JPS6166145A - ガス検出装置 - Google Patents
ガス検出装置Info
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- JPS6166145A JPS6166145A JP18750684A JP18750684A JPS6166145A JP S6166145 A JPS6166145 A JP S6166145A JP 18750684 A JP18750684 A JP 18750684A JP 18750684 A JP18750684 A JP 18750684A JP S6166145 A JPS6166145 A JP S6166145A
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- JP
- Japan
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- gas
- containing compound
- light
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
- G01N21/78—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour
- G01N21/783—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour for analysing gases
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- Investigating Or Analysing Materials By The Use Of Chemical Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、水素ガス及び含水素化合物ガス以外の還元性
ガス、例えばＣＯガス等を高い選択性をもって検出する
ガス検出装置に関する。
ガス、例えばＣＯガス等を高い選択性をもって検出する
ガス検出装置に関する。
（従来技術）
従来、還元性ガスを検出するガス検出装置としては、還
元性ガス分子の吸着によって電気的特性、例えば抵抗値
が変化するセンサ素子を単体で使用したものが知られて
いるが、還元性ガスの内の特定のガス、例えばＣＯガス
のみを検出するためには、素子の使用温麿によってガス
の選択性が変ることから、使用温石の異なった複数のセ
ン勺素子を使用し、これらのセンサ素子の検出出力から
特定のガスに対づる選択性をもたせるようにしている。
元性ガス分子の吸着によって電気的特性、例えば抵抗値
が変化するセンサ素子を単体で使用したものが知られて
いるが、還元性ガスの内の特定のガス、例えばＣＯガス
のみを検出するためには、素子の使用温麿によってガス
の選択性が変ることから、使用温石の異なった複数のセ
ン勺素子を使用し、これらのセンサ素子の検出出力から
特定のガスに対づる選択性をもたせるようにしている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、使用温度を変えた複数のセンサ素子の組
み合せを行なっても、水素及び含水素化合物ガスの補償
を充分に行なうことができず、水素ガスまたは含水素化
合物ガスに干渉されて検出対象となる特定の還元性ガス
、例えばＣＯガラス選択性を向上覆ることが困難であっ
た。
み合せを行なっても、水素及び含水素化合物ガスの補償
を充分に行なうことができず、水素ガスまたは含水素化
合物ガスに干渉されて検出対象となる特定の還元性ガス
、例えばＣＯガラス選択性を向上覆ることが困難であっ
た。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、水素ガス及び含水素化合物ガスの以外の還元性ガ
スを高い選択性をもって検出することを目的とし、パラ
ジウムＰｄ等の触媒金属と３ＮＩＩ化タングステン等の
固体化合物の積層構造をもち水素・含水素化合物ガスの
接触で光吸収特性が変化する水素・含水素化合物ガスに
対して極めて高い選択性をもったセンサ素子を補償素子
として使用し、従来の選択性をもたない還元ガスのセン
サ素子の検出出力から水素・含水素化合物ガスの影響を
取り除くことで、水素・含水素化合物ガス以外の還元性
ガスの検出に高い選択性をもた【！るようにしたもので
ある。
ので、水素ガス及び含水素化合物ガスの以外の還元性ガ
スを高い選択性をもって検出することを目的とし、パラ
ジウムＰｄ等の触媒金属と３ＮＩＩ化タングステン等の
固体化合物の積層構造をもち水素・含水素化合物ガスの
接触で光吸収特性が変化する水素・含水素化合物ガスに
対して極めて高い選択性をもったセンサ素子を補償素子
として使用し、従来の選択性をもたない還元ガスのセン
サ素子の検出出力から水素・含水素化合物ガスの影響を
取り除くことで、水素・含水素化合物ガス以外の還元性
ガスの検出に高い選択性をもた【！るようにしたもので
ある。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を検出回路部と共に示１ノた
説明図である。
説明図である。
まず構成を説明すると、１は還元性ガスを検出するセン
サ素子であり、水素及び含水素化合物ガスに対し光吸収
特性が変化する機能を有する。即ち、センサ素子はパラ
ジウムＰｄを使用した触媒金属半透明膜２と、３酸化タ
ングステンＷＯ３を使用したクロミック材料膜３と、Ｉ
ＴＯを使用した透明導電膜４の積層構造をもち、この触
媒金属半透明膜２．クロミック材料膜３及び透明導電膜
４の積層構造でなるセンサ素子１の製造は、ガラスを使
用した透明基板５の上にｒＴＯの透明導電膜４を所定の
厚さに蒸着し、続いてＷＯ３でなるクロミック材料膜３
を所定の厚さに蒸着し、最終的にクロミック材料膜３の
上にＰｄでなる触媒金属半透明膜２を透明性を保つ程廉
に薄く蒸゛着することで作り出している。
サ素子であり、水素及び含水素化合物ガスに対し光吸収
特性が変化する機能を有する。即ち、センサ素子はパラ
ジウムＰｄを使用した触媒金属半透明膜２と、３酸化タ
ングステンＷＯ３を使用したクロミック材料膜３と、Ｉ
ＴＯを使用した透明導電膜４の積層構造をもち、この触
媒金属半透明膜２．クロミック材料膜３及び透明導電膜
４の積層構造でなるセンサ素子１の製造は、ガラスを使
用した透明基板５の上にｒＴＯの透明導電膜４を所定の
厚さに蒸着し、続いてＷＯ３でなるクロミック材料膜３
を所定の厚さに蒸着し、最終的にクロミック材料膜３の
上にＰｄでなる触媒金属半透明膜２を透明性を保つ程廉
に薄く蒸゛着することで作り出している。
このセンサ素子１は水素ガスあるいは含水素化合物ガス
（ＮＨ３，Ｈ２ｓ等）が接触したとき、次のようにして
光吸収特性が変化する。
（ＮＨ３，Ｈ２ｓ等）が接触したとき、次のようにして
光吸収特性が変化する。
例えば、水素ガスが接触したとすると、触媒金属半透明
膜２により水素が吸着解離されて水素原子を触媒金属半
透明膜２の中に生成し、この水素原子が固体化合物とし
てのクロミック材料膜３の中に注入される。触媒金属半
透明膜２によるプロトンＨの注入を受けたクロミック材
料膜３の固体化合物ＷＯ８は、還元されて色中心密度が
変化する。即ち、クロミック材料膜３としてＷＯ３を使
用したときにはプロトン１」の注入による色中心密度の
変化で光吸収が増大し、その増大の度合はガス濃度の増
加に応じて強くなる。勿論、水素ガスがなくなれば固体
化合物ＷＯ８に注入されたプ［１トンＨが再び抜は出し
て光吸収を減じ、元のより透明な状態に戻る。
膜２により水素が吸着解離されて水素原子を触媒金属半
透明膜２の中に生成し、この水素原子が固体化合物とし
てのクロミック材料膜３の中に注入される。触媒金属半
透明膜２によるプロトンＨの注入を受けたクロミック材
料膜３の固体化合物ＷＯ８は、還元されて色中心密度が
変化する。即ち、クロミック材料膜３としてＷＯ３を使
用したときにはプロトン１」の注入による色中心密度の
変化で光吸収が増大し、その増大の度合はガス濃度の増
加に応じて強くなる。勿論、水素ガスがなくなれば固体
化合物ＷＯ８に注入されたプ［１トンＨが再び抜は出し
て光吸収を減じ、元のより透明な状態に戻る。
このようなセンサ素子１における光吸収現象は水素ガス
の他にＮ Ｈ３、Ｈ１’ Ｓ 、 Ｓ ｉ Ｈ４等の含
水素化合物ガスの接触に対しても同様である。
の他にＮ Ｈ３、Ｈ１’ Ｓ 、 Ｓ ｉ Ｈ４等の含
水素化合物ガスの接触に対しても同様である。
一方、センサ素子１は水素・含水素化合物ガスを含む還
元性ガスの接触に対しクロミック材料膜３の両側に形成
した電極としての触媒金属半透明膜２と透明導電膜４と
の間の電気的特性、具体的には抵抗値が還元性ガスの濃
度に応じて変化し、この抵抗値の変化から電気的に水素
・含水素化合物ガスを含む還元性ガスを検出することが
できる。
元性ガスの接触に対しクロミック材料膜３の両側に形成
した電極としての触媒金属半透明膜２と透明導電膜４と
の間の電気的特性、具体的には抵抗値が還元性ガスの濃
度に応じて変化し、この抵抗値の変化から電気的に水素
・含水素化合物ガスを含む還元性ガスを検出することが
できる。
水素・含水素化合物ガスの接触に対し光吸収特性が変化
するセンサ素子１の一方には、センサ素子１の光吸収の
変化を光学的に検出するため、光源としての発光素子６
が設けられ、発光用電源７にＪ：る発光駆動を受けてセ
ンサ素子１に検出光を入射している。また、センサ素子
１の反対側にはセンサ素子１を透過した光を受光して電
気信号に変換でる受光素子８が設けられ、水素ガスまた
は含水素化合物ガスの接触でセンサ素子１におけるクロ
ミック材料Ｉ！！３の光吸収特性の変化で減衰した透過
光を受光して電気信号に変換している。受光素子８の受
光電流は水素・含水素化合物ガス検出回路９に与えられ
、透過光の減衰に応じた水素ガス及びまたは含水素化合
物ガスのガス１ｇ１ｉ度を検出する。
するセンサ素子１の一方には、センサ素子１の光吸収の
変化を光学的に検出するため、光源としての発光素子６
が設けられ、発光用電源７にＪ：る発光駆動を受けてセ
ンサ素子１に検出光を入射している。また、センサ素子
１の反対側にはセンサ素子１を透過した光を受光して電
気信号に変換でる受光素子８が設けられ、水素ガスまた
は含水素化合物ガスの接触でセンサ素子１におけるクロ
ミック材料Ｉ！！３の光吸収特性の変化で減衰した透過
光を受光して電気信号に変換している。受光素子８の受
光電流は水素・含水素化合物ガス検出回路９に与えられ
、透過光の減衰に応じた水素ガス及びまたは含水素化合
物ガスのガス１ｇ１ｉ度を検出する。
一方、センサ素子１の触媒金属半透明１！Ｊ ２及び透
明導電膜４に対しては電源１０よりセンサ素子１の抵抗
値を検出するための電源電圧が還元性ガス検出回路１１
を介して印加されており、電源１０よりセンサ素子１の
抵抗値に応じた検出電流を流し、還元性ガスが接触する
と抵抗値の変化に応じて還元性ガス検出回路を流れる検
出電流が変化することから、この検出電流の変化に応じ
て水素・含水素化合物ガスを含む還元１／ｌガスのガス
１ｌＪｔｆｆを検出している。１２＆よ水素・含水素化
合物ガス、例えばＣＯガラを検出するための判断部であ
り、水素・含水素化合物ガス検出回路９とｊ！元元方ガ
ス検出回路１０各検出出力に基づいてＣＯガラの検出ｍ
而を判断する。
明導電膜４に対しては電源１０よりセンサ素子１の抵抗
値を検出するための電源電圧が還元性ガス検出回路１１
を介して印加されており、電源１０よりセンサ素子１の
抵抗値に応じた検出電流を流し、還元性ガスが接触する
と抵抗値の変化に応じて還元性ガス検出回路を流れる検
出電流が変化することから、この検出電流の変化に応じ
て水素・含水素化合物ガスを含む還元１／ｌガスのガス
１ｌＪｔｆｆを検出している。１２＆よ水素・含水素化
合物ガス、例えばＣＯガラを検出するための判断部であ
り、水素・含水素化合物ガス検出回路９とｊ！元元方ガ
ス検出回路１０各検出出力に基づいてＣＯガラの検出ｍ
而を判断する。
次に、第１図の実施例にＪ：る還元性ガスの検出動作を
説明する。
説明する。
まず、センサ索子１に接触した還元性ガスが水素ガス及
びＣＯガラを含む還元性ガスであったと１゛ると、水素
ガスの接触を受けてセンサ索子１におけるり［１ミツク
材１！Ｉ 膜３の光吸収が変化し、クロミック材料膜３
としてはＷＯ３を使用（〕ていることから、水水ガスの
ガス濃度に応じて光吸収が増大し、発光素子６からの透
過光がセン４ノ素子１で吸収され、受光素子８に入射す
る透過光量が減衰づ゛る。このため、水素・含水素化合
物検出回路９は受光素子８による受光信号の低下から水
素がスのガス１１１度を検出し判断部１２に出力する。
びＣＯガラを含む還元性ガスであったと１゛ると、水素
ガスの接触を受けてセンサ索子１におけるり［１ミツク
材１！Ｉ 膜３の光吸収が変化し、クロミック材料膜３
としてはＷＯ３を使用（〕ていることから、水水ガスの
ガス濃度に応じて光吸収が増大し、発光素子６からの透
過光がセン４ノ素子１で吸収され、受光素子８に入射す
る透過光量が減衰づ゛る。このため、水素・含水素化合
物検出回路９は受光素子８による受光信号の低下から水
素がスのガス１１１度を検出し判断部１２に出力する。
一方、水素ガス及びＣＯガラを含む）！元性ガスの接触
でセンサ索子１の抵抗値が変化し、電［１０より還元性
ガス検出回路１１を介してセンサ素子１に流れる検出電
流の変化から水素ガス及びＣＯガラでなる還元性ガスの
ガス濃度を検出して判断部１２に出力する。
でセンサ索子１の抵抗値が変化し、電［１０より還元性
ガス検出回路１１を介してセンサ素子１に流れる検出電
流の変化から水素ガス及びＣＯガラでなる還元性ガスの
ガス濃度を検出して判断部１２に出力する。
判断部１２においては、還元性ガス検出回路１１の検出
ガス濃度をトータル的なガス濃度とし、この値から水素
・含水素化合物ガス検出回路９で検出された水素ガスの
ガス濃度を差し引くことによりＣＯガラのガス濃度を判
断する。勿論、水素ガスのみの場合には、判断部１２に
対する水素・含水素化合物ガス検出回路９の検出ガス濃
度と還元性ガス検出回路１１のガス１１１度とが略一致
しており、判断部１２においては水素ガスであると判断
することができる。また、水素・含水素化合物ガス以外
の還元性ガス、例えばＣＯガラのみの場合には、水素・
含水素化合物カス検出回路９の検出出力が得られないこ
とから、水素・含水素化合物ガス以外の還元性ガス、例
えばＣＯガラであることを容易に判断できる。
ガス濃度をトータル的なガス濃度とし、この値から水素
・含水素化合物ガス検出回路９で検出された水素ガスの
ガス濃度を差し引くことによりＣＯガラのガス濃度を判
断する。勿論、水素ガスのみの場合には、判断部１２に
対する水素・含水素化合物ガス検出回路９の検出ガス濃
度と還元性ガス検出回路１１のガス１１１度とが略一致
しており、判断部１２においては水素ガスであると判断
することができる。また、水素・含水素化合物ガス以外
の還元性ガス、例えばＣＯガラのみの場合には、水素・
含水素化合物カス検出回路９の検出出力が得られないこ
とから、水素・含水素化合物ガス以外の還元性ガス、例
えばＣＯガラであることを容易に判断できる。
第２図番ｊ本発明の他の実施例をガス検出回路部と共に
示した説明図であり、この実施例は水素・含水素化合物
ガスを含む還元性ガスのガス検出に独立したセンサ素子
を使用しＩ、＝ことを特徴どする。
示した説明図であり、この実施例は水素・含水素化合物
ガスを含む還元性ガスのガス検出に独立したセンサ素子
を使用しＩ、＝ことを特徴どする。
即ち、水素・含水素化合物ガスを検出Ｊるためのセンサ
索子１及びその光学系は第１図の実施例と同じであるが
、水素・含水素化合物ガスを含むトータル的なｊ９元性
ガスを検出するため新たにセンサ索子１３を別途に設け
、電源１０によって還元性ガス検出回路１１を介して電
源電圧を印加し、センサ索子１３は水素・含水素化合物
ガスを含む還元性ガスの接触に対し電気的特性、例えば
抵抗値が変化することから、抵抗値の変化に応じた検出
電流に基づいて還元性ガス検出回路１１でトータル的な
還元性ガスのガス濃度を検出し、判断部１２において水
素・含水素化合物ガス検出回路９の検出出力で補償（）
、水素ガス及びまたは含水素化合物ガス以外の還元性ガ
スのガス濃度を判断するようにしている。
索子１及びその光学系は第１図の実施例と同じであるが
、水素・含水素化合物ガスを含むトータル的なｊ９元性
ガスを検出するため新たにセンサ索子１３を別途に設け
、電源１０によって還元性ガス検出回路１１を介して電
源電圧を印加し、センサ索子１３は水素・含水素化合物
ガスを含む還元性ガスの接触に対し電気的特性、例えば
抵抗値が変化することから、抵抗値の変化に応じた検出
電流に基づいて還元性ガス検出回路１１でトータル的な
還元性ガスのガス濃度を検出し、判断部１２において水
素・含水素化合物ガス検出回路９の検出出力で補償（）
、水素ガス及びまたは含水素化合物ガス以外の還元性ガ
スのガス濃度を判断するようにしている。
尚、上記の実施例において、センサ素子の触媒金属半透
明膜２としてはパラジウムＰｄの他に白金ｐｔを使用す
ることができ、またクロミック材料膜３を形成する固体
化合物としは、３酸化モリブデンＭ００３の他に２酸化
チタンＴｉＯ２，水酸化イリジウムＩｒ （ＯＨ）１
．５酸化バナジウムＶ２Ｏ，を用いてもよい。また、第
２図のセンサ素子１において、透明導！ｌ！４は設けな
（ともよい。
明膜２としてはパラジウムＰｄの他に白金ｐｔを使用す
ることができ、またクロミック材料膜３を形成する固体
化合物としは、３酸化モリブデンＭ００３の他に２酸化
チタンＴｉＯ２，水酸化イリジウムＩｒ （ＯＨ）１
．５酸化バナジウムＶ２Ｏ，を用いてもよい。また、第
２図のセンサ素子１において、透明導！ｌ！４は設けな
（ともよい。
（発明の効果）
以上説明してきたように本発明によれば、パラジウムＰ
ｄ等の触媒金属と３酸化タングステン等の固体化合物と
の積層構造をもち、水素・含水素化合物ガスの接触で光
吸収特性が変化する水素ガス及び含水素化合物ガスに対
し極めて高い選択性をもったセンサ素子を補りＩｔ素子
として使用し、選択性をもたない還元性ガスのセンサ素
子の検出出力から水素・含水素化合物ガスの影響を取り
除くことで水素・含水素化合物ガス以外の還元性ガス、
例えばＣｏガスの検出に高い選択性をもたせるようにし
たため、水素ガス及びまたは含水素化合物ガスを含む還
元性ガスであっても水素ガス及びまたは含水素化合物ガ
スの影響を取り除いて特定の還元性ガス、例えばＣｏガ
ス等に対する高い選択性をもったガス検出を行なうこと
ができる。
ｄ等の触媒金属と３酸化タングステン等の固体化合物と
の積層構造をもち、水素・含水素化合物ガスの接触で光
吸収特性が変化する水素ガス及び含水素化合物ガスに対
し極めて高い選択性をもったセンサ素子を補りＩｔ素子
として使用し、選択性をもたない還元性ガスのセンサ素
子の検出出力から水素・含水素化合物ガスの影響を取り
除くことで水素・含水素化合物ガス以外の還元性ガス、
例えばＣｏガスの検出に高い選択性をもたせるようにし
たため、水素ガス及びまたは含水素化合物ガスを含む還
元性ガスであっても水素ガス及びまたは含水素化合物ガ
スの影響を取り除いて特定の還元性ガス、例えばＣｏガ
ス等に対する高い選択性をもったガス検出を行なうこと
ができる。
第１図は本発明の一実施例を検出回路部と共に示した説
明図、第２図は本発明の伯の実施例を示した説明図であ
る。 １：センＶ索子 ２：触媒金属半透明膜 ３：クロミック材料膜 ４：透明導電膜 ６：発光素子 ７：発光用電源 ８：受光素子 ９：水素・含水素化合物ガス検出回路 １０：電源 １１：還元性ガス検出回路 １２：判断部 １３：センサ素子
明図、第２図は本発明の伯の実施例を示した説明図であ
る。 １：センＶ索子 ２：触媒金属半透明膜 ３：クロミック材料膜 ４：透明導電膜 ６：発光素子 ７：発光用電源 ８：受光素子 ９：水素・含水素化合物ガス検出回路 １０：電源 １１：還元性ガス検出回路 １２：判断部 １３：センサ素子
Claims (2)
- （１）水素または含水素化合物ガスの濃度に応じた光吸
収特性の変化を検出する水素・含水素化合物ガス検出手
段と、 前記水素・含水素化合物ガスを含む還元性ガスの濃度を
検出する還元性ガス検出手段と、 前記水素・含水素化合物ガス検出手段と前記還元性ガス
検出手段の各検出出力に基づいて水素・含水素化合物以
外の還元性ガスの濃度を判断する判断手段とを設けたこ
とを特徴とするガス検出装置。 - （２）前記水素・含水素化合物ガス検出手段は、水素ま
たは含水素化合物ガスを吸着解離する金属と、該金属中
の水素原子により還元される固体化合物と、還元による
前記固体化合物の光吸収の変化を検出して電気信号に変
換する手段を備えたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のガス検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18750684A JPS6166145A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | ガス検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18750684A JPS6166145A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | ガス検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166145A true JPS6166145A (ja) | 1986-04-04 |
| JPH051897B2 JPH051897B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=16207251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18750684A Granted JPS6166145A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | ガス検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6166145A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003329592A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-19 | Shinji Okazaki | ガスセンサ用の膜の製造方法 |
| JP2005331284A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Kobe Steel Ltd | 水素ガス検知剤および水素ガス検知装置 |
| JP2009081127A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-04-16 | Atsumi Tec:Kk | イオン伝導性電解質膜およびイオン伝導性電解質膜と水素極との接合体の検査方法 |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP18750684A patent/JPS6166145A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003329592A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-19 | Shinji Okazaki | ガスセンサ用の膜の製造方法 |
| JP2005331284A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Kobe Steel Ltd | 水素ガス検知剤および水素ガス検知装置 |
| JP2009081127A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-04-16 | Atsumi Tec:Kk | イオン伝導性電解質膜およびイオン伝導性電解質膜と水素極との接合体の検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051897B2 (ja) | 1993-01-11 |
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