JPS6175582A - 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置およびその製造方法Info
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- JPS6175582A JPS6175582A JP19665784A JP19665784A JPS6175582A JP S6175582 A JPS6175582 A JP S6175582A JP 19665784 A JP19665784 A JP 19665784A JP 19665784 A JP19665784 A JP 19665784A JP S6175582 A JPS6175582 A JP S6175582A
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- Japan
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- semiconductor layer
- layer
- semiconductor
- same
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野１
本発明は、良好な電気的、光学的特性を高歩留りで実現
Ｔる半導体レーザ装置に関Ｔるものである。
Ｔる半導体レーザ装置に関Ｔるものである。
〔発明の背景）
ダブルへテロ接合を有する半導体レーザ装ｆ檜に、レー
ザビームプリンタあるいは元ファイバ通信システムなど
の元帥として弔°望視されている。この種の半導体レー
ザ装＃は、従来一般に酸相エピタキシヤル成長法を用い
てつぎの工うに製作されていた。すなわち、ｎ形半導体
基板上に該ｎ形半導体基板エリ禁制帯幅が大きな第１の
ｎ形半導体層と、該第１のｎ形半導体層エリ小さな禁制
帯幅を有する第２のｎ形またはＰ形の半導体層と、上記
第１の半導体層と同一の禁制帯幅を有する第３のＰ形半
導体層と、上記ｎ形半導体基板と同一の禁制帯Ｉｌ＠を
有する第４のｎ形半導体層とを連続的に成長させたのち
、上記第４のｎ形半導体層を貴き第３のＰ形半導体層の
一部に達する深さで、所定の幅を有する接触容易層を良
く知られた選択熱拡散法を用いて形成し、上記ｎ形半導
体基板の裏面と第４のｎ形半導体層の表面とに真空蒸着
′ｆＥなどを用いてそれぞれの電極を形成し、半導体レ
ーザ装置を作製Ｔる（ｆｌｌえば特開昭５３−１１０４
８９、特公昭５８−５８９５３）。このとき選択熱拡散
法で作られる接触容易層の深さは、エビタ千シャルウエ
ーハ端を用いた第３のＰ形半導体層と第４のｎ形半導体
層との層Ｊ−さの平均値と、各層に２ける拡散係数とか
ら割出された拡散時間によって決まる。しかしながら従
来の半導体レーザ装置に２いては、液相エビタ千シャル
成長法による成長層の厚さのばらつきが大きいというこ
とと、また拡散係数の組成依存性が大きいことなどが十
分に考慮されていない。そのために、成長層の厚さの平
均値と拡散係数とで接触容易層の深さを管理しようとし
ても、成長層の埋さのばらつきや拡散炉の温度変動など
に起因した拡散不良が発生Ｔる懸念があり、半導体レー
ザ装置の電気的、光学的特性を損わせ１歩留り低下の大
きな要因となっていた。
ザビームプリンタあるいは元ファイバ通信システムなど
の元帥として弔°望視されている。この種の半導体レー
ザ装＃は、従来一般に酸相エピタキシヤル成長法を用い
てつぎの工うに製作されていた。すなわち、ｎ形半導体
基板上に該ｎ形半導体基板エリ禁制帯幅が大きな第１の
ｎ形半導体層と、該第１のｎ形半導体層エリ小さな禁制
帯幅を有する第２のｎ形またはＰ形の半導体層と、上記
第１の半導体層と同一の禁制帯幅を有する第３のＰ形半
導体層と、上記ｎ形半導体基板と同一の禁制帯Ｉｌ＠を
有する第４のｎ形半導体層とを連続的に成長させたのち
、上記第４のｎ形半導体層を貴き第３のＰ形半導体層の
一部に達する深さで、所定の幅を有する接触容易層を良
く知られた選択熱拡散法を用いて形成し、上記ｎ形半導
体基板の裏面と第４のｎ形半導体層の表面とに真空蒸着
′ｆＥなどを用いてそれぞれの電極を形成し、半導体レ
ーザ装置を作製Ｔる（ｆｌｌえば特開昭５３−１１０４
８９、特公昭５８−５８９５３）。このとき選択熱拡散
法で作られる接触容易層の深さは、エビタ千シャルウエ
ーハ端を用いた第３のＰ形半導体層と第４のｎ形半導体
層との層Ｊ−さの平均値と、各層に２ける拡散係数とか
ら割出された拡散時間によって決まる。しかしながら従
来の半導体レーザ装置に２いては、液相エビタ千シャル
成長法による成長層の厚さのばらつきが大きいというこ
とと、また拡散係数の組成依存性が大きいことなどが十
分に考慮されていない。そのために、成長層の厚さの平
均値と拡散係数とで接触容易層の深さを管理しようとし
ても、成長層の埋さのばらつきや拡散炉の温度変動など
に起因した拡散不良が発生Ｔる懸念があり、半導体レー
ザ装置の電気的、光学的特性を損わせ１歩留り低下の大
きな要因となっていた。
本発明は、良好な電気的、光学的特性を発揮し、しかも
製造容易で歩留りが高い面品質な半導体レーザ装置を得
ることを目的とする。
製造容易で歩留りが高い面品質な半導体レーザ装置を得
ることを目的とする。
［発明の概要］
上記の目的を達成↑るために本発明の半導体レーザ装置
に、平坦な、またはストライプ状溝を有する半導体基板
と、該半導体基板と同一の導電性を有しかつ禁制帯幅が
大きな第１の半導体層と、該第１の半導体層と同一また
は反対の導電性′（ｆ−有し第１の半導体層よりも小さ
な禁制帯幅を７ＫＴる第２の半導体層と、上記第１の半
導体層と反対の導電性を有し第１の半導体層と同一の禁
制帯幅を有する第３の半導体層と、該第３の半導体層と
同一の導電性を有し上記半導体基板と同一もしくはそれ
に限りなく近い禁制帯幅を有↑る第４の半導体層と、該
第４の半導体層と反対の導電性を有し第４の半導体層と
同一の禁制帯幅を有する第５の半導体層と、該第５の半
導体層を員き上記第４の半導体１−の一部に達する深さ
で所定の幅を有する接触容易層と、上記半導体基板の裏
面か工び上記第５の半導体層の表面にそれぞれ形成した
電極とを備えたことにより、艮好な電気的、光学的特性
を両歩留りで実均したものである。
に、平坦な、またはストライプ状溝を有する半導体基板
と、該半導体基板と同一の導電性を有しかつ禁制帯幅が
大きな第１の半導体層と、該第１の半導体層と同一また
は反対の導電性′（ｆ−有し第１の半導体層よりも小さ
な禁制帯幅を７ＫＴる第２の半導体層と、上記第１の半
導体層と反対の導電性を有し第１の半導体層と同一の禁
制帯幅を有する第３の半導体層と、該第３の半導体層と
同一の導電性を有し上記半導体基板と同一もしくはそれ
に限りなく近い禁制帯幅を有↑る第４の半導体層と、該
第４の半導体層と反対の導電性を有し第４の半導体層と
同一の禁制帯幅を有する第５の半導体層と、該第５の半
導体層を員き上記第４の半導体１−の一部に達する深さ
で所定の幅を有する接触容易層と、上記半導体基板の裏
面か工び上記第５の半導体層の表面にそれぞれ形成した
電極とを備えたことにより、艮好な電気的、光学的特性
を両歩留りで実均したものである。
し発明の実施例１
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明Ｔる。
第１図は本発明による半導体レーザ装置の一実施例を示
Ｔ断面図である。第１図に示す実施ｇＡｌは平坦なＧａ
Ａｓ結晶基板を半導体基板とした場合の半導体レーザ装
置ヲ示し、−上記ｎ形ＧａＡｓ半導体基板１上に、第１
の半導体としてｎ形Ｇａ＝、ＡｊｌｘＡｓ層２ （０〈
ｘ〈１ ）と、第２の半導体層としてｎ形またｈｐＰ形
ａ １ ｙ Ａ Ｉｌ、ｙ Ａ ｓ ｍ ３（０≦ｙ
＜Ｘ）と、第３の半導体層としてｐ形Ｇａ、−ｘＡｎＸ
ＡＢ層４と。
Ｔ断面図である。第１図に示す実施ｇＡｌは平坦なＧａ
Ａｓ結晶基板を半導体基板とした場合の半導体レーザ装
置ヲ示し、−上記ｎ形ＧａＡｓ半導体基板１上に、第１
の半導体としてｎ形Ｇａ＝、ＡｊｌｘＡｓ層２ （０〈
ｘ〈１ ）と、第２の半導体層としてｎ形またｈｐＰ形
ａ １ ｙ Ａ Ｉｌ、ｙ Ａ ｓ ｍ ３（０≦ｙ
＜Ｘ）と、第３の半導体層としてｐ形Ｇａ、−ｘＡｎＸ
ＡＢ層４と。
第４の半導体層としてＰ形Ｇａ１、Ａ”ｚＡｓ層５（０
≦ｚ＜ｙ）と、第５の半導体りとしてｎ形ＧａＡｓ＠６
とを、一般によく知らｒｔた液孔エビタ干シャル成長法
を用いて順次連続的に積層Ｔる。このとき、第４の半導
体軸であるＰ形（ｌａ、−、ＡｊｌｚＡＪ５のへ２組成
２の値は具体的にｚ＝０もしくは２＝ ０．０５程度の
値を用いる。またその厚さは第５の半導体層であるｎ形
ＧａＡｓ層６の厚さに比較して十分大きい厚さにＴろが
、第４の半導体軸であるＰ形Ｇａ、、ＡｓＪｉ＊５と第
３の半導体層であるＰ形Ｇａ、 、Ａｊ楡Ａ８層４との
成長層厚さの和は従来のＰ形Ｇａ、−！Ａ−ＲＸＡ８
ｍだけの場合と比較してほぼ同程度にＴる。その後、第
５の半導体層であるｎ形Ｇａ Ａｓ １曽６全貫き、第
４の半導体層であるＰ形ＧＢ、、Ａｌ、、Ａ８層５の一
部に達する深さで、所定の幅を有する接触容易層７を例
えば亜鉛を選択熱拡散法によって拡散形成した。本発明
では上記のように第５の半導体軸であるｎ形ＧａＡｓ６
６と第３の半導体層であるＰ形Ｇａ、−ｘＡｌｘＡｓｍ
４との間に、上記ｎ形ＧａＡｓ層６よりも十分厚い第４
の半導体軸であるＰ形Ｇａ、−、ｘｆｆｉｚｘｓ層（０
≦２〈ｙ〕５を設けたことにニジ、上記接触容易層７の
深さを小さな拡散係数で一義的に決めることができ、し
かも第４の半導体層であるＰ形Ｇａ、 、Ａｌｌ□Ａ
Ｓ層５内に必ず達しこの層５を貝通Ｔることかない。つ
いでｎ形ＧａＡｓ半導体基板１の裏面と第５の半導体層
であるｎ Ｙ−Ｇ ａ Ａ ｓ層６の表面に、真空蒸着
法を用いてそれぞれ全系電極８を形成して半導体レーザ
装置を製作した。
≦ｚ＜ｙ）と、第５の半導体りとしてｎ形ＧａＡｓ＠６
とを、一般によく知らｒｔた液孔エビタ干シャル成長法
を用いて順次連続的に積層Ｔる。このとき、第４の半導
体軸であるＰ形（ｌａ、−、ＡｊｌｚＡＪ５のへ２組成
２の値は具体的にｚ＝０もしくは２＝ ０．０５程度の
値を用いる。またその厚さは第５の半導体層であるｎ形
ＧａＡｓ層６の厚さに比較して十分大きい厚さにＴろが
、第４の半導体軸であるＰ形Ｇａ、、ＡｓＪｉ＊５と第
３の半導体層であるＰ形Ｇａ、 、Ａｊ楡Ａ８層４との
成長層厚さの和は従来のＰ形Ｇａ、−！Ａ−ＲＸＡ８
ｍだけの場合と比較してほぼ同程度にＴる。その後、第
５の半導体層であるｎ形Ｇａ Ａｓ １曽６全貫き、第
４の半導体層であるＰ形ＧＢ、、Ａｌ、、Ａ８層５の一
部に達する深さで、所定の幅を有する接触容易層７を例
えば亜鉛を選択熱拡散法によって拡散形成した。本発明
では上記のように第５の半導体軸であるｎ形ＧａＡｓ６
６と第３の半導体層であるＰ形Ｇａ、−ｘＡｌｘＡｓｍ
４との間に、上記ｎ形ＧａＡｓ層６よりも十分厚い第４
の半導体軸であるＰ形Ｇａ、−、ｘｆｆｉｚｘｓ層（０
≦２〈ｙ〕５を設けたことにニジ、上記接触容易層７の
深さを小さな拡散係数で一義的に決めることができ、し
かも第４の半導体層であるＰ形Ｇａ、 、Ａｌｌ□Ａ
Ｓ層５内に必ず達しこの層５を貝通Ｔることかない。つ
いでｎ形ＧａＡｓ半導体基板１の裏面と第５の半導体層
であるｎ Ｙ−Ｇ ａ Ａ ｓ層６の表面に、真空蒸着
法を用いてそれぞれ全系電極８を形成して半導体レーザ
装置を製作した。
し発明の効果〕
上記の工りに本発明による半導体レーぜ装置は、平坦な
、丑たはストライプ状溝を有する半導体基板と、該半導
体基板と同一の導電性を有しかつ禁＃５１１帯幅が大き
な第１の半導体層と、該第１の半導体層と同一または反
対の導電性を有し第１の半導体層よりも小さな禁制帯幅
を有する第２の半導体軸と、上記第１の半導体層と反対
の導電性ケ有し第１の半導体層と同一の禁制帯幅を有す
る第３の半導体層と、該第３の半導体層と同一の導電性
を有し上記半導体基板と同一もしくはそれに限りなく近
い禁制帯幅を有Ｔろ第４の半導体層と、該第４の半導体
層と反対の導電性會有し第４の半導体層と同一の禁制帯
幅を有する第５の半導体層と。
、丑たはストライプ状溝を有する半導体基板と、該半導
体基板と同一の導電性を有しかつ禁＃５１１帯幅が大き
な第１の半導体層と、該第１の半導体層と同一または反
対の導電性を有し第１の半導体層よりも小さな禁制帯幅
を有する第２の半導体軸と、上記第１の半導体層と反対
の導電性ケ有し第１の半導体層と同一の禁制帯幅を有す
る第３の半導体層と、該第３の半導体層と同一の導電性
を有し上記半導体基板と同一もしくはそれに限りなく近
い禁制帯幅を有Ｔろ第４の半導体層と、該第４の半導体
層と反対の導電性會有し第４の半導体層と同一の禁制帯
幅を有する第５の半導体層と。
該第５の半導体層を貫き上記第４の半導体層の一部に達
する深さで所定の幅を有する接触容易層と。
する深さで所定の幅を有する接触容易層と。
上記半導体基板の裏面および上記第５の半導体層の表面
にそれぞれ形成した電極とを備λたことに工り、上記接
触容易層の深さを小さが拡散係数て・一義的に決めるこ
とができ、しかも第４の半導体層内に接触容易層を必す
設けることができる。さらに第４半導体層と第３半導体
層との成長層の厚さの和は従来と同権＃なので、注入電
流分布に影響會及ぼさず、Ｂ好な電気的、光学的特性を
有する半導体レーザ装置を高い歩留りで実現Ｔることが
できる。
にそれぞれ形成した電極とを備λたことに工り、上記接
触容易層の深さを小さが拡散係数て・一義的に決めるこ
とができ、しかも第４の半導体層内に接触容易層を必す
設けることができる。さらに第４半導体層と第３半導体
層との成長層の厚さの和は従来と同権＃なので、注入電
流分布に影響會及ぼさず、Ｂ好な電気的、光学的特性を
有する半導体レーザ装置を高い歩留りで実現Ｔることが
できる。
第１図は本発明による半導体レーザ装置の一実施例を示
す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・第１の半導体層、３・・
・第２の半導体層、４・・・第３の半導体層、５・・・
第４の半導体層、６・・・第５の半導体層、７・・・接
触容易層。 ８・・・電極。 ）Ｘノ図
す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・第１の半導体層、３・・
・第２の半導体層、４・・・第３の半導体層、５・・・
第４の半導体層、６・・・第５の半導体層、７・・・接
触容易層。 ８・・・電極。 ）Ｘノ図
Claims (2)
- （１）平坦な、またはストライプ状溝を有する半導体基
板と、該半導体基板と同一の導電性を有しかつ禁制帯幅
が大きな第１の半導体層と、該第１の半導体層と同一ま
たは反対の導電性を有し第１の半導体層よりも小さな禁
制帯幅を有する第２の半導体層と、上記第１の半導体層
と反対の導電性を有し第１の半導体層と同一の禁制帯幅
を有する第３の半導体層と、該第３の半導体層と同一の
導電性を有し上記半導体基板と同一もしくはそれに限り
なく近い禁制帯幅を有する第４の半導体層と、該第４の
半導体層と反対の導電性を有し第４の半導体層と同一の
禁制帯幅を有する第５の半導体層と、該第５の半導体層
を貫き上記第４の半導体層の一部に達する深さで所定の
幅を有する接触容易層と、上記半導体基板の裏面およひ
上記第５の半導体層の表面にそれぞれ形成した電極とを
備えた半導体レーザ装置。 - （２）平坦な、またはストライプ状溝を有する半導体基
板上に、該半導体基板と同一の導電性を有しかつ禁制帯
幅が大きな第１の半導体層と、該第１の半導体層と同一
または反対の導電性を有し第１の半導体層よりも小さな
禁制帯幅を有する第２の半導体層と、上記第１の半導体
層と反対の導電性を有し第１の半導体層と同一の禁制帯
幅を有する第３の半導体層と、該第３の半導体層と同一
の導電性を有し上記半導体基板と同一もしくはそれに限
りなく近い禁制帯幅を有する第４の半導体層と、該第４
の半導体層と反対の導電性を有し第４の半導体層と同一
の禁制帯幅を有する第５の半導体層とを、液相エピタキ
シヤル成長法を用いて順次連続的に積層し、上記第５の
半導体層を貫き第４の半導体層の一部に達する深さで所
定の幅を有する接触容易層を選択拡散法により形成し、
上記半導体基板の裏面と第５の半導体層の表面とに金系
電極を真空蒸着法などによって形成した半導体レーザ装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19665784A JPS6175582A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19665784A JPS6175582A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175582A true JPS6175582A (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=16361422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19665784A Pending JPS6175582A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5025546A (en) * | 1987-05-23 | 1991-06-25 | Mie Hooro Co., Ltd. | Method of joining pipes |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP19665784A patent/JPS6175582A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5025546A (en) * | 1987-05-23 | 1991-06-25 | Mie Hooro Co., Ltd. | Method of joining pipes |
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