小値での電気光学特性が第１光透過率極小１直
でのそれよりも急峻となる（ Ｖ２Ｏ／Ｖ１．Ｏ（第１
極小値）〉ｖ５ｏ／ｖｌｏ（第２：傘小値））。第１図
の１祈続報域より下１１ＩＩの・ξラメータに３ ／
Ｋｌら−よび△ε／ε上１直対を選択するのが好ましい
。第１光透過率極小値に９ける電気光学特性の方が第２
険小値におけるそれよりも、ｅ、峻となる電気元学炎示
要素が好ましい。
性が第２光透過率極小値におけるそれよりも急峻である
ことを保証するために選択できる・Ｑラメータに３ ／
Ｋ１および△ε／ε土１直対（体斤続線域の下側）を
示す概略図である。断続線ｉ（＋Ｑのヒ側では、第２光
透過率極小値での電気光学特性が第１光透過率極小１直
でのそれよりも急峻となる（ Ｖ２Ｏ／Ｖ１．Ｏ（第１
極小値）〉ｖ５ｏ／ｖｌｏ（第２：傘小値））。第１図
の１祈続報域より下１１ＩＩの・ξラメータに３ ／
Ｋｌら−よび△ε／ε上１直対を選択するのが好ましい
。第１光透過率極小値に９ける電気光学特性の方が第２
険小値におけるそれよりも、ｅ、峻となる電気元学炎示
要素が好ましい。
特に好ましい・Ｑラメータ組合せはに３ ／ Ｋｌ≦０
．４とべε／ε土≦０．３とのイ且合せ、およびに３／
に１≦０．８ 、’−△ε／ε⊥≦＋）、０５との組合
せである。
．４とべε／ε土≦０．３とのイ且合せ、およびに３／
に１≦０．８ 、’−△ε／ε⊥≦＋）、０５との組合
せである。
第１図の断続線領域は、第１囁小値における、ａ気光学
特性の急峻性が第２極小値１（おけるそれと等しくなる
境界を示している。Ｋ３／に□および／まだは、へε／
ε土が比較的小さいときは、第１険小値における＠、峻
性は第２極小値だおけるそれよりも良好である。
特性の急峻性が第２極小値１（おけるそれと等しくなる
境界を示している。Ｋ３／に□および／まだは、へε／
ε土が比較的小さいときは、第１険小値における＠、峻
性は第２極小値だおけるそれよりも良好である。
好ましくは、可１文的に最も小さいに３ ／ Ｋ（比、
例えば０．８〜０．２’ｌ’ｉに０．７〜０．３が選択
される。
例えば０．８〜０．２’ｌ’ｉに０．７〜０．３が選択
される。
・１択されたに３ ／ Ｋ□策が小さい程、本発明の表
示”冴４・５の、化ε／ε上は大きくすることができま
たしきい値電圧は好ましいものとなる。すなわち、好ま
しいしきい値電圧を得るには、△ε／ε土は好ましくは
≧０．０５．４寺に≧０．１となるように１錫沢される
。
示”冴４・５の、化ε／ε上は大きくすることができま
たしきい値電圧は好ましいものとなる。すなわち、好ま
しいしきい値電圧を得るには、△ε／ε土は好ましくは
≧０．０５．４寺に≧０．１となるように１錫沢される
。
木・六明を定義する（：に使用される・？ラメータは、
いずれも、当、亥技術序野の技術者にとって、光サクで
月１られているものである。２き１未を明確にする用語
の定義は多くの出版物、例えば、Ｗ、 Ｈ。
いずれも、当、亥技術序野の技術者にとって、光サクで
月１られているものである。２き１未を明確にする用語
の定義は多くの出版物、例えば、Ｗ、 Ｈ。
Ｄｅ、Ｊｅｕ、 ［フィジカル、プロ、？−ティーズ、
オプ・リキッド・クリスタル・マテリアルズ」（ボード
／・アンド・ブリーチ・１９８０ ）あるいはニー・
メルク版［リキッド・クリスタルズ、メジャーメント・
オプ・ザ・フィジカル、プロ・？−テイズ」に記載され
ており、これらの出版物のｊ己械は、本明細書中に２い
ても、廐照されるものとする。
オプ・リキッド・クリスタル・マテリアルズ」（ボード
／・アンド・ブリーチ・１９８０ ）あるいはニー・
メルク版［リキッド・クリスタルズ、メジャーメント・
オプ・ザ・フィジカル、プロ・？−テイズ」に記載され
ており、これらの出版物のｊ己械は、本明細書中に２い
ても、廐照されるものとする。
本発明の表示要素の液、！Ｓ層の厚みおよび／または液
晶材料の光学異方性へｎは、 λ ｄ・△ｎ＝−・Ｊ （波長λには、人間の眼に対する感度を最大とするため
に通常用いられる５５０ｎｍ値が採用される）となるよ
うに選択される。本発明の表承り素の層厚は例えば２〜
１０μｍの範囲とすることができる。好ましくは、可及
的に最も小さな層１・１「が選択され、またｄの下限は
大謎生１）αに必−ンな品質ノー、 ノー７５により定
められる。すなわち・：４に好ましいｄの範囲は３〜８
μｍ、特に４〜７μｍである。
晶材料の光学異方性へｎは、 λ ｄ・△ｎ＝−・Ｊ （波長λには、人間の眼に対する感度を最大とするため
に通常用いられる５５０ｎｍ値が採用される）となるよ
うに選択される。本発明の表承り素の層厚は例えば２〜
１０μｍの範囲とすることができる。好ましくは、可及
的に最も小さな層１・１「が選択され、またｄの下限は
大謎生１）αに必−ンな品質ノー、 ノー７５により定
められる。すなわち・：４に好ましいｄの範囲は３〜８
μｍ、特に４〜７μｍである。
材料・♀ラメータが本発明の範囲内にある液晶誘電体は
、通常の液晶基材から製造されうる。
、通常の液晶基材から製造されうる。
多くのそのような材料が文献に知られている。
有利には、本発明の表示要素に用いられる誘電体は、そ
れぞれ系統１〜Ｉ’ｍからの少くとも１つの１７４造要
素（構造要素１−ＩＶは未置換であっても、あるいはま
た例えばＦ、 Ｃｊｌ、ＯＨ３および／またはｃＮｉτ
より置換されていてもよく、あるいは相当する８−オキ
サイドの形で存在していてもよい）、すなわち （１）′川 １曲 蚊）−Ｎ
＝Ｎ−−−Ｎ＝Ｎ−−Ｃ！Ｈ＝Ｎ−−ＮＣ！Ｓ↓ １、〜り ！Ｖｌ （
Ｖｌｌｌ （ｍと含有する少くとも２
、好ましくは３〜１５、特に４〜１０憧の液晶化合物の
混合吻を少くとも５重咄係、好ましくは少くとも３０重
破係、−特に少くとも！１５ ＋１【ｉ１ｊ幅含有する
。
れぞれ系統１〜Ｉ’ｍからの少くとも１つの１７４造要
素（構造要素１−ＩＶは未置換であっても、あるいはま
た例えばＦ、 Ｃｊｌ、ＯＨ３および／またはｃＮｉτ
より置換されていてもよく、あるいは相当する８−オキ
サイドの形で存在していてもよい）、すなわち （１）′川 １曲 蚊）−Ｎ
＝Ｎ−−−Ｎ＝Ｎ−−Ｃ！Ｈ＝Ｎ−−ＮＣ！Ｓ↓ １、〜り ！Ｖｌ （
Ｖｌｌｌ （ｍと含有する少くとも２
、好ましくは３〜１５、特に４〜１０憧の液晶化合物の
混合吻を少くとも５重咄係、好ましくは少くとも３０重
破係、−特に少くとも！１５ ＋１【ｉ１ｊ幅含有する
。
好ましくは、これら液晶化合物は付加的に１．４−フェ
ニレン基を含む。
ニレン基を含む。
ト述の、ｅラメータを得るための液悟成分の混合は、常
法に従って、通常配慮し得ろ予備的実験を行うことによ
って、その目的を達成することができる。
法に従って、通常配慮し得ろ予備的実験を行うことによ
って、その目的を達成することができる。
多くの文献中から、滴当な材料について詳細に開示して
いるもののうち、本明細薯中で参考的に引用し得るもの
としては、西独公開公報、２．２５７，５８８、同２，
３０６，７３８、同２，０１７，７２７、同２．３２１
，６３２、ヨーロツ・Ｑ特許出願公開公報、９．１２６
，８８３、米国特許３，９９７，５３６、同４，０６２
，７９８、同４．４６２．９２３、同４，３８９，３２
９、同４，３６４，８３８、同４，０６６．５７０、同
４，４５２，７１８、同、１，４１９，２６２、同・ｌ
、 ５１０，０６９、日本特１期昭５９−１４４，７７
０、同５９−１４４，７７１ 、同５９−１４４，７７
２、同５８−４３，９６１、Ｄ、Ｄｅｍｕｓ ｔ） ：
フリュツスイーデ・クリスターレ・イン・ターベレン（
ＶＥＢ・ドイノチェル・）工ルラー、り・フユア・グル
ンドストッフィンドウストリー、ライプチノヒ、１９７
４ ）およびり、 Ｄｅｍｕａら：スリュノスイーデ、
クリスターレ・イン・ターベレ／ＩＩ（同２ヒ１９８４
）。
いるもののうち、本明細薯中で参考的に引用し得るもの
としては、西独公開公報、２．２５７，５８８、同２，
３０６，７３８、同２，０１７，７２７、同２．３２１
，６３２、ヨーロツ・Ｑ特許出願公開公報、９．１２６
，８８３、米国特許３，９９７，５３６、同４，０６２
，７９８、同４．４６２．９２３、同４，３８９，３２
９、同４，３６４，８３８、同４，０６６．５７０、同
４，４５２，７１８、同、１，４１９，２６２、同・ｌ
、 ５１０，０６９、日本特１期昭５９−１４４，７７
０、同５９−１４４，７７１ 、同５９−１４４，７７
２、同５８−４３，９６１、Ｄ、Ｄｅｍｕｓ ｔ） ：
フリュツスイーデ・クリスターレ・イン・ターベレン（
ＶＥＢ・ドイノチェル・）工ルラー、り・フユア・グル
ンドストッフィンドウストリー、ライプチノヒ、１９７
４ ）およびり、 Ｄｅｍｕａら：スリュノスイーデ、
クリスターレ・イン・ターベレ／ＩＩ（同２ヒ１９８４
）。
かかる誘電体は、付加的１で、色素および／まだはドー
ピング物質を、そうすることによって液晶・ξラメータ
が本発明の範囲から逸脱しない限り、通常の量で含むこ
とができる。
ピング物質を、そうすることによって液晶・ξラメータ
が本発明の範囲から逸脱しない限り、通常の量で含むこ
とができる。
次の実栴例は本発明を例示するだめのものであってそれ
を水足するものではない。特に断らない限り係データは
重畦幅である。温１隻データはすべて摂氏温度である。
を水足するものではない。特に断らない限り係データは
重畦幅である。温１隻データはすべて摂氏温度である。
７３６５１例 １
１５％の２−ｐ−メトキ／フェニル−５−へキシルピリ
ミジノ １５係の２−ｐ−−２ノトキ７フェニル−５−へキシル
ピリミジ／ １５ ％の２− ｐ−へメトキシフェニル−５−へキシ
ルピリミジ／ １３係の２− ｐ−ノノキ／フェニル−５−ヘキンルピ
リミジン １５チの２−ｐ−メトキシフェニル−５−へブチルピリ
ミジン １５％の２−ｐ−へメトキシフェニル−５−へブチルピ
リミジン １２チの２−ｐ−ツノキシフェニル−５−ヘプチルピリ
ミジン よりなる液晶相を有する刊セル（澄明点５３°）′Ｉ′
ｉ、＋０．９の誘電異方性△ε、４．０のεＩ＋’よび
３．１のε」−１０，２９のへε／ε土、 ０．１６８
の光学異方性△ｎおよび０ 、４００に３／に工を示す
。ガラス面の入射光角度（ＬＪｏ、５０である。第１極
小値（すなわちｄ、△ｎ＝０．４８）で動作すると、か
かるＴＮセルは、１−１１ （ｖ５０／”１０ ）とい
う電気光学特性の急峻性を示すのに対し、第２極小胆で
動作した場合の急峻性はそれよりも劣る（ Ｖ５０’
／ ｖ□。＝１．１２）。
ミジノ １５係の２−ｐ−−２ノトキ７フェニル−５−へキシル
ピリミジ／ １５ ％の２− ｐ−へメトキシフェニル−５−へキシ
ルピリミジ／ １３係の２− ｐ−ノノキ／フェニル−５−ヘキンルピ
リミジン １５チの２−ｐ−メトキシフェニル−５−へブチルピリ
ミジン １５％の２−ｐ−へメトキシフェニル−５−へブチルピ
リミジン １２チの２−ｐ−ツノキシフェニル−５−ヘプチルピリ
ミジン よりなる液晶相を有する刊セル（澄明点５３°）′Ｉ′
ｉ、＋０．９の誘電異方性△ε、４．０のεＩ＋’よび
３．１のε」−１０，２９のへε／ε土、 ０．１６８
の光学異方性△ｎおよび０ 、４００に３／に工を示す
。ガラス面の入射光角度（ＬＪｏ、５０である。第１極
小値（すなわちｄ、△ｎ＝０．４８）で動作すると、か
かるＴＮセルは、１−１１ （ｖ５０／”１０ ）とい
う電気光学特性の急峻性を示すのに対し、第２極小胆で
動作した場合の急峻性はそれよりも劣る（ Ｖ５０’
／ ｖ□。＝１．１２）。
実施例２
１１１ ％の２−ｐ−メトキシフェニル−５−へキシル
ピリミジ／ １−１％（７）２−ｐ−−ｅメトキシフェニル−５−ヘ
キ／ルビリミジン １１％の２− ｐ−ヘプトキシフェニル−５−ヘキンル
ピリミジン １３４の’ｌ −ｐ−ツノキンフェニル−５−ヘキ７
ル ピ リ ミ ジ ／ 目４の２− ｐ−メトキンフェニル−５−へブチルピリ
ミジ／ １．１１（７） ２− ｐ−へテトキシフェニル−５−
へブチルピリミジン １２易の２−ｐ−ノノキ／フェニル−５−へブチルピリ
ミジンおよび ラチのｒ−１−シアノ−シス−４−（トランス−４−ブ
チル／クロヘキ／ル）−Ｘ−Ａｉｌブチル／クロヘキサ
ン よりなる液晶相を有するＴＮセル（澄明点５．５’）は
十０．５のｄ屯％方性△ε、０．１４のΔε／ε土およ
び０．１２のに３ ／ Ｋ＞を示す。第１極小値で動作
するとこのセルＦ！′１−Ｖ５Ｑ ／ ”ｌｏが１．０
８という急峻性を有するのに対し、第２惨小値における
Ｖ２Ｏ／ｖｉｏは１．１）９５である。従って特性の急
１唆性は第１１−小値における方が実實的に良好である
。
ピリミジ／ １−１％（７）２−ｐ−−ｅメトキシフェニル−５−ヘ
キ／ルビリミジン １１％の２− ｐ−ヘプトキシフェニル−５−ヘキンル
ピリミジン １３４の’ｌ −ｐ−ツノキンフェニル−５−ヘキ７
ル ピ リ ミ ジ ／ 目４の２− ｐ−メトキンフェニル−５−へブチルピリ
ミジ／ １．１１（７） ２− ｐ−へテトキシフェニル−５−
へブチルピリミジン １２易の２−ｐ−ノノキ／フェニル−５−へブチルピリ
ミジンおよび ラチのｒ−１−シアノ−シス−４−（トランス−４−ブ
チル／クロヘキ／ル）−Ｘ−Ａｉｌブチル／クロヘキサ
ン よりなる液晶相を有するＴＮセル（澄明点５．５’）は
十０．５のｄ屯％方性△ε、０．１４のΔε／ε土およ
び０．１２のに３ ／ Ｋ＞を示す。第１極小値で動作
するとこのセルＦ！′１−Ｖ５Ｑ ／ ”ｌｏが１．０
８という急峻性を有するのに対し、第２惨小値における
Ｖ２Ｏ／ｖｉｏは１．１）９５である。従って特性の急
１唆性は第１１−小値における方が実實的に良好である
。
４．１４面の１７１１車な説明
第１図は第１光透過率極小値における電気光学特性が第
２光透過率極小値におけるそれよりもより急峻となるこ
とを保証するために選択できる・ｔラメータに３ ／
ＫｌおよびΔε／ε土１１α対（断続線域の下ａｌｌｌ
）を示す概略図である。
２光透過率極小値におけるそれよりもより急峻となるこ
とを保証するために選択できる・ｔラメータに３ ／
ＫｌおよびΔε／ε土１１α対（断続線域の下ａｌｌｌ
）を示す概略図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１光透過率極小値における電気光学特性が第２光
透過率極小値におけるそれと少くとも同程度に急峻であ
ることを特徴とする、少くとも２種類の成分よりなる液
晶相を有する電気光学表示要素。 ２、ねじれたネマティックセルに基づく特許請求の範囲
第１項記載の電気光学表示要素。 ３、液晶パラメータがＫ＿３／Ｋ＿１≦０．４および△
ε／ε＿⊥≦０．３となるように調整される特許請求の
範囲第１項記載の電気光学表示要素。 ４、液晶パラメータがＫ＿３／Ｋ＿１≦０．８および△
ε／ε＿⊥≦０．０５となるように調整される特許請求
の範囲第１項記載の電気光学表示要素。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3433248.0 | 1984-09-11 | ||
| DE19843433248 DE3433248A1 (de) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | Elektrooptisches anzeigeelement |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184626A true JPS6184626A (ja) | 1986-04-30 |
Family
ID=6245073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60199617A Pending JPS6184626A (ja) | 1984-09-11 | 1985-09-11 | 電気光学表示素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4886344A (ja) |
| EP (1) | EP0174541B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6184626A (ja) |
| KR (1) | KR860002731A (ja) |
| DD (1) | DD237552A5 (ja) |
| DE (2) | DE3433248A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH01104686A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-21 | Casio Comput Co Ltd | 時分割駆動用液晶組成物 |
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| US4944577A (en) * | 1987-10-19 | 1990-07-31 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JPH02503093A (ja) * | 1987-10-19 | 1990-09-27 | カシオ計算機株式会社 | 改良された液晶混合物 |
| JPH04103420U (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-07 | 三菱農機株式会社 | 歩行型田面作業機の天秤アーム構造 |
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| DE3500897A1 (de) * | 1985-01-12 | 1986-07-17 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Fluessigkristalline phase |
| US4721367A (en) * | 1985-04-01 | 1988-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| DE3515374C2 (de) * | 1985-04-27 | 1998-02-26 | Hoechst Ag | Chirale getilte smektische flüssigkristalline Phasen und deren Verwendung in elektrooptischen Anzeigeelementen |
| US5188758A (en) * | 1986-03-19 | 1993-02-23 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Electrooptical display element using a supertwist liquid crystal having specified elastic constants |
| JPH072720B2 (ja) * | 1986-09-11 | 1995-01-18 | チッソ株式会社 | シクロヘキシルフエニルピリダジン類 |
| JPH0696559B2 (ja) * | 1986-09-16 | 1994-11-30 | チッソ株式会社 | ３，６−ジフエニルピリダジン類 |
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| WO1989006677A1 (en) * | 1988-01-12 | 1989-07-27 | MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Improved liquid crystal mixture |
| DE3835803A1 (de) * | 1988-03-10 | 1990-04-26 | Merck Patent Gmbh | Supertwist-fluessigkristallanzeigeelement und fluessigkristallmischung |
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- 1984-09-11 DE DE19843433248 patent/DE3433248A1/de not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-08-24 EP EP85110650A patent/EP0174541B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-24 DE DE8585110650T patent/DE3576862D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-09-09 DD DD85280443A patent/DD237552A5/de unknown
- 1985-09-09 KR KR1019850006565A patent/KR860002731A/ko not_active Application Discontinuation
- 1985-09-11 JP JP60199617A patent/JPS6184626A/ja active Pending
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1988
- 1988-08-19 US US07/235,753 patent/US4886344A/en not_active Expired - Lifetime
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