JPS6171622A - プラズマ放電処理装置 - Google Patents
プラズマ放電処理装置Info
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- JPS6171622A JPS6171622A JP19446684A JP19446684A JPS6171622A JP S6171622 A JPS6171622 A JP S6171622A JP 19446684 A JP19446684 A JP 19446684A JP 19446684 A JP19446684 A JP 19446684A JP S6171622 A JPS6171622 A JP S6171622A
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- JP
- Japan
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- substrate
- gas
- electrode
- plate
- substrate holder
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は主としてＳｉ基板等の表面をプラズマＣＶＤ法
により処理して半導体を製造するに使用されるプラズマ
放電処理装置に関する。
により処理して半導体を製造するに使用されるプラズマ
放電処理装置に関する。
（従来の技術）
従来、真空室内に、ガス吹出口を有する電極とＳｉ板等
の基板を取付けた基板ホルダを設け、該ガス吹出口から
ＳｉＨ，ガスその他のガスを吹き出させると共に該電極
でプラズマ放電を発生させ、該基板の表面に薄膜を形成
し、或はエツチングすることが行なわれており、前者は
プラズマＣＶＤ法、後者はプラズマエツチング法と称さ
れている。
の基板を取付けた基板ホルダを設け、該ガス吹出口から
ＳｉＨ，ガスその他のガスを吹き出させると共に該電極
でプラズマ放電を発生させ、該基板の表面に薄膜を形成
し、或はエツチングすることが行なわれており、前者は
プラズマＣＶＤ法、後者はプラズマエツチング法と称さ
れている。
この場合、該電極と基板ホルダは夫々平板状に形成され
、その面を互に対向させて真空室内に設けるを一般とす
る。
、その面を互に対向させて真空室内に設けるを一般とす
る。
（発明が解決しようとする問題点）
平板状のＨ（４と基板ホルダを対向させる形式のもので
は多数枚の基板を処理するには電極及び基板ホルダを大
径に構成するを要し、装置が大型化へて好ましくなく６
インチを越える大口径の基板の処理を要求される近時に
於いては他数枚の基板を基板ホルダに取付けする作業を
真空中に於いて自動的に行なうことも困難である。
は多数枚の基板を処理するには電極及び基板ホルダを大
径に構成するを要し、装置が大型化へて好ましくなく６
インチを越える大口径の基板の処理を要求される近時に
於いては他数枚の基板を基板ホルダに取付けする作業を
真空中に於いて自動的に行なうことも困難である。
本発明は多数枚の基板をプラズマ放電処理するに適した
装置を提供することを目的とする。
装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明では真空室内にガス吹出口を有する電極と基板を
取付けた基板ホルダを設け、該ガス吹出口から５ｉｔ１
．ガスその他のガスを吹き出させると共に該電極でプラ
ズマ放電を発生させ、該基板の表面処理を行なう式のも
のに於いて、該吹出口を有する電極を筒状の多孔板と該
多孔板の両端をそれぞれ塞ぐ端板と′Ｃ構成し、該端板
のいずれか一方にガス導入口を形成し、多数枚の基板を
小型の電極で処理するようにした。また第２発明では上
記の手段に加えて該基板ホルダを前記筒状の多孔板を囲
繞して旋回自在の多角筒体で構成し、該多角筒体の各面
に前記筒状の多孔板に対向させて基板を取付け、電極と
基板間の距離を略均−化し、均一な放電を得られるよう
１こし、さらに第３発明では該多角筒体の各面に開孔を
設け、該各面の外側に基板を該開化に挿入して保持する
基板保持体を開閉自在に没けて多数枚の基板を自動的に
基板ホルダに着脱出来るようにした。
取付けた基板ホルダを設け、該ガス吹出口から５ｉｔ１
．ガスその他のガスを吹き出させると共に該電極でプラ
ズマ放電を発生させ、該基板の表面処理を行なう式のも
のに於いて、該吹出口を有する電極を筒状の多孔板と該
多孔板の両端をそれぞれ塞ぐ端板と′Ｃ構成し、該端板
のいずれか一方にガス導入口を形成し、多数枚の基板を
小型の電極で処理するようにした。また第２発明では上
記の手段に加えて該基板ホルダを前記筒状の多孔板を囲
繞して旋回自在の多角筒体で構成し、該多角筒体の各面
に前記筒状の多孔板に対向させて基板を取付け、電極と
基板間の距離を略均−化し、均一な放電を得られるよう
１こし、さらに第３発明では該多角筒体の各面に開孔を
設け、該各面の外側に基板を該開化に挿入して保持する
基板保持体を開閉自在に没けて多数枚の基板を自動的に
基板ホルダに着脱出来るようにした。
（ｉ／ＩＥ 用）
真空室内を０．３乃至Ｉ Ｔｏｒｒに真空排気し、電慟
（ごＲＦその池の電極を接続すると共に基板ホルダをＩ
−スに接続り゛るとプラズマｆｉ７ｆｉが発生する１、
該基板はα空室内に設けたヒータにより約３００°Ｃに
加熱され、プラズマＣｖＯの場合該電極の吹出口から流
入するＳｉｎ、等のガスが分解され、その組成分子が基
板の表面に薄膜状に付着する。
（ごＲＦその池の電極を接続すると共に基板ホルダをＩ
−スに接続り゛るとプラズマｆｉ７ｆｉが発生する１、
該基板はα空室内に設けたヒータにより約３００°Ｃに
加熱され、プラズマＣｖＯの場合該電極の吹出口から流
入するＳｉｎ、等のガスが分解され、その組成分子が基
板の表面に薄膜状に付着する。
この作用は従来のプラズマＣＶＤに於ける場合と特に変
わりがないが、本発明の場合、電極を筒状の多孔板とそ
の両端を塞ぐ端板とＣ構成しｌこので、ガス吹出ｌ」の
面積が大きくなりこれに対向し′Ｃ多数の基板を設ける
ことが出来基板の処理枚数を向上づることが出来る。ま
た基板ホルダを前記筒状の多孔板を囲繞して旋回自在の
多角筒体で構成し、該多角筒体の各面に基板を筒状の多
孔板に対向して取付けするようにしたので、重陽は固定
し、基板ホルダを間歇的に旋回させて一定位置で基板の
着脱を行なえ、真空室を基板の着脱のために大きく形成
する必要がなく基板と１楊間の距離が略均−になり、均
一な放電が得られる。
わりがないが、本発明の場合、電極を筒状の多孔板とそ
の両端を塞ぐ端板とＣ構成しｌこので、ガス吹出ｌ」の
面積が大きくなりこれに対向し′Ｃ多数の基板を設ける
ことが出来基板の処理枚数を向上づることが出来る。ま
た基板ホルダを前記筒状の多孔板を囲繞して旋回自在の
多角筒体で構成し、該多角筒体の各面に基板を筒状の多
孔板に対向して取付けするようにしたので、重陽は固定
し、基板ホルダを間歇的に旋回させて一定位置で基板の
着脱を行なえ、真空室を基板の着脱のために大きく形成
する必要がなく基板と１楊間の距離が略均−になり、均
一な放電が得られる。
さらに該多角筒体の各面に開孔を設け、該各面の外側に
基板を該開孔に挿入しＣ保持する基板保持体を開閉自在
に設けるようにしたので、基板を多角筒体から聞いた基
板保持体に載せ、これを閑じることにより簡単に基板ホ
ルダに基板の取付けを行なえ、またその逆に処理の終え
た基板を基板保持体を間くだけで基板ホルダから簡単に
取外すことが出来る。
基板を該開孔に挿入しＣ保持する基板保持体を開閉自在
に設けるようにしたので、基板を多角筒体から聞いた基
板保持体に載せ、これを閑じることにより簡単に基板ホ
ルダに基板の取付けを行なえ、またその逆に処理の終え
た基板を基板保持体を間くだけで基板ホルダから簡単に
取外すことが出来る。
（実施例）
本発明の実施例を図面につき説明すると、第１図及び第
２図に於いて（１）は油回転ポンプ等により真空排気さ
れる真空室、（２）は該真空室（１）内に設けた電極、
り３）は基板ホルダ、（４）は該基板ホルダ（３）に取
付けた基板（５）を加熱する真空室に固定のヒータを示
し、該電極（２）は例えばＲＦ主電源接続されす板ホル
ダ（３）はアースに接続される。
２図に於いて（１）は油回転ポンプ等により真空排気さ
れる真空室、（２）は該真空室（１）内に設けた電極、
り３）は基板ホルダ、（４）は該基板ホルダ（３）に取
付けた基板（５）を加熱する真空室に固定のヒータを示
し、該電極（２）は例えばＲＦ主電源接続されす板ホル
ダ（３）はアースに接続される。
該電極（２）はＡＬ％ｌの多孔板（６）を約 ５℃程度
のテーパを有する逆截頭円錐系の筒状に形成し、その上
下の端部をＭ製の端板（７） （８）で塞いで構成され
、上方の端板（７）を真空室（１）の天板（９）に支軸
（１１）で吊下げ固定するようにした。該電極（２）の
上方の端板（υには第３図示のようにＳ ｉ Ｉｔ、ガ
ス、Ａｒガス等を中空部（２ａ）へ導入りるガス導入目
的か設けられ、該導入口ａｔｌには支軸（１Ｇ内を挿通
するガスバイブ０を介して真空室（１）の外部からガス
が導入される。該中空部（２ａ）に導かれたガスは多孔
板（６）に例えば２０ｍ間隔で形成した４ＩＮＲの小孔
（６ａ）が吹出口となってその周囲に吹き出す。■はア
ースシールド、（＋４１は上下の端板（７） （８）を
導電）？続り°る導通杆である。
のテーパを有する逆截頭円錐系の筒状に形成し、その上
下の端部をＭ製の端板（７） （８）で塞いで構成され
、上方の端板（７）を真空室（１）の天板（９）に支軸
（１１）で吊下げ固定するようにした。該電極（２）の
上方の端板（υには第３図示のようにＳ ｉ Ｉｔ、ガ
ス、Ａｒガス等を中空部（２ａ）へ導入りるガス導入目
的か設けられ、該導入口ａｔｌには支軸（１Ｇ内を挿通
するガスバイブ０を介して真空室（１）の外部からガス
が導入される。該中空部（２ａ）に導かれたガスは多孔
板（６）に例えば２０ｍ間隔で形成した４ＩＮＲの小孔
（６ａ）が吹出口となってその周囲に吹き出す。■はア
ースシールド、（＋４１は上下の端板（７） （８）を
導電）？続り°る導通杆である。
基数ホルダ（３）は前記筒状の多孔板（６）を囲繞する
旋回自在の多角筒１Ａａｓで構成され、その各面（１５
ａｌは例えば１３面形成し、多孔板（６）と同様に釣
５℃程度の多少外方に傾く傾角を設け、該各面（１５ａ
）に例 えば２枚の基板（５）が取付けされる。該多角筒体（１
５１は電極（２）の下方に設けた旋回自在のテーブルａ
ｅに取付けされ、これを介してアースされるものとし、
該テーブル（Ｉｅは外部のモータにより例えば１７１３
回転ずつの間歇回転が与えられるようにした。
旋回自在の多角筒１Ａａｓで構成され、その各面（１５
ａｌは例えば１３面形成し、多孔板（６）と同様に釣
５℃程度の多少外方に傾く傾角を設け、該各面（１５ａ
）に例 えば２枚の基板（５）が取付けされる。該多角筒体（１
５１は電極（２）の下方に設けた旋回自在のテーブルａ
ｅに取付けされ、これを介してアースされるものとし、
該テーブル（Ｉｅは外部のモータにより例えば１７１３
回転ずつの間歇回転が与えられるようにした。
■は多角筒体（１！ｉ＋の各面（１５ａ）の外側に、下
方のブラケットａ９に設けた回転＠ａつを中心として開
閉自在の基板保持体を示し、該真空室（１）の下方の昇
降自在の作動杆■が上昇すると図示のように基板保持体
■は略水平位置に聞き、該作動杆■が下降すると回転軸
（ｌうに巻きつけたつるまきばね■により鎖線示のよう
に面（１５ａ）に当接するように閉じる。
方のブラケットａ９に設けた回転＠ａつを中心として開
閉自在の基板保持体を示し、該真空室（１）の下方の昇
降自在の作動杆■が上昇すると図示のように基板保持体
■は略水平位置に聞き、該作動杆■が下降すると回転軸
（ｌうに巻きつけたつるまきばね■により鎖線示のよう
に面（１５ａ）に当接するように閉じる。
該基板保持体ａ力には１対の昇降テーブル■■が挿通し
得る透孔Ｑ３０と、各透孔Ｑ３■の回転軸Ｇつ寄りに各
１対設けた基板保持ビン■Ｉ２Φとを備え、各透孔０Ｑ
３を塞ぐように載せられた基板（５）（５）の端縁を該
ビンＱ！Ｄ■ぐ支え乍ら面（１５ａ）に形成した基板（
５） （５）よりも多少大きい開孔■■内に挿入し、そ
こに保持づ°るようにした。
得る透孔Ｑ３０と、各透孔Ｑ３■の回転軸Ｇつ寄りに各
１対設けた基板保持ビン■Ｉ２Φとを備え、各透孔０Ｑ
３を塞ぐように載せられた基板（５）（５）の端縁を該
ビンＱ！Ｄ■ぐ支え乍ら面（１５ａ）に形成した基板（
５） （５）よりも多少大きい開孔■■内に挿入し、そ
こに保持づ°るようにした。
該基板保持体（１７＞の開開に際し、基板ホルダ（３）
の外周に環状に設けたヒータ（４）の一部（４ａ）を上
方に聞き、該保持体（１７＋の開閉を妨げとならないよ
うにした。
の外周に環状に設けたヒータ（４）の一部（４ａ）を上
方に聞き、該保持体（１７＋の開閉を妨げとならないよ
うにした。
基板ホルダ（３）への基板（５）への着脱は真空室（１
）と一連の延長室（１ａ）に於いて行なわれ、該延長室
（１ａ）にはその左右にゲートバルブ（ト）■を介しＣ
連通自在にＯＦ設した仕込室■と取出し室■からＭ ｌ
ｌｉ （５）が送り込まれ或は送り出される。仕込Ｙ
Ｃ？）と取出し窄■は共に真空排気自在であり、対称的
に配置された搬送腕■■をｈする。
）と一連の延長室（１ａ）に於いて行なわれ、該延長室
（１ａ）にはその左右にゲートバルブ（ト）■を介しＣ
連通自在にＯＦ設した仕込室■と取出し室■からＭ ｌ
ｌｉ （５）が送り込まれ或は送り出される。仕込Ｙ
Ｃ？）と取出し窄■は共に真空排気自在であり、対称的
に配置された搬送腕■■をｈする。
１核搬送Ｆｉ＋！■は第４図及び第５図示の如く基板（
５）を収容りる中空部（２９ａ）を有し、その下ＩＪ！
（２つｂ）に（よ！：Ａ状の開放部（２９Ｃ）を形成Ｊ
るよ゛うにした。該仕込室Ｑｂには例えば２５枚の未処
理の基板〈５）を収めたカヒッ１〜ケースωが胃酔自在
のテーブルＱ」−に載置され、ベルト■により該ケース
■の下方の基板（５）から順次引き出し、前方の１対の
昇降テーブルΩ■の、上方に移送される。
５）を収容りる中空部（２９ａ）を有し、その下ＩＪ！
（２つｂ）に（よ！：Ａ状の開放部（２９Ｃ）を形成Ｊ
るよ゛うにした。該仕込室Ｑｂには例えば２５枚の未処
理の基板〈５）を収めたカヒッ１〜ケースωが胃酔自在
のテーブルＱ」−に載置され、ベルト■により該ケース
■の下方の基板（５）から順次引き出し、前方の１対の
昇降テーブルΩ■の、上方に移送される。
その概
略は第６図示の如くである。
該昇降テーブル■■がベルト■上の基板（５） （５）
を第７図示のように□持ち上げると、これを受取るべく
搬送腕■が旋回する。この場合該昇降テーブルＱ３Ｑ３
の軸は搬送腕■に開放部（２９ｃ）があるので下壁（２
９ｂ）に妨げられることなく第８図示のように中空部（
２９ａ）内へと進入出来る。次に昇降テーブル■■が下
降すると基板（５） （５）は第９図示の如く搬送腕■
の中空部（２９ａ）内に残され、該搬送＃、Ｑ９がゲー
トパルプ■を介して延長室（１ａ）内へと旋回し、開い
た基板保持体（＋７１の上方で止まる。その後基板保持
体○Ｄの透孔Ｑ３■を挿通して昇降テーブル■■が上昇
し、搬送腕■内の基板（５） （５）を持ら上げると該
搬送腕■は旋回して仕込苗■内へと次の基板を受取るべ
く戻り、次で該昇降テーブル■■が下降づ゛ると該保持
体（１７１の透孔Ｑ３Ｑ３を塞ぐように基板（５） （
５）が載せられる。該保持体Ｑ７）は作動杆■の下降で
多角筒体（１９の而１５ａ）に接するように閉じ、基板
ホルダ〈３）の開孔■■に基板（５） （５）が挿着さ
れる。
を第７図示のように□持ち上げると、これを受取るべく
搬送腕■が旋回する。この場合該昇降テーブルＱ３Ｑ３
の軸は搬送腕■に開放部（２９ｃ）があるので下壁（２
９ｂ）に妨げられることなく第８図示のように中空部（
２９ａ）内へと進入出来る。次に昇降テーブル■■が下
降すると基板（５） （５）は第９図示の如く搬送腕■
の中空部（２９ａ）内に残され、該搬送＃、Ｑ９がゲー
トパルプ■を介して延長室（１ａ）内へと旋回し、開い
た基板保持体（＋７１の上方で止まる。その後基板保持
体○Ｄの透孔Ｑ３■を挿通して昇降テーブル■■が上昇
し、搬送腕■内の基板（５） （５）を持ら上げると該
搬送腕■は旋回して仕込苗■内へと次の基板を受取るべ
く戻り、次で該昇降テーブル■■が下降づ゛ると該保持
体（１７１の透孔Ｑ３Ｑ３を塞ぐように基板（５） （
５）が載せられる。該保持体Ｑ７）は作動杆■の下降で
多角筒体（１９の而１５ａ）に接するように閉じ、基板
ホルダ〈３）の開孔■■に基板（５） （５）が挿着さ
れる。
基板ホルダ（３）は電極（２）の周囲を間歇的に旋回し
、各面（１５ａｌに基板（５）を装着する。また処理痛
みの１ｊ板＜５）は装着とｔよ逆順序の作動で保持枠（
＋７）から搬送腕■により取出し？ｉ！■のカセットケ
ース■内へと収められる。
、各面（１５ａｌに基板（５）を装着する。また処理痛
みの１ｊ板＜５）は装着とｔよ逆順序の作動で保持枠（
＋７）から搬送腕■により取出し？ｉ！■のカセットケ
ース■内へと収められる。
図示の実施例に於いて、真空室（１）内を０，３へ・１
＋ｏｒｒとしヒータ（４）により基板（５）を３００
℃に加熱し、電１４！ （２＞のガス導入口ａｔ＋から
Ｓ ｉ Ｈ，ガスを導入すると共に該電極（２）にＩｌ
ｌ電線から通電すると、該電１１（２＞とλ１仮ホルダ
（３）との間にプラズマｍ電ｈＸ発生し、多孔板（６）
から基板ホルダ（３）の加熱された各２Ｈｔ ＆ （５
）に向ってＳ ｉ １１４ガスが吹き出す。該ガスはプ
ラズマ中に於いて化学反応を生じその生成１力か＋５板
（５）の付着して基板（５）にプラズマＣｖＯの処理が
施される。
＋ｏｒｒとしヒータ（４）により基板（５）を３００
℃に加熱し、電１４！ （２＞のガス導入口ａｔ＋から
Ｓ ｉ Ｈ，ガスを導入すると共に該電極（２）にＩｌ
ｌ電線から通電すると、該電１１（２＞とλ１仮ホルダ
（３）との間にプラズマｍ電ｈＸ発生し、多孔板（６）
から基板ホルダ（３）の加熱された各２Ｈｔ ＆ （５
）に向ってＳ ｉ １１４ガスが吹き出す。該ガスはプ
ラズマ中に於いて化学反応を生じその生成１力か＋５板
（５）の付着して基板（５）にプラズマＣｖＯの処理が
施される。
また什ガスをガス導入口０から導入すれば基板（５）に
プラズマエツチングを施す口とが出来る。
プラズマエツチングを施す口とが出来る。
（発明の効果）
このように本発明によるときは電極を多孔板の筒体と端
板とで筒形に形成したので大面積のガス吹出口を有する
電極が得られ、多数枚の大口径の基板の表面処理を小型
の装置で行なえ処理能力が向上し、また第２発明によれ
ば、前記電極の外周に多角筒体の旋回自在の基板ホルダ
を設けたので多数枚の基板を電極との距離を略一定に取
付けて処理することが可能になり、基板を均一な放電で
均一に処理出来、基板ホルダを旋回させて一定位置で基
板の着脱を行なえ、真空室を小型化出来、さらに第３発
明では多角筒体の各面に開閉自在の基板保持体を設けた
ので基板の着脱を簡単に行なえ多数枚の基板の着脱を短
時間で行なえ作業性が向上する等の効果がある。
板とで筒形に形成したので大面積のガス吹出口を有する
電極が得られ、多数枚の大口径の基板の表面処理を小型
の装置で行なえ処理能力が向上し、また第２発明によれ
ば、前記電極の外周に多角筒体の旋回自在の基板ホルダ
を設けたので多数枚の基板を電極との距離を略一定に取
付けて処理することが可能になり、基板を均一な放電で
均一に処理出来、基板ホルダを旋回させて一定位置で基
板の着脱を行なえ、真空室を小型化出来、さらに第３発
明では多角筒体の各面に開閉自在の基板保持体を設けた
ので基板の着脱を簡単に行なえ多数枚の基板の着脱を短
時間で行なえ作業性が向上する等の効果がある。
第１図は水元１蓼１の実施例の截断側面図、第２図はそ
のト］線截断平面図、第３図は電極の一部の拡大截断側
面図、第４図は全体の概略斜視図、第５図はその■−Ｖ
′ｇＡ截断面図、第６図乃至第９図は搬送状態の説明線
図、第１０図は基板取付は状態を示す拡大断面図である
。 （１）・・・真空室 （２）・・・電極（３
）・・・基板ホルダ （５）・・・基板（６）・
・・多孔板 （７） （８）・・・端板（１１
）・・・ガス導入口 （１９・・・多角筒体（１
５ａ）・・・而 （１７１・・・基板保
持体待 訂 出 願 人 日本真空技術株式会社外２名 第６図 第７図
のト］線截断平面図、第３図は電極の一部の拡大截断側
面図、第４図は全体の概略斜視図、第５図はその■−Ｖ
′ｇＡ截断面図、第６図乃至第９図は搬送状態の説明線
図、第１０図は基板取付は状態を示す拡大断面図である
。 （１）・・・真空室 （２）・・・電極（３
）・・・基板ホルダ （５）・・・基板（６）・
・・多孔板 （７） （８）・・・端板（１１
）・・・ガス導入口 （１９・・・多角筒体（１
５ａ）・・・而 （１７１・・・基板保
持体待 訂 出 願 人 日本真空技術株式会社外２名 第６図 第７図
Claims (3)
- （１）真空室内に、ガス吹出口を有する電極と基板を取
付けた基板ホルダを設け、該ガス吹出口からＳｉＨ＿４
ガスその他のガスを吹き出させると共に該電極でプラズ
マ放電を発生させ、該基板の表面処理を行なう式のもの
に於いて、該吹出口を有する電極を、筒状の多孔板と該
多孔板の両端を夫々塞ぐ端板とで構成し、該端板のいず
れか一方にガス導入口を形成して成るプラズマ放電処理
装置。 - （２）真空室内に、ガス吹出口を有する電極と基板を取
付けた基板ホルダを設け、該ガス吹出口からＳｉＨ＿４
ガスその他のガスを吹き出させると共に該電極でプラズ
マ放電を発生させ、該基板の表面処理を行なう式のもの
に於いて、該吹出口を有する電極を、筒状の多孔板と該
多孔板の両端を夫々塞ぐ端板とで構成し、該端板のいず
れか一方にガス導入口を形成し、該基板ホルダを、前記
筒状の多孔板を囲繞して旋回自在の多角筒体で構成し、
該多角筒体の各面に前記筒状の多孔板に対向させて基板
を取付けして成るプラズマ放電処理装置。 - （３）真空室内に、ガス吹出口を有する電極と基板を取
付けた基板ホルダを設け、該ガス吹出口からＳｉＨ＿４
ガスその他のガスを吹き出させると共に該電極でプラズ
マ放電を発生させ、該基板の表面処理を行なう式のもの
に於いて、該吹出口を有する電極を、筒状の多孔板と該
多孔板の両端を塞ぐ端板とで構成し、該端板のいずれか
一方にガス導入口を設け、該基板ホルダを、前記筒状の
多孔板を囲繞して旋回自在の多角筒体で構成し、該多角
筒体の各面に開孔を設け、該各面の外側に基板を該開孔
に挿入して保持する基板保持体を開閉自在に設けて成る
プラズマ放電処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19446684A JPS6171622A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | プラズマ放電処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19446684A JPS6171622A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | プラズマ放電処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6171622A true JPS6171622A (ja) | 1986-04-12 |
Family
ID=16325023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19446684A Pending JPS6171622A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | プラズマ放電処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6171622A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024051936A1 (en) * | 2022-09-07 | 2024-03-14 | Applied Materials, Inc. | Closure for pharmaceutical preparations and method and rotary deposition apparatus for manufacturing therefor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154226A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Fuji Xerox Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1984
- 1984-09-17 JP JP19446684A patent/JPS6171622A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154226A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Fuji Xerox Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024051936A1 (en) * | 2022-09-07 | 2024-03-14 | Applied Materials, Inc. | Closure for pharmaceutical preparations and method and rotary deposition apparatus for manufacturing therefor |
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