JPS6175379A - アクテイブマトリツクス回路の製造方法 - Google Patents

アクテイブマトリツクス回路の製造方法

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JPS6175379A
JPS6175379A JP59198359A JP19835984A JPS6175379A JP S6175379 A JPS6175379 A JP S6175379A JP 59198359 A JP59198359 A JP 59198359A JP 19835984 A JP19835984 A JP 19835984A JP S6175379 A JPS6175379 A JP S6175379A
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thin film
film
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active matrix
matrix circuit
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悟 川井
梁井　健一
安宏 那須
善郎 小池
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639157A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Canon Inc 薄膜トランジスタの製造方法
US5686326A (en) * 1985-08-05 1997-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Method of making thin film transistor

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5686326A (en) * 1985-08-05 1997-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Method of making thin film transistor
JPS639157A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Canon Inc 薄膜トランジスタの製造方法

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