JP2000144419A - 誘電体薄膜の製造方法 - Google Patents
誘電体薄膜の製造方法Info
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- JP2000144419A JP2000144419A JP10322332A JP32233298A JP2000144419A JP 2000144419 A JP2000144419 A JP 2000144419A JP 10322332 A JP10322332 A JP 10322332A JP 32233298 A JP32233298 A JP 32233298A JP 2000144419 A JP2000144419 A JP 2000144419A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基体に薄膜堆積中、または堆積終了後、前記薄
膜にエネルギービームをパルス状に照射することによ
り、薄膜中の結晶粒のサイズを微小化し、緻密化して、
強誘電特性が良く、漏れ電流密度も小さく素子寿命も長
い誘電体薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】ホルダー１に設置された基体２上に、所望
の誘電体薄膜と同じ構成元素からなるスパッタターゲッ
ト３をアルゴンイオンでスパッタして、薄膜を堆積させ
る。誘電体薄膜堆積時、または堆積後に、エネルギービ
ーム５を、シャッター６でチョッピングして照射する。
これによりパルス状のエネルギービームの照射が小さく
密なゲイン(grain)を生成し、薄膜中の結晶粒のサイズ
を微小化し、緻密化でき、強誘電特性が良く、漏れ電流
密度も小さく素子寿命も長くできる。
膜にエネルギービームをパルス状に照射することによ
り、薄膜中の結晶粒のサイズを微小化し、緻密化して、
強誘電特性が良く、漏れ電流密度も小さく素子寿命も長
い誘電体薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】ホルダー１に設置された基体２上に、所望
の誘電体薄膜と同じ構成元素からなるスパッタターゲッ
ト３をアルゴンイオンでスパッタして、薄膜を堆積させ
る。誘電体薄膜堆積時、または堆積後に、エネルギービ
ーム５を、シャッター６でチョッピングして照射する。
これによりパルス状のエネルギービームの照射が小さく
密なゲイン(grain)を生成し、薄膜中の結晶粒のサイズ
を微小化し、緻密化でき、強誘電特性が良く、漏れ電流
密度も小さく素子寿命も長くできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ICカード、移動体
通信機器用フィルター等のマルチメディアシステム等に
有用な強誘電体メモリー、集積化回路用誘電体フィルタ
ー等の素子に使われる誘電体薄膜の製造に関わるもので
ある。
通信機器用フィルター等のマルチメディアシステム等に
有用な強誘電体メモリー、集積化回路用誘電体フィルタ
ー等の素子に使われる誘電体薄膜の製造に関わるもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】メモリー用酸化物強誘電体薄膜は、構成
する金属元素を含んだ溶剤を、スピンコート法等で、基
体上に塗布した後、熱処理をする方法。加熱した基体上
に、薄膜を堆積するMOCVD法、スパッタ法で作製され
る。
する金属元素を含んだ溶剤を、スピンコート法等で、基
体上に塗布した後、熱処理をする方法。加熱した基体上
に、薄膜を堆積するMOCVD法、スパッタ法で作製され
る。
【０００３】しかし、基体上への薄膜塗布、堆積後に熱
処理をする方法では、熱処理温度が通常800℃以上と高
く、基体との界面での元素の相互拡散があり、薄膜の特
性を劣化させていた。また、MOCVD法でも、基体加熱温
度も800℃以上と高く、同様な問題があった。スパッタ
法等の物理蒸着法では、基体の加熱温度は比較的低い
が、プラズマで基体成分がゲッタリングされ、薄膜中に
混在して同じく優れた特性の薄膜を得るのが困難であっ
た。さらに、Bi系、Pb系をはじめとする強誘電体材料を
薄膜化して、DRAM等のメモリー素子として用いる場合、
薄膜中のgrain（結晶粒）サイズが小さい程良く、それ
らが密に詰まっているほど強誘電特性が良く、漏れ電流
密度も小さく素子寿命も長いことが知られている。薄膜
の加熱は、薄膜堆積時には、ヒーターで基体を一定の温
度に加熱して行われる。しかしながら、一定温度の加熱
では、薄膜材料が基体上へ供給される限り、グレイン(g
rain)が成長し続け、ほぼ薄膜の膜厚に等しいサイズに
までなっていた。さらに、基体温度を、300℃以下の低
温にして、非晶質の薄膜を形成した後、結晶性を得るた
めに熱処理を施しても、grainサイズは、直径で100nm以
上に成長してしまうか、または、数10nmと100nm程度のg
rainが混在した薄膜が限界であった。
処理をする方法では、熱処理温度が通常800℃以上と高
く、基体との界面での元素の相互拡散があり、薄膜の特
性を劣化させていた。また、MOCVD法でも、基体加熱温
度も800℃以上と高く、同様な問題があった。スパッタ
法等の物理蒸着法では、基体の加熱温度は比較的低い
が、プラズマで基体成分がゲッタリングされ、薄膜中に
混在して同じく優れた特性の薄膜を得るのが困難であっ
た。さらに、Bi系、Pb系をはじめとする強誘電体材料を
薄膜化して、DRAM等のメモリー素子として用いる場合、
薄膜中のgrain（結晶粒）サイズが小さい程良く、それ
らが密に詰まっているほど強誘電特性が良く、漏れ電流
密度も小さく素子寿命も長いことが知られている。薄膜
の加熱は、薄膜堆積時には、ヒーターで基体を一定の温
度に加熱して行われる。しかしながら、一定温度の加熱
では、薄膜材料が基体上へ供給される限り、グレイン(g
rain)が成長し続け、ほぼ薄膜の膜厚に等しいサイズに
までなっていた。さらに、基体温度を、300℃以下の低
温にして、非晶質の薄膜を形成した後、結晶性を得るた
めに熱処理を施しても、grainサイズは、直径で100nm以
上に成長してしまうか、または、数10nmと100nm程度のg
rainが混在した薄膜が限界であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来の
問題を解決するため、薄膜中の結晶粒のサイズを微小化
し、緻密化して、強誘電特性が良く、漏れ電流密度も小
さく素子寿命も長い誘電体薄膜の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
問題を解決するため、薄膜中の結晶粒のサイズを微小化
し、緻密化して、強誘電特性が良く、漏れ電流密度も小
さく素子寿命も長い誘電体薄膜の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る誘電体薄膜の製造方法は、基体に薄膜
堆積中、または堆積終了後、前記薄膜にエネルギービー
ムをパルス状に照射することを特徴とする。この誘電体
薄膜の製造方法によれば、誘電体材料の結晶核が薄膜中
に形成され、粒径の小さい薄膜が作成でき、薄膜の誘電
性の電気特性が向上する。
め、本発明に係る誘電体薄膜の製造方法は、基体に薄膜
堆積中、または堆積終了後、前記薄膜にエネルギービー
ムをパルス状に照射することを特徴とする。この誘電体
薄膜の製造方法によれば、誘電体材料の結晶核が薄膜中
に形成され、粒径の小さい薄膜が作成でき、薄膜の誘電
性の電気特性が向上する。
【０００６】また、前記本発明の誘電体薄膜の製造方法
においては、エネルギービームが、レーザー光、マイク
ロ波、イオンビーム、赤外線加熱から選ばれる少なくと
も一つのビームまたはこれらの組み合わせのものである
ことが好ましい。この好ましい例によれば、誘電材料の
結晶核の大きさを制御でき、薄膜の誘電特性がさらに向
上できる。
においては、エネルギービームが、レーザー光、マイク
ロ波、イオンビーム、赤外線加熱から選ばれる少なくと
も一つのビームまたはこれらの組み合わせのものである
ことが好ましい。この好ましい例によれば、誘電材料の
結晶核の大きさを制御でき、薄膜の誘電特性がさらに向
上できる。
【０００７】また、前記本発明の誘電体薄膜の製造方法
においては、エネルギービームの波長が、前記誘電体材
料が吸収する波長であることが好ましい。この好ましい
例によれば、エネルギー効率良く、薄膜中に結晶核を形
成でき、また不要な結晶の成長を抑制できるので、薄膜
の誘電特性がさらに向上できる。
においては、エネルギービームの波長が、前記誘電体材
料が吸収する波長であることが好ましい。この好ましい
例によれば、エネルギー効率良く、薄膜中に結晶核を形
成でき、また不要な結晶の成長を抑制できるので、薄膜
の誘電特性がさらに向上できる。
【０００８】また、前記本発明の誘電体薄膜の製造方法
においては、エネルギービーム照射後、誘電体薄膜に熱
処理をすることが好ましい。この好ましい例によれば、
誘電体材料の結晶核の形成後に薄膜を熱処理をすること
で、薄膜の結晶性と緻密性をさらに向上でき、粒径の小
さい薄膜が作成でき、薄膜の誘電特性がさらに向上でき
る。
においては、エネルギービーム照射後、誘電体薄膜に熱
処理をすることが好ましい。この好ましい例によれば、
誘電体材料の結晶核の形成後に薄膜を熱処理をすること
で、薄膜の結晶性と緻密性をさらに向上でき、粒径の小
さい薄膜が作成でき、薄膜の誘電特性がさらに向上でき
る。
【０００９】また、前記誘電体薄膜が、強誘電性または
圧電性を示すものであると一層特性向上の効果が得られ
る。また、前記本発明の製造方法で作製した誘電体薄膜
を用いることによって、信頼性、耐久性の高い誘電体薄
膜モジュール素子を構成できる。
圧電性を示すものであると一層特性向上の効果が得られ
る。また、前記本発明の製造方法で作製した誘電体薄膜
を用いることによって、信頼性、耐久性の高い誘電体薄
膜モジュール素子を構成できる。
【００１０】また、前記誘電体薄膜が、強誘電性または
圧電性を示すものであると一層素子特性向上の効果が得
られる。
圧電性を示すものであると一層素子特性向上の効果が得
られる。
【００１１】
【実施例】本発明者らは、基体上への薄膜堆積条件、堆
積後の熱処理条件とgrainサイズの関係を、実験的に検
討した。その結果、短い時間間隔（パルス状）の薄膜の
加熱が有効であることがわかった。すなわちパルス状の
エネルギービームの照射が、小さく、密なgrainを生成
することを見いだした。
積後の熱処理条件とgrainサイズの関係を、実験的に検
討した。その結果、短い時間間隔（パルス状）の薄膜の
加熱が有効であることがわかった。すなわちパルス状の
エネルギービームの照射が、小さく、密なgrainを生成
することを見いだした。
【００１２】
【実施例１】まず本発明者らによる、薄膜堆積中のエネ
ルギービームの照射の効果を示す具体的な実施例を示
す。
ルギービームの照射の効果を示す具体的な実施例を示
す。
【００１３】透過型電子顕微鏡、Ｘ線回折などを用いた
本発明者らの分析によると、基体の温度が４００℃あた
りから、誘電体薄膜の結晶核が形成されることがわかっ
た。結晶核の形成温度以上に、基体のを加熱したまま薄
膜を堆積すると、薄膜堆積終了時まで、grainが成長し
てしまうので、実験は、ヒーター等による基体の加熱は
せずに行った。
本発明者らの分析によると、基体の温度が４００℃あた
りから、誘電体薄膜の結晶核が形成されることがわかっ
た。結晶核の形成温度以上に、基体のを加熱したまま薄
膜を堆積すると、薄膜堆積終了時まで、grainが成長し
てしまうので、実験は、ヒーター等による基体の加熱は
せずに行った。
【００１４】図１に本実施例で用いた、誘電体薄膜製造
装置の概略図を示す。ホルダー１に設置された基体２上
に、所望の誘電体薄膜と同じ構成元素からなるスパッタ
ターゲット３をアルゴンイオンでスパッタして、薄膜を
堆積させた。基体２上への誘電体薄膜堆積時には、シャ
ッター４を開放し、さらに、誘電体薄膜には、エネルギ
ービーム５を、シャッター６でチョッピングして照射し
た。図１中、シャッター６以外は、真空容器内に納めら
れている。本実施例では、基体２として、Ｎｂを１atom
％ドープしたＳｒＴｉＯ3（１００）、Ｐｔをコートし
たＳｉ（１００）を用いた。ＳｒＣＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｔ
ａ2Ｏ5粉体をＳｒ：Ｂｉ：Ｔａ＝１：２：２になるよう
に、秤量、混合後、９００℃、１０時間、空気中で焼成
した。焼成後、セラミックスを粉砕し、粉砕粉末を直径
７５ｍｍ、厚み３ｍｍのディスク状に成形して、８５０
℃、５時間、空気中で再焼成してスパッタターゲット３
を作製した。アルゴンと酸素の混合ガス（Ａｒ：Ｏ2＝
４：１、１Ｐａ）雰囲気中で、１００Ｗの高周波（１
３．５６ＭＨｚ）をスパッタターゲット３に注入して、
スパッタを行った。シャッター４を開放して、２時間の
スパッタで、基体２上に堆積されたＳｒ−Ｂｉ−Ｔａ−
Ｏ誘電体膜の膜厚は１μｍであった。エネルギービーム
５として、赤外線ランプを用いた。
装置の概略図を示す。ホルダー１に設置された基体２上
に、所望の誘電体薄膜と同じ構成元素からなるスパッタ
ターゲット３をアルゴンイオンでスパッタして、薄膜を
堆積させた。基体２上への誘電体薄膜堆積時には、シャ
ッター４を開放し、さらに、誘電体薄膜には、エネルギ
ービーム５を、シャッター６でチョッピングして照射し
た。図１中、シャッター６以外は、真空容器内に納めら
れている。本実施例では、基体２として、Ｎｂを１atom
％ドープしたＳｒＴｉＯ3（１００）、Ｐｔをコートし
たＳｉ（１００）を用いた。ＳｒＣＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｔ
ａ2Ｏ5粉体をＳｒ：Ｂｉ：Ｔａ＝１：２：２になるよう
に、秤量、混合後、９００℃、１０時間、空気中で焼成
した。焼成後、セラミックスを粉砕し、粉砕粉末を直径
７５ｍｍ、厚み３ｍｍのディスク状に成形して、８５０
℃、５時間、空気中で再焼成してスパッタターゲット３
を作製した。アルゴンと酸素の混合ガス（Ａｒ：Ｏ2＝
４：１、１Ｐａ）雰囲気中で、１００Ｗの高周波（１
３．５６ＭＨｚ）をスパッタターゲット３に注入して、
スパッタを行った。シャッター４を開放して、２時間の
スパッタで、基体２上に堆積されたＳｒ−Ｂｉ−Ｔａ−
Ｏ誘電体膜の膜厚は１μｍであった。エネルギービーム
５として、赤外線ランプを用いた。
【００１５】本実施例では、赤外線ビーム５の基体２お
よび、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜への照射は、照射時間：
非照射時間の比率を１：１になるようにシャッター６の
開閉タイミングを調整して、周期時間を変えて行い、Ｓ
ｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ薄膜中の結晶粒サイズ、強誘電特性
を調べた。Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜の分析、測定にあた
っては、酸素雰囲気中で６００℃、１時間の熱処理を
し、薄膜表面に、直径０．５ｍｍ、厚み１μｍのＡｌ電
極を形成した。
よび、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜への照射は、照射時間：
非照射時間の比率を１：１になるようにシャッター６の
開閉タイミングを調整して、周期時間を変えて行い、Ｓ
ｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ薄膜中の結晶粒サイズ、強誘電特性
を調べた。Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜の分析、測定にあた
っては、酸素雰囲気中で６００℃、１時間の熱処理を
し、薄膜表面に、直径０．５ｍｍ、厚み１μｍのＡｌ電
極を形成した。
【００１６】図２に、赤外線ビーム５の照射周期を変え
たときの、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜の、Ａｌ電極とＮｂ
−ＳｒＴｉＯ3基体２間に直流電圧を印加したときの漏
れ電流密度（Leakage current density）を測定した結
果を示す。図２において、曲線７は赤外線ビーム５を照
射しないとき、曲線８は照射周期３０秒、曲線９は照射
周期０．５秒のときの結果を示す。赤外線ビーム５を照
射することによって、漏れ電流密度を低減できることを
確認できた。
たときの、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜の、Ａｌ電極とＮｂ
−ＳｒＴｉＯ3基体２間に直流電圧を印加したときの漏
れ電流密度（Leakage current density）を測定した結
果を示す。図２において、曲線７は赤外線ビーム５を照
射しないとき、曲線８は照射周期３０秒、曲線９は照射
周期０．５秒のときの結果を示す。赤外線ビーム５を照
射することによって、漏れ電流密度を低減できることを
確認できた。
【００１７】また、±３Ｖ以内の実用的な使用電圧範囲
で、漏れ電流密度が１０-6A/cm2以下であることが望ま
れる。
で、漏れ電流密度が１０-6A/cm2以下であることが望ま
れる。
【００１８】
【実施例２】次に、本発明者らによる、薄膜堆積後のエ
ネルギービームの照射の効果を示す具体的な実施例を示
す。
ネルギービームの照射の効果を示す具体的な実施例を示
す。
【００１９】本発明者らは、非晶質状の誘電体薄膜を、
熱処理をし、透過型電子顕微鏡、Ｘ線回折などを用い、
結晶構造の変化を調べた。本発明者らの分析によると、
熱処理の温度が４００℃あたりから、誘電体薄膜の結晶
核が形成されることがわかった。結晶核の形成温度以上
で、薄膜を熱処理すると、grainが成長してしまうの
で、本実施例では、エネルギービームを非晶質誘電体薄
膜に照射した後に、熱処理を行った。
熱処理をし、透過型電子顕微鏡、Ｘ線回折などを用い、
結晶構造の変化を調べた。本発明者らの分析によると、
熱処理の温度が４００℃あたりから、誘電体薄膜の結晶
核が形成されることがわかった。結晶核の形成温度以上
で、薄膜を熱処理すると、grainが成長してしまうの
で、本実施例では、エネルギービームを非晶質誘電体薄
膜に照射した後に、熱処理を行った。
【００２０】本実施例では、前記の図１の実験装置を用
いた。すなわち、基体２上に膜厚２μｍの非晶質Ｓｒ−
Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜を加熱なしに堆積した後、赤外線ビー
ム５をシャッター６でチョッピングして、照射した。本
実施例では、赤外線ビーム５のＳｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜
への照射は、照射時間：非照射時間の比率を１：１にな
るようにシャッター６の開閉タイミングを調整して、周
期時間を変え行い、その後、酸素雰囲気中で７００℃、
１時間の熱処理をして、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ薄膜中の
結晶粒サイズ、強誘電特性を調べた。結晶粒サイズは、
走査型と透過型電子顕微鏡、Ｘ線回折で同定した。強誘
電特性の測定は、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ薄膜表面に、直
径０．５ｍｍ、厚み１μｍのＡｌ電極を形成して行っ
た。
いた。すなわち、基体２上に膜厚２μｍの非晶質Ｓｒ−
Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜を加熱なしに堆積した後、赤外線ビー
ム５をシャッター６でチョッピングして、照射した。本
実施例では、赤外線ビーム５のＳｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜
への照射は、照射時間：非照射時間の比率を１：１にな
るようにシャッター６の開閉タイミングを調整して、周
期時間を変え行い、その後、酸素雰囲気中で７００℃、
１時間の熱処理をして、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ薄膜中の
結晶粒サイズ、強誘電特性を調べた。結晶粒サイズは、
走査型と透過型電子顕微鏡、Ｘ線回折で同定した。強誘
電特性の測定は、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ薄膜表面に、直
径０．５ｍｍ、厚み１μｍのＡｌ電極を形成して行っ
た。
【００２１】図３に赤外線ビーム５の照射周期を変えた
ときの、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜の、Ａｌ電極とＮｂ−
ＳｒＴｉＯ3基体２間に直流電圧を印加したときの漏れ
電流密度（Leakage current density）を測定した結果
を示す。図３において、曲線１０は赤外線ビーム５を照
射しないとき、曲線１１は照射周期３０秒、曲線１２は
照射周期０．５秒のときの結果を示す。赤外線ビーム５
を照射することによって、漏れ電流密度を低減できるこ
とを確認できた。
ときの、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ膜の、Ａｌ電極とＮｂ−
ＳｒＴｉＯ3基体２間に直流電圧を印加したときの漏れ
電流密度（Leakage current density）を測定した結果
を示す。図３において、曲線１０は赤外線ビーム５を照
射しないとき、曲線１１は照射周期３０秒、曲線１２は
照射周期０．５秒のときの結果を示す。赤外線ビーム５
を照射することによって、漏れ電流密度を低減できるこ
とを確認できた。
【００２２】なお、本発明者らは、前記ビーム５の照射
周期が１秒以下にすると実用使用電圧範囲での漏れ電流
密度が１０-6A/cm2以下で、再現性の高いことを確認し
た。なお、本発明者らは、前記ビーム５の種類を検討し
た結果、レーザー光、マイクロ波、ミリ波、イオンビー
ムも、前記実施例の赤外線ビームと同様な効果のあるこ
とを確認した。
周期が１秒以下にすると実用使用電圧範囲での漏れ電流
密度が１０-6A/cm2以下で、再現性の高いことを確認し
た。なお、本発明者らは、前記ビーム５の種類を検討し
た結果、レーザー光、マイクロ波、ミリ波、イオンビー
ムも、前記実施例の赤外線ビームと同様な効果のあるこ
とを確認した。
【００２３】さらに、前記ビーム５として電磁波の波長
あるいは周波数を検討した結果、誘電体材料が吸収する
波長の電磁波を用いると、より効果的であることを確認
した。
あるいは周波数を検討した結果、誘電体材料が吸収する
波長の電磁波を用いると、より効果的であることを確認
した。
【００２４】なお、本発明は、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ材
料以外のＢｉ系強誘電体材料、Ｔｉを含む強誘電体材料
および高誘電体材料、酸化物のみならず窒化物の強誘電
体材料および高誘電体材料について有効であることも確
認した。
料以外のＢｉ系強誘電体材料、Ｔｉを含む強誘電体材料
および高誘電体材料、酸化物のみならず窒化物の強誘電
体材料および高誘電体材料について有効であることも確
認した。
【００２５】なお、本発明者らは、図１において、基体
２として、ｎ型のＳｉを用いてメモリー素子を作製した
ところ、疲労特性にも優れた性能を示すことを確認し
た。
２として、ｎ型のＳｉを用いてメモリー素子を作製した
ところ、疲労特性にも優れた性能を示すことを確認し
た。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の誘電体薄
膜の製造方法は、パルス状のエネルギービームを強誘電
体、高誘電体特性を示す材料を含む誘電体薄膜に、基体
上へ堆積中、または堆積終了後に照射することで、薄膜
中の結晶粒のサイズを微小化し、緻密化でき、強誘電特
性が良く、漏れ電流密度も小さく素子寿命も長くでき
る。
膜の製造方法は、パルス状のエネルギービームを強誘電
体、高誘電体特性を示す材料を含む誘電体薄膜に、基体
上へ堆積中、または堆積終了後に照射することで、薄膜
中の結晶粒のサイズを微小化し、緻密化でき、強誘電特
性が良く、漏れ電流密度も小さく素子寿命も長くでき
る。
【図１】本発明の一実施例の薄膜製造に用いた装置の概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】本発明の一実施例による誘電体薄膜の漏れ電流
密度の電圧特性である。
密度の電圧特性である。
【図３】本発明の別の実施例による誘電体薄膜の漏れ電
流密度の電圧特性である。
流密度の電圧特性である。
１ 基体ホルダー ２ 基体 ３ スパッタターゲット３ ４ シャッター ５ エネルギービーム ６ シャッター ７，８，９，１０，１１，１２ 誘電体薄膜の漏れ電流
密度の電圧特性
密度の電圧特性
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/8247 Ｈ０１Ｌ 29/78 ３７１ 29/788 29/792 // Ｈ０１Ｌ 21/203 (72)発明者 榊間 博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 BA50 BC00 BD01 CA05 DC05 DC09 GA00 GA01 5F001 AA17 AG30 5F058 BA11 BB10 BC01 BC03 BC10 BC20 BF06 BF12 BF46 BF75 BF76 BF77 BF80 BH01 BH03 BJ01 5F083 FR01 GA06 GA21 JA14 JA17 JA36 PR33 5F103 AA08 BB22 DD27 DD30 GG02 HH03 LL14 LL20 PP03 PP18 PP19 PP20 RR05 RR06 RR10
Claims (7)
- 【請求項１】 基体上に薄膜堆積中または堆積終了後、
前記薄膜にパルス状のエネルギービームを照射すること
を特徴とする誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記エネルギービームが、レーザー光、
マイクロ波、イオンビームおよび赤外線加熱から選ばれ
る少なくとも一つのビーム、またはこれらの組み合わせ
のものである請求項１に記載の誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記エネルギービームを、前記誘電体材
料が吸収する請求項１に記載の誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 前記エネルギービーム照射後、誘電体薄
膜に熱処理をする請求項１に記載の誘電体薄膜の製造方
法。 - 【請求項５】 請求項１に記載した誘電体薄膜が、強誘
電性または圧電性を示すものである誘電体薄膜の製造方
法。 - 【請求項６】 請求項１に記載した製造方法で作製した
誘電体薄膜を用いる誘電体薄膜モジュール素子。 - 【請求項７】 請求項６に記載した誘電体薄膜が、強誘
電性または圧電性を示すものである誘電体薄膜モジュー
ル素子。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10322332A JP2000144419A (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 誘電体薄膜の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10322332A JP2000144419A (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 誘電体薄膜の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000144419A true JP2000144419A (ja) | 2000-05-26 |
Family
ID=18142472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10322332A Pending JP2000144419A (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 誘電体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000144419A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6787371B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-09-07 | Seiko Epson Corporation | Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same |
| US6884631B2 (en) | 2002-03-29 | 2005-04-26 | Seiko Epson Corporation | Method of forming a ferroelectric film by direct annealing of the ferroelectric film using laser or lamp followed by a second annealing through a light transmission and/or absorption film |
| US6924155B2 (en) | 2002-08-14 | 2005-08-02 | Seiko Epson Corporation | Ferroelectric memory, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same |
| US7170110B2 (en) | 2001-04-03 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| WO2007110936A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Fujitsu Limited | 半導体装置の製造方法 |
| WO2017085933A1 (ja) * | 2015-11-18 | 2017-05-26 | 国立大学法人東北大学 | 薄膜の製造方法、薄膜材料の製造方法、垂直磁気記録層、複層膜基板及び磁気記録装置 |
-
1998
- 1998-11-12 JP JP10322332A patent/JP2000144419A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7170110B2 (en) | 2001-04-03 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
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| WO2007110936A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Fujitsu Limited | 半導体装置の製造方法 |
| JP5284081B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2013-09-11 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2017085933A1 (ja) * | 2015-11-18 | 2017-05-26 | 国立大学法人東北大学 | 薄膜の製造方法、薄膜材料の製造方法、垂直磁気記録層、複層膜基板及び磁気記録装置 |
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