JP3187203B2 - 連想記憶回路 - Google Patents

連想記憶回路

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JP3187203B2
JP3187203B2 JP11707493A JP11707493A JP3187203B2 JP 3187203 B2 JP3187203 B2 JP 3187203B2 JP 11707493 A JP11707493 A JP 11707493A JP 11707493 A JP11707493 A JP 11707493A JP 3187203 B2 JP3187203 B2 JP 3187203B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は記憶回路に関し、特に
データを入力し同一或いは複数の語が存在するか否かの
結果等を出力する連想記憶回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図15は「Advanced Micr
o Devices CMOS Memory Pro
ducts 1991 Data Book/Hand
book」,p5−4に示された従来の連想記憶回路の
構成図である。図において、49は連想記憶回路、50
は比較データが格納される比較レジスタ、52は連想記
憶回路49の複数のエントリ、53は外部から連想記憶
回路49へのコマンドを格納するコマンドレジスタ、5
4は連想記憶回路49の状態を格納しているステータス
レジスタ、55は連想記憶回路49に格納されているデ
ータをリードするためのCAMレジスタである。
【0003】68は連想記憶回路49へのアクセスが行
なわれていることを指示する外部からのチップイネーブ
ル信号を入力するチップイネーブル信号端子、66はチ
ップイネーブル信号が有効なときに連想記憶回路49へ
のアクセスがライト動作であることを指示するライトイ
ネーブル信号を入力するライトイネーブル信号端子、6
7はチップイネーブル信号が有効なときに、連想記憶回
路49へのアクセスが該連想記憶回路内部のレジスタの
リード動作であることを指示するアウトプットイネーブ
ル信号を入力するアウトプットイネーブル信号端子、6
5はチップイネーブル信号が有効なときに、そのアクセ
スがコマンドであるかデータであるかを指示するデータ
/コマンドセレクト信号を入力するデータ/コマンドセ
レクト信号端子、62は外部への出力信号端子、64は
データバス信号端子である。
【0004】69はチップイネーブル信号端子68と、
ライトイネーブル信号端子66と、アウトプットイネー
ブル信号端子67と、データ/コマンドセレクト信号端
子65とに入力される信号により外部との入出力を制御
するI/O制御回路である。56は連想記憶回路49内
の全てのエントリ52からの比較結果を元にステータス
レジスタ54の内容を更新し、出力信号端子62にマッ
チ信号を生成出力するCAM結果回路である。
【0005】上記のエントリ52は比較されるデータが
格納される被比較レジスタ57と、被比較レジスタ57
のデータと比較レジスタ50のデータの比較を行なう比
較器58と、比較器58の比較結果を通知する比較器マ
ッチライン72と、当該エントリの状態を示す情報であ
り被比較レジスタ57にデータが格納されていないこと
を示すエンプティビット61と、比較器58の比較結果
とエンプティビット61の情報を元に当該エントリの比
較結果を生成するエントリ結果回路59とを有してい
る。
【0006】74はエントリ52の比較結果をCAM結
果回路56に通知するエントリマッチラインであり、7
1は連想記憶回路49内部の各レジスタとデータバス信
号端子64間を接続するデータバスであり、73は比較
レジスタ50と各エントリ52内の被比較レジスタ57
及び比較器58を接続する比較バスである。
【0007】エントリ52は連想記憶回路49内に複数
存在し、アドレスが#0から昇順に付けられている。図
示例では、被比較レジスタ57、比較レジスタ50及び
CAMレジスタ55のサイズは48ビット、比較器58
の比較データサイズは48ビット、コマンドレジスタ5
3及びステータスレジスタ54のサイズは16ビット、
連想記憶回路49内部のエントリ数は256個である。
これらの値は相対的又は独立的に変更することが可能で
ある。
【0008】図16は、例えば特開平3−113897
号公報に記憶されたCAMセルの構成図である。図16
の1つのCAMセルは、図15における被比較レジスタ
57及び比較器58の各1ビットの回路構成を示したも
のである。従って、被比較レジスタ57のサイズは48
ビットである場合には48個のCAMセルが1つのエン
トリ52内に存在する。
【0009】図16において、CCはCAMセル、WL
はエントリ52が選択されたことを示すワード線、BL
は被比較レジスタ57及び比較器58の各ビット毎に存
在する真値ビット線、_BLは真値ビット線BLの補値
である補値ビット線、RLはメモリセルMC内のデータ
を比較回路COMに伝えるための真値被比較データ線、
_RLは真値被比較データ線RLの補値である補値被比
較データ線である。
【0010】TW1とTW2はトランスファトランジス
タ、Tr1,Tr2,Tr3,Tr4はトランジスタ、
Tpはプリチャージトランジスタ、ΦはTpを制御する
制御信号、MCは被比較データの1ビットを格納するメ
モリセル、MLはCAMセルCCの比較結果を示すマッ
チライン、Dはマッチラインの信号をドライブするドラ
イバ、COMはメモリセルMC内の被比較データとビッ
ト線BL,_BLの比較データの一致/不一致を判定す
る比較回路、SCはメモリセルMC及びトランジスタフ
ァトランジスタTW1,TW2から構成される記憶セル
である。
【0011】上記マッチラインMLに出力されるドライ
バDの出力が、図15の比較器マッチライン72に相当
する。図中のトランジスタはNチャネル型トランジスタ
である。
【0012】図17は前記刊行物p5−8に示されたエ
ントリ結果回路59の構成図である。図17において、
75は組合わせ回路、84はエンプティビット61の出
力線である。
【0013】エンプティビット61の値が“1”のと
き、エントリ52内の被比較レジスタ57にデータが格
納されておらず空き状態であり、その出力線84からの
出力は、“High”(以下、“H”と略す)となる。
エンプティビット61の値が“0”のとき、被比較レジ
スタ57にデータが格納されている状態であり、その出
力線84からの出力は“Low”(以下、“L”と略
す)となる。
【0014】組合わせ回路75はエンプティビット61
の出力線84からの出力が“L”かつ比較器マッチライ
ン72の値が“H”のときのみ、エントリマッチライン
74の値が“H”となる回路である。エンプティビット
61の値は被比較レジスタ57にデータを格納するとき
に“0”に設定される。また、コマンドレジスタ53の
設定によって“0”又は“1”に設定される。
【0015】図18は、図15のCAM結果回路56の
構成図である。図において、78はドライバ、81はプ
リチャージトランジスタ82のゲートを制御する制御信
号、79はマッチライン、77は256本の入力信号を
8本の信号にエンコードし出力するプライオリティエン
コーダライン、76はエントリ52に対応して存在する
マッチ回路であり、トランジスタ80で構成されてい
る。図中のトランジスタはチャネル型トランジスタであ
る。
【0016】プライオリティエンコーダライン77は2
56本の入力信号に優先度を設けており、エントリ52
のアドレスが小さい方が優先度が高い。従って複数のエ
ントリマッチライン74が“H”になる場合には、優先
度が高いエントリ52のアドレスをステータスレジスタ
54に書き込む。
【0017】次に動作について説明する。
【0018】まず、CAMセルCC内のメモリセルMC
にデータを書き込む場合の動作を説明する。真値ビット
線BLに“H”の電位を与え、補値ビット線_BLに
“L”の電位を与え、ワード線WLに“H”の電位を与
えた後、ワード線WLの電位を“L”にする。それによ
り、点aは“H”の電位に保持され、点bは“L”の電
位に保持される。この状態をメモリセルMCに“1”の
データが書き込まれた状態と称する。この状態ではトラ
ンジスタTr1はオフし、トランジスタTr2はオンし
ている。
【0019】一方、真値ビット線BLに“L”の電位を
与え、補値ビット線_BLに“H”の電位を与え、ワー
ド線WLに“H”の電位を与えた後、ワード線WLの電
位を“L”にする。それにより、点aは“L”の電位に
保持され、点bは“H”の電位に保持される。この状態
をメモリセルMCに“O”のデータが書き込まれた状態
と称する。この状態ではトランジスタTr1はオンし、
トランジスタTr2はオフしている。
【0020】次に各CAMセルCCに記憶されるデータ
を比較する場合の動作を説明する。なお、以下の説明で
は、比較されるCAMセルCCのメモリセルMCに
“1”のデータが記憶保持されているものとする。ま
ず、図16に示すプリチャージトランジスタTpのゲー
トに所定時間だけ“H”の制御信号Φが与えられると、
このプリチャージトランジスタTpがオンとなり、マッ
チラインMLがプリチャージされる。次に、ビット線B
L、_BLに比較したいデータが入力される。
【0021】今、この比較データとして“0”が与えら
れたとする。すなわち、真値ビット線BLに“L”の電
位が与えられ、補値ビット線_BLに“H”の電位が与
えられたとすると、トランジスタTr3はオフし、トラ
ンジスタTr4はオンする。従って、トランジスタTr
2、Tr4を介してマッチラインMLのプリチャージ電
荷が基準電位源としての接地ラインに引き抜かれる。
【0022】一方、比較データとして“1”が与えられ
たとする。すなわち、真値ビット線BLに“H”の電位
が与えられ、補値ビット線_BLに“L”の電位が与え
られたとすると、トランジスタTr3はオンし、トラン
ジスタTr4はオフする。そのため、他のCAMセルC
CのメモリセルMCの被比較データも比較データと一致
したとすると、マッチラインMLの電位は保持される。
【0023】上記のように、メモリセルMCの被比較デ
ータとビット線BL、_BLを介して与えられる比較デ
ータが一致しない場合には、マッチラインMLの電位は
接地電位となり、逆に、それらが一致した場合にはマッ
チラインMLの電位がプリチャージ電位に保たれる。そ
して、マッチラインMLの電位がドライバDに入力さ
れ、比較器マッチライン72に比較結果として出力され
る。この動作は、比較されるべきCAMセルCCにおけ
るメモリセルMCに“0”のデータが記憶されている場
合も同様である。
【0024】次に図17で示されるエントリ結果回路5
9の動作について説明する。エントリ結果回路59で
は、比較器マッチライン72及びエンプティビット61
の2つの値を判定し、エントリマッチライン74への出
力を生成する。上記したように被比較データと比較デー
タが一致した場合には比較器マッチライン72は“H”
となり、不一致の場合には“L”となる。エンプティビ
ット61が“1”に設定されている場合にはエントリ5
2が空き状態であることを示し“H”が出力され、
“O”に設定されている場合にはエントリ52内の被比
較レジスタ57に被比較データが設定されている状態を
示し“L”が出力される。組合わせ回路75は、その入
力条件が比較器マッチライン72が“H”かつエンプテ
ィビット61の出力84が“L”のときのみ、エントリ
マッチライン74へ“H”を出力する。それ以外の条件
では“L”を出力する。
【0025】次に図18で示されるCAM結果回路56
の動作について説明する。プリチャージトランジスタ8
2のゲートに所定時間だけ“H”の制御信号81が与え
られる。これにより、このプリチャージトランジスタ8
2がオンとなり、マッチラインMLがプリチャージされ
る。マッチ回路76には各エントリ52での比較結果が
エントリマッチライン74を通じて入力され、その値が
トランジスタ80のオン、オフを制御する。
【0026】エントリマッチライン74が“H”となっ
た場合にはトランジスタ80はオンとなり、マッチライ
ン79のプリチャージ電荷が基準電位源としての接地ラ
インに引き抜かれる。エントリマッチライン74が
“L”となった場合にはトランジスタ80はオフとな
り、他のマッチ回路76でもエントリマッチライン74
が“L”であるとすると、マッチライン79の電位は保
持される。マッチライン79の電位はドライバ78に入
力され、マッチ信号62に比較結果として出力される。
エントリ52での比較結果が一致の場合にはマッチ信号
62の電位は“L”となり、不一致の場合には“H”と
なる。
【0027】エントリマッチライン74の出力はプライ
オリティエンコーダ56にも入力される。それぞれのエ
ントリマッチライン74には0から255の優先度が付
けられており、0が最も優先度が高い。従ってアドレス
の小さいエントリ52に対応したエントリマッチライン
74ほど優先度が高くなっている。プライオリティエン
コーダ56では電位が“H”のエントリマッチライン7
4の内最も優先度が高いものを選択し、それに対応した
エントリ52のアドレスを8ビットのデータにコード化
して出力する。その8ビットのデータはステータスレジ
スタ54で記憶され、外部から読み取ることが可能であ
る。
【0028】なお、この発明に関連する先行技術として
例えば特開昭63−31091号公報、特開昭63−2
44496号公報、特開平3−113897号公報、特
開平4−21997号公報、特開平4−271094号
公報などに開示されたものがある。
【0029】
【発明が解決しようとする課題】従来の連想記憶回路は
以上のように構成されているので、それぞれの被比較デ
ータについて、被比較レジスタにデータ書き込み後一定
時間経過すると消去するような使い方をしたい場合があ
っても、従来の連想記憶回路には時間要素がないため外
部でエントリごとにタイマを備える必要があった。
【0030】この発明は上記のような問題点を解消する
ことを課題になされたもので、本発明はエントリ内の被
比較レジスタにデータ書き込み後一定時間経過すると、
そのエントリを空き状態とすることが可能な連想記憶回
路を得ることを目的とする。
【0031】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る連
想記憶回路は、カウンタの初期値を格納する初期値レジ
スタ、外部からのクロック信号を入力する端子、各エン
トリ毎に時間を計測するタイマ機能を有するカウントダ
ウンカウンタ及びカウントダウンカウンタ内の値が
“0”のときエンプティビットを“1”にする回路を備
えたものである。
【0032】
【作用】請求項1の発明における連想記憶回路は、カ
ントダウンカウンタ及び外部からのクロック信号により
連想記憶回路の各エントリ毎に時間を計測するタイマ機
能を持つことができ、タイムアウトしたときにエンプテ
ィビットを“1”にすることにより、エントリを空き状
態にすることが可能である。
【0033】
【実施例】実施例1「大きさ比較」 以下、この発明の実施例を図について説明する。図1は
この発明の一実施例を示す連想記憶回路1の構成図であ
り、図1において、5は連想記憶回路1に設けた複数の
エントリ、6はそれぞれのエントリ5に設けたデータの
大きさを比較する比較器であり、他の構成は前記図15
に示す従来の連想記憶回路と同様であるから、同一部分
には同一符号を付して重複説明を省略する。
【0034】図2は図1に示した比較器6の構成図であ
る。図2において、CON11〜CON33はメモリセ
ルMC内の被比較データとビット線BL,_BLの比較
データの一致/不一致を判定する比較回路、RLはメモ
リセルMC内のデータを比較回路CONに伝えるための
真値被比較データ線、_RLは真値被比較データ線RL
の補値である補値被比較データ線、ML1〜ML3はマ
ッチライン、SC1〜SC3は記憶セル、BL1〜BL
3は真値ビット線、_BL1〜_BL3は補値ビット線
である。
【0035】図3は連想記憶回路1において、被比較レ
ジスタ57内の被比較データが比較レジスタ50内の比
較データに比べて値が小さいことを検出する比較器6の
構成図である。図3において、Trkはトランジスタ、
MLはマッチライン、Caは組み合わせ回路、LMLは
組み合わせ回路Caの出力であるリトルライン、RML
は不一致ライン、DIは信号反転の機能を持つインバー
タである。
【0036】図4は連想記憶回路1において、被比較レ
ジスタ57内の被比較データが比較レジスタ50内の比
較データ以下であることを検出する比較器の構成図であ
り、前記図3と同一部分には同一符号を付して重複説明
を省略する。
【0037】図5は図3及び図4で使われている組み合
わせ回路Caの入出力信号の関係を表している。入力の
マッチラインMLが“H”かつ真値ビット線BLが
“H”かつ真値被比較データ線RLが“L”のときのみ
リトルラインLMLが“H”となり、それ以外の入力条
件ではリトルラインLMLが“L”となる。図中“×”
は“L”又は“H”であることを示す。
【0038】図6は連想記憶回路1において、被比較レ
ジスタ57内の被比較データが比較レジスタ50内の比
較データに比べて値が大きいことを検出する比較器6の
構成図である。図6において、Cbは組み合わせ回路、
BMLは組み合わせ回路Cbの出力であるビッグライン
である。
【0039】図7は連想記憶回路1において、被比較レ
ジスタ57内の被比較データが比較レジスタ50内の比
較データ以上であることを検出する比較器の構成図であ
り、前記図6と同一部分には同一符号を付して重複説明
を省略する。
【0040】図8は図6及び図7で使われている組み合
わせ回路Cbの入出力信号の関係を表している。入力の
マッチラインMLが“H”かつ真値ビット線BLが
“L”かつ真値被比較データ線RLが“H”のときのみ
ビッグラインBMLが“H”となり、それ以外の入力条
件ではビッグラインBMLが“L”となる。
【0041】次に動作について説明する。図1に示すデ
ータの大きさ比較の実施例1の動作を図2、図3、図
4、図6及び図7を用いて、小さいことの比較、以下で
あることの比較、大きいことの比較、以上であることの
比較とに分けて説明する。
【0042】比較の対象となるデータは比較レジスタ5
0又は被比較レジスタ57に格納されている。それらの
レジスタ50,57の中ではデータはビット列で表現さ
れている。データは正の整数であり、ビット列の中でデ
ータの大きさを決める上で最も意味のあるビットをMS
B、最も意味のないビットをLSBとする。ビット列の
中でよりMSBに近いビットを上位ビット、よりLSB
に近いビットを下位ビットとする。
【0043】図2では記憶セルSC3に被比較データの
MSBの値が格納されており、記憶セルSC1にLSB
の値が格納されているものとする。従来の技術で示した
通りマッチラインML1には、比較データと被比較デー
タの全てのビットの比較結果が信号として出力される。
比較回路CON13,CON12及びCON11におい
て比較が行われ、マッチラインML1に各ビットでの比
較結果が出力される。マッチラインML1のレベルが
“H”のときは比較データと被比較データが一致してい
ることを示し、“L”のときには不一致であることを示
す。
【0044】同様にマッチラインML2には、比較回路
CON23及びCON22によって最下位ビットを除く
上位2ビットの比較結果が出力される。同様にマッチラ
インML3には、比較回路CON33によって下位2ビ
ットを除く最上位ビットの比較結果が出力される。図2
では3ビットの構成を示したがビット数が変化した場合
も同様な動作が行われる。
【0045】図3は被比較レジスタ57内の被比較デー
タが比較レジスタ50内の比較データに比べて小さいこ
とを検出する比較器6の構成図である。図中、最も右側
にある記憶セルSC内に被比較データのLSBの値が保
持されており、左側の記憶セルSC程上位ビットであ
る。組み合わせ回路Caは記憶セルSCに対応して存在
し、1ビット毎に1個存在する。各組み合わせ回路Ca
への入力であるマッチラインMLには、図2で説明した
通り該組み合わせ回路Caより上位ビットでの比較結果
が出力されている。
【0046】図5で表されているように組み合わせ回路
Caでは、入力のマッチラインMLが“H”かつ真値ビ
ット線BLが“H”かつ真値被比較データ線RLが
“L”のときのみリトルラインLMLが“H”となる。
言い替えれば比較データと被比較データにおいて上位ビ
ットが全て一致し、かつ該組み合わせ回路Caに対応し
たビットだけを比較したときに比較データが大きい場合
にのみリトルラインLMLが“H”となる。それ以外の
条件ではリトルラインLMLは“L”となる。
【0047】図3に示すプリチャージトランジスタTp
のゲートに所定の時間だけ“H”の制御信号Φが与えら
れると、このプリチャージトランジスタTpがオンとな
り、不一致ラインRMLがプリチャージされる。トラン
ジスタTrkのゲートとなるリトルラインLMLが
“H”になると、トランジスタTrkはオンする。その
ときトランジスタTrkを介して不一致線RMLのプリ
チャージ電荷が基準電位源としての接地ラインに引き抜
かれ“L”レベルとなる。
【0048】一方、全てのリトルラインLMLが“L”
のときには対応した全てのトランジスタTrkはオフす
る。このため不一致線RMLの電位は“H”に保持され
る。不一致線RMLの信号はインバータDIによって反
転し比較器マッチライン72に出力される。以上の条件
により、被比較レジスタ57内の被比較データが比較レ
ジスタ50内の比較データに比べて値が小さい場合、比
較器マッチライン72に“H”が出力され、それ以外の
ときに“L”が出力される。
【0049】図4は被比較レジスタ57内の被比較デー
タが比較レジスタ50内の比較データ以下であることを
検出する比較器6の構成図であり、図3の構成に図16
にある全てのビットでの一致を検出する回路を付加した
ものである。この回路での比較結果はマッチラインML
に出力され、比較データと被比較データが一致したとき
マッチラインMLが“H”になり、不一致のとき“L”
となる。このマッチラインMLはトランジスタTrkの
ゲートと接続しており、マッチラインMLが“H”にな
るとトランジスタTrkはオンする。そのときトランジ
スタTrkを介して不一致線RMLのプリチャージ電荷
が基準電位源としての接地ラインに引き抜かれ“L”レ
ベルとなる。以上の条件により、被比較レジスタ57内
の被比較データが比較レジスタ50内の比較データ以下
の場合に比較器マッチライン72に“H”が出力され、
それ以外のときに“L”が出力される。
【0050】図6は被比較レジスタ57内の被比較デー
タが比較レジスタ50内の比較データに比べて値が大き
いことを検出する比較器6の構成図である。組み合わせ
回路Cbは記憶セルSCに対応して存在し、1ビット毎
に1個存在する。各組み合わせ回路Cbへの入力である
マッチラインMLには、図2で説明した通り、上記組み
合わせ回路Cbより上位ビットでの比較結果が出力され
ている。
【0051】図8で表されているように組み合わせ回路
Cbでは、入力のマッチラインMLが“H”かつ真値ビ
ット線BLが“L”かつ真値被比較データ線RLが
“H”のときのみビッグラインBMLが“H”となる。
言い替えば比較データと被比較データにおいて上位ビッ
トが全て一致し、かつ上記組み合わせ回路Cbに対応し
たビットだけを比較したときに被比較データが大きい場
合にのみ、ビッグラインBMLが“H”となる。それ以
外の条件ではビッグラインBMLは“L”となる。
【0052】図6に示すプリチャージトランジスタTp
のゲートに所定の時間だけ“H”の制御信号Φが与えら
れる。これにより、このプリチャージトランジスタTp
がオンとなり、不一致ラインRMLがプリチャージされ
る。トランジスタTrkのゲートとなるビッグラインB
MLが“H”になると、トランジスタTrkはオンす
る。そのときトランジスタTrkを介して不一致線RM
Lのプリチャージ電荷が基準電位源としての接地ライン
に引き抜かれ“L”レベルとなる。
【0053】一方、全てのビッグラインBMLが“L”
のときには対応した全てのトランジスタTrkはオフす
る。このため不一致線RMLの電位は“H”に保持され
る。不一致線RMLの信号はインバータDIによって反
転し比較器マッチライン72に出力される。以上の条件
により、被比較レジスタ57内の被比較データが比較レ
ジスタ50内の比較データに比べて値が大きい場合に比
較器マッチライン72に“H”が出力され、それ以外の
ときに“L”が出力される。
【0054】図7は被比較レジスタ57内の被比較デー
タが比較レジスタ50内の比較データ以上であることを
検出する比較器6の構成図であり、図6の構成に図16
にある全てのビットでの一致を検出する回路を付加した
ものである。この回路での比較結果はマッチラインML
に出力され、比較データと被比較データが一致したとき
マッチラインMLが“H”になり、不一致のとき“L”
となる。
【0055】このマッチラインMLはトランジスタTr
kのゲートと接続しており、マッチラインMLが“H”
になるとトランジスタTrkはオンする。そのときトラ
ンジスタTrkを介して不一致線RMLのプリチャージ
電荷が基準電位源としての接地ラインに引き抜かれ
“L”レベルとなる。以上の条件により、被比較レジス
タ57内の被比較データが比較レジスタ50内の比較デ
ータ以上の場合に比較器マッチライン72に“H”が出
力され、それ以外のときに“L”が出力される。
【0056】以上のように、図1の比較器6は比較デー
タと被比較データとの大きさの比較を行い、その結果を
比較器マッチライン72に出力する。上記以外の動作は
図15で示される従来の連想記憶回路49の動作と同様
である。
【0057】実施例2「タイマ」 図9はこの発明の実施例2を示す連想記憶回路2の構成
図である。図9において、7は連想記憶回路2に設けた
複数のエントリ、8はそれぞれのエントリ7に設けたエ
ンプティビット、10はタイマの間隔を値として保持す
る初期値レジスタ、47は外部からのクロック信号を入
力する入力手段としてのクロック信号端子、23は外部
からクロック信号端子47を介してクロック入力するド
ライバ、11はドライバ23の出力であるクロック信号
ライン、9は比較器58の結果をCAM結果回路56に
伝える機能の他に、初期値レジスタ10、比較器マッチ
ライン72、クロック信号ライン11からの入力を元に
エンプティビット8からの値を制御するエントリ結果回
路である。
【0058】図10は連想記憶回路2のタイマ機能を実
現するための回路の構成図である。図10において、1
2はクロック信号の遷移により計数するタイマ機能を有
するカウントダウンカウンタ、_TCはカウントダウン
カウンタ12のカウンタ値が“0”になったことを出力
するカウントアップ出力、CEPはカウントダウンカウ
ンタ12に初期値を入力するタイミングである入力イネ
ーブル、CPはクロックを入力するクロック信号ライン
11からのクロック入力、Pは初期値レジスタ10から
初期値データを入力するパラレル入力、CQはカウンタ
値、13は従来のエンプティビット61を実現している
フリップフロップにプリセット機能を追加したフリップ
フロップ、_SDはフリップフロップ13のプリセット
入力、Qはフリップフロップ13の出力、25はカウン
トダウンカウンタ12に初期値レジスタ10の値をカウ
ンタ値として設定するときに所定の時間だけ“H”とな
る設定する手段としての制御信号ラインである。
【0059】図11は図10のカウントダウンカウンタ
12の入出力信号の関係を表している。入力イネーブル
CEPの入力信号が“H”でかつクロック入力CPの入
力信号が“L”から“H”に立ち上がったとき、パラレ
ル入力Pへの入力信号がカウンタ内に保持される。入力
イネーブルCEPの入力信号が“L”でかつクロック入
力CPの信号が“L”から“H”に立ち上がったとき、
カウンタ値が“1”だけ減され、減された値が“0”の
場合にはカウントアップ出力_TCが“L”レベルとな
る。
【0060】次に図9の実施例2の動作を図10および
図11について説明する。図10の初期値レジスタ10
には外部からタイマの初期値が設定される。その初期値
をカウントダウンカウンタ12のカウンタ値CQとして
設定する場合、カウントダウンカウンタ12の入力イネ
ーブルCEPに接続している制御信号ライン25を
“H”に保持する。
【0061】この制御信号ライン25の制御信号による
制御は、連想記憶回路2の内容を外部から制御するコマ
ントレジスタ53の設定によって行われる。またカウン
トダウンカウンタ12のクロック入力CPに接続してい
るクロック信号ライン11を“L”から“H”に立ち上
がる。
【0062】図11に示すように入力イネーブルCEP
を“H”にした状態でクロック入力CPを“L”から
“H”に立ち上がることによって初期値レジスタ10の
内容がパラレル入力Pを介してカウントダウンカウンタ
12に格納される。その後制御信号ライン25は“L”
に戻される。入力イネーブルCEPと接続している制御
信号ライン25が“L”の状態で、クロック入力CPと
接続しているクロック信号ライン11が“L”から
“H”に立ち上がったとき、カウンタ値CQが“1”だ
け減され、減された値が“0”の場合にはカウントアッ
プ出力_TCの出力が“L”レベルとなる。カウントア
ップ出力_TCはフリップフロップ13のプリセット入
力_SDと接続している。プリセット入力_SDが
“L”レベルになるとフリップフロップ13の出力Qは
強制的に“H”レベルとなり、エンプティビット8の値
は空き状態を示す“1”となる。
【0063】以上のように図9のエントリ結果回路9
は、初期値レジスタ10を介して外部から与えられるカ
ウンタの初期値及びクロック信号を入力としてタイマ機
能を実現し、タイムアウトによってエンプティビット8
の値を制御する。上記以外の動作は図15で示される従
来の連続記憶回路49の動作と同様である。
【0064】実施例3「比較データ可変長」 図12はこの発明の実施例3を示す連想記憶回路3の構
成図である。図12において、16は連想記憶回路3に
設けた複数のエントリ、14はそれぞれのエントリ16
に設けたエントリ結果回路、17はエントリマッチライ
ン74が分岐しアドレスの1つ大きいエントリ16にエ
ントリ結果回路14の情報を伝えるエントリマッチライ
ン、15は外部からのシーケンス信号を入力する入力手
段としてのシーケンス信号端子、22はシーケンス信号
を反転するインバータ、18はインバータ22の出力で
あるシーケンス反転信号ラインである。
【0065】図13は複数のエントリ16に格納された
被比較データとの比較結果を判定するエントリ結果回路
14の構成図である。図13において、24はワード線
WLの信号を反転させるインバータ、21はそのインバ
ータ出力ライン、23はエントリマッチライン17から
の比較結果を記憶するフリップフロップ、19はシーケ
ンス反転信号ライン18、比較器マッチライン72及び
フリップフロップ23の出力ライン20からの信号の比
較結果をエントリマッチライン74に出力する組み合わ
せ回路である。
【0066】図14は図13の組み合わせ回路19の入
出力信号の関係を表している。エンプティビットの出力
ライン84が“H”場合には、エントリマッチライン7
4に“L”が出力される。エンプティビットの出力ライ
ン84が“L”でかつシーケンス反転信号ライン18が
“L”の場合には、比較器マッチライン72の信号がエ
ントリマッチライン74に出力される。エンプティビッ
トの出力ライン84が“L”でかつシーケンス反転信号
ライン18が“H”の場合には、比較器マッチライン2
7とフリップフロップ出力ライン20が共に“H”のと
きのみエントリマッチライン74に“H”が出力され、
それ以外では“L”が出力される。
【0067】以下、図12の実施例2について比較デー
タ可変長の動作を説明する。まず、外部からの動作につ
いて説明する。1つの被比較レジスタ57のビット長以
上の被比較データを連想記憶回路3に記憶させる場合に
は、アドレスが昇順に連続する複数のエントリ16に格
納する。格納の手順は図15で示される従来例と同様で
ある。
【0068】本実施例では被比較データの全てのビット
について比較データと比較するために、複数回に分けて
比較動作を行う必要がある。最初の比較の動作は図15
で示される従来例と同様であるが2回目以降の比較動作
ではシーケンス信号端子15を使用する動作が付加され
る。チップイネーブル信号が有効であり、かつシーケン
ス信号端子15に入力されるシーケンス信号が“L”の
とき、連想記憶回路3へのアクセスが複数のエントリ1
6に格納されている被比較データに対しての2回目以降
の比較動作であることを示す。それ以外の比較動作のと
きにはシーケンス信号は“H”である。
【0069】次に連想記憶回路3の内部での動作を図1
3について説明する。比較動作が行われるときワード線
WLは“H”に保持され、比較動作が終了するときに
“L”となる。インバータ24によってこのワード線W
Lの信号を反転する。その反転信号をインバータ出力ラ
イン21を介してフリップフロップ23のクロック入力
CPとして使用する。
【0070】従って、ワード線WLが“H”から“L”
になるタイミングでフリップフロップ23はデータを記
憶する。比較動作が行われるときエントリマッチライン
74には比較結果が出力される。一致している場合には
“H”、不一致の場合には“L”が出力される。フリッ
プフロップ23はエントリマッチライン17に出力され
る前記比較結果をワード線WLが“H”から“L”にな
るタイミングでラッチする。以上のような動作により、
図13のエントリ結果回路14にあるフリップフロップ
23は、最も最近に行われた比較動作でのアドレスが1
つ小さいエントリの比較結果を記憶する。シーケンス信
号端子15に入力されるシーケンス信号はインバータ2
2によって反転しシーケンス反転信号ライン18に出力
される。
【0071】以上のような動作により、図13の組み合
わせ回路19では、最も最近に行われた比較動作におい
て、アドレスが1つ小さいエントリ16での比較結果が
一致であり、かつ現在の比較器58の比較結果が一致で
あり、かつシーケンス信号端子15が“L”であり、現
在の比較動作が連続するエントリの比較であるとき、エ
ントリマッチライン74に“H”を出力する。また、シ
ーケンス信号端子15が“H”である場合には図15で
示される従来の連想記憶回路49の動作と同様である。
【0072】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、エントリ毎にカウントダウンカウンタを実装
し、外部からのクロック信号によってそのカウンタを動
作させるようにしているので、各エントリ毎にタイムア
ウトタイマを設定することができる。そのため、各エン
トリ毎に独立に被比較データのいわゆるライフタイムを
設定でき、ライフタイムがタイムアウトしたときにはエ
ンプティビットを“1”に設定することによって、エン
トリを空き状態にすることが可能という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1を示す連想記憶回路の構成
図である。
【図2】図1の連想記憶回路における比較器の構成図で
ある。
【図3】被比較データが比較データより小さいことを検
出する比較器の構成図である。
【図4】被比較データが比較データ以下であることを検
出する比較器の構成図である。
【図5】図3、図4の比較器における組み合わせ回路の
入出力の関係を表した図である。
【図6】被比較データが比較データより大きいことを検
出する比較器の構成図である。
【図7】被比較データが比較データ以上であることを検
出する比較器の構成図である。
【図8】図6、図7の比較器における組み合わせ回路の
入出力の関係を表した図である。
【図9】この発明の実施例2を示す連想記憶回路の構成
図である。
【図10】図9の実施例2の主要回路を示す構成図であ
る。
【図11】図10のカウントダウンカウンタの入出力の
関係を表した図である。
【図12】この発明の実施例3を示す連想記憶回路構成
図である。
【図13】図12の実施例3の主要回路を示す構成図で
ある。
【図14】図13の回路における組み合わせ回路の入出
力の関係を表した図である。
【図15】従来の連想記憶回路の構成図である。
【図16】従来の連想記憶回路の被比較レジスタと比較
器の動作を説明した図である。
【図17】従来の連想記憶回路のエンプティビットとエ
ントリ結果回路の構成図である。
【図18】従来の連想記憶回路のCAM結果回路の構成
図である。
【符号の説明】
1 連想記憶回路、2 連想記憶回路、3 連想記憶回
路、5 エントリ、6比較器、7 エントリ、8 エン
プティビット、9 エントリ結果回路、10初期値レジ
スタ、12 カウントダウンカウンタ、14 エントリ
結果回路、15 シーケンス信号端子、16 エント
リ、23 フリップフロップ、47クロック信号端子、
50 比較レジスタ、57 被比較レジスタ、58 比
較器、59 エントリ結果回路、61 エンプティビッ
ト。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−64994(JP,A) 特開 昭57−167198(JP,A) 特開 昭63−144495(JP,A) 特開 平1−175029(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11C 15/00 - 15/06

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 比較するデータを保持する比較レジスタ
    と、比較されるデータを保持する被比較レジスタと、こ
    の被比較レジスタにデータが格納されていないことを示
    すエンプティビットを含む複数のエントリと、初期値を
    格納する初期値レジスタ及び外部からクロック信号を入
    力する入力手段を有し、前記各エントリ内に、前記クロ
    ック信号の遷移により計数するタイマ機能を有するカウ
    ントダウンカウンタと、前記初期値レジスタに設定され
    ている値を前記カウントダウンカウンタ内のカウンタ値
    として設定する手段と、前記カウントダウンカウント内
    のカウンタ値が「0」のとき該エンプティビットを
    「1」にセットする手段とを備えたことを特徴とする連
    想記憶回路。
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