JPS6159846A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6159846A
JPS6159846A JP59181909A JP18190984A JPS6159846A JP S6159846 A JPS6159846 A JP S6159846A JP 59181909 A JP59181909 A JP 59181909A JP 18190984 A JP18190984 A JP 18190984A JP S6159846 A JPS6159846 A JP S6159846A
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JP
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cap
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JP59181909A
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Hideo Monma
門馬 秀夫
Shunzo Oota
太田 俊三
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置、詳しくは2個の半導体チ・ツブ(
以下チップという)を1つのパッケージ内に上下関係に
実装し、等測的にチップ・オン・チップ(chip−o
n−chip)方式に相当する機能を持たせた半導体装
置に関する。
例えばマイコン用の集積回路(IC)とメモリ、ICと
インターフェイスlC1ディジタルtCとアナログIC
,ロジックICと電圧安定回路などのように、1個のチ
ップに作成することが困難な複数のデバイスを1つのパ
ッケージに収納することが希望される場合に、それぞれ
のデバイスを2個のチップに作成し、これらのチップを
チップ・オン・チップ方式で組み立てることが行われる
第4図には前記チップ・オン・チップ方式によるパッケ
ージが模式的に示され、同図において21はパッケージ
本体、22は一方のチップ、23はチ・ノブ22の電極
、24は他方のチップ、25はチップ24の電極、26
はチップ24を接着した基台(パッケージのキャップに
もなる)を示す。かかるパッケージは、11I?IIの
パッケージに前記した諸々のデバイスが組み入れられた
ものであり、各種装置をコンパクトに形成するにを効で
ある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第4図に示した半導体装置においては、チップ22と2
4との結合は小さい電極23と25との接続によるもの
である。その結果、結合状態試験力<AILL<、チッ
プの結合の機械的強度が弱いため信頼性に欠け、2つの
結合したチップのテストにおいてはチップの電極への出
入りが難しく、また結合が小さい電極を連結するにおい
て製造歩留りが悪いなどの問題がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解消した2個のチップを1個の
パッケージ内に上下関係に実装した半導体装置を提供す
るもので、その手段は、第1の半導体チップはパッケー
ジ本体のキャビティに接着され、第2の半導体チップは
、ダイステージとそれを囲むリードから成るメタルフレ
ームのダイステージに接着され、第1の半導体チップに
接続するメタライズはパッケージ本体のキャップと接す
る面上にまで延在し、この延在するメタライズ部に前記
 メタルフレームの外延部が接着され、キャップは前記
メタライズ部とメタルフレーム外延部を覆う絶縁性接着
剤によりパッケージ本体に封止されたことを特徴とする
半導体装置によってなされる。
〔作用〕
上記半導体装置においては、一方のチップと他方のチッ
プは、必要0111子のみを電気的に接合し、それぞれ
のチップの結合端子は、いずれかのチ・ノブの側に制御
端子とセレクターを設けて独立に外部ビンに信号を取出
し、更にはキヤ・ノブ封止前に熱伝導率の高いレジン材
をボッティングし充填することにより、異種チップ間の
熱抵抗が大になることによる特性の劣化を緩和するもの
である。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明′す
る。
第1図に本発明実施例が断面図で示され、同図において
、1はパッケージ本体、2はパッケージ本体のキャビテ
ィ (凹部)に接着された第1の半導体チップ(チップ
)、3はビン、4はチップ2の電極とメタライズ層5と
を接続するワイヤ、6は第2のチップ、7はチップ6が
接着されたメタルフレーム、8はチップ6の電極とメタ
ルフレームを接続するワイヤ、9はメタルフレーム7の
外延部7aメタライズ部5Cとの電気的、機械的接続の
ための部材(例えば半田)、10はキヤ・ノブをノクツ
ケージ本体に封止するための絶縁性接着剤(例えば低融
点ガラス)、11はキヤ・ノブを示し、第1と第2のチ
ップはチップ・オン・チ・ノブ方式に互いにその上面を
相手方に向けて配置されている。
第1のチップ2はパッケージ本体1のキャビティに通常
の技術で接着され、チ・ノブ2とワイヤ4を介して接続
をとるメタライズは、キャビティの上の段部を水平方向
に延びるメタライズ部5a、メタライズ部5aからパッ
ケージ本体1の内壁に沿って延びるメタライズ部5b、
メタライズ部5bから本体のキャップと接する面を水平
方向に延びるメタライズ部5Cから成り、メタライズ部
5aはビン3に接続されているから、メタライズを通し
て第1と第2のチップはビン3に接続される。
第2のチップ6はメタルフレーム7に接着され、チップ
6の電極はワイヤ8によってメタルフレーム7に接続さ
れ、メタルフレーム7↓よ半田9.メタライズ部5c、
 5b、 5cを経てビン3に接続されている。メタル
フレーム7は第3図に上面から見た状態で示され、チッ
プが接着されるダイスチーシフcと複数のリード7bか
らなり、チップ6は点線で示される位置に接着されてい
る。リード7bは接着テープ12によって位置ぎめして
保持される。
キャップ11を低融点ガラス10でパッケージ本体lに
封止するとき、メタルフレーム7の外延部7aはメタラ
イズ部5Cに接して低融点ガラス10により強固に保持
されるので、第1図の装置全体の機械的強度が保障され
、また結合の状態の信頼性が高められる。
以下、第2図を参照して本発明実施例の製造方法を説明
する。
、先ず、第2図(alに示される如くチップ2をパツケ
ージ本体1にグイ付け(接着)し、ワイヤ4を接着(ワ
イヤホンディング)してチ・ノブ2の電極とメタライズ
部5aとを接続する。次いで、半田9をメタライズ部5
Cの上に配置する。
次に、第2図(blに示される如(チップ6が接着され
たメタルフレーム7を、半田9を用いてメタライズ部5
cの表面に接着する。この半田付けにより、メタルフレ
ーム7とメタライズ部5cとの電気的接続が形成され、
□チップ6の電極がピン3に接続されるだけでなく、メ
タルフレーム7はかなりの機械的強度でパッケージ本体
1に結合される。
最後に、低融点ガラス10を用いてキャップ11をパッ
ケージ本体1に結合すると第1図に示される装置が得ら
れ、このときメタルフレーム7も低融点ガラスで固着さ
れて本体1に強固に結合される。
キャップ封止前に、熱伝導率の高いレジン材12を第1
図に点線で示す如くにポツティングし充填すると、異種
チップ間の熱抵抗増大による特性の劣化を緩和すること
ができる。
なお、メタルフレーム7に代えて、メタルパターニング
をもったフィルムを用いてもよく、メタルフレーム7ま
たは前記したフィルムは、通常の技術で作成可能なもの
である。更に、メタライズ部5cとメタルフレームの外
延部との接続には半田以外の材料、キャップの封止には
低融点ガラス以外の材料を用いることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、パッケージ本体に
従来通りチップを実装した後に、他のチップを実装した
メタルフレームをチップが互いに対向する如くにパッケ
ージ本体に電気的1機械的結合し、しかる後にキャップ
を封止することにより、チップ・オン・チップ方式と同
等機能をもった半導体装置が、結合状態良く、容易にテ
スト可能な如く、かつ、歩留りよく提供される効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の断面図、第2図Talと(bl
は第1図の装置を作る工程における装置要部の断面図、
第3図は第1−図の装置のキャンプ封止前の平面図、第
4図はチップ・オン・チップ方式を説明する断面図であ
る。 図中、1はパッケージ本体、2は第1のチップ、3はピ
ン、4はワイヤ、5a+ sb、 5cはメタライズ部
、6は第2のチ・ノブ、7はメタルフレーム、8はワイ
ヤ、9は半田、10は低融点ガラス、11はキャンプ、
12はレジン材、をそれぞれ示す。 第1図 第2図 第2図 第3図 第4図 2321 22  ZL(

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1の半導体チップはパッケージ本体のキャビテ
    ィに接着され、第2の半導体チップは、ダイステージと
    それを囲むリードから成るメタルフレームのダイステー
    ジに接着され、第1の半導体チップに接続するメタライ
    ズ部はパッケージ本体のキャップと接する面上にまで延
    在し、この延在するメタライズ部に前記メタルフレーム
    の外延部が接着され、キャップは前記メタライズ部とメ
    タルフレーム外延部を覆う絶縁性接着剤によりパッケー
    ジ本体に封止されたことを特徴とする半導体装置。
  2. (2)前記第1と第2の半導体チップを覆う高熱伝導率
    材料を充填したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の半導体装置。
JP59181909A 1984-08-31 1984-08-31 半導体装置 Pending JPS6159846A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8044498B2 (en) 2006-07-12 2011-10-25 Genusion Inc. Interposer, semiconductor chip mounted sub-board, and semiconductor package

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8044498B2 (en) 2006-07-12 2011-10-25 Genusion Inc. Interposer, semiconductor chip mounted sub-board, and semiconductor package

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