JPS6158242A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6158242A JPS6158242A JP17848984A JP17848984A JPS6158242A JP S6158242 A JPS6158242 A JP S6158242A JP 17848984 A JP17848984 A JP 17848984A JP 17848984 A JP17848984 A JP 17848984A JP S6158242 A JPS6158242 A JP S6158242A
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- resin
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリードフレームあるいは、素子にポリオレフィ
ン層を形成させて、耐湿性とくに半田浴槽に浸漬後の耐
湿性を大巾に向上させた半導体装置を製造する方法に関
するものである。
ン層を形成させて、耐湿性とくに半田浴槽に浸漬後の耐
湿性を大巾に向上させた半導体装置を製造する方法に関
するものである。
従来リードフレームあるいは素子にシランカップリング
剤を塗布した後加熱硬化させる方法は知られている。（
例えば特開昭５８−１４８４４１号公報）。しかし半田
浸漬後の耐湿性は今一つ不充分であった。
剤を塗布した後加熱硬化させる方法は知られている。（
例えば特開昭５８−１４８４４１号公報）。しかし半田
浸漬後の耐湿性は今一つ不充分であった。
本発明は樹脂封止製半導体装置の製造方法に関するもの
である。半導体装置の樹脂封止に於いて樹脂が硬化する
際封止用樹脂とリードフレームおよび素子の各熱膨張係
数が極めて月なり、とくに樹脂の方が大きいため樹脂が
フレームに比較し著しく収縮し、そのため樹脂とリード
フレームの界面において剪断応力が生じ、それに伴い界
面に沿って微小なりラックが入るととが多かった。
である。半導体装置の樹脂封止に於いて樹脂が硬化する
際封止用樹脂とリードフレームおよび素子の各熱膨張係
数が極めて月なり、とくに樹脂の方が大きいため樹脂が
フレームに比較し著しく収縮し、そのため樹脂とリード
フレームの界面において剪断応力が生じ、それに伴い界
面に沿って微小なりラックが入るととが多かった。
そのため上記クラックを通じて外部から水が浸入する原
因となり、その結果気密性も低いものとなる。さらに半
導体装置がその後の半田浸漬、温度変化、熱衝撃等の使
用環境を経るにつれ封止樹脂とリードフレーム及び素子
の界面に於て一層の緩みを生じ、樹脂封止された半導体
素子の特性劣化あるいは、半導体素子のアルミニウム配
線の腐食等をひき起し、耐湿性の°乏しい原因となって
いて、要求を充分に満足できる高い信頼性を有する半導
体装置が樹脂による封止で得られていたとはいい難かっ
た。
因となり、その結果気密性も低いものとなる。さらに半
導体装置がその後の半田浸漬、温度変化、熱衝撃等の使
用環境を経るにつれ封止樹脂とリードフレーム及び素子
の界面に於て一層の緩みを生じ、樹脂封止された半導体
素子の特性劣化あるいは、半導体素子のアルミニウム配
線の腐食等をひき起し、耐湿性の°乏しい原因となって
いて、要求を充分に満足できる高い信頼性を有する半導
体装置が樹脂による封止で得られていたとはいい難かっ
た。
本発明はか＼る問題を解決すべくなされたもので樹脂と
リードフレームおよび素子の界面にクラックが生じない
ようにし、半導体装置の耐湿性を向上させることを目的
とする。
リードフレームおよび素子の界面にクラックが生じない
ようにし、半導体装置の耐湿性を向上させることを目的
とする。
本発明は半導体素子およびリードフレームの少なくとも
一方の表面に樹脂と半導体素子およびリードフレームと
の間に生じる熱応力を吸収することができる程度の厚さ
のポリオレフィン膜を形成し、次いで樹脂封止してなる
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
る。
一方の表面に樹脂と半導体素子およびリードフレームと
の間に生じる熱応力を吸収することができる程度の厚さ
のポリオレフィン膜を形成し、次いで樹脂封止してなる
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
る。
本発明に用いられるポリオレフィンとしては、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン等が適用でき
る。これらポリオレフィンを用いて、リードフレームお
よびチップの表面に強固に接着したポリオレフィン層を
設ける方法としては、リードフレームのダイボンド部分
およびリード先端のボンディング部をマスクした後、あ
るいは素子をマウントし、Ａｕ線でボンディングした後
にリードフレームを１５０〜３５０℃、好ましくは２０
０℃〜３００℃に加熱し、ポリオレフィン微粉末を付着
させリードフレームおよびチップ上に皮膜を形成する。
レン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン等が適用でき
る。これらポリオレフィンを用いて、リードフレームお
よびチップの表面に強固に接着したポリオレフィン層を
設ける方法としては、リードフレームのダイボンド部分
およびリード先端のボンディング部をマスクした後、あ
るいは素子をマウントし、Ａｕ線でボンディングした後
にリードフレームを１５０〜３５０℃、好ましくは２０
０℃〜３００℃に加熱し、ポリオレフィン微粉末を付着
させリードフレームおよびチップ上に皮膜を形成する。
ポリオレフィン層は単分子層あれば必要充分な厚さであ
）、それ以上の厚さであって次の樹脂による成形封止に
支障のない厚さであればその厚みはいくらであってもよ
い０ 本発明におけるリードとしてのフレームの材質は例えば
銅、４２合金などで構成され、これに金メッキや銀メッ
キとくに好ましくは銀メッキを施したものが有効に適用
される。しかしリードはこれらに限定されるものではな
く、一般に半導体装置のリードを構成するものであれば
広く適用可能である。
）、それ以上の厚さであって次の樹脂による成形封止に
支障のない厚さであればその厚みはいくらであってもよ
い０ 本発明におけるリードとしてのフレームの材質は例えば
銅、４２合金などで構成され、これに金メッキや銀メッ
キとくに好ましくは銀メッキを施したものが有効に適用
される。しかしリードはこれらに限定されるものではな
く、一般に半導体装置のリードを構成するものであれば
広く適用可能である。
封止用樹脂としては一般に知られているものがいづれも
使用可能であるが、耐湿特性によシ好結果を与えるエポ
キシ樹脂が好ましい。
使用可能であるが、耐湿特性によシ好結果を与えるエポ
キシ樹脂が好ましい。
中でも低弾性率のものはさらに好ましく３０℃で１４０
０ ｋｇ／−以下、１７５℃で７００神／−以下のもの
が最も好ましい結果を与える。
０ ｋｇ／−以下、１７５℃で７００神／−以下のもの
が最も好ましい結果を与える。
かかるポリオレフィン皮膜を形成させることによって、
飛躍的に耐湿性が向上する理由としては次のように推察
される。もし樹脂とリードおよび素子とのポリオレフィ
ン膜がなかった場合はその界面には収縮率の不一致に基
づく剪断応力が生じ、比較的脆弱である樹脂には界面に
沿ってハガレのもととなるクラックを生じる。しかるに
本発明の如くリードフレーム及び素子と樹脂との間にポ
リオレフィン膜が介在している場合には、上記剪断応力
がポリオレフィン膜が加わシ、ポリオレフィン膜が歪む
だけで樹脂との接着界面には殆んど剪断応力が生じない
。
飛躍的に耐湿性が向上する理由としては次のように推察
される。もし樹脂とリードおよび素子とのポリオレフィ
ン膜がなかった場合はその界面には収縮率の不一致に基
づく剪断応力が生じ、比較的脆弱である樹脂には界面に
沿ってハガレのもととなるクラックを生じる。しかるに
本発明の如くリードフレーム及び素子と樹脂との間にポ
リオレフィン膜が介在している場合には、上記剪断応力
がポリオレフィン膜が加わシ、ポリオレフィン膜が歪む
だけで樹脂との接着界面には殆んど剪断応力が生じない
。
即ちポリオレフィン膜によシ応力を吸収することができ
るので、ハガレの発生を防止することができる。したが
って耐湿性も向上する。
るので、ハガレの発生を防止することができる。したが
って耐湿性も向上する。
以下実施例に基づき説明する。
１、実施例 アルミ配線を施した素子を塔載した銀メッ
キの４２アロイからなるリードフレームを３００℃に加
熱した後、ポリエチレン微粉末の流動層に通した後、１
７５℃１５分再加熱して表面にポリエチレン層を形成し
た。しかるのち成形温度１７５℃、成形時間１８０秒、
注入圧７０ｋｆ／ｃｍの条件で常法によシトランスファ
ーモールドし、その後１７５℃４時間ポストキエアして
エポキシ樹脂封止した。
キの４２アロイからなるリードフレームを３００℃に加
熱した後、ポリエチレン微粉末の流動層に通した後、１
７５℃１５分再加熱して表面にポリエチレン層を形成し
た。しかるのち成形温度１７５℃、成形時間１８０秒、
注入圧７０ｋｆ／ｃｍの条件で常法によシトランスファ
ーモールドし、その後１７５℃４時間ポストキエアして
エポキシ樹脂封止した。
この半導体装置を２６０℃の半田浴槽に３０秒間浸漬し
た後、１２５℃、２．３気圧の条件でプレッシャークツ
カー処理した。
た後、１２５℃、２．３気圧の条件でプレッシャークツ
カー処理した。
耐湿性の評価は、アルミ配線が腐食断線したものを不良
とした。その結果４００時間処理後の不良数が０／２０
と非常にすぐれた耐湿性を有していることが判った。
とした。その結果４００時間処理後の不良数が０／２０
と非常にすぐれた耐湿性を有していることが判った。
２比較例 ポリエチレン皮膜を形成させなかった以外は
実施例と同様に処理して、耐湿性を評価したところ、５
・０時間処理で５／２０．１００時間処理で１０／２０
．２００時間処理で２０／２０と耐湿性が非常に劣って
いた。
実施例と同様に処理して、耐湿性を評価したところ、５
・０時間処理で５／２０．１００時間処理で１０／２０
．２００時間処理で２０／２０と耐湿性が非常に劣って
いた。
Claims (1)
- 半導体素子およびリードフレームの少なくとも一方の表
面に、樹脂と半導体素子およびリードフレームとの間に
生じる応力を吸収することができる程度の厚さのポリオ
レフィン膜を形成し、次いで樹脂封止してなることを特
徴とする樹脂封止型、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17848984A JPS6158242A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17848984A JPS6158242A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158242A true JPS6158242A (ja) | 1986-03-25 |
Family
ID=16049350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17848984A Pending JPS6158242A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158242A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010267794A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP17848984A patent/JPS6158242A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010267794A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
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