JPS6163996A - 情報記憶装置 - Google Patents
情報記憶装置Info
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- JPS6163996A JPS6163996A JP59185744A JP18574484A JPS6163996A JP S6163996 A JPS6163996 A JP S6163996A JP 59185744 A JP59185744 A JP 59185744A JP 18574484 A JP18574484 A JP 18574484A JP S6163996 A JPS6163996 A JP S6163996A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/565—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using capacitive charge storage elements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は情報記憶回路に関する。
従来の技術
h′1報記憶装置として、従来、m−n個(m≧1、n
≧1)の情報記憶回路M11’〜112………Min’
M21・M22””””°M2n’ ”ml・Mn2
”””…MIIlnと、m木の情報書込・読出線A1.
△2………八 と、m木の11選択信号線B、Bm 1
2 ………B と、0本の列選択信号s!ilc、cm +
2 ………Cl1lとを有し、列選択信号線Cjからの列選
択(、′、号によって情報記憶回路M1j〜MIllj
が選択11制御されている状態C1情報を、行選択信号
線B、からの行選択信号を用いて情報;!1込・読出線
△、に出力さけて、情報記憶回路M1.にム!10させ
、また、その情報を、行選択信号線Biからの行選択信
号を用いC情報書込・読出線Δiから読出寸ようになさ
れた構成を有するものか、種々j7業されCいる。
≧1)の情報記憶回路M11’〜112………Min’
M21・M22””””°M2n’ ”ml・Mn2
”””…MIIlnと、m木の情報書込・読出線A1.
△2………八 と、m木の11選択信号線B、Bm 1
2 ………B と、0本の列選択信号s!ilc、cm +
2 ………Cl1lとを有し、列選択信号線Cjからの列選
択(、′、号によって情報記憶回路M1j〜MIllj
が選択11制御されている状態C1情報を、行選択信号
線B、からの行選択信号を用いて情報;!1込・読出線
△、に出力さけて、情報記憶回路M1.にム!10させ
、また、その情報を、行選択信号線Biからの行選択信
号を用いC情報書込・読出線Δiから読出寸ようになさ
れた構成を有するものか、種々j7業されCいる。
反則た亙臥しようζユ3d唄2.+3了4しかし/Qが
ら、従来の情報記ffl Inは、何れも、情報記憶回
路M ・に2111°1表示で[1j及び[O]をとる
1ビツトの21(i悄?tJが記憶され、また、これか
ら読出される態様で、情報が、記憶され、また、これが
読出されるように構成されているのを酋通としていた。
ら、従来の情報記ffl Inは、何れも、情報記憶回
路M ・に2111°1表示で[1j及び[O]をとる
1ビツトの21(i悄?tJが記憶され、また、これか
ら読出される態様で、情報が、記憶され、また、これが
読出されるように構成されているのを酋通としていた。
このため、このようなIn来の情報記憶装置の場合、
j’i報記憶装置全体の情報記憶回路が、情報記憶回路
M11〜”in;M21〜M2n’………Mm I ”
〜’mnの数と等しいm×「1ピツ1〜にゐり限され、
従って、情報記憶装置全体としての情報記憶容量を、増
大ぜ/νどりれぼ、fi’i ?fJ記憶回路M11〜
MUMへ・M:………Mml−・〜’mnの数m×In
212+1 nを増加さ1!る必要があり、そしで、そのようにりれ
ば、情報記憶装置が全体として大型化するという欠点を
イfしていた。
j’i報記憶装置全体の情報記憶回路が、情報記憶回路
M11〜”in;M21〜M2n’………Mm I ”
〜’mnの数と等しいm×「1ピツ1〜にゐり限され、
従って、情報記憶装置全体としての情報記憶容量を、増
大ぜ/νどりれぼ、fi’i ?fJ記憶回路M11〜
MUMへ・M:………Mml−・〜’mnの数m×In
212+1 nを増加さ1!る必要があり、そしで、そのようにりれ
ば、情報記憶装置が全体として大型化するという欠点を
イfしていた。
肌苅点を解決りるための一段
よっ−C1木発明LJ、上述した欠点を有効に回避1)
15Iる新規な情報記憶装置を12案ぜんとするしので
ある。
15Iる新規な情報記憶装置を12案ぜんとするしので
ある。
本発明による情報記1置によれば、従来の情報記憶装置
の場合と同様に、M112M12………〜I:M、M…
……M2n’〜11.”m2…In 2122 ……Mfflnと、m木のjl’i’di f$1込”
aji出線A、 、 A2………八 と、m本の行選
択信号線B、B2………B ど、0本の列選jl’!
in ”iう線C1,C2………C1とを右し、列選択
信号I!Ilc、からの列選択信号によって情報記憶回
路M1j〜MIIljが選択制御されている状ffJ
C1情報を、行選択信号wIB・からの(j選択(fi
尼を用いて情報回込・読出線A・に出力させて、情報記
憶回路M1゜に記憶させ、また、その情報を、行選択(
8号線B・からの17選11< lc;舅を用いC清報
911込・読出線A・かう読出づようになされた構成を
有する。
の場合と同様に、M112M12………〜I:M、M…
……M2n’〜11.”m2…In 2122 ……Mfflnと、m木のjl’i’di f$1込”
aji出線A、 、 A2………八 と、m本の行選
択信号線B、B2………B ど、0本の列選jl’!
in ”iう線C1,C2………C1とを右し、列選択
信号I!Ilc、からの列選択信号によって情報記憶回
路M1j〜MIIljが選択制御されている状ffJ
C1情報を、行選択信号wIB・からの(j選択(fi
尼を用いて情報回込・読出線A・に出力させて、情報記
憶回路M1゜に記憶させ、また、その情報を、行選択(
8号線B・からの17選11< lc;舅を用いC清報
911込・読出線A・かう読出づようになされた構成を
有する。
しかしながら、本発明による情報記憶装置は、このよう
な構成を有りる情報記憶装置において、N報内込み手段
と、情報続出手段とを有し、そしC1情報内込手段が、
行選択信号線B1からの行選択(3号によって選IJi
!ル制御されでいる状態て、2餡情報を表わしているq
1ifi情報(q≧3)を、情報F!1込・読出線△
iに出し、また、情報記憶回路M1.が、1目べiR偕
目線Cjからの列選択信号によって選択制御されている
状態で、情報回込・読出線△・に出されているq埴情報
を記憶し、また、ぞの01ff’i情el+を情報P1
込・読出線△ に出ノ1し、さらに、↑I!i報読出丁
段が、行選択信号FII11からの(j)バtRj:、
gによって選択Lll tanされている状態で、情
報記憶回路Mijから?+’i報;J1込・読出腺公1
に出Isさ七しているQ trへ情報を表わしている2
1直情報を出力さける、という構成を有りる。
な構成を有りる情報記憶装置において、N報内込み手段
と、情報続出手段とを有し、そしC1情報内込手段が、
行選択信号線B1からの行選択(3号によって選IJi
!ル制御されでいる状態て、2餡情報を表わしているq
1ifi情報(q≧3)を、情報F!1込・読出線△
iに出し、また、情報記憶回路M1.が、1目べiR偕
目線Cjからの列選択信号によって選択制御されている
状態で、情報回込・読出線△・に出されているq埴情報
を記憶し、また、ぞの01ff’i情el+を情報P1
込・読出線△ に出ノ1し、さらに、↑I!i報読出丁
段が、行選択信号FII11からの(j)バtRj:、
gによって選択Lll tanされている状態で、情
報記憶回路Mijから?+’i報;J1込・読出腺公1
に出Isさ七しているQ trへ情報を表わしている2
1直情報を出力さける、という構成を有りる。
この、J、うイ「本発明による情全tj ;、i! t
Q装買の構成にJ、れば、↑、、報記憶回路M1jにq
碩情報が記憶され、また、これから読出される態様で、
情報が記憶され、また、これが;、−出される。
Q装買の構成にJ、れば、↑、、報記憶回路M1jにq
碩情報が記憶され、また、これから読出される態様で、
情報が記憶され、また、これが;、−出される。
υ1の21J宋
このため、本発明によるtr”r報記10装置によれぽ
、情報記憶回路Mijに、1ピツi〜の情報が記憶され
、また、これが読出される態様で、情報が記憶され、ま
Iこ、これが読出されるようにdへ成されている従来の
情報記憶装置に比し、tr?報記憶回路M11〜M1o
:M21〜M2o;………M1〜M、。の数rllXn
が同じ116を有していながら、情報記憶装置全体の情
報記憶容量を、十分大にづることができる。
、情報記憶回路Mijに、1ピツi〜の情報が記憶され
、また、これが読出される態様で、情報が記憶され、ま
Iこ、これが読出されるようにdへ成されている従来の
情報記憶装置に比し、tr?報記憶回路M11〜M1o
:M21〜M2o;………M1〜M、。の数rllXn
が同じ116を有していながら、情報記憶装置全体の情
報記憶容量を、十分大にづることができる。
このため、情報記10装欝を全体として大型化させるこ
となしに、上述した従来の情報記憶装F? +こ比し、
情報記憶合111を十分大にりることかでさる、という
効果がある。
となしに、上述した従来の情報記憶装F? +こ比し、
情報記憶合111を十分大にりることかでさる、という
効果がある。
実施例
次に第1図を伴なって、本発明ににる情報記憶&:貨の
実fへ例を述べよう。
実fへ例を述べよう。
第1図に承り本発明により情報記憶装置の実施(91は
、以下述べる村へ成をイiりる。
、以下述べる村へ成をイiりる。
すなわち、【■亀・n個(m〉l、n≧1)の情?11
記憶回路M11〜”in;M21〜M 2n : −…
…・・Mm1〜M+nnを有する。
記憶回路M11〜”in;M21〜M 2n : −…
…・・Mm1〜M+nnを有する。
この情報記憶回路〜I(i=1.2………m:IJ
j=’l、2………n)は、(狡jホする列選択信号線
Cからの2賄表示で11」及び「0」をとる列選択15
0G・が2(10表示で11」である場合、Aンに制御
される電界効果トランジスタ3を用いたゲート回路2を
直列に接続し、そのゲート回路2側とは反対側を接続し
Cいる電荷蓄積コンデンサーを右づる1゜ また、 nl木の情報11)込弓久出線へ1〜Amを有
する。
Cからの2賄表示で11」及び「0」をとる列選択15
0G・が2(10表示で11」である場合、Aンに制御
される電界効果トランジスタ3を用いたゲート回路2を
直列に接続し、そのゲート回路2側とは反対側を接続し
Cいる電荷蓄積コンデンサーを右づる1゜ また、 nl木の情報11)込弓久出線へ1〜Amを有
する。
この情報店賃・読出線Δ、は、情報記憶回路M11〜〜
1ioの電タ1ib梢コ1ンγンリ1の接地側とは反対
側に、ゲート回路2の電界効果トランジスタ3を通じて
接続されでいる。
1ioの電タ1ib梢コ1ンγンリ1の接地側とは反対
側に、ゲート回路2の電界効果トランジスタ3を通じて
接続されでいる。
さらば、(j)電択信号データ1からの2値表示で「1
」及び「0」をとる行選択信号111〜Hがそれぞれ供
給され行宮IR信′;3線B1〜Bを行づる。
」及び「0」をとる行選択信号111〜Hがそれぞれ供
給され行宮IR信′;3線B1〜Bを行づる。
この行選択信号線B・は、後述するゲート回路1i及び
liに後述するように接続されている。
liに後述するように接続されている。
なおさらに、列選IRに14デコーデ5からの列選択信
号01〜Goか・されぞれ供給されるグー選択信号線C
3〜Cn /!:有する。
号01〜Goか・されぞれ供給されるグー選択信号線C
3〜Cn /!:有する。
この列選択信号線C・は、情報記憶回路M1゜〜M、j
のゲート回路2の電界効果トランジスタ3のゲートに接
続されている。
のゲート回路2の電界効果トランジスタ3のゲートに接
続されている。
また、m周の情報I)込回路D 、D2………1) と
、m llI、lのゲート回路1.12………1、どを
右する、1 この情報−1通回路D1は、−例どして、第2図ととも
に参照して明らかな1次に述べる構成を0する。
、m llI、lのゲート回路1.12………1、どを
右する、1 この情報−1通回路D1は、−例どして、第2図ととも
に参照して明らかな1次に述べる構成を0する。
すなわちデニ1−夕7ど、電界効果トランジスタ8を用
いた0個のゲート回路に、に2.………K、とをイーす
る。
いた0個のゲート回路に、に2.………K、とをイーす
る。
この場合、デコーダ7は、2偵情報入出力回路6からの
pビット(p≧2)の2値情報(S、S2………S、)
を受け、その21直悄報(Sl〜So)を、q1直情報
(Fl、F2 。
pビット(p≧2)の2値情報(S、S2………S、)
を受け、その21直悄報(Sl〜So)を、q1直情報
(Fl、F2 。
………F)(2p≧q≧3)に変換する、それ自体は公
知の構成をイーする。
知の構成をイーする。
ただし、この場合、q1直情917(F、F2゜………
F )は、21直情報(S、82………S)の2p通り
の内容に応じU、0周のビット情報F〜]、中の1つの
ピッl−情仝)lのみが、2(I7171表示Jをどり
、他のビット情報が2値表示で[−〇]をとるq通りの
内容、すなわら、(rlJ、rol、rOJ………「0
」)、(rOJ、rll、rOJ………rOJ )、…
……(I’OJ、rol、IO,l………「1j)のq
通りの内容をどろ、。
F )は、21直情報(S、82………S)の2p通り
の内容に応じU、0周のビット情報F〜]、中の1つの
ピッl−情仝)lのみが、2(I7171表示Jをどり
、他のビット情報が2値表示で[−〇]をとるq通りの
内容、すなわら、(rlJ、rol、rOJ………「0
」)、(rOJ、rll、rOJ………rOJ )、…
……(I’OJ、rol、IO,l………「1j)のq
通りの内容をどろ、。
1ζ1えば、pピッ1−の2 ffft fi’i報(
S 、S2………S )が2ビツト(p=2)の211
0情報(S、S2)であり、また、これに応じて、Q
lff1情報(F、’F2………に、)が41+l’l
ti’i報(F、 F、 F、 F)(q=2p=4
>て−あり、イして、2ピッ1−の21直情?Ij(S
l。
S 、S2………S )が2ビツト(p=2)の211
0情報(S、S2)であり、また、これに応じて、Q
lff1情報(F、’F2………に、)が41+l’l
ti’i報(F、 F、 F、 F)(q=2p=4
>て−あり、イして、2ピッ1−の21直情?Ij(S
l。
$2)が、211a表示で1lOJ、roj)。
(rot、I’N)、(rlJ、rOJ)及び(rlJ
、rlJ)の4通りの内容を右づる場合、第3図に承り
ように、4値情報(F 、「、F、F4)は、例えば、
それぞれ(「1」、rob、rOJ、rob)、(rO
J、rlJ、rO,l、rOj )、(rOJ、rOJ
、rlJ、rOJ)及び(rol、rOJ、ro、l。
、rlJ)の4通りの内容を右づる場合、第3図に承り
ように、4値情報(F 、「、F、F4)は、例えば、
それぞれ(「1」、rob、rOJ、rob)、(rO
J、rlJ、rO,l、rOj )、(rOJ、rOJ
、rlJ、rOJ)及び(rol、rOJ、ro、l。
1 ’I + )の4通りの内容をとる。
また、情報書込回路D のゲート回路に1゜に2………
K 、は、イれらの電界効果トランジスタ8のゲートに
、それぞれ(11iri情報(F1〜「 )のQ II
LIσ)ビット情報「 、「2……・・「.1によっC
1−でれぞれv <V2くv3………くv の関係性を
有りる電圧V、V2………■ がそれぞれ与えられる電
源端子−1−、Tq 12 ………王 を、ゲート回路1 の入力0111に接続り
る。
K 、は、イれらの電界効果トランジスタ8のゲートに
、それぞれ(11iri情報(F1〜「 )のQ II
LIσ)ビット情報「 、「2……・・「.1によっC
1−でれぞれv <V2くv3………くv の関係性を
有りる電圧V、V2………■ がそれぞれ与えられる電
源端子−1−、Tq 12 ………王 を、ゲート回路1 の入力0111に接続り
る。
ゲート回路1.は、行選択信号線B に17られる行速
択信81−1 が2艙表示で「1」で供給される場合、
第4図に承りように、情報書込回’ttI ’IT)
iの出力端を、情報書込・読出線△1に接続りる4(W
効果トランジスタ100′構成されている。
択信81−1 が2艙表示で「1」で供給される場合、
第4図に承りように、情報書込回’ttI ’IT)
iの出力端を、情報書込・読出線△1に接続りる4(W
効果トランジスタ100′構成されている。
ところで、情報i41込H路])iでのq値情報(F、
〜F、−は、」一連しIごように(1通りの内容をどろ
のC、ゲート回路11の入力端に、q藺の電[IV1〜
・V、、1中の1つの電11のみが選択されて供給され
る。なお、q顧情報(F、〜F、)の6周のビット情報
F1〜1−6と電圧v1〜v pビットの2値情報(8
1〜S、)との関係は、第4図に示されている。
〜F、−は、」一連しIごように(1通りの内容をどろ
のC、ゲート回路11の入力端に、q藺の電[IV1〜
・V、、1中の1つの電11のみが選択されて供給され
る。なお、q顧情報(F、〜F、)の6周のビット情報
F1〜1−6と電圧v1〜v pビットの2値情報(8
1〜S、)との関係は、第4図に示されている。
また、ゲート回路1 、(の電W効果トランジスタ10
のゲートに上述した11選択信号線B・に供給される持
運IJt! I、を号ト11が2 bf1表示で「1」
C供給されることによつC1入力側に供給される電圧V
1〜V9中の選択された1つを、情報J1)込・読出線
Δ にO(給する。
のゲートに上述した11選択信号線B・に供給される持
運IJt! I、を号ト11が2 bf1表示で「1」
C供給されることによつC1入力側に供給される電圧V
1〜V9中の選択された1つを、情報J1)込・読出線
Δ にO(給する。
数十が、情報−1込回路D 及びゲート回路I■
の−・例構成である。
また、m個の情報読出比較回路J・、J2………Jmと
、m個のゲート回路Ll 、 C2………Lど、m個の
エンコーダ(コ1.Q2………(コ、と、を有する。
、m個のゲート回路Ll 、 C2………Lど、m個の
エンコーダ(コ1.Q2………(コ、と、を有する。
ti’i Wd読出比較回路J iは、−例とじC1第
5図とともに参照して明らかな、次に述べる構成を(1
りる。
5図とともに参照して明らかな、次に述べる構成を(1
りる。
1Jなわら、(Q−1)の情報読出比較回路R1R……
…R(Q−1)を有する。
…R(Q−1)を有する。
この情報読出比較回路R,(k=1.2………(Q−1
>)は、電汎;端子11及び接地間に、電界効果]−ラ
ンジスタ12.13.及び14が(−れらの順に直列接
続されている直列回路と、電界効果トランジスタ16.
17及び18がそれらの順に直列に接続され(いる直列
回路とがJ?列に接続されl〔並列回路と、電界効果ト
ランジスタ15とが直列に接続されている構成をイ1す
る。
>)は、電汎;端子11及び接地間に、電界効果]−ラ
ンジスタ12.13.及び14が(−れらの順に直列接
続されている直列回路と、電界効果トランジスタ16.
17及び18がそれらの順に直列に接続され(いる直列
回路とがJ?列に接続されl〔並列回路と、電界効果ト
ランジスタ15とが直列に接続されている構成をイ1す
る。
しかして、電界効果トランジスタ12及び1Gのゲート
に、2値表示でrlJ及びrOJをとるクロック信号φ
Bが供給されるようになされ、また、電界効果トランジ
スタ17のゲートが、情報−1込・読出線Δ、に接続さ
れ、電界効■ 果1−ランジスタ15のゲートに、2圃表示で「11及
び10」をどるり[1ツク信号φDが供給されるように
なされている5゜ また、情報読出比較回路R11………R(q−1)の電
界効果1−ランジスタ13のゲートに、それぞれ参照電
圧V、1.vr2………vr(ad)が供給されるよう
になされCいる。
に、2値表示でrlJ及びrOJをとるクロック信号φ
Bが供給されるようになされ、また、電界効果トランジ
スタ17のゲートが、情報−1込・読出線Δ、に接続さ
れ、電界効■ 果1−ランジスタ15のゲートに、2圃表示で「11及
び10」をどるり[1ツク信号φDが供給されるように
なされている5゜ また、情報読出比較回路R11………R(q−1)の電
界効果1−ランジスタ13のゲートに、それぞれ参照電
圧V、1.vr2………vr(ad)が供給されるよう
になされCいる。
以上が、情fFi読出比較回路、J・の−例構成で■
あるが、このような(14成(ごJ、れぽ、」−述した
参照電圧V11.V〔2………vr(+1−1)の舶を
、前述した電I「V及びV 、■ 及びV3………Vl
2 2 q−+及びvQ間の中間(nに予め選定しておき、そし
て、情報読出比較回路R1〜R(q−1)の電界効果ト
ランジスタ12及び16のゲートに供給されるり「1ツ
ク信号φBを、2偵表示で「1」の状態から「0」の状
態にしてから、情報読出比較回路R〜[く の電界効果
i−ランジス+ (q−11 り15のグーl−に供給されるり[1ツク13号φDを
、21+Q表示でrOJの状態から「1」の状態にし、
しかる後、クロック信号φr3を「0」に復帰さUれば
、いま、情報書込・読出線A・に、iNt述した電圧v
1〜V、で意味づ【)られたq(白情報が[7られCい
れば、情報読出比較回路R1゜R………R(q−1)の
電界効果トランジスター3及び14の1と続中点から導
出された出力線N1、N2………N(Q−11に((1
−1)ビットの2値情報(P、P………P(Q−11)
がinられ、また、電界効果トランジスター7及び18
/)s +ら導出されIこ出力線N’、N’ ………N
f++−1) ’ に(q−1)じツ1〜の2(1白↑
+’i報(1つ1゜R2………P(Q−1) )の否定
2値情報11’。
参照電圧V11.V〔2………vr(+1−1)の舶を
、前述した電I「V及びV 、■ 及びV3………Vl
2 2 q−+及びvQ間の中間(nに予め選定しておき、そし
て、情報読出比較回路R1〜R(q−1)の電界効果ト
ランジスタ12及び16のゲートに供給されるり「1ツ
ク信号φBを、2偵表示で「1」の状態から「0」の状
態にしてから、情報読出比較回路R〜[く の電界効果
i−ランジス+ (q−11 り15のグーl−に供給されるり[1ツク13号φDを
、21+Q表示でrOJの状態から「1」の状態にし、
しかる後、クロック信号φr3を「0」に復帰さUれば
、いま、情報書込・読出線A・に、iNt述した電圧v
1〜V、で意味づ【)られたq(白情報が[7られCい
れば、情報読出比較回路R1゜R………R(q−1)の
電界効果トランジスター3及び14の1と続中点から導
出された出力線N1、N2………N(Q−11に((1
−1)ビットの2値情報(P、P………P(Q−11)
がinられ、また、電界効果トランジスター7及び18
/)s +ら導出されIこ出力線N’、N’ ………N
f++−1) ’ に(q−1)じツ1〜の2(1白↑
+’i報(1つ1゜R2………P(Q−1) )の否定
2値情報11’。
「)2′………P(q−1) ”が得られる。
なお、この場合の21向情報(P、P……・・l’ (
、−1)) 及U 2 bri j’i報(P’、P2
’………P(Q−1) ”の内容と、上述した電圧v1
、v2………vQどの関係は、第4図に示すとJ′3す
Cある。
、−1)) 及U 2 bri j’i報(P’、P2
’………P(Q−1) ”の内容と、上述した電圧v1
、v2………vQどの関係は、第4図に示すとJ′3す
Cある。
また、ゲート回路L は、第6図に承りように、上述し
た情報読出比較回路J:の出力線N1及びN’、N及び
N ′………”fad)技ひ”(all′を、それぞれ
次に述べるエンコーダQ・の人力線(〕、及びU’、U
2及びU2′………()(Q−11及びU(qi)′に
接続する電界効果トフンジス、り21を用いU N4成
され、t−r +B lee ja、号r、il−かう
trfられる行i’J IJ、!信号ト11によってオ
ンに制御されるゲート回路x1及びX ′及び′、X(
q−1)及びX(Q−1)X2X2 ′を何りる。
た情報読出比較回路J:の出力線N1及びN’、N及び
N ′………”fad)技ひ”(all′を、それぞれ
次に述べるエンコーダQ・の人力線(〕、及びU’、U
2及びU2′………()(Q−11及びU(qi)′に
接続する電界効果トフンジス、り21を用いU N4成
され、t−r +B lee ja、号r、il−かう
trfられる行i’J IJ、!信号ト11によってオ
ンに制御されるゲート回路x1及びX ′及び′、X(
q−1)及びX(Q−1)X2X2 ′を何りる。
また、■ン]−ダQ、は、次に述べる構成を有する。
す4「わら、電源端子30及び接地間に、抵抗B31を
介して、電界効果i−ランジスタ32゜33及び34の
直列回路が接続され、また、抵抗41を介して、電界効
果1〜ランジスタ42゜43及び44の直列回路が接続
され、さらに、抵抗51を介して、電界効果トランジス
タ52゜53及び54の直列回路が接続され、なおさら
に、抵抗61を介して、電界効果トランジスタ62.6
3.及び64の直列回路が接続されている。
介して、電界効果i−ランジスタ32゜33及び34の
直列回路が接続され、また、抵抗41を介して、電界効
果1〜ランジスタ42゜43及び44の直列回路が接続
され、さらに、抵抗51を介して、電界効果トランジス
タ52゜53及び54の直列回路が接続され、なおさら
に、抵抗61を介して、電界効果トランジスタ62.6
3.及び64の直列回路が接続されている。
また、電8+2端子80及び接地間に、電界効果トラン
ジスタ81及び84の直列回路と、電界シ1宋トランジ
スタ81及σ87の直列回路と、電界効果トランジスタ
82及び86の直列回路と、電界効果トランジスタ82
及び88の直列回路と、電界効果トランジスタ83及び
電界効果トランジスタ86の直列回路と、電界効果トラ
ンジスタ85及び電!I¥ fAJ果トランジスタ87
の直列回路とが接続されている。
ジスタ81及び84の直列回路と、電界シ1宋トランジ
スタ81及σ87の直列回路と、電界効果トランジスタ
82及び86の直列回路と、電界効果トランジスタ82
及び88の直列回路と、電界効果トランジスタ83及び
電界効果トランジスタ86の直列回路と、電界効果トラ
ンジスタ85及び電!I¥ fAJ果トランジスタ87
の直列回路とが接続されている。
しかして、入力線U1が電界効果]−シンジスタのグー
!・に、入力FAU ′が電界効果1−ランジスタ42
及び62のゲートに、入力線U2が電界効果トランジス
タ33及び43のゲートに、入力線U2′が電界効果ト
ランジスタ53及び63のゲートに、入力線()、が電
界効果1−ランジスタ34,44.及び54のゲートに
、入力1Q()、′が電界効果1〜ランジスタロ4のゲ
ートにそれぞれ接続されている。
!・に、入力FAU ′が電界効果1−ランジスタ42
及び62のゲートに、入力線U2が電界効果トランジス
タ33及び43のゲートに、入力線U2′が電界効果ト
ランジスタ53及び63のゲートに、入力線()、が電
界効果1−ランジスタ34,44.及び54のゲートに
、入力1Q()、′が電界効果1〜ランジスタロ4のゲ
ートにそれぞれ接続されている。
また、抵抗31の電源端子30側とは反対側がインバー
タ71を介して電界りJ宋]−ランジスタ81及び82
のゲートに、抵抗41の電源端子30側とLt i対側
がインバータ72を通じて、電界効果トランジスタ83
及び84のゲートに、抵抗51の電源端子30側とは反
対側がインバータ73を通じて電界効果トランジスタ8
5及び86のゲートに、抵抗61の電源端子30側とは
反対側がインバータ74を通じて電界効果l・ランジス
タ87及び88のゲートに接続さ株でいる。
タ71を介して電界りJ宋]−ランジスタ81及び82
のゲートに、抵抗41の電源端子30側とLt i対側
がインバータ72を通じて、電界効果トランジスタ83
及び84のゲートに、抵抗51の電源端子30側とは反
対側がインバータ73を通じて電界効果トランジスタ8
5及び86のゲートに、抵抗61の電源端子30側とは
反対側がインバータ74を通じて電界効果l・ランジス
タ87及び88のゲートに接続さ株でいる。
さらに、電界効果トランジスタ81,84゜85)及び
87の接続中点から情報入出力回路6に到る出力線Y1
が導出され、また、電界効果1〜ランジスタ82.83
.86及び88の接続中点から情報入出力回路6に5す
る出力線Y2がマy出されている。
87の接続中点から情報入出力回路6に到る出力線Y1
が導出され、また、電界効果1〜ランジスタ82.83
.86及び88の接続中点から情報入出力回路6に5す
る出力線Y2がマy出されている。
以」−が、Jン]−ダQ1の一例構成である。
このよう4丁(^1成を右づる。、Lン]−ダQ によ
れば、出力線Y 及びY2から、ジョセフソンゲート回
路1iから111られる(q−1)ビットの21ifl
情報(Pl、p2………P(Q−1) )及び2値情報
(PI’、P2’ ………P([+−1) ”を表わし
ている+yj述した211a情報S1及びS2と回じ2
値情報S ′及びS ′が1qられる。
れば、出力線Y 及びY2から、ジョセフソンゲート回
路1iから111られる(q−1)ビットの21ifl
情報(Pl、p2………P(Q−1) )及び2値情報
(PI’、P2’ ………P([+−1) ”を表わし
ている+yj述した211a情報S1及びS2と回じ2
値情報S ′及びS ′が1qられる。
以上が、エンコーダQ、の一例構成である。
また、プリチャージ回路W、W、、……Wmを有する。
このプリチャージ回路W は、−例として、図示しない
が、電界効果1−ランジスタを用いているゲート回路を
右し、しかして、その電界効果トランジスタにクロック
lif nφRが供給されることによつ(、プリチャー
ジ用電)(のILIられる電源端子を、電界効果トラン
ジスタを通じて、情報書込・読出線A・に供給する構成
を有する。
が、電界効果1−ランジスタを用いているゲート回路を
右し、しかして、その電界効果トランジスタにクロック
lif nφRが供給されることによつ(、プリチャー
ジ用電)(のILIられる電源端子を、電界効果トラン
ジスタを通じて、情報書込・読出線A・に供給する構成
を有する。
さらに、情報再占込回路E、E2………E、を右づる。
この情報再占込回路Fiは、−例どして、第8図ととも
に参照して明らかイヌ、次にjホベる(8成を有する。
に参照して明らかイヌ、次にjホベる(8成を有する。
ナなわら、エンコーダ7′と、電界効果トシンシスタ8
’ <−IIIい/、: q f171のシ1しノソン
グー1−回路に、’l<、、′ ………)<′とをイー
する。
’ <−IIIい/、: q f171のシ1しノソン
グー1−回路に、’l<、、′ ………)<′とをイー
する。
この154合、■ンコl−ダ7’iJ、上述した比較回
路J からの(<1−1 ) lごツ[・の21iQ情
報(P、P………P )を受け、その2 12 (Q−11 1直ti’i III ’、i、a l1fl情報(]
: ′、F2′………F、1′ )に変1する、それ自
体(3L公知の構成を右りる。
路J からの(<1−1 ) lごツ[・の21iQ情
報(P、P………P )を受け、その2 12 (Q−11 1直ti’i III ’、i、a l1fl情報(]
: ′、F2′………F、1′ )に変1する、それ自
体(3L公知の構成を右りる。
りP l、、コ(7) Jpj 合、qIiri ti
’i報(F′、F2′………F’)1.L、2値情報(
P、F2………P(q−11)の内容に応じて、q I
IXIのビット?i’i (’tj中1つのビット情報
のみが、21iri表示で[11をとり、他のピッ1〜
情+tXが2(10表示でrOJをとるq通りの内容を
とる。このq通りの内容(,1,11′i報111込回
路D・のJ−シー1−ダ7においで1町7られる(1
hA情報(r、+=2………F1)の内容ど(れぞれ同
じぐある。従ってq1直情報(F’、F’ ………FM
は、( 12〔1 r’1J、rOJ、rOJ……… rOJ)、(1’0
+、rlJ、rOJ……… 「0」 )………(ro
l 、rO,l 、[)、1………i−11)のq通り
の内容をどる。
’i報(F′、F2′………F’)1.L、2値情報(
P、F2………P(q−11)の内容に応じて、q I
IXIのビット?i’i (’tj中1つのビット情報
のみが、21iri表示で[11をとり、他のピッ1〜
情+tXが2(10表示でrOJをとるq通りの内容を
とる。このq通りの内容(,1,11′i報111込回
路D・のJ−シー1−ダ7においで1町7られる(1
hA情報(r、+=2………F1)の内容ど(れぞれ同
じぐある。従ってq1直情報(F’、F’ ………FM
は、( 12〔1 r’1J、rOJ、rOJ……… rOJ)、(1’0
+、rlJ、rOJ……… 「0」 )………(ro
l 、rO,l 、[)、1………i−11)のq通り
の内容をどる。
また、(q−1)じツトの21fJtr冒J11゜1)
−’=・−・−P(、−11) カ、3 L’ ット(
1) 211ri情?f1(+]、P、F3)の2圃情
報でなり、また、これに応じて、q値情9[(F’、F
2’ ………ト ′ )が(F’、F’l−’)でイ1
q 123 す、そして、21+ti悄67(P、 P、 P)/r
’:21+fJ表示’r(rOJ、rOJ、l’ol>
、(rIJ、rOJ、rOJ)、(I’11.rl」。
−’=・−・−P(、−11) カ、3 L’ ット(
1) 211ri情?f1(+]、P、F3)の2圃情
報でなり、また、これに応じて、q値情9[(F’、F
2’ ………ト ′ )が(F’、F’l−’)でイ1
q 123 す、そして、21+ti悄67(P、 P、 P)/r
’:21+fJ表示’r(rOJ、rOJ、l’ol>
、(rIJ、rOJ、rOJ)、(I’11.rl」。
rOJ )、及び(rl、l、Ml、rlJ及び)の4
通りの内容を0?Iる場合、第 図に示すように、41
i+J ti’i報(F’、F’、F3’、F4′ )
は、それぞれ(Ml、rOJ、rOJIoJ)、(rO
J、rIJ、rOJrOJ)。
通りの内容を0?Iる場合、第 図に示すように、41
i+J ti’i報(F’、F’、F3’、F4′ )
は、それぞれ(Ml、rOJ、rOJIoJ)、(rO
J、rIJ、rOJrOJ)。
(rOJ、rob、rIJ rOJ )及び(rOJ、
rob、rOJrlJ)の4通りの内容をとり、情報書
込回路D・のエンコーダ7において1!tられる4値情
報(F、F、F3.f二、)と同じ4通りの内容をとる
。
rob、rOJrlJ)の4通りの内容をとり、情報書
込回路D・のエンコーダ7において1!tられる4値情
報(F、F、F3.f二、)と同じ4通りの内容をとる
。
また、情報記憶回路[、のゲート回路に1’、に2’
………K、′は、それらの電界効果トランジスタ8′の
ゲートに、それぞれQ l+fl情報(F’ 〜F’)
の(1個のビット情tFiF1q ′、F 邑……・・F1′が2舶表示で「1」で供給さ
れることによって、それぞれ情報書込回路D で1qら
れる電圧V1.V2………V、と同様に、V ′くV2
層……・・Vo′の関係値を有する電圧v’、v2’
……・・V1′がそれぞれ与えられる市源喘子T’、T
2’ ……肩[tl + を情報i!)込・読出線△1
に接続する。
………K、′は、それらの電界効果トランジスタ8′の
ゲートに、それぞれQ l+fl情報(F’ 〜F’)
の(1個のビット情tFiF1q ′、F 邑……・・F1′が2舶表示で「1」で供給さ
れることによって、それぞれ情報書込回路D で1qら
れる電圧V1.V2………V、と同様に、V ′くV2
層……・・Vo′の関係値を有する電圧v’、v2’
……・・V1′がそれぞれ与えられる市源喘子T’、T
2’ ……肩[tl + を情報i!)込・読出線△1
に接続する。
ところで、(l IITT情報四二 ′、F2′………
F’)+よ、上)ホしたようにq通りの内容をとるので
、情やtl i’i込・読出t5j△1に+J 、 9
個の電圧V1′〜V(1′中の1つの電圧のみが選択さ
れC供給される。この場合、9個の電圧v1′くv2′
………V、′は、それぞれ上述したq四のpじツトのt
+冒t)(31、52−−−3q)の内容に対応してい
る。
F’)+よ、上)ホしたようにq通りの内容をとるので
、情やtl i’i込・読出t5j△1に+J 、 9
個の電圧V1′〜V(1′中の1つの電圧のみが選択さ
れC供給される。この場合、9個の電圧v1′くv2′
………V、′は、それぞれ上述したq四のpじツトのt
+冒t)(31、52−−−3q)の内容に対応してい
る。
Jス上が本発明による情報記憶装置の実施例の(8成で
ある。
ある。
このような構成を有づる本発明による情報記憶装置によ
れば、列選(R信号デコーダ5から、列選択信号線C1
のみに、列選択信号G・を2JJ 鎮表示で「1」で供給1れば、情報記憶回路M1j〜M
IIljのゲート回路2がオンし、それら情報記憶回路
M1j〜MIIljの電荷蓄積コンデンサーがt11報
内込・読出線A1〜ALIlに接続される。
れば、列選(R信号デコーダ5から、列選択信号線C1
のみに、列選択信号G・を2JJ 鎮表示で「1」で供給1れば、情報記憶回路M1j〜M
IIljのゲート回路2がオンし、それら情報記憶回路
M1j〜MIIljの電荷蓄積コンデンサーがt11報
内込・読出線A1〜ALIlに接続される。
また、行選択信号デコーダ4から、行選択(ム号、線B
のみに、行選択信号1(1を2値表示で「1」で供給
すれば、ゲート回路[iがオンする。
のみに、行選択信号1(1を2値表示で「1」で供給
すれば、ゲート回路[iがオンする。
従って、このような状態が青られて後、情報書込回路D
・にpピッ]・の2 fiI′J情報(81〜S1、)
を供給ずれば、li′i報β)込回路D から、pビッ
トの21直情報(S1〜S、)を表わしているq[情報
が、2値情911 (S、 〜S、 )+7)内8に応
じた舶で出力され、イのq賄情報が、情報書込・読出線
Δiを介し、そして情報記憶回路\1 のゲート回)t
2を介して、その1+、■記憶回] 1 路M の電ぴ1.η(ioにlンデンリ1に謁Ii)さ
れる。
・にpピッ]・の2 fiI′J情報(81〜S1、)
を供給ずれば、li′i報β)込回路D から、pビッ
トの21直情報(S1〜S、)を表わしているq[情報
が、2値情911 (S、 〜S、 )+7)内8に応
じた舶で出力され、イのq賄情報が、情報書込・読出線
Δiを介し、そして情報記憶回路\1 のゲート回)t
2を介して、その1+、■記憶回] 1 路M の電ぴ1.η(ioにlンデンリ1に謁Ii)さ
れる。
;L /、:、このように情報−dIiil路M1jの
電荷蓄積コンTンサ1にQ 1lrl ti’i ?f
lか記憶8れて後、列選択(へ号G を、いままでの2
11Q表示で「1」をとっている状態から、211+’
i表示でrOJに復帰さければ、ti’i報記憶回路〜
1 のゲート回路2がΔフリーるので、t+’i報記憶
回(8〜1 の電萌蓄槓j コンデフリ1に記憶8れ/ごqI+i’i h’i +
f〕か、爾后侃存される。
電荷蓄積コンTンサ1にQ 1lrl ti’i ?f
lか記憶8れて後、列選択(へ号G を、いままでの2
11Q表示で「1」をとっている状態から、211+’
i表示でrOJに復帰さければ、ti’i報記憶回路〜
1 のゲート回路2がΔフリーるので、t+’i報記憶
回(8〜1 の電萌蓄槓j コンデフリ1に記憶8れ/ごqI+i’i h’i +
f〕か、爾后侃存される。
また、上述したようにして、f+”+報記憶回路M11
〜〜11o;〜121〜〜12o、………〜11〜〜1
。にq11’Oti’i報か記憶法(jされている状態
C、クロック信号φRを、プリヂャージ回路W に、2
舶表示で[11C供給・)れば、情報書込・読出線A1
〜△ かブリヂ!・−ジ回路〜■ からのプリチm1 ヤージ用iTi [fにブリヂセーシされる。
〜〜11o;〜121〜〜12o、………〜11〜〜1
。にq11’Oti’i報か記憶法(jされている状態
C、クロック信号φRを、プリヂャージ回路W に、2
舶表示で[11C供給・)れば、情報書込・読出線A1
〜△ かブリヂ!・−ジ回路〜■ からのプリチm1 ヤージ用iTi [fにブリヂセーシされる。
また、このような状rぶが1’/られC(9、列選択1
5号デコータ5から、列選択信8線0 のみに、列選択
(2号Gjを2111′J表示で「1」で供給すれぼ、
情報記憶回路M 1J〜M nl 、1のゲート回路2
がΔンし、それら情報記憶回路M、、、へ、1VIII
IJの電(:i〃J偵コンfンリ1が情報iη込・読出
線A1〜△に接続されている。
5号デコータ5から、列選択信8線0 のみに、列選択
(2号Gjを2111′J表示で「1」で供給すれぼ、
情報記憶回路M 1J〜M nl 、1のゲート回路2
がΔンし、それら情報記憶回路M、、、へ、1VIII
IJの電(:i〃J偵コンfンリ1が情報iη込・読出
線A1〜△に接続されている。
従って、情+)11読出回路F、E、………Fの比較回
路J、に、ぞれぞれ情報記憶回路M+j、 ”2j……
…N4IllJの電前蓄積二1ンデンリ1に記憶法Hさ
れているa I+(i情報が供給される。また、このた
め、情報読出回路E、E2.………Elllの比較回路
J、から、ぞれぞれ情報記10回路MB、M2j………
Mmjに記憶されているq1+n情報を表わしている(
C1−1)ピッ1への211ab’i +ti(P及び
P’P及びP2′………P(Q−11及びP(、J−1
)′))が19られる。
路J、に、ぞれぞれ情報記憶回路M+j、 ”2j……
…N4IllJの電前蓄積二1ンデンリ1に記憶法Hさ
れているa I+(i情報が供給される。また、このた
め、情報読出回路E、E2.………Elllの比較回路
J、から、ぞれぞれ情報記10回路MB、M2j………
Mmjに記憶されているq1+n情報を表わしている(
C1−1)ピッ1への211ab’i +ti(P及び
P’P及びP2′………P(Q−11及びP(、J−1
)′))が19られる。
さらに、このような状態が1!1られて後、行選択信号
デ」−グ4から、行iB II<信号線B、のみに、行
選択信号i札を2圃表示で「1」で供給!J−れば、ゲ
ート回路I のみがAンする。
デ」−グ4から、行iB II<信号線B、のみに、行
選択信号i札を2圃表示で「1」で供給!J−れば、ゲ
ート回路I のみがAンする。
従って、情報読出回路E・から、その比較回路J1から
19られている(0−1)ビットの2埴情報、従つC1
情報記憶回路M に記憶保存J されでいる多1直悄′t11を・表わしているpビット
の2値情報(S、32………S、)が得られ、それか情
報入出力回路6に11給される。
19られている(0−1)ビットの2埴情報、従つC1
情報記憶回路M に記憶保存J されでいる多1直悄′t11を・表わしているpビット
の2値情報(S、32………S、)が得られ、それか情
報入出力回路6に11給される。
土た、1−述しtこようにして、ti′7報記憶回路M
N−’ Min ’ ” 24〜M2n ’ ”’ ”
’…〜’ml〜”mnにq賄情報が記憶(^存δれCい
る状態て−、上述したようtこ、ブリf−+・−ジ回路
W1(ご、クロック信号φRを211a表示v I’
I J ”HID;’;シ、次ニ′、列jハ11ゼ(1
1屋ユj]−夕5から、を1運11(信号線Cに、列黛
1/i! CS弓G1を2111′Il、:示ぐl−I
J (=供給りれば、上述したように、の比較回路、
j から、それぞれ情報記憶回路〜+1..M2..…
……Mljに記n ’Rr7 Q h、 T イル(l
fri j’i ?fl 、r= & L ’r イ
ル(q−1)ビットの2碩情報が4r7られる。
N−’ Min ’ ” 24〜M2n ’ ”’ ”
’…〜’ml〜”mnにq賄情報が記憶(^存δれCい
る状態て−、上述したようtこ、ブリf−+・−ジ回路
W1(ご、クロック信号φRを211a表示v I’
I J ”HID;’;シ、次ニ′、列jハ11ゼ(1
1屋ユj]−夕5から、を1運11(信号線Cに、列黛
1/i! CS弓G1を2111′Il、:示ぐl−I
J (=供給りれば、上述したように、の比較回路、
j から、それぞれ情報記憶回路〜+1..M2..…
……Mljに記n ’Rr7 Q h、 T イル(l
fri j’i ?fl 、r= & L ’r イ
ル(q−1)ビットの2碩情報が4r7られる。
このため、エンニ1−グし 、[] ……・・E0から
、それぞれ比較回路J からの2賄情報を表わしている
q1直情報、従つC1情報記憶回路M 、 J、 M
2.−…−M mjにIll! lp IJ’ r’さ
れているq賄情報と同じ内容の(l 111i情+IJ
が1′1られ、そして、そのqIEti情報が情報1!
)込・読出線A、A2………△ をそれぞれ介して、情
報記憶回路M 、J。
、それぞれ比較回路J からの2賄情報を表わしている
q1直情報、従つC1情報記憶回路M 、 J、 M
2.−…−M mjにIll! lp IJ’ r’さ
れているq賄情報と同じ内容の(l 111i情+IJ
が1′1られ、そして、そのqIEti情報が情報1!
)込・読出線A、A2………△ をそれぞれ介して、情
報記憶回路M 、J。
M2j………MmJに記憶される。従って、情報記憶回
路M1.. M2.………MIIIJに再記憶されてい
たq値情報が記憶される。
路M1.. M2.………MIIIJに再記憶されてい
たq値情報が記憶される。
なお、上述においU 4J、ゲート回路りが情報読出比
較回路J 及び−[ンコーダQ1間に介抱されている場
合を述へIJが、そのゲート回路し・がエンコーダQ・
内に内装されている構成とりることらでさる。
較回路J 及び−[ンコーダQ1間に介抱されている場
合を述へIJが、そのゲート回路し・がエンコーダQ・
内に内装されている構成とりることらでさる。
また、上述においでは、m illの情報回込回路D−
1’)と、ml!+1のエンニ1−ダ01〜Q4とm を設けた場合につき述べたが、第9図に示すように、情
報書込回路D1〜Dmを、情報書込・続出線A1〜Al
11に対して共通な1つの情報−)込回路(jに代える
みことムてさ、2した、エンコーIQ1〜QIIlを、
同様に1つのエンコーダQに代えることもでき、その他
、本発明の構成を脱することなしに、種々の変型、変更
をなしj!するであろう。
1’)と、ml!+1のエンニ1−ダ01〜Q4とm を設けた場合につき述べたが、第9図に示すように、情
報書込回路D1〜Dmを、情報書込・続出線A1〜Al
11に対して共通な1つの情報−)込回路(jに代える
みことムてさ、2した、エンコーIQ1〜QIIlを、
同様に1つのエンコーダQに代えることもでき、その他
、本発明の構成を脱することなしに、種々の変型、変更
をなしj!するであろう。
4、図面の筒中なニー、、ti Ill第1図は、木5
を明にJ、るh″19111911記憶1の実施例を承
り系統的1g続図(ある。
を明にJ、るh″19111911記憶1の実施例を承
り系統的1g続図(ある。
第2図【、L、そのtI′l報V)込回路り、の−例を
示す°1と続四〇ある。。
示す°1と続四〇ある。。
第3図は、本発明に説明に供する各種情報の関係を承り
図である。
図である。
第4図は、ゲート回路1・の−例を接続する「
接続図である。
第5図は、情報読出比較回路1.の一例を承り接続図ぐ
ある。
ある。
第6図は、ゲート回路L1の一例を四す接続図Cある。
第7図は、エンコーダQ、の一例を示す接続図である。
第83図(J、再記値のためのエンコーダE・のシ
一例を承り1a続図である。
第9図は、本発明による情報記tQ装買の他の例を承り
系統的接続図である。
系統的接続図である。
〜1ij(i=1.2………m:j=1.2………n)
………↑I′1報ム1コム1シ 垣 +3、 … … … 11 選 択 (rr”号 線C
7………列選択信号線 り,………情報書込回路 E,………情報読出回路 (S 、S2………s,> ………211情報( t) ? 2 )(F.F2……
…F,1) ………q値ti’i報 (q≧3) Gj………列選択信号 線………行選択信号 、ノi………情報読出比較回路 1く、K… … … K 。
………↑I′1報ム1コム1シ 垣 +3、 … … … 11 選 択 (rr”号 線C
7………列選択信号線 り,………情報書込回路 E,………情報読出回路 (S 、S2………s,> ………211情報( t) ? 2 )(F.F2……
…F,1) ………q値ti’i報 (q≧3) Gj………列選択信号 線………行選択信号 、ノi………情報読出比較回路 1く、K… … … K 。
………ゲート回路
Ll………ゲート回路
Q,………エンコーダ
R、1す………R0
………情報読出比較回路
TI 、T2………T q
………電源端子
v.v2………V。
………電L[
W ………ブリf− rp−ジ回路
X ………tr′i報1り回込回路
1………電前蓄偵]ンデン1す
2………ゲート回路
3………電界効r1!1ーランジスタ
4………;π1)(信号デフ1−グ
5………列)ぺ択信¥シデー1−グ
6………2値↑+′i+1人出ツノ回:117………エ
ンコーダ 8、9 ………電界効果1ーランシスタ 1(つ………グー]・回路 出願人11本重重;:電諸公71 代狸人弁即1:III l i[冶 第4閉 !。
ンコーダ 8、9 ………電界効果1ーランシスタ 1(つ………グー]・回路 出願人11本重重;:電諸公71 代狸人弁即1:III l i[冶 第4閉 !。
第3図
?436図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、m・n個の(m≧1、n≧1)の情報記憶回路M_
1_1、M_1_2・・・・・・・・・M_1_n;M
_2_1、M_2_2・・・・・・・・・M_2_n;
・・・・・・・・・M_m_1、M_m_2・・・・・
・・・・M_m_nと、m本の情報書込・読出線A_1
、A_2・・・・・・・・・A_mと、 m本の行選択信号線B_1、B_2、・・・・・・B_
mと、 n本の列選択信号線C1、C2、・・・ ・・・ Cn
と、 情報書込手段と、 情報読出手段とを有し、 上記情報書込手段は、上記行選択信号線B _iからの行選択信号によつて選択制御されている状態
で、2値情報を表わしているq値情報(q≧3)を、上
記情報書込・読出線A_iに出力し、 上記情報記憶回路M_i_jは、上記選択信号線C_j
(j=1、2・・・・・・・・・n)からの列選択信号
によって選択制御されている状態で、上記情報書込・読
出線A_jに出力されてるq値情報を記憶し、また、そ
のq値情報を上記情報書込・読出線A_iに出力し、 上記情報読出手段は、上記行選択信号線B _iからの行選択信号によって選択制御されている状態
で、上記情報記憶回路M_i_jから上記情報書込・続
出線A_iに出力されているq値情報を表わしている2
値情報を出力させることを特徴とする情報記憶装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の情報記憶装置において
、 上記情報書込手段が、m個の情報書込回路 D_1、D_2・・・・・・・・・D_mと、m個のゲ
ート回路I_1、I_2・・・・・・・・・I_mとを
有し、上記情報書込手段は、上記ゲート回路I_jが上
記行選択信号線B_iからの行選択信号によつて選択制
御されている状態で、上記情報書込回路D_iから、上
記2値情報を表わしている上記q値情報を、上記ゲート
回路I_iを通じて、上記情報書込・読出線A_iに出
力させることを特徴とする情報記憶装置。 3、特許請求の範囲第1項記載の情報記憶装置において
、 上記情報書込手段が、上記情報書込・読出 線A_1〜A_mに対して共通の情報書込回路と、m個
のゲート回路I_1、I_2・・・・・・・・・I_m
とを有し、 上記情報書込み手段は、上記ゲート回路I _iが上記行選択信号線B_iからの行選択信号によっ
て選択制御されている状態で、上記情報書込回路から、
上記2値情報を表わしている上記q値情報を、上記ゲー
ト回路I_iを通じて、上記情報書込・読出線A_iに
出力させることを特徴とする情報記憶装置。 4、特許請求の範囲第1項記載の情報記憶装置において
、 上記情報読出手段が、m個の情報読出比較 回路J_1、J_2・・・・・・・・・J_mと、m個
のゲート回路L_1、L_2・・・・・・・・・L_m
と、m個のエンコーダQ_1、Q_2・・・・・・・・
・Q_mとを有し、上記情報読出手段は、1記ゲート回
路L_iが上記行選択信号線B_iからの行選択信号に
よつて選択制御されている状態で、上記情報読出比較回
路J_iから、上記情報記憶回路M_i_jから上記情
報書込・読出線A_iに出力されるq値情報を表わして
いる(q−1)ビットの2値情報を、上記ゲート回路L
_iを通じて上記エンコーダQ_iに出力させ、上記エ
ンコーダQ_iから、上記(q−1)ビットの2値情報
を表わしている、上記2値情報を出力させることを特徴
とする情報記憶装置。 5、特許請求の範囲第1項色彩の情報記憶装置において
、 上記情報読出手段が、m個の情報読出比較 回路J_i、J_2・・・・・・・・・J_mとm個の
ゲート回路L_1、L_2・・・・・・・・・L_mと
、上記ゲート回路L_1〜L_mに対して共通のエンコ
ーダQとを有し、 上記情報読出手段は、上記ゲート回路L_iが上記行選
択信号線B_iからの行選択信号によつて選択制御され
ている状態で、上記情報読出比較回路J_iから、上記
情報記憶回路M_i_jから上記情報書込・読出線A_
iに出力されるq値の情報を表わしている(q−1)ビ
ットの2値情報を、上記ゲート回路L_iを通じて、上
記エンコーダQに出力させ、上記エンコーダから、上記
(q−1)ビットの2値情報を表わしている上記2値情
報を出力させることを特徴とする情報記憶装置。 6、m・n個の(m≧1、n≧1)の情報記憶回路M_
1_1、M_1_2・・・・・・・・・M_1_n;M
_2_1、M_2_2・・・・・・・・・M_2_n;
・・・・・・・・・M_m_1、M_m_2・・・・・
・・・・・M_m_nと、m本の情報書込・読出線A_
1、A_2・・・・・・・・・A_mと、 m本の行選択信号線B_1、B_2、・・・・・・B_
mと、 n本の列選択信号線C_1、C_2、・・・・・・C_
nと、 情報書込手段と、 情報読出手段とを、 m個のエンコーダE_1、E_2・・・・・・・・・E
_mとを有し、 上記情報書込手段は、上記行選択信号線B _iからの行選択信号によって選択制御されている状態
で、2値情報を表わしているq値情報(q≧3)を、上
記情報書込・読出線A_iに出力し、 上記情報記憶回路M_i_jは、上記列選択信号線C_
j(j=1、2・・・・・・・・・n)からの列選択信
号によって選択制御されている状態で、上記情報書込・
読出線A_iに出力されてるq値情報を記憶し、また、
そのq値情報を上記情報書込・読出線A_iに出力し、 上記情報読出手段が、m個の情報読出比較 回路J_1、J_2・・・・・・・・・J_mと、m個
のゲート回路L_1、L_2・・・・・・・・・L_m
と、m個のエンコーダQ_1、Q_2・・・・・・・・
・Q_mとを有し、上記情報読出手段は、上記ゲート回
路L_iが上記行選択信号線B_iからの行選択信号に
よって選択制御されている状態で、上記情報読出比較回
路J_iから、上記情報記憶回路M_i_jから上記情
報書込・読出線A_iに出力されるq値情報を表わして
いる(q−1)ビットの2値情報を、上記ゲート回路L
_iを通じて上記エンコーダQ_iに出力させ、上記エ
ンコーダQ_iから、上記(q−1)ビットへの2値情
報を表わしている上記2値情報を出力させ、上記エンコ
ーダE_iは、上記情報読出比較回路J_iからの上記
(q−1)ビットの2値情報を表わしているq値情報を
、上記情報書込・読出線A_iに出力させることを特徴
とする情報記憶装置。 7、m・n個の(m≧1、n≧1)の情報記憶回路M_
1_1、M_1_2・・・・・・・・・M_1_n;M
_2_1、M_2_2・・・・・・・・・M_2_n;
・・・・・・・・・M_m_1、M_m_2・・・・・
・・・・M_m_nと、m本の情報書込・読出線A_1
、A_2・・・・・・・・・A_mと、 m本の行選択信号線B_1、B_2、・・・・・・B_
mと、 n本の列選択信号線C_1、C_2、・・・・・・C_
nと、 情報書込手段と、 情報読出手段Eと、 m個のエンコーダE_1、E_2・・・・・・・・・E
_mとを有し、 上記情報書込手段は、上記行選択信号線B _iからの行選択信号によって選択制御されている状態
で、2値情報を表わしているq値情報(q≧3)を、上
記情報書込・読出線A_iに出力し、 上記情報記憶回路M_i_jは、上記列選択信号線C_
j(j=1、2・・・・・・・・・n)からの列選択信
号によつて選択制御されている状態で、上記情報書込・
読出線A_iに出力されてるq値情報を記憶し、また、
そのq値情報を上記情報書込・読出線A_iに出力し、 上記情報読出手段が、m個の情報読出比較 回路J_i、J_2・・・・・・・・・J_mとm個の
ゲート回路L_1、L_2・・・・・・・・・L_mと
、上記ゲート回路L_1〜L_mに対して共通のエンコ
ーダQとを有し、 上記情報読出手段は、上記ゲート回路L_iが上記行選
択信号線B_iからの行選択信号によって選択制御され
ている状態で、上記情報読出比較回路J_iから、上記
情報記憶回路M_i_jから上記情報書込・読出線A_
iに出力されるq値の情報を表わしている(q−1)ビ
ットの2値情報を、上記ゲート回路L_iを通じて、上
記エンコーダQに出力させ、上記エンコーダから、上記
(q−1)ビットの2値情報を表わしている上記2値情
報を出力させ、上記エンコーダE_iは、 上記情報読出比較回路J_i からの上記(q−1)ビッ トの2値情報を表わしてい るq値情報を、上記情報書 込・読出線A_iに出力させ ることを特徴とする情報記 憶装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59185744A JPS6163996A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 情報記憶装置 |
US06/770,087 US4771404A (en) | 1984-09-05 | 1985-08-28 | Memory device employing multilevel storage circuits |
DE19853531580 DE3531580A1 (de) | 1984-09-05 | 1985-09-04 | Speicheranordnung |
GB8521920A GB2166615B (en) | 1984-09-05 | 1985-09-04 | Memory device |
KR1019850006493A KR900000173B1 (ko) | 1984-09-05 | 1985-09-05 | 메모리 디바이스 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59185744A JPS6163996A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 情報記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6163996A true JPS6163996A (ja) | 1986-04-02 |
Family
ID=16176096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59185744A Pending JPS6163996A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 情報記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6163996A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63138575A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-10 | Toshiba Corp | フロツピ−デイスク装置のキヤリツジ機構 |
JPH04195995A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-15 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5062333A (ja) * | 1973-09-28 | 1975-05-28 | ||
JPS524746A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-14 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory device |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP59185744A patent/JPS6163996A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5062333A (ja) * | 1973-09-28 | 1975-05-28 | ||
JPS524746A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-14 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63138575A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-10 | Toshiba Corp | フロツピ−デイスク装置のキヤリツジ機構 |
JPH04195995A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-15 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
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