JPS6155811A - 透明導電膜形成用スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents
透明導電膜形成用スパツタリングタ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS6155811A JPS6155811A JP17664584A JP17664584A JPS6155811A JP S6155811 A JPS6155811 A JP S6155811A JP 17664584 A JP17664584 A JP 17664584A JP 17664584 A JP17664584 A JP 17664584A JP S6155811 A JPS6155811 A JP S6155811A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- target
- conductive film
- density
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、撮像管等に使用する透明導電膜の形成に用い
る ＩｎｚＯｓｋ主成分とするスパッタリングターゲッ
トに関する。
る ＩｎｚＯｓｋ主成分とするスパッタリングターゲッ
トに関する。
撮像管、特に光導電形撮像管の光電変換部は、透明ガラ
ス基板上に透明導電ｌ！を介して光導電膜が形成された
構造を有する。このような光電変換部に、有効面内にわ
ずかな電気的ないし光学的欠陥がめっても撮像再生画面
に輝点状欠陥、いわゆる白きすや黒点状欠陥、いわゆる
黒きずｔひきおこすために、欠陥の存在が極度に忌避さ
れることは言うまでもない。そして、程度の差はめれい
かなる撮像管にも言えることではめるが、特に透明導電
膜と光導電膜との界面に整流性接触を有する阻止形のも
のでは、透明導電膜の欠陥が整流性の破壌全意味する場
合が多く、白きずがきわめて顕著に表われてしまうこと
から、透明導電膜の形成には細心の注意を払う必要がめ
った。出願人は、先に、欠陥の少ない透明導電膜を形成
する方法としてターゲット材料の密度、すなわち構成材
料の 、純比重に対する見掛は比重の割合を８０％以上
とすること全提案しているが（特開昭５６−５４７０２
）、スパッタリングターゲットとしては、生成膜の欠陥
が少ないこととともに、膜生成の効率が良いことが望ま
れる。
ス基板上に透明導電ｌ！を介して光導電膜が形成された
構造を有する。このような光電変換部に、有効面内にわ
ずかな電気的ないし光学的欠陥がめっても撮像再生画面
に輝点状欠陥、いわゆる白きすや黒点状欠陥、いわゆる
黒きずｔひきおこすために、欠陥の存在が極度に忌避さ
れることは言うまでもない。そして、程度の差はめれい
かなる撮像管にも言えることではめるが、特に透明導電
膜と光導電膜との界面に整流性接触を有する阻止形のも
のでは、透明導電膜の欠陥が整流性の破壌全意味する場
合が多く、白きずがきわめて顕著に表われてしまうこと
から、透明導電膜の形成には細心の注意を払う必要がめ
った。出願人は、先に、欠陥の少ない透明導電膜を形成
する方法としてターゲット材料の密度、すなわち構成材
料の 、純比重に対する見掛は比重の割合を８０％以上
とすること全提案しているが（特開昭５６−５４７０２
）、スパッタリングターゲットとしては、生成膜の欠陥
が少ないこととともに、膜生成の効率が良いことが望ま
れる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、欠陥の少ない透明導電膜全生産性良く形成する
ことが可能な透明導電膜形成用スパッタリングターゲッ
トを提供することにるる。
目的は、欠陥の少ない透明導電膜全生産性良く形成する
ことが可能な透明導電膜形成用スパッタリングターゲッ
トを提供することにるる。
このような目的を達成するために本発明に、密度を８０
％以上にするとともに、それぞれが３００ｃｍ２以下の
表面積金石する単位ターゲットｉ主表面に対して３０な
いし６０度の傾斜側面で相互に重なるように整会配置し
て電極板に貼り合せた構造としたものでるる。
％以上にするとともに、それぞれが３００ｃｍ２以下の
表面積金石する単位ターゲットｉ主表面に対して３０な
いし６０度の傾斜側面で相互に重なるように整会配置し
て電極板に貼り合せた構造としたものでるる。
以下、具体的データを用いて本発＃Ｊ′ｔ−詳細に説明
する。
する。
一般に、ＩｎｚＯｓ ｋ主成分とするターゲットを用い
たスパッタリングによる透明導電膜の形成に、具体的に
はＩｎｘＯｓ 、 ８ｎＯｓ 、 ＣｄＯ等の酸化物の
粉粒体を焼結した焼結体をターゲツト体とし、Ａｒまた
は場合によってこれにさらにＨｚ ＋ Ｏｘ ｌＨ！０
等？添加した雰囲気で行なわれるが、この方法におい
て問題とされる透明導電膜の欠陥の成分全分析したとこ
ろ、少なからざる比率で焼結ターゲツト体より崩落飛散
したと推定される粒状体が発見された。
たスパッタリングによる透明導電膜の形成に、具体的に
はＩｎｘＯｓ 、 ８ｎＯｓ 、 ＣｄＯ等の酸化物の
粉粒体を焼結した焼結体をターゲツト体とし、Ａｒまた
は場合によってこれにさらにＨｚ ＋ Ｏｘ ｌＨ！０
等？添加した雰囲気で行なわれるが、この方法におい
て問題とされる透明導電膜の欠陥の成分全分析したとこ
ろ、少なからざる比率で焼結ターゲツト体より崩落飛散
したと推定される粒状体が発見された。
焼結ターゲットは、材料粉粒の製造条件、粒度分布調整
、成形条件および方法ならびに焼成条件および方法によ
って焼結密度全変化させることができるが、その密度が
るる程度大きいほど上述した粒子崩落が抑えられる傾向
かめることが推定され、その見地からターゲツト体の密
度と透明導電膜１α２当りの異物個数との関係音調べた
ところ、第１図に曲線（インで示すようにターゲツト体
の密度が大となると、形成した透明導！膜表面の欠陥が
激減することが認められ友。
、成形条件および方法ならびに焼成条件および方法によ
って焼結密度全変化させることができるが、その密度が
るる程度大きいほど上述した粒子崩落が抑えられる傾向
かめることが推定され、その見地からターゲツト体の密
度と透明導電膜１α２当りの異物個数との関係音調べた
ところ、第１図に曲線（インで示すようにターゲツト体
の密度が大となると、形成した透明導！膜表面の欠陥が
激減することが認められ友。
一方、ターゲットとして好ましい性能として、上述し次
ような粒子崩落がないことと並んで、作業性が良好なこ
とが挙げられるが、この作業性に関連して、ターゲツト
体よりのガス湧出特性に関しても、密度との関連がみら
れ友。すなわち、第１図の曲線（ロ）は、ガス湧出特性
を示す尺度として、ターゲツト体をスパッタリング装置
に装着し排気全開始してからスパッタリング作業に着手
できるよ５な５Ｘ１０ Ｔｏｒｒ の真空度になる
までの排気時間を測定したものである。ターゲット製作
後第１回目のスパッタリング作業を行なうときに多少と
も吸着ガスの影響で排気時間が長くなる傾向を有するた
めその影ｉ＃ヲ除いて示してるるか、同図から明らかな
ように、７０％に至らない程度の低密度ターゲットと８
０％金越えるような港高密度ターゲットでは真空度上昇
が早いのに対し、７５％前後の中間領域でにきわめて遅
い。これは例えば次のような機構によって説明され得る
。すなわち、焼結した夕・−ゲット表面を走査形電子顕
微鏡で観察すると、低密度ターゲットでに大小の構成微
粒子が積み重なり、粒子間の空隙は大小さまざまな迷宮
構造を有しているとみなされる。密度上昇とともに、ま
ず大形の空隙が消滅してくるが、空隙の数自体にに特に
変化は認められない。
ような粒子崩落がないことと並んで、作業性が良好なこ
とが挙げられるが、この作業性に関連して、ターゲツト
体よりのガス湧出特性に関しても、密度との関連がみら
れ友。すなわち、第１図の曲線（ロ）は、ガス湧出特性
を示す尺度として、ターゲツト体をスパッタリング装置
に装着し排気全開始してからスパッタリング作業に着手
できるよ５な５Ｘ１０ Ｔｏｒｒ の真空度になる
までの排気時間を測定したものである。ターゲット製作
後第１回目のスパッタリング作業を行なうときに多少と
も吸着ガスの影響で排気時間が長くなる傾向を有するた
めその影ｉ＃ヲ除いて示してるるか、同図から明らかな
ように、７０％に至らない程度の低密度ターゲットと８
０％金越えるような港高密度ターゲットでは真空度上昇
が早いのに対し、７５％前後の中間領域でにきわめて遅
い。これは例えば次のような機構によって説明され得る
。すなわち、焼結した夕・−ゲット表面を走査形電子顕
微鏡で観察すると、低密度ターゲットでに大小の構成微
粒子が積み重なり、粒子間の空隙は大小さまざまな迷宮
構造を有しているとみなされる。密度上昇とともに、ま
ず大形の空隙が消滅してくるが、空隙の数自体にに特に
変化は認められない。
さらに密度が高くなると、このような空隙の数が顕著に
減少しだす。その結果、ターゲット内の空隙に吸蔵され
てい良とみられる気体が、真空ボンダの排気速度が追い
つけないほどに多量に、かつゆつくりと湧出する。この
ン’Ｃめに、真空度上昇が遅くなるものと推定される。
減少しだす。その結果、ターゲット内の空隙に吸蔵され
てい良とみられる気体が、真空ボンダの排気速度が追い
つけないほどに多量に、かつゆつくりと湧出する。この
ン’Ｃめに、真空度上昇が遅くなるものと推定される。
そして、さらに密度が高くなり８０％以上になると、空
隙の数は極端に減少しだす。この状態のターゲット表面
全電子顕微鏡で観察すると、ターゲット構成時の粉末粒
子は互いに融着し合って低密度時に観察され尺ようなａ
塊は見られず、わずかな空隙は、粒子融着による微細、
緻密な網目構造の中にピンホール状に形成されている。
隙の数は極端に減少しだす。この状態のターゲット表面
全電子顕微鏡で観察すると、ターゲット構成時の粉末粒
子は互いに融着し合って低密度時に観察され尺ようなａ
塊は見られず、わずかな空隙は、粒子融着による微細、
緻密な網目構造の中にピンホール状に形成されている。
このような空隙の激減と上記網目状構造によって、高密
度ターゲットで真空度が向上するものと推定される。
度ターゲットで真空度が向上するものと推定される。
その他、ターゲツト体密度が大きくなるに従って、焼成
法にもよるが、ターゲツト体の色調が明るい黄緑色から
緑褐黒色に移行する傾向をもっており、これは′ａ底酸
酸化物一部の還元によるものでにないかと推定されるが
、これらのターゲツト体より形成された透明導電膜の電
気光学特性にはほとんど差異が認められず、また被膜の
粒状性、結晶性にも変化の傾向は認められなかった。
法にもよるが、ターゲツト体の色調が明るい黄緑色から
緑褐黒色に移行する傾向をもっており、これは′ａ底酸
酸化物一部の還元によるものでにないかと推定されるが
、これらのターゲツト体より形成された透明導電膜の電
気光学特性にはほとんど差異が認められず、また被膜の
粒状性、結晶性にも変化の傾向は認められなかった。
この結果、撮像素子に用いられるようなきわめて微細な
異物の存在金も許さない透明導電膜の形成には密度８０
％以上のターゲラ）１−使用することが好適でるること
がわかる。
異物の存在金も許さない透明導電膜の形成には密度８０
％以上のターゲラ）１−使用することが好適でるること
がわかる。
ところがここで、一般にスパッタリングによって透明導
電膜を形成する場合には、被膜形成基板に生産性良く形
成するために、ターゲットサイズ全人きくして真空装置
内を拡大することが望ましく、例えば５” Ｘ １５”
Ｘ ｌ／４’ （厚さ）等のものが使用される例が多
い。しかし、上述しｔような高密度ターゲットについて
は、Ｉｎ２Ｏ５ｔｓｎｏｓの粉末材料を高温高圧圧搾し
て板状成形体を炸裂するために、単位面積当りの圧搾量
が数千キログラムないし１トンときわめて大きな値とな
り、しかも １００００℃以上の高温中で行なう必要が
ろる几め、３００α 以下程度の比較的小さな表面積の
板状ターゲットなら、製造条件を適正化することによＪ
）Ｍ造可能でるるか、上述したような大面積のターゲッ
トを一体形で形成することは困難でるる。
電膜を形成する場合には、被膜形成基板に生産性良く形
成するために、ターゲットサイズ全人きくして真空装置
内を拡大することが望ましく、例えば５” Ｘ １５”
Ｘ ｌ／４’ （厚さ）等のものが使用される例が多
い。しかし、上述しｔような高密度ターゲットについて
は、Ｉｎ２Ｏ５ｔｓｎｏｓの粉末材料を高温高圧圧搾し
て板状成形体を炸裂するために、単位面積当りの圧搾量
が数千キログラムないし１トンときわめて大きな値とな
り、しかも １００００℃以上の高温中で行なう必要が
ろる几め、３００α 以下程度の比較的小さな表面積の
板状ターゲットなら、製造条件を適正化することによＪ
）Ｍ造可能でるるか、上述したような大面積のターゲッ
トを一体形で形成することは困難でるる。
そこで、本発明では、第２図に示すように３００酉２以
下の小形サイズの高密度ターゲット１ｔ−複数作り、切
断整形し、スパッタリング電極板２に、整合配置し有機
接着剤や低融点金属材金剛いてボンディングした貼り合
せ構造とし、目的の面積とすることでこの問題全解決し
た。この場合、Ａ！；９合せた単位ターゲット間に隙゛
間ができないようにする必要がるる。これは、もし隙間
がるると、スパッタリングによる被膜形成時にボンディ
ング材３や電極板２（これは通常Ｃよ熱伝４性の良好な
無酸素銅板で形成される）がスパッタされ、良好な特性
の透明導？４Ｍが得られなくなるためでるるか、この隙
間ｔ−なくすために、本発明では図示のよりに各単位タ
ーゲット１が相互に接合する切断側面に傾斜金つけて、
各ターゲットが部分的に重なるようにしている。このと
き、切断面を複雑な形状で嵌合させるようにすると、Ｉ
ｎａＯｓ ’ｅ主成分とする高密度ターゲットは固くも
ろいため、切断時に割れたり、ボンディング時に割れや
ひび割れが発生したりしやすいが、これは、図示のよう
に接合する切ＦｒｆＩ１１面の主表面に対する角度θを
３０〜６０波にすることにより防ぐことができる。また
このとき切断側面の接合部ｙ！ｌ：隙間なく密接させる
と、エツジ部が破損する場合かめるが、上述し九ような
構造とすれは、接合面に０，０５〜０．８ｍｍの隙間上
もたせても、虫取膜特性に影Ｉ＃を及ぼさない利点１に
有する。しかし、ターゲットは繰返し使用するため、タ
ーゲットの消耗が起こり、消耗時での接合面のボンディ
ング材料が生＃：膜特性に影響を及ぼすことが考えられ
る。発明者らによる実験の結果接合面の上述の内容を考
慮した好ましい間１！ｌｉは０−０５〜０．５ｍｍ
’ｔ ｌｉ ツ＊ｏ −貼り合せて用いる単
位ターゲット１の数はより多数とすることも可能でるる
か、ボンディングのしやすさ、スパッタによるターゲッ
ト消耗時の割れやすさ等を考慮すると、８枚以内程度が
望ましい。
下の小形サイズの高密度ターゲット１ｔ−複数作り、切
断整形し、スパッタリング電極板２に、整合配置し有機
接着剤や低融点金属材金剛いてボンディングした貼り合
せ構造とし、目的の面積とすることでこの問題全解決し
た。この場合、Ａ！；９合せた単位ターゲット間に隙゛
間ができないようにする必要がるる。これは、もし隙間
がるると、スパッタリングによる被膜形成時にボンディ
ング材３や電極板２（これは通常Ｃよ熱伝４性の良好な
無酸素銅板で形成される）がスパッタされ、良好な特性
の透明導？４Ｍが得られなくなるためでるるか、この隙
間ｔ−なくすために、本発明では図示のよりに各単位タ
ーゲット１が相互に接合する切断側面に傾斜金つけて、
各ターゲットが部分的に重なるようにしている。このと
き、切断面を複雑な形状で嵌合させるようにすると、Ｉ
ｎａＯｓ ’ｅ主成分とする高密度ターゲットは固くも
ろいため、切断時に割れたり、ボンディング時に割れや
ひび割れが発生したりしやすいが、これは、図示のよう
に接合する切ＦｒｆＩ１１面の主表面に対する角度θを
３０〜６０波にすることにより防ぐことができる。また
このとき切断側面の接合部ｙ！ｌ：隙間なく密接させる
と、エツジ部が破損する場合かめるが、上述し九ような
構造とすれは、接合面に０，０５〜０．８ｍｍの隙間上
もたせても、虫取膜特性に影Ｉ＃を及ぼさない利点１に
有する。しかし、ターゲットは繰返し使用するため、タ
ーゲットの消耗が起こり、消耗時での接合面のボンディ
ング材料が生＃：膜特性に影響を及ぼすことが考えられ
る。発明者らによる実験の結果接合面の上述の内容を考
慮した好ましい間１！ｌｉは０−０５〜０．５ｍｍ
’ｔ ｌｉ ツ＊ｏ −貼り合せて用いる単
位ターゲット１の数はより多数とすることも可能でるる
か、ボンディングのしやすさ、スパッタによるターゲッ
ト消耗時の割れやすさ等を考慮すると、８枚以内程度が
望ましい。
以上説明し友ように、本発明のスパッタリングターゲッ
トによれば、密度に８０％以上にするとともに、それぞ
れ３００ｃｔｎ 以下の単位ターゲットを主表面に対
して３０ないし６０度の傾斜側面で相互にＩＬなるよう
に電極板に貼り合せた構造としたことにより、欠陥の少
ない透明導電Ｍ＠金生産性良く形成することが可能とな
る。
トによれば、密度に８０％以上にするとともに、それぞ
れ３００ｃｔｎ 以下の単位ターゲットを主表面に対
して３０ないし６０度の傾斜側面で相互にＩＬなるよう
に電極板に貼り合せた構造としたことにより、欠陥の少
ない透明導電Ｍ＠金生産性良く形成することが可能とな
る。
ｇ１図線ターゲット密度と生成膜の異物個数および排気
時間との関係を示す図、第２図は本発明の一実施例を示
すＷＴ面図でりる。 １・・書・単位ターゲット、２・・・・電極板、３−・
・・ポンティング材。
時間との関係を示す図、第２図は本発明の一実施例を示
すＷＴ面図でりる。 １・・書・単位ターゲット、２・・・・電極板、３−・
・・ポンティング材。
Claims (1)
- Ｉｎ＿２Ｏ＿３を主成分とする透明導電膜形成用スパッ
タリングターゲットにおいて、構成材料純比重に対する
見掛け比重の割合を８０％以上とし、かつそれぞれ３０
０ｃｍ＾２以下の表面積を有する単位ターゲットを主表
面に対して３０ないし６０度の角度を有する傾斜側面で
相互に重なるように整合配置して電極板に貼り合せた構
造としたことを特徴とする透明導電膜形成用スパッタリ
ングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664584A JPS6155811A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 透明導電膜形成用スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664584A JPS6155811A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 透明導電膜形成用スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6155811A true JPS6155811A (ja) | 1986-03-20 |
| JPH058532B2 JPH058532B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16017200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17664584A Granted JPS6155811A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 透明導電膜形成用スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6155811A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143258A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPS63230870A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-27 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリングタ−ゲツト |
| JPH02163363A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-06-22 | Ulvac Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| JP2003027227A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-01-29 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタリング用ターゲット |
| KR100777718B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2007-11-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 기능성 박막 형성용 타겟 및 이를 이용한 기능성 박막의형성방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558370A (en) * | 1978-10-20 | 1980-05-01 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Electrode for sputtering target |
| JPS5654702A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Hitachi Ltd | Method of manufactuping transparent conductive film |
| JPS56169773A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Sharp Corp | Target for spattering by plenar magnetron |
| JPS58197607A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-17 | 株式会社日立製作所 | 透明導電膜の製造方法 |
| JPS5918511A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-30 | 日本板硝子株式会社 | 基板上に透明導電膜を形成する方法 |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17664584A patent/JPS6155811A/ja active Granted
Patent Citations (5)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058532B2 (ja) | 1993-02-02 |
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