JPH10298743A - スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットの製造方法Info
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- JPH10298743A JPH10298743A JP4717698A JP4717698A JPH10298743A JP H10298743 A JPH10298743 A JP H10298743A JP 4717698 A JP4717698 A JP 4717698A JP 4717698 A JP4717698 A JP 4717698A JP H10298743 A JPH10298743 A JP H10298743A
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Abstract
ゲットの表面不純物を容易に除去することができ、か
つ、表面粗さを方向性のない均一で微細なものとする方
法を提供する。 【解決手段】 スパッタリングターゲットの表面を粒径
が10〜500μmのブラスト材を用いてブラスト処理
する。
Description
より薄膜を形成する際に用いられるスパッタリングター
ゲットの製造方法に関し、特にスパッタリングターゲッ
トのスパッタ面の表面処理方法に関するものである。
付着力が強い、膜厚の制御が容易である、合金の薄膜化
における合金組成の再現性が良い、高融点材料の薄膜の
作製が容易である等の特徴を有するため液晶ディスプレ
イ用の透明導電膜、ハードディスクの記録層、半導体メ
モリーの配線材料等の広い分野で使用されている。
グターゲットは、用途に応じてクロム、モリブデン、カ
ーボン、アルミニウム、ITO(酸化インジウム−酸化
スズ)、ZAO(酸化亜鉛−酸化アルミニウム)、ST
O(チタン酸ストロンチウム)等の材質で構成されてお
り、一般には、HIP(熱間静水圧プレス)法、常圧焼
結法、真空溶解法等(以下成形・焼結方法と記載)によ
り製造され、その後所定の大きさに加工される。
良く決定することと成形・焼結の際に不純物で汚染され
た表面層を取り除くことにある。この加工には、マシニ
ングセンター、平面研削盤、フライス盤等が用いられ、
その作業は長時間を要している。
タリング方式が最近の主流である。この方法は、ターゲ
ットの裏面に配置した電磁石又は永久磁石等により該タ
ーゲット上に閉磁界を形成して、磁界と電界との相互作
用によりイオン電流密度が高いプラズマを形成すること
を特徴とする。このため、比較的低いガス圧力で高速成
膜が行えるが、その反面、ターゲット表面のイオン電流
密度を均一にすることが困難なためターゲットが不均一
に消耗するという欠点を有していた。
は、特開平01−290764号公報で高効率ターゲッ
トを提案している。該ターゲットは、イオン電流密度が
高く、最もスパッタリングされるエロージョン部分を厚
くし、スパッタリングされない非エロージョン部を薄く
したもので、これによりターゲットの利用効率を飛躍的
に向上させることに成功した。
ゲットのスパッタ面が単一の平面で構成されたものでは
なく、スパッタ面に凸状部を有する特殊な形状となるた
め、焼結後の表面加工が困難であり、焼結の際に表面を
汚染した不純物を除去することや、表面を研磨して平滑
化することができないという問題があった。
・焼結されたターゲットが複雑な表面形状を有するター
ゲットであっても、その表面から不純物を簡便で、効率
的に除去することができるとともにターゲットの表面粗
さを方向性のない、均一なものとすることができ、さら
に、ターゲットの表面粗さを十分に小さくできる方法を
提供することにある。
を解決すべく鋭意検討を行った結果、ターゲットの表面
に微細な粉末を高速で衝突させることにより、複雑な形
状を有するターゲットの表面の不純物を簡便で、効率的
に除去することができ、更には、ターゲットの表面粗さ
を方向性のない、均一なものとすることができること、
また、衝突させる粉末の粒径を所定の範囲のものとする
ことにより、ターゲットの表面粗さを十分に小さくでき
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
mのブラスト材を用いて、スパッタリングターゲットの
スパッタ面をブラスト処理することにより、スパッタ面
を汚染した不純物を除去することを特徴とするスパッタ
リングターゲットの表面処理方法であり、また、そのよ
うな表面処理を行う工程を有することを特徴とするスパ
ッタリングターゲットの製造方法である。また、本発明
はスパッタ面に凸状部を有するスパッタリングターゲッ
トの表面処理方法又はその製造方法であって、粒径が1
0〜500μmのブラスト材を用いて、前記スパッタリ
ングターゲットの凸状部を有するスパッタ面をブラスト
処理することにより、スパッタ面を汚染した不純物を除
去することを特徴とするスパッタリングターゲットの表
面処理方法であり、また、そのような表面処理を行う工
程を有することを特徴とするスパッタリングターゲット
の製造方法である。また、このようなブラスト処理を行
うことにより、スパッタリングターゲットのスパッタ面
に不純物として含まれるアルミニウムの含有量を30p
pm以下とすることを特徴とするスパッタリングターゲ
ットの製造方法である。なお、ブラスト材としては球状
ジルコニア粉末を用いることが好ましい。さらに、本発
明はスパッタリングターゲットのスパッタ面を粒径が5
0〜500μmのブラスト材を用いてブラスト処理する
第1のブラスト処理を行った後、該表面を粒径が10〜
110μmのブラスト材を用いてブラスト処理する第2
のブラスト処理を行うことを特徴とするスパッタリング
ターゲットの表面処理方法であり、また、そのような表
面処理を行う工程を有することを特徴とするスパッタリ
ングターゲットの製造方法である。さらに、本発明はス
パッタ面に凸状部を有するスパッタリングターゲットの
表面処理方法又はその製造方法であって、前記凸状部を
有するスパッタ面を粒径が50〜500μmのブラスト
材を用いてブラスト処理する第1のブラスト処理を行っ
た後、該表面を粒径が10〜110μmのブラスト材を
用いてブラスト処理する第2のブラスト処理を行うこと
を特徴とするスパッタリングターゲットの表面処理方法
であり、また、そのような表面処理を行う工程を有する
ことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法
である。なお、第1のブラスト処理に用いるブラスト材
がSiC粉末又はアルミナ粉末のいずれかであり、第2
のブラスト処理に用いるブラスト材が球状ジルコニア粉
末であることが好ましい。
らなるブラスト材を被処理面に衝突させることにより、
被処理面表面の付着物や突起等を除去することを意味す
る。具体的な方法としては、例えば、ブラスト材を含む
空気等の気体又は水等の液体を被処理面に噴射すること
により、ブラスト材を被処理面に高速で衝突させること
ができる。
一般に市販されているブラスト装置で良く、例えば、ブ
ラスト材を含む圧縮空気を噴射するブラスト装置(商品
名“ニューマブラスター・SGF−5−B”不二製作所
製)等を挙げることができる。
に用いられる粉末)には、アルミナ、ガラス、ジルコニ
ア、SiC等が使用できるが、ジルコニアの個々の粒子
を球状に形成した球状ジルコニア粉末は、ブラスト処理
されるターゲット表面(被処理面)が汚染されにくく、
また、被処理面の表面粗さを小さくすることができるた
め特に好ましい。
が使用できる。表面不純物の除去を優先する場合は、針
状等ランダム形状のものの使用がより効果的であるが、
表面粗さを小さくすることを優先する場合は、球状のも
のが好ましい。また、ブラスト材の粒径は、10〜50
0μmが好ましく、特に10〜200μmが好ましい。
ブラスト材の粒径が大きい場合は、ターゲットの表面粗
さが粗くなり、スパッタリング時にノジュールが発生し
易くなることがある。一方、ブラスト材の粒径が小さい
場合は、表面不純物除去効果が小さくなる。
したものを使用するのが一般的であり、本発明でいう粒
径は、例えば、分級に使用する篩の開口の大きさとして
定義されるものである。本発明でいう特定の粒径範囲
(例えば、10〜500μm)のブラスト材とは、ブラ
スト材を構成する粒子の粒径がこの範囲内にあるもので
あり、例えば、この粒径範囲内の任意の一対の粒径に各
々対応する一対の篩(前記の粒径範囲が10〜500μ
mの場合は、例えば粒径125μmと149μmに各々
対応する一対の篩、あるいは粒径177μmと210μ
mに各々対応する一対の篩等)を用いて分級したブラス
ト材を意味する。
ために媒体として使用する空気等の流体に印加する圧力
(ブラスト圧力)は、1〜10kg/cm2程度が好ま
しく、特に2〜7kg/cm2が好ましく、更には3〜
5kg/cm2が好ましい。この圧力が低い場合はブラ
スト処理による表面の不純物除去が難しくなる。一方、
この圧力が高すぎると、ターゲット表面への衝撃が強く
なり、割れの原因となるばかりか、大容量のコンプレッ
サーが必要となりコスト高となる。
表面の距離は、50〜300mm程度が好ましい。この
距離が近すぎる場合はブラスト処理が施される有効面積
が小さくなり効率的でない。反対に、この距離が大きす
ぎると圧力不足となりブラスト処理に長時間を要する。
ラスト圧力、ブラスト材の種類等にも因るが、0.05
〜1.0秒/cm2で処理することが好ましい。処理時
間が短い場合は、不純物の除去が難しくなり、一方処理
時間が長い場合は、作業効率が悪くなり、ターゲット表
面のブラスト材による汚染が問題となってくる。従っ
て、長時間のブラスト処理を行う場合は、ターゲットと
同じ材料のブラスト材を使用することが好ましい。
ば、表面層に強固な付着不純物がない場合は、粒径10
〜500μmのブラスト材を用いることが好ましい。こ
の場合、表面の不純物を取り除くことが可能であるばか
りか、被処理面の表面粗さ(Ra)も0.5〜4μmと
小さくすることができる。特に球状のジルコニア製ブラ
スト材を用いた場合、被処理面の表面粗さをより小さく
することができる。
合は、2種類以上のブラスト条件(ブラスト材の材質、
ブラスト材粒子の形状、ブラスト材粒子の粒径等)でブ
ラスト処理することが好ましく、まず、粒径50〜50
0μm、針状、粒状等の球状でないブラスト材を使用
し、強固な不純物を取り除くことが好ましい。形状が球
状でないブラスト材を使用したり、粒径の大きいブラス
ト材を使用した場合、被処理面の表面粗さが粗くなるた
め、1回目のブラスト処理後、球状のブラスト材を使用
したり、1回目に使用したブラスト材より粒径の小さい
ブラスト材を使用したり、さらにそれらを併用して2回
目のブラスト処理を行なうことが好ましく、その粒径は
10〜110μmが好ましい。更にターゲットの表面粗
さを小さくしたい場合は、順次ブラスト材の粒径を小さ
くしながら、ブラスト処理を繰り返すことが好ましい。
ただし、ブラスト処理の処理条件は3〜5種類が上限で
あり、あまり多くなると作業の効率が悪くなり作業性が
低下する。なお、本発明では、ブラスト材の粒径の大小
はブラスト材の粒径分布の中央値の大小を意味し、例え
ば、一対の篩により分級されたブラスト材を用いる場合
は、その一対の篩の各々に対応する粒径の中間の値(両
者の平均値)の大小を意味する。
目のブラスト材は不純物に汚染されやすいため、アルミ
ナ、カーボンシリサイドなどの安価なものが好ましい。
2回目以降のブラスト材は、ブラスト材自身が不純物に
汚染されにくいため長期間にわたる使用が可能であり、
球状ジルコニア粉末等の高価なブラスト材も使用するこ
とができる。
としては、一般に用いられる材料、例えば、Cr、Cr
−Mo、Cr−V、Cr―W、Ni−Cr−Si、Ni
−Cr−Si−Al、Co−Cr−Ta、Mo、Ti、
Al、WSi、MoSi、C、ITO、ZAO、ST
O、BSTO、MgO、SiO2、Si、Si3N4、等
で形成されたものを例示することができる。
リングターゲットの場合は、成形体の焼結の際に、成形
体の下にアルミナ粉末を敷いたり、成形体をアルミナ粉
末で覆うことが成形体の割れやそりを防止するために有
効であるが、ターゲットのスパッタ面の不純物としての
アルミニウムの含有量が増加してしまうため、本発明
は、このようなターゲットの製造において特に有効であ
る。不純物としてのアルミニウムの含有量は、一般に、
30ppm以下であれば特に問題なしとされているが、
本発明によれば、スパッタ面に凸状部を有するスパッタ
リングターゲットにおいても、容易に不純物で汚染され
た表面層を除去することが可能であり、スパッタ面のア
ルミニウム含有量を30ppm以下とすることが可能で
ある。なお、本発明におけるスパッタ面の不純物の含有
量は、蛍光X線分析によりスパッタ面を測定して得られ
るものであり、濃度への換算は対象とする不純物が試料
中に均一に分布していると仮定してして行う。
ズの蒸気圧が高いため、焼成により、焼結体の表面層の
スズ含有量が低下する場合があるが、上記のブラストに
よる表面処理により、前記のスズ含有量が低下した表面
層を除去することができる。
ついても、同様のブラスト処理により容易に不純物で汚
染された表面層を除去することができることはいうまで
もない。
の平面により形成されている単純な平板状のスパッタリ
ングターゲットの製造にも適用することができるが、例
えば図3にその形状の一例を示す高効率形状を有するタ
ーゲット(高効率ターゲット)のように、そのスパッタ
面が単一の平面により形成されているものではなく、複
雑な形状、すなわち、そのスパッタ面に凸状部を有する
スパッタリングターゲットの製造に、より効果的に適用
することができる。なお、図3(a)は高効率形状を有
するターゲットの形状の一例を示す斜視図であり、図3
(b)はそのA・A線断面図である。このA・A線断面
の断面形状としては、図3(b)の他にも、例えば、図
3(c)〜(e)に示すような形状等であっても良い。
図3(a)では上面がスパッタ面であり、図3(b)〜
(e)のA・A線断面図でも図の上端がスパッタ面に対
応する。また、図3では図示を容易にするために、スパ
ッタ面の角(エッジ)部の丸みを省略して図示している
が、必要に応じて角部に適当な丸みを付けることが好ま
しい。
表面粗さ(Ra)が、0.5〜4μmであるスパッタリ
ングターゲットを得ることができるが、表面粗さが大き
いターゲットは、スパッタリングの際にノジュールが発
生しやすくなるので、スパッタ面の表面粗さ(Ra)は
4μm以下であることが好ましい。
する方法は、安価で迅速に表面層の不純物を除去可能で
あり、ターゲットの表面粗さは小さく、平面研削盤で研
削した時に発生する方向性のある研削傷がなく、均一な
表面を形成することができる。
般に下記のようにして製造することができる。
成を有するように複数の原料粉末を混合した混合粉末
を、鋳込み成形法、射出成形法、プレス成形法等で成形
して所定の形状を有する成形体を作製する。得られた成
形体を常圧焼結法、HIP法等により焼結し、必要に応
じて機械加工を施して所定の形状の焼結体(ターゲッ
ト)を得る。なお、成形体を作製するに当たって、必要
に応じて、冷間静水圧プレス等による圧密化処理を行っ
ても良いし、原料粉末又は混合粉末中に添加したバイン
ダー等の有機物を除去する脱バインダー処理等を行って
も良い。また、金属のスパッタリングターゲットの場合
は、真空溶解法等により得られた金属材料を機械加工に
より成形して所定の形状のターゲットを得る。
スパッタ面となる面に、前述のブラストによる表面処理
を施し、その後、通常の方法により、銅製のバッキング
プレート等にInハンダ等を用いて接合することにより
スパッタリングターゲットを製造することができる。
明するが、本発明はこれに限定されるものでない。
g、酸化スズ粉末450g、ポリカルボン酸系分散剤
(固形分40%)125g、アクリルエマルジョン系バ
インダー(固形分50%)100g、純水1144gを
10リットルのナイロンポット中で直径15mmの鉄心
入り樹脂ボールを用いて回転ボールミルにより16時間
混合し、スラリーを得た。得られたスラリーを十分脱泡
した後、図3(a)、(b)に示す形状を形成すること
のできる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行い、ITO成
形体を得た。得られたITO成形体を冷間静水圧プレス
にて3ton/cm2の圧力で圧密化し、その後、脱バ
インダーを行った。
ルミナ粉末を厚さ5mmで敷き、その上に上記により得
られた図3(a)(b)に示す形状を有する高効率形状
のITO成形体をセットし、1550℃で5時間、常圧
焼結法により焼成した。得られたITO焼結体の密度
は、99.5%であり、大きさは130mmx405m
mx10.5mmt、ターゲットのスパッタ面となる面
の表面粗さ(Ra)は2.1μm、その面の表面層の不
純物とスズの含有量を蛍光X線分析にて測定したとこ
ろ、Si:20ppm、Al:760ppm、Zr:3
0ppm以下、スズの含有量は酸化物換算でSnO2:
7.8wt%であった。なお、測定に使用した蛍光X線
分析は理学電機製蛍光X線分析装置3080−E3、ロ
ジウムX線管を用い、X線管電圧、X線管電流をそれぞ
れ50kV、50mAとして測定を行った。また、X線
の照射面積は20mmφである。
トのスパッタ面となる面の表面をブラスト処理した。ブ
ラスト圧力は4kg/cm2、ノズルとターゲット表面
の距離は150mm、ブラスト材は粒径が25〜106
μmの範囲(平均粒径53μm)の球状ジルコニアビー
ズ(商品名“YTZ53W”東ソー株式会社製)を使
用、ブラスト処理時間は80秒であった。ブラスト処理
後にターゲットのスパッタ面となる面の表面の分析をし
たところ、表面粗さ(Ra)は、1.6μm、表面層の
不純物とスズの含有量を蛍光X線分析にて上記と同様に
して測定したところ、Si:20ppm、Al:30p
pm以下、Zr:30ppm以下、SnO2:10.1
wt%であった。
は、通常の方法によりInハンダを用いて銅製のバッキ
ングプレートに接合することによりスパッタリングター
ゲットとすることができる。
板上にアルミナ粉末を厚さ5mmで敷き、その上に実施
例1で用いたものと同じ図3(a)(b)に示す形状を
有する高効率形状のITO成形体をセットし、更に、I
TO成形体の上にアルミナ粉末を被せて1550℃で5
時間、常圧焼結法にて焼成した。得られたITO焼結体
の密度は、99.8%であり、大きさは130mmx4
05mmx10.5mmt、ターゲットのスパッタ面と
なる面の表面粗さ(Ra)は、4.1μm、その面の表
面層の不純物とスズの含有量を蛍光X線分析にて実施例
1と同様にして測定したところ、Si:20ppm、A
l:2500ppm、Zr:30ppm以下、Sn
O2:8.1wt%であった。
トのスパッタ面となる面の表面をブラスト処理した。ブ
ラスト圧力は4kg/cm2、ノズルとターゲット表面
の距離は150mm、ブラスト材は粒径が125〜14
9μmの範囲のカーボンシリサイド(商品名“フジアラ
ンダムC−100”株式会社不二製作所製)を使用、ブ
ラスト処理時間は240秒であった。ブラスト処理後に
ターゲットのスパッタ面となる面の表面の分析をしたと
ころ、表面粗さ(Ra)は、3.8μm、その面の表面
層の不純物とスズの含有量を蛍光X線分析にて実施例1
と同様にして測定したところ、Si:60ppm、A
l:30ppm以下、Zr:30ppm以下、Sn
O2:10.2wt%であった。
なったターゲットを再びブラスト処理した。ブラスト圧
力は4kg/cm2、ノズルとターゲット表面の距離は
150mm、ブラスト材は粒径が25〜106μmの範
囲(平均粒径53μm)の球状ジルコニアビーズ(商品
名“YTZ53W”東ソー株式会社製)を使用、ブラス
ト処理時間は80秒であった。ブラスト処理後にターゲ
ットのスパッタ面となる面の表面の分析をしたところ、
表面粗さ(Ra)は、2.2μm、その面の表面層の不
純物とスズの含有量を蛍光X線分析にて実施例1と同様
にして測定したところ、Si:20ppm、Al:30
ppm以下、Zr:30ppm以下、SnO2:10.
1wt%であった。
た焼結体(ターゲット)のターゲットのスパッタ面とな
る面の表面をブラスト処理した。ブラスト圧力は4kg
/cm2、ノズルとターゲット表面の距離は150m
m、ブラスト材は粒径が177〜210μmの範囲のア
ルミナ(商品名“フジランダムWA−80”株式会社不
二製作所製)を使用、ブラスト処理時間は240秒であ
った。ブラスト処理後にターゲットのスパッタ面となる
面の表面の分析をしたところ、表面粗さ(Ra)は、
3.9μm、その面の表面層の不純物とスズの含有量を
蛍光X線分析にて実施例1と同様にして測定したとこ
ろ、Si:20ppm、Al:120ppm、Zr:3
0ppm以下、SnO2:10.0wt%であった。
なったターゲットを再びブラスト処理した。ブラスト圧
力は4kg/cm2、ノズルとターゲット表面の距離は
150mm、ブラスト材は粒径が25〜106μmの範
囲(平均粒径53μm)の球状ジルコニアビーズ(商品
名“YTZ53W”東ソー株式会社製)を使用、ブラス
ト処理時間は80秒であった。ブラスト処理後にターゲ
ットのスパッタ面となる面の表面の分析をしたところ、
表面粗さ(Ra)は、2.4μm、その面の表面層の不
純物とスズの含有量を蛍光X線分析にて実施例1と同様
にして測定したところ、Si:20ppm、Al:30
ppm以下、Zr:30ppm以下、SnO2:10.
1wt%であった。
製の板上にアルミナ粉末を厚さ5mmで敷き、その上に
プレーナー形状のITO成形体をセットし、1550℃
で5時間、常圧焼結法により焼成した。得られたITO
焼結体の密度は、99.5%であり、大きさは130m
mx405mmx10.5mmt、ターゲットのスパッ
タ面となる面の表面粗さ(Ra)は2.3μm、その面
の表面層の不純物とスズの含有量を蛍光X線分析にて実
施例1と同様にして測定したところ、Si:20pp
m、Al:760ppm、Zr:30ppm以下、Sn
O2:7.5wt%であった。
トのスパッタ面となる面の表面をブラスト処理した。ブ
ラスト圧力は4kg/cm2、ノズルとターゲット表面
の距離は150mm、ブラスト材は粒径が25〜106
μmの範囲(平均粒径53μm)の球状ジルコニアビー
ズ(商品名“YTZ53W”東ソー株式会社製)を使
用、ブラスト処理時間は80秒であった。ブラスト処理
後にターゲットのスパッタ面となる面の表面の分析をし
たところ、表面粗さ(Ra)は、1.8μm、その面の
表面層の不純物とスズの含有量を蛍光X線分析にて実施
例1と同様にして測定したところ、Si:20ppm、
Al:30ppm以下、Zr:30ppm以下、SnO
2:10.4wt%であった。
た焼結体を#400の砥石を使用して平面研削盤で加工
し、127.0mm×400.0mmx6.35mmt
の焼結体を得た。加工後のITO焼結体のターゲットの
スパッタ面となる面の表面粗さ(Ra)は1.3μm
(研削方向に対して平行方向)と1.7μm(研削方向
に対して垂直方向)、その面の表面の不純物とスズの含
有量を蛍光X線分析にて実施例1と同様にして測定した
ところ、Si:20ppm、Al:30ppm以下、Z
r:30ppm以下、SnO2:10.2wt%であっ
た。
ターゲットのスパッタ面となる面の表面をブラスト処理
した。ブラスト圧力は4kg/cm2、ノズルとターゲ
ット表面の距離は150mm、ブラスト材は粒径が25
〜106μmの範囲(平均粒径53μm)の球状ジルコ
ニアビーズ(商品名“YTZ53W”東ソー株式会社
製)を使用、ブラスト処理時間は80秒であった。ブラ
スト処理後にターゲットのスパッタ面となる面の表面の
分析をしたところ、表面粗さ(Ra)は、加工時の研削
方向に対して平行・垂直方向共に1.6μm、その面の
表面層の不純物とスズの含有量を蛍光X線分析にて実施
例1と同様にして測定したところ、Si:20ppm、
Al:30ppm以下、Zr:30ppm以下、SnO
2:10.2wt%であった。
焼結体(ターゲット)のターゲットのスパッタ面となる
面の表面をブラスト処理した。ブラスト圧力は4kg/
cm2、ノズルとターゲット表面の距離は150mm、
ブラスト材は粒径が595〜707μmの範囲のアルミ
ナ(商品名“フジアランダムWA−30”株式会社不二
製作所製)を使用、ブラスト処理時間は80秒であっ
た。ブラスト処理後にターゲットのスパッタ面となる面
の表面の分析をしたところ、表面粗さ(Ra)は、5.
6μmであった。
ットの表面を所定の粒径のブラスト材を用いてブラスト
処理するため、スパッタ面に凸状部を有する複雑な表面
形状のターゲットでも、容易に表面の不純物及び変質層
を除去することができ、また、ターゲットの表面粗さも
方向性のない均一なものとすることができ、さらに、タ
ーゲットの表面粗さを小さくすることができる。
す概略図である。
を示す概略図である。
示す図である。(a)高効率ターゲットの形状の一例を
示す斜視図、(b)A・A線断面図、(c)〜(e)A
・A線断面の断面形状の他の例
Claims (13)
- 【請求項1】 粒径が10〜500μmのブラスト材を
用いて、スパッタリングターゲットのスパッタ面をブラ
スト処理することにより、スパッタ面を汚染した不純物
を除去する工程を有することを特徴とするスパッタリン
グターゲットの製造方法。 - 【請求項2】 スパッタ面に凸状部を有するスパッタリ
ングターゲットの製造方法であって、粒径が10〜50
0μmのブラスト材を用いて、前記スパッタリングター
ゲットの凸状部を有するスパッタ面をブラスト処理する
ことにより、スパッタ面を汚染した不純物を除去する工
程を有することを特徴とするスパッタリングターゲット
の製造方法。 - 【請求項3】 スパッタリングターゲットのスパッタ面
に不純物として含まれるアルミニウムの含有量を30p
pm以下とすることを特徴とする請求項1又は請求項2
記載のスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項4】 ブラスト材が球状ジルコニア粉末である
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項5】 スパッタリングターゲットのスパッタ面
を粒径が50〜500μmのブラスト材を用いてブラス
ト処理する第1のブラスト処理を行った後、該スパッタ
面を粒径が10〜110μmのブラスト材を用いてブラ
スト処理する第2のブラスト処理を行う工程を有するこ
とを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項6】 スパッタリングターゲットがそのスパッ
タ面に凸状部を有するスパッタリングターゲットである
ことを特徴とする請求項5記載のスパッタリングターゲ
ットの製造方法。 - 【請求項7】 第1のブラスト処理に用いるブラスト材
がSiC粉末又はアルミナ粉末のいずれかであり、第2
のブラスト処理に用いるブラスト材が球状ジルコニア粉
末であることを特徴とする請求項5又は請求項6記載の
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項8】 粒径が10〜500μmのブラスト材を
用いて、スパッタリングターゲットのスパッタ面をブラ
スト処理することにより、スパッタ面を汚染した不純物
を除去することを特徴とするスパッタリングターゲット
の表面処理方法。 - 【請求項9】 スパッタ面に凸状部を有するスパッタリ
ングターゲットの表面処理方法であって、粒径が10〜
500μmのブラスト材を用いて、前記スパッタリング
ターゲットの凸状部を有するスパッタ面をブラスト処理
することにより、スパッタ面を汚染した不純物を除去す
ることを特徴とするスパッタリングターゲットの表面処
理方法。 - 【請求項10】 ブラスト材が球状ジルコニア粉末であ
ることを特徴とする請求項8又は請求項9記載のスパッ
タリングターゲットの表面処理方法。 - 【請求項11】 スパッタリングターゲットのスパッタ
面を粒径が50〜500μmのブラスト材を用いてブラ
スト処理する第1のブラスト処理を行った後、該スパッ
タ面を粒径が10〜110μmのブラスト材を用いてブ
ラスト処理する第2のブラスト処理を行うことを特徴と
するスパッタリングターゲットの表面処理方法。 - 【請求項12】 スパッタリングターゲットがそのスパ
ッタ面に凸状部を有するスパッタリングターゲットであ
ることを特徴とする請求項11記載のスパッタリングタ
ーゲットの表面処理方法。 - 【請求項13】 第1のブラスト処理に用いるブラスト
材がSiC粉末又はアルミナ粉末のいずれかであり、第
2のブラスト処理に用いるブラスト材が球状ジルコニア
粉末であることを特徴とする請求項11又は請求項12
記載のスパッタリングターゲットの表面処理方法。
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