JPH0551951U - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ＣＶＤ装置に於いて、プラズマ発生室内のプラ
ズマの均一性を向上させる。 【構成】プラズマ発生室６に隣接する被処理基板搬入搬
出用の搬送孔１４の前記プラズマ発生室に臨む面を絶縁
材料１７で覆い、前記搬送孔にプラズマが入込みプラズ
マ発生室内のプラズマの均一性を損なうことを防止す
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、半導体製造装置の１つである基板上に薄膜を形成するＣＶＤ装置、 特に枚葉式ＣＶＤ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

半導体製造の製造工程の１つにシリコン基板表面に所要の成膜をし、或は液晶 表示装置の製造の工程にガラス基板上に成膜を行う工程がある。

【０００３】 これは、気密な処理室に基板を装入し、該処理室内に設けられた１対の電極間 に高周波電力を印加すると共に前記処理室内に反応ガスを供給してプラズマを発 生させ、基板表面に薄膜を成膜させるものである（Ｃｈｅｍｉｃｈａｌ Ｖａｐ ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）。

【０００４】 従来のＣＶＤ装置では気密な処理室内の１面に１方の電極があり、該電極に対 峙して気密な処理室内の他方の面に電極が設けられ、両電極と直交する側面から 非処理物である基板が装入され、該基板は前記電極の１方に設置され、これら１ 対の電極間にプラズマを発生させてＣＶＤ処理を行っていた。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

前記した様に、枚葉式ＣＶＤ装置では、気密な処理室内に基板を搬入搬出しな ければならないので、前記処理室の側面には基板搬入搬出用の搬送孔が設けられ ている。斯かる搬送孔は金属製の処理室の壁を貫通して設けられるので、前記処 理室に金属面で囲まれた凹部が隣接して形成されることになる。ところが、プラ ズマを発生する処理室に前記凹部が隣接すると、該凹部にプラズマが入込み、ホ ローカソード効果で該凹部に新たなプラズマが発生した状態となる。この為、前 記処理室内のプラズマの均一性が阻害され、ひいては基板に成膜する膜厚の均一 性に影響を及ぼすことになる。

【０００６】 本考案は斯かる実情に鑑み、搬送孔にプラズマが入込むのを防止し、処理室内 のプラズマの均一性の向上を図ろうとするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

本考案は、プラズマ発生室に隣接する被処理基板搬入搬出用の搬送孔の前記プ ラズマ発生室に臨む面を絶縁材料で覆ったことを特徴とするものである。

【０００８】

【作用】

プラズマ発生室内に被処理基板を搬入搬出する為に、前記プラズマ発生室に隣 接して搬送孔が設けられるが、該搬送孔は内面が絶縁材で覆われている為、該搬 送孔にプラズマが入込みプラズマ発生室内のプラズマの均一性を損なうことがな い。

【０００９】

【実施例】

以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。

【００１０】 図１は、本考案に斯かるＣＶＤ装置の特に、処理室の断面の概略を示すもので ある。

【００１１】 真空容器１の上面には絶縁材２を介して上電極３が設けられ、前記真空容器１ の下面には絶縁材４を介して下電極５が設けられている。

【００１２】 前記真空容器１の内部はプラズマ発生室６となっており、該プラズマ発生室６ の側壁は石英製の側壁カバー７で覆い、前記上電極３の下方は多数のガス分散孔 ８を穿設した石英製の分散板９を設ける。又、前記下電極５には被処理基板１０ が載置される様になっており、該被処理基板１０の周囲は石英製の底板１１が設 けられ、前記プラズマ発生室６に隣接する面は全て石英製のカバーで覆われてい る。

【００１３】 前記上電極３には反応ガス供給路１２が設けられ、前記底板１１、前記絶縁材 ４には排気孔１３が貫通して設けられている。又、前記真空容器１の側面には前 記被処理基板１０の搬入搬出の為の搬送孔１４が設けられ、同様に前記側壁カバ ー７に該搬送孔１４と連続する様に通孔１５が穿設されている。該搬送孔１４は 、シャッタ１６によって開閉される様になっている。

【００１４】 前記搬送孔１４には石英製の搬送孔カバー１７が設けられ、前記シャッタ１６ の前記搬送孔１４に臨む部分は石英製の蓋カバー１８が設けてある。

【００１５】 尚、特に図示しないが前記被処理基板１０は、前記下電極５を貫通する基板昇 降ユニットによって昇降される様になっており、又前記シャッタ１６も図示しな い、開閉機構によって開閉される様になっている。

【００１６】 プラズマ処理は、被処理基板１０が搬入され下電極５に載置され、前記反応ガ ス供給路１２より反応ガスが供給され、前記ガス分散孔８よりプラズマ発生室６ 内に均一に導入され、更に前記排気孔１３より排気される状態で、前記上電極３ と前記下電極５間に高周波電力が印加されて、プラズマを発生させて行われる。

【００１７】 前記プラズマ発生室６に隣接して前記搬送孔１４による凹部が形成されるが、 該搬送孔１４は前記した様に搬送孔カバー１７によって内面が覆われており、又 前記シャッタ１６の搬送孔１４に臨む部分は前記蓋カバー１８で覆われており、 結局前記凹部は全て絶縁物である石英材料によって覆われているので、該凹部に プラズマが入込むことはない。而して、前記搬送孔カバー１７の存在によってプ ラズマ発生室６内のプラズマ分布の均一性が阻害されることはない。

【００１８】 前記被処理基板１０の搬出は、前記シャッタ１６が前記搬送孔１４を開放し、 図示しない前記基板昇降ユニットが被処理基板１０を持上げ、図示しない搬送ロ ボットが該被処理基板１０を受取り、更にプラズマ発生室６外に搬出する。

【００１９】 前記被処理基板１０の搬入も上記したと同様に、図示しない前記基板昇降ユニ ットと図示しない搬送ロボットとの協働によって行われる。

【００２０】 尚、ＣＶＤ処理による堆積物は前記被処理基板１０に薄膜を形成するばかりで なく、前記プラズマ発生室６に臨む壁面にも付着する。この壁面に付着した堆積 物はやがて剥離して前記被処理基板１０を汚染するので、壁面は定期的、或は処 理頻度に対応して清掃されなければならない。前記した様に、プラズマ発生室６ の壁面は側壁カバー７、分散板９、底板１１、搬送孔カバー１７によって覆われ ており、これら側壁カバー７、分散板９、底板１１、搬送孔カバー１７を着脱可 能とすれば、清掃作業が大幅に簡略化される。

【００２１】 又、前記側壁カバー７、分散板９、底板１１、搬送孔カバー１７を石英製とし たが、その他の絶縁材料であっても良いことは言う迄もない。

【００２２】

【考案の効果】

以上述べた如く本考案によれば、被処理基板の搬入搬出用の搬送孔が存在する ことによりプラズマ発生室内のプラズマの均一性が阻害されることがなく、プラ ズマ処理の品質の向上に寄与すると言う優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例を示す断面概略図である。

【符号の説明】

１ 真空容器 ６ プラズマ発生室 ７ 側壁カバー ９ 分散板 １０ 被処理基板 １１ 底板 １４ 搬送孔 １６ シャッタ １７ 搬送孔カバー １８ 蓋カバー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 竹田 智彦 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内 (72)考案者 折付 良二 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマ発生室に隣接する被処理基板搬
   入搬出用の搬送孔の前記プラズマ発生室に臨む面を絶縁
   材料で覆ったことを特徴とするＣＶＤ装置。