JP2875561B2 - タングステン薄膜電極用基板 - Google Patents
タングステン薄膜電極用基板Info
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- JP2875561B2 JP2875561B2 JP31276089A JP31276089A JP2875561B2 JP 2875561 B2 JP2875561 B2 JP 2875561B2 JP 31276089 A JP31276089 A JP 31276089A JP 31276089 A JP31276089 A JP 31276089A JP 2875561 B2 JP2875561 B2 JP 2875561B2
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- tungsten
- thin film
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、例えば、CCDカメラの撮像部の電極板等を
形成する際に用いられるタングステン薄膜電極用基板に
関する。
形成する際に用いられるタングステン薄膜電極用基板に
関する。
［従来の技術］ 例えば、CCDカメラの撮像部の電極板は、ガラス基板
にタングステン膜が形成されたタングステン薄膜電極用
基板のタングステン膜に所定の回路パターンを形成した
ものである。
にタングステン膜が形成されたタングステン薄膜電極用
基板のタングステン膜に所定の回路パターンを形成した
ものである。
従来のタングステン薄膜電極用基板は、マグネトロン
スパッタ法によって、ガラス等の絶縁性基板の表面に直
接タングステン膜を成膜したものであった。
スパッタ法によって、ガラス等の絶縁性基板の表面に直
接タングステン膜を成膜したものであった。
ところで、このタングステン薄膜電極用基板は、通
常、所定の用途毎に製造され、したがって、製造後、そ
れ程時間をおかずに所定の回路パターンが形成されてい
た。それゆえ、成膜時にタングステン膜に内部応力が生
じても、その内部応力は回路パターン形成によって解消
され、問題となることはなかった。
常、所定の用途毎に製造され、したがって、製造後、そ
れ程時間をおかずに所定の回路パターンが形成されてい
た。それゆえ、成膜時にタングステン膜に内部応力が生
じても、その内部応力は回路パターン形成によって解消
され、問題となることはなかった。
［発明が解決しようとする課題］ ところが、近年になって、前記タングステン薄膜電極
用基板が種々の用途に大量に用いられるようになった。
このため、予め用途を決めることなく大量に生産して在
庫しておき、必要時に引き出して所定の回路パターンを
形成して所定の用途に用いる機会が多くなった。その結
果、製造後、回路パターンを形成することなく長期間保
存することが必要となった。
用基板が種々の用途に大量に用いられるようになった。
このため、予め用途を決めることなく大量に生産して在
庫しておき、必要時に引き出して所定の回路パターンを
形成して所定の用途に用いる機会が多くなった。その結
果、製造後、回路パターンを形成することなく長期間保
存することが必要となった。
しかしながら、従来のタングステン薄膜電極用基板
は、回路パターンを形成することなく保存すると、タン
グステン膜の残留内部応力の影響で膜割れが発生し、こ
の膜割れが時間経過とともに成長するおそれが高く、長
期間の保存に耐えられないという問題点があった。この
問題点を解決するために、成膜時の基板加熱、スパッタ
ガス圧、あるいは、基板ガラスの硝種等の成膜条件を選
定する試みがなされた。この試みによって、タングステ
ン膜に生ずる残留応力を若干減ずることができたが、極
めて不十分であり、長期間保存した場合に発生する膜割
れを十分防止できるまでには至らなかった。しかも、そ
の成膜条件の設定も極めて微妙な調整が必要であり、安
定した製造が困難であった。
は、回路パターンを形成することなく保存すると、タン
グステン膜の残留内部応力の影響で膜割れが発生し、こ
の膜割れが時間経過とともに成長するおそれが高く、長
期間の保存に耐えられないという問題点があった。この
問題点を解決するために、成膜時の基板加熱、スパッタ
ガス圧、あるいは、基板ガラスの硝種等の成膜条件を選
定する試みがなされた。この試みによって、タングステ
ン膜に生ずる残留応力を若干減ずることができたが、極
めて不十分であり、長期間保存した場合に発生する膜割
れを十分防止できるまでには至らなかった。しかも、そ
の成膜条件の設定も極めて微妙な調整が必要であり、安
定した製造が困難であった。
本発明は、種々の実験の結果、基板とタングステン膜
との間に特定の材質および厚さを有する膜をスパッタリ
ング法で形成して介在させることにより、所定の特性が
得られるという事実をみいだし、この事実に基づいてな
されたものであり、通常の成膜条件で製造することがで
き、かつ、長期間保存しても膜割れが発生しないタング
ステン薄膜電極用基板を提供することを目的としたもの
である。
との間に特定の材質および厚さを有する膜をスパッタリ
ング法で形成して介在させることにより、所定の特性が
得られるという事実をみいだし、この事実に基づいてな
されたものであり、通常の成膜条件で製造することがで
き、かつ、長期間保存しても膜割れが発生しないタング
ステン薄膜電極用基板を提供することを目的としたもの
である。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、以下の構成とすることにより上述の課題を
解決している。
解決している。
絶縁性基板と、 この絶縁性基板上にスパッタ法で形成され、酸化ケイ
素、酸化アルミニウムまたは酸化ジルコニウムからなる
厚さ200Å〜500Åの中間膜と、 前記中間膜上にマグネトロンスパッタ法で形成され、
厚さ0.2μｍ〜0.6μｍのタングステン膜とを有する構
成。
素、酸化アルミニウムまたは酸化ジルコニウムからなる
厚さ200Å〜500Åの中間膜と、 前記中間膜上にマグネトロンスパッタ法で形成され、
厚さ0.2μｍ〜0.6μｍのタングステン膜とを有する構
成。
［作用］ 上述の構成において、前記中間膜を設けたことによ
り、長期間（１ケ月）保存してもタングステン膜に膜割
れが発生することはなくなった。この中間膜の作用は、
タングステン成膜時における残留応力の発生を十分に抑
制し、かつ、成膜後に残留応力が残っている場合にはそ
の応力を自然に開放するものと推定されるが、理論的メ
カニズムはわかっていない。
り、長期間（１ケ月）保存してもタングステン膜に膜割
れが発生することはなくなった。この中間膜の作用は、
タングステン成膜時における残留応力の発生を十分に抑
制し、かつ、成膜後に残留応力が残っている場合にはそ
の応力を自然に開放するものと推定されるが、理論的メ
カニズムはわかっていない。
［実施例］ 第１図は本発明の一実施例の構成を示す部分断面図で
ある。以下、第１図を参照しながら一実施例を詳述す
る。
ある。以下、第１図を参照しながら一実施例を詳述す
る。
第１図において、符号１は絶縁性基板、符号２は中間
膜、符号３はタングステン膜である。
膜、符号３はタングステン膜である。
前記絶縁性基板１は、ガラス、誘電体もしくはセラミ
ックス等の絶縁性材料であればよいが、この実施例で
は、ソーダライムガラスを採用している。この絶縁性基
板１の表面には、中間膜２が形成されている。
ックス等の絶縁性材料であればよいが、この実施例で
は、ソーダライムガラスを採用している。この絶縁性基
板１の表面には、中間膜２が形成されている。
この中間膜２は、酸化アルミニウムからなるもので、
マグネトロンスパッタ法で成膜されたものである。な
お、成膜条件は、通常の成膜条件でよい。この中間膜２
の厚さt1は、200Å〜500Åとされる。この範囲であれ
ば、所定の特性が得られ、これよりも薄くても厚くても
所定の特性が得られなくなる場合がある。なお、成膜法
は、マグネトロンスパッタ法が最適であるが、他の通常
のスパッタ法で行っても一定の特性が得られることが確
認されている。
マグネトロンスパッタ法で成膜されたものである。な
お、成膜条件は、通常の成膜条件でよい。この中間膜２
の厚さt1は、200Å〜500Åとされる。この範囲であれ
ば、所定の特性が得られ、これよりも薄くても厚くても
所定の特性が得られなくなる場合がある。なお、成膜法
は、マグネトロンスパッタ法が最適であるが、他の通常
のスパッタ法で行っても一定の特性が得られることが確
認されている。
前記中間膜２の上には、タングステン膜３が形成され
ている。このタングステン膜３はマグネトロンスパッタ
法で成膜する。成膜条件は、通常の条件でよい。また、
膜厚t2は、0.2μｍ〜0.6μｍとする。膜厚が0.2μｍ以
下だと電極としての機能を果たすのには薄すぎ、0.6μ
ｍ以上にすると均一な膜質が得られ難くなるからであ
る。
ている。このタングステン膜３はマグネトロンスパッタ
法で成膜する。成膜条件は、通常の条件でよい。また、
膜厚t2は、0.2μｍ〜0.6μｍとする。膜厚が0.2μｍ以
下だと電極としての機能を果たすのには薄すぎ、0.6μ
ｍ以上にすると均一な膜質が得られ難くなるからであ
る。
上述のタングステン薄膜電極用基板を、温度21〜22
℃、湿度40％の環境下で１ケ月間保存したところ、膜割
れは全く認められなかった。
℃、湿度40％の環境下で１ケ月間保存したところ、膜割
れは全く認められなかった。
次に、第２図を参照しながら上述の一実施例の製造例
を説明する。
を説明する。
まず、所定の厚さのソーダライムガラスを所定の大き
さに切り出し、表面を研摩して絶縁性基板１を作製す
る。
さに切り出し、表面を研摩して絶縁性基板１を作製す
る。
次に、第２図（ａ）に示されるように、前記絶縁性基
板１の表面に、RFマグネトロンスパッタ法によって厚さ
300Åの酸化アルミニウムの薄膜からなる中間膜２を形
成する。そのときの成膜条件は以下の通りとする。
板１の表面に、RFマグネトロンスパッタ法によって厚さ
300Åの酸化アルミニウムの薄膜からなる中間膜２を形
成する。そのときの成膜条件は以下の通りとする。
RFパワー;2Kw スパッタガス;Ar ガス圧;1×10-3Torr 次に、第２図（ｂ）に示されるように、前記中間膜２
の上に、DCマグネトロンスパッタ法によって厚さ0.2μ
ｍのタングステン膜３を形成する。そのときの成膜条件
は以下のとうりとする。
の上に、DCマグネトロンスパッタ法によって厚さ0.2μ
ｍのタングステン膜３を形成する。そのときの成膜条件
は以下のとうりとする。
パワー;3.0Kw スパッタガス;Ar ガス圧;1.0×10-3Torr こうして得られたタングステン薄膜電極用基板を、温
度21〜22℃、湿度40％の環境下で１ケ月間保存したとこ
ろ、膜割れは全く認められなかった。
度21〜22℃、湿度40％の環境下で１ケ月間保存したとこ
ろ、膜割れは全く認められなかった。
なお、前記中間膜２を、酸化ケイ素および酸化ジルコ
ニウムで形成しても全く同様の結果が得られた。
ニウムで形成しても全く同様の結果が得られた。
また、前記中間膜２およびタングステン膜３の厚さを
上述の範囲で種々変えて製造した場合もほぼ同一の結果
が得られた。
上述の範囲で種々変えて製造した場合もほぼ同一の結果
が得られた。
［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明は、基板とタングステン
膜との間に特定の材質および厚さを有する膜をスパッタ
リング法で形成して介在させることにより、通常の成膜
条件で製造することができ、かつ、長期間保存しても膜
割れが発生しないタングステン薄膜電極用基板を得てい
るものである。
膜との間に特定の材質および厚さを有する膜をスパッタ
リング法で形成して介在させることにより、通常の成膜
条件で製造することができ、かつ、長期間保存しても膜
割れが発生しないタングステン薄膜電極用基板を得てい
るものである。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す部分断面図、第
２図は一実施例の製造例の製造工程図である。 １……絶縁性基板、２……中間膜、３……タングステン
膜。
２図は一実施例の製造例の製造工程図である。 １……絶縁性基板、２……中間膜、３……タングステン
膜。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板と、 この絶縁性基板上にスパッタ法で形成され、酸化ケイ
素、酸化アルミニウムまたは酸化ジルコニウムからなる
厚さ200Å〜500Åの中間膜と、 前記中間膜上にマグネトロンスパッタ法で形成され、厚
さ0.2μｍ〜0.6μｍのタングステン膜とを有するタング
ステン薄膜電極用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31276089A JP2875561B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | タングステン薄膜電極用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31276089A JP2875561B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | タングステン薄膜電極用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173764A JPH03173764A (ja) | 1991-07-29 |
| JP2875561B2 true JP2875561B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=18033096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31276089A Expired - Lifetime JP2875561B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | タングステン薄膜電極用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2875561B2 (ja) |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP31276089A patent/JP2875561B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03173764A (ja) | 1991-07-29 |
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Legal Events
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