JPS6155205B2 - - Google Patents
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- JPS6155205B2 JPS6155205B2 JP54129861A JP12986179A JPS6155205B2 JP S6155205 B2 JPS6155205 B2 JP S6155205B2 JP 54129861 A JP54129861 A JP 54129861A JP 12986179 A JP12986179 A JP 12986179A JP S6155205 B2 JPS6155205 B2 JP S6155205B2
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Landscapes
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電膜の製造方法、特にターゲツ
ト材料をスパツタリング法により透光性薄板ガラ
ス基板上に被着形成させる透明導電膜の形成方法
の改良に関するものである。
ト材料をスパツタリング法により透光性薄板ガラ
ス基板上に被着形成させる透明導電膜の形成方法
の改良に関するものである。
一般に、酸化インジウムを主成分とするターゲ
ツト材料をスパツタリング法により透光性薄板ガ
ラス基板（以下基板と称する）上に被着させて透
明導電膜を形成する方法は、液晶表示素子用電極
や撮像管光電変換面用電極の形成として工業化さ
れている。これらの用途、特に撮像管分野におい
ては、透明導電膜の品位、欠陥の許容基準が極め
て高度であり、ある場合においては、２〜５μｍ
程度の粒径を有する粒子が付着していても画像欠
陥の原因となるのでさけなければならない。
ツト材料をスパツタリング法により透光性薄板ガ
ラス基板（以下基板と称する）上に被着させて透
明導電膜を形成する方法は、液晶表示素子用電極
や撮像管光電変換面用電極の形成として工業化さ
れている。これらの用途、特に撮像管分野におい
ては、透明導電膜の品位、欠陥の許容基準が極め
て高度であり、ある場合においては、２〜５μｍ
程度の粒径を有する粒子が付着していても画像欠
陥の原因となるのでさけなければならない。
通常、上記ターゲツト材料は、Ｉo2O3粉末を主
成分とし、５〜10％程度のＳoO2粉末を混合、圧
搾、焼結して形成された板状材で構成されてい
る。
成分とし、５〜10％程度のＳoO2粉末を混合、圧
搾、焼結して形成された板状材で構成されてい
る。
いま、このターゲツト材料の密度を、ターゲツ
トの（見掛比重／構成材料の比重）×100と定義す
ると、一般に広く使用されているターゲツト材料
の密度は60〜75％程度のものである。そして、こ
れらのターゲツト材料を用いてスパツタリングを
行なつて基板上に透明導電膜を被着形成し、この
被膜の欠陥を観察すると、何らかの粒子が付着し
たためにこの部分の被膜が形成されなかつたり、
膜厚が異常となつたりすることがある。そして、
この欠陥部に付着した粒子の構成物は、その大部
分がＩo2O3を主成分とする物質であり、さらに分
析すれば、その粒子形状から判断してターゲツト
材料から直接的に発生したとみられるターゲツト
材料構成粒子ないしその破片と、一旦装置内の一
部に被膜として形成されたＩo2O3が剥離浮遊した
フレーク状粒子とからなりたつていることが判明
した。そして、後者は被膜形成法の常道にしたが
つて被覆基板の配置の様式、治具の形状設計、装
置内の清掃等の一般的な防塵処理等で対処できる
が、前者はスパツタリング条件、すなわち真空
度、高周波印加電力、被膜形成速度等を僅かに変
化させることによつて改善できるが、なお不十分
であつた。
トの（見掛比重／構成材料の比重）×100と定義す
ると、一般に広く使用されているターゲツト材料
の密度は60〜75％程度のものである。そして、こ
れらのターゲツト材料を用いてスパツタリングを
行なつて基板上に透明導電膜を被着形成し、この
被膜の欠陥を観察すると、何らかの粒子が付着し
たためにこの部分の被膜が形成されなかつたり、
膜厚が異常となつたりすることがある。そして、
この欠陥部に付着した粒子の構成物は、その大部
分がＩo2O3を主成分とする物質であり、さらに分
析すれば、その粒子形状から判断してターゲツト
材料から直接的に発生したとみられるターゲツト
材料構成粒子ないしその破片と、一旦装置内の一
部に被膜として形成されたＩo2O3が剥離浮遊した
フレーク状粒子とからなりたつていることが判明
した。そして、後者は被膜形成法の常道にしたが
つて被覆基板の配置の様式、治具の形状設計、装
置内の清掃等の一般的な防塵処理等で対処できる
が、前者はスパツタリング条件、すなわち真空
度、高周波印加電力、被膜形成速度等を僅かに変
化させることによつて改善できるが、なお不十分
であつた。
また、この被膜を純水や温純水もしくは化学薬
品等を用い、超音波洗浄やスプレー洗浄等の洗浄
処理を行なつても、付着粒子が５個以上の場合
は、これを除去するのは困難であつた。
品等を用い、超音波洗浄やスプレー洗浄等の洗浄
処理を行なつても、付着粒子が５個以上の場合
は、これを除去するのは困難であつた。
実施例を記述すれば、スパツタリング完了後の
透明導電膜上に１素子当り２〜５μの粒子が５個
〜10個付着していた場合、洗浄工程によつて除去
される確率は80％程度であり、この透明導電膜を
用いて撮像管を製作した場合には、画像欠陥の発
生率は20％程度であつた。しかし、スパツタリン
グ完了後の膜上に５個以下の付着粒子があつた場
合には、洗浄工程によつて除去される確率は97％
以上であり、この場合の画像欠陥発生率は５％以
下と良好であつた。
透明導電膜上に１素子当り２〜５μの粒子が５個
〜10個付着していた場合、洗浄工程によつて除去
される確率は80％程度であり、この透明導電膜を
用いて撮像管を製作した場合には、画像欠陥の発
生率は20％程度であつた。しかし、スパツタリン
グ完了後の膜上に５個以下の付着粒子があつた場
合には、洗浄工程によつて除去される確率は97％
以上であり、この場合の画像欠陥発生率は５％以
下と良好であつた。
第１図は従来のターゲツト材料の密度と生成被
膜上の付着粒子の密度との関係を示したものであ
る。同図において、特性，で示すようにター
ゲツト材料の密度がそれぞれ65％、72％と低い
と、基板に付着する２μｍ以上の粒子が透明導電
膜の膜厚に比例して増加する。そして、この付着
粒子の数量が５個以下では、続いて行なう洗浄工
程によつて、付着粒子を除去することができ、実
用上全く問題ないが、５個を超えると、洗浄を施
しても除去することが困難であるため透明導電膜
の品位、欠陥の許容基準を下回り、したがつて画
像欠陥を発生させていた。
膜上の付着粒子の密度との関係を示したものであ
る。同図において、特性，で示すようにター
ゲツト材料の密度がそれぞれ65％、72％と低い
と、基板に付着する２μｍ以上の粒子が透明導電
膜の膜厚に比例して増加する。そして、この付着
粒子の数量が５個以下では、続いて行なう洗浄工
程によつて、付着粒子を除去することができ、実
用上全く問題ないが、５個を超えると、洗浄を施
しても除去することが困難であるため透明導電膜
の品位、欠陥の許容基準を下回り、したがつて画
像欠陥を発生させていた。
したがつて本発明は、ターゲツト材料の密度を
80％以上に向上させることによつて、スパツタリ
ングにより発生する付着粒子を効果的に減少させ
るようにした透明導電膜の製造方法を提供するこ
とを目的としている。以下本発明を詳細に説明す
る。
80％以上に向上させることによつて、スパツタリ
ングにより発生する付着粒子を効果的に減少させ
るようにした透明導電膜の製造方法を提供するこ
とを目的としている。以下本発明を詳細に説明す
る。
まず、本発明に用いる高密度ターゲツト材料
は、Ｉo2O3粉末を主成分とし、５〜10％程度のＳ
oO2粉末を混合して高圧圧搾と高温度焼結とによ
り、 ターゲツトの見掛け比重／構成材料の比重×100＝80％ 以上の高密度を有する板状材に形成されたものを
用いる。この場合、Ｉo2O3，ＳoO2材は高温度時
に分解、還元が起るので焼成雰囲気圧、特に酸素
分圧を控目に制御し、所望の酸化度の板状材を得
なければならないが、高圧圧搾のため、板状成形
体の表面部分と内部とを同一酸化度に完成するこ
とは比較的困難であることが判明した。このた
め、この高密度のターゲツト板状材を基板に被着
させて透明導電膜を形成する際、高周波スパツタ
リング時の雰囲気圧力、酸素圧力を一定条件で行
なわないで、スパツタリングの進行により、ター
ゲツト板状材の表面が蝕刻されて次第に内部の材
料が使用されるに至つてスパツタリングの条件、
すなわち雰囲気圧力、酸素圧力等を修正しなが
ら、生成膜の比抵抗を常に一定に維持しながら行
なう。このために形成膜質の解析を常に行ない、
スパツタ雰囲気の制御に留意することは当然なが
ら必要である。もちろんターゲツト焼成時は、焼
成スケジユール、後処理等により、実質的な不利
が発生しないようにすることはある程度までは可
能である。
は、Ｉo2O3粉末を主成分とし、５〜10％程度のＳ
oO2粉末を混合して高圧圧搾と高温度焼結とによ
り、 ターゲツトの見掛け比重／構成材料の比重×100＝80％ 以上の高密度を有する板状材に形成されたものを
用いる。この場合、Ｉo2O3，ＳoO2材は高温度時
に分解、還元が起るので焼成雰囲気圧、特に酸素
分圧を控目に制御し、所望の酸化度の板状材を得
なければならないが、高圧圧搾のため、板状成形
体の表面部分と内部とを同一酸化度に完成するこ
とは比較的困難であることが判明した。このた
め、この高密度のターゲツト板状材を基板に被着
させて透明導電膜を形成する際、高周波スパツタ
リング時の雰囲気圧力、酸素圧力を一定条件で行
なわないで、スパツタリングの進行により、ター
ゲツト板状材の表面が蝕刻されて次第に内部の材
料が使用されるに至つてスパツタリングの条件、
すなわち雰囲気圧力、酸素圧力等を修正しなが
ら、生成膜の比抵抗を常に一定に維持しながら行
なう。このために形成膜質の解析を常に行ない、
スパツタ雰囲気の制御に留意することは当然なが
ら必要である。もちろんターゲツト焼成時は、焼
成スケジユール、後処理等により、実質的な不利
が発生しないようにすることはある程度までは可
能である。
このような方法において、ターゲツト板状材の
密度をそれぞれ80％、85％と高いものを用いるこ
とによつて、第１図に特性，でそれぞれ示す
ように基板に付着する２μｍ以上の粒子の付着個
数を大幅に低減させることができた。
密度をそれぞれ80％、85％と高いものを用いるこ
とによつて、第１図に特性，でそれぞれ示す
ように基板に付着する２μｍ以上の粒子の付着個
数を大幅に低減させることができた。
また、このような方法によれば、高密度ターゲ
ツト材を用いたことによつて、プリスパツタリン
グの工程が省略でき、製作時間が大幅に短縮さ
れ、生産性を大幅に向上させることができた。こ
れは、一回目のスパツタリングを完了し、真空リ
ークしてターゲツト材を常圧雰囲気にさらすと、
リーク時に例えばN2，Ａr等の不活性ガスを使用
したとしても、ターゲツト材料の吸着吸蔵される
ガス体により次回スパツタリング実施時には初期
に少なくとも数百Å程度の被膜形成相当分を空ス
パツタすなわち所望の被加工物以外の表面に向け
てスパツタリングを行ない、実質的に新鮮なター
ゲツト面が露出した頃に被加工物へのスパツタリ
ングに切換えることが一般には必要であつた。こ
れは明らかにターゲツトへの酸素、水分その他の
有害物の吸蔵によるものと思われ、吸蔵物量は当
然ながらターゲツト材料の密度の大きい、比表面
積の少ないものでは、軽減することが推量され、
実施の結果極めて有効なことが判明した。
ツト材を用いたことによつて、プリスパツタリン
グの工程が省略でき、製作時間が大幅に短縮さ
れ、生産性を大幅に向上させることができた。こ
れは、一回目のスパツタリングを完了し、真空リ
ークしてターゲツト材を常圧雰囲気にさらすと、
リーク時に例えばN2，Ａr等の不活性ガスを使用
したとしても、ターゲツト材料の吸着吸蔵される
ガス体により次回スパツタリング実施時には初期
に少なくとも数百Å程度の被膜形成相当分を空ス
パツタすなわち所望の被加工物以外の表面に向け
てスパツタリングを行ない、実質的に新鮮なター
ゲツト面が露出した頃に被加工物へのスパツタリ
ングに切換えることが一般には必要であつた。こ
れは明らかにターゲツトへの酸素、水分その他の
有害物の吸蔵によるものと思われ、吸蔵物量は当
然ながらターゲツト材料の密度の大きい、比表面
積の少ないものでは、軽減することが推量され、
実施の結果極めて有効なことが判明した。
一例によれば、従来の70％密度のターゲツト材
料では、第２図に特性で示すように生成膜の比
抵抗が膜厚約1500Å相当量の除去した後でなけれ
ば安定しなかつたものが、本発明による80％密度
のターゲツト材料では同図に特性で示すように
膜厚500〜800Å相当のプリスパツタにより安定さ
せることができた。尚、同図特性は従来のター
ゲツト材料で本発明とほぼ同等の比抵抗を得るに
は、本発明のプリスパツタリング時間の約20倍、
約100分のプリスパツタリング時間を要して安定
させることができることを示したものである。す
なわち本発明によれば従来の約1/20時間で安定し
た比抵抗を有する膜厚が得られることになる。
料では、第２図に特性で示すように生成膜の比
抵抗が膜厚約1500Å相当量の除去した後でなけれ
ば安定しなかつたものが、本発明による80％密度
のターゲツト材料では同図に特性で示すように
膜厚500〜800Å相当のプリスパツタにより安定さ
せることができた。尚、同図特性は従来のター
ゲツト材料で本発明とほぼ同等の比抵抗を得るに
は、本発明のプリスパツタリング時間の約20倍、
約100分のプリスパツタリング時間を要して安定
させることができることを示したものである。す
なわち本発明によれば従来の約1/20時間で安定し
た比抵抗を有する膜厚が得られることになる。
以上説明したように本発明による透明導電膜の
製造方法によれば、ターゲツト材により直接的に
発生していたターゲツト構成粒子ないしその破片
等からなる欠陥粒子の付着を大幅に抵減させ、高
品質、高信頼性を有する撮像画像が得られる極め
て優れた効果が得られる。
製造方法によれば、ターゲツト材により直接的に
発生していたターゲツト構成粒子ないしその破片
等からなる欠陥粒子の付着を大幅に抵減させ、高
品質、高信頼性を有する撮像画像が得られる極め
て優れた効果が得られる。
第１図は従来および本発明に係わる透明導電膜
の膜厚に対する付着粒子個数の関係を示す特性
図、第２図は従来および本発明に係わる透明導電
膜の膜厚に対する比抵抗の関係を示す特性図であ
る。
の膜厚に対する付着粒子個数の関係を示す特性
図、第２図は従来および本発明に係わる透明導電
膜の膜厚に対する比抵抗の関係を示す特性図であ
る。
Claims (1)
- １ 透光性ガラス基板上にＩo2O3を主成分とする
ターゲツト材料をスパツタリングさせて透明導電
膜を被着形成させる透明導電膜の製造方法におい
て、前記ターゲツト材料の構成材料純比重に対す
る見掛け比重の割合を80％以上としたことを特徴
とする透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12986179A JPS5654702A (en) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | Method of manufactuping transparent conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12986179A JPS5654702A (en) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | Method of manufactuping transparent conductive film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5654702A JPS5654702A (en) | 1981-05-14 |
| JPS6155205B2 true JPS6155205B2 (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=15020077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12986179A Granted JPS5654702A (en) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | Method of manufactuping transparent conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5654702A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6155811A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | 株式会社日立製作所 | 透明導電膜形成用スパツタリングタ−ゲツト |
| JPH0668935B2 (ja) * | 1989-02-28 | 1994-08-31 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにそれを用いたターゲット |
| US8374373B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-02-12 | Bose Corporation | High transmission loss headphone cushion |
| US8467539B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-06-18 | Bose Corporation | High transmission loss cushion |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024038A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-14 | ||
| JPS5234391A (en) * | 1975-09-12 | 1977-03-16 | Hitachi Ltd | Production method of transparent electrode film |
-
1979
- 1979-10-11 JP JP12986179A patent/JPS5654702A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024038A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-14 | ||
| JPS5234391A (en) * | 1975-09-12 | 1977-03-16 | Hitachi Ltd | Production method of transparent electrode film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5654702A (en) | 1981-05-14 |
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