JPS6152010A - 出力保護回路 - Google Patents
出力保護回路Info
- Publication number
- JPS6152010A JPS6152010A JP59174700A JP17470084A JPS6152010A JP S6152010 A JPS6152010 A JP S6152010A JP 59174700 A JP59174700 A JP 59174700A JP 17470084 A JP17470084 A JP 17470084A JP S6152010 A JPS6152010 A JP S6152010A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- transistor
- current
- protection
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、オーディオ回路等の出力回路に接続されて、
その出力回路を過大出力電流から保護する出力保護回路
に関する。
その出力回路を過大出力電流から保護する出力保護回路
に関する。
（従来技術）
出力用トランジスタの出力電流が所定以上となると動作
してその入力信号を減衰させる出力保護回路として、第
３図に示す回路がある。この回路は、出力用トランジス
タＱｌのベースとエミッタとの間にｎｐｎ型の保護用ト
ランジスタＱ２を保護用抵抗Ｒ１と共に順方向ダイオー
ド接続したものである。ＲＬは負荷抵抗である。
してその入力信号を減衰させる出力保護回路として、第
３図に示す回路がある。この回路は、出力用トランジス
タＱｌのベースとエミッタとの間にｎｐｎ型の保護用ト
ランジスタＱ２を保護用抵抗Ｒ１と共に順方向ダイオー
ド接続したものである。ＲＬは負荷抵抗である。
この出力（呆護回１洛によれば、出力用トランジスタＱ
１のエミッタ電流が増加し、ベース・エミッタ間電圧が
ある所定値を越えると、保護用トランジスタＱ２がその
所定値から越えた程度に応じて導通して、出力用トラン
ジスタＱ１に入力する人力信号を減衰させるように働く
。
１のエミッタ電流が増加し、ベース・エミッタ間電圧が
ある所定値を越えると、保護用トランジスタＱ２がその
所定値から越えた程度に応じて導通して、出力用トラン
ジスタＱ１に入力する人力信号を減衰させるように働く
。
ところが、この第３図に示す回路は応答速度が速く、こ
のため音声信号等のレベル変’ＥｄＪの激しい信号を扱
う電力増幅器等においては、ハイレベルな瞬間的変化の
信号を歪ませるという問題がある。
のため音声信号等のレベル変’ＥｄＪの激しい信号を扱
う電力増幅器等においては、ハイレベルな瞬間的変化の
信号を歪ませるという問題がある。
第４図は別の従来の出力保護回路を示すものであり、出
力用トランジスタＱ１の出力電流であるエミッタ電流を
抵抗Ｒ２で検出して、保護用トランジスタＱ３を制御し
、出力トランジスタＱ１のベースに加わる過大入力信号
を減衰させるようにしたものである。
力用トランジスタＱ１の出力電流であるエミッタ電流を
抵抗Ｒ２で検出して、保護用トランジスタＱ３を制御し
、出力トランジスタＱ１のベースに加わる過大入力信号
を減衰させるようにしたものである。
ところが、この出力１呆護回路においては、上記の場合
と同様にハイレベルな瞬間的変化の信号を歪ませるとい
う問題がある他に、出力電流検出用の抵抗Ｒ２が負荷抵
抗ＲＬと直列接続となっている、つまりその抵抗Ｒ２に
負荷電流が流れるために、その抵抗Ｒ２において損失が
生じ、出力のダイナミックレンジが低下するという問題
がある。
と同様にハイレベルな瞬間的変化の信号を歪ませるとい
う問題がある他に、出力電流検出用の抵抗Ｒ２が負荷抵
抗ＲＬと直列接続となっている、つまりその抵抗Ｒ２に
負荷電流が流れるために、その抵抗Ｒ２において損失が
生じ、出力のダイナミックレンジが低下するという問題
がある。
（発明の目的）
本発明は斯かる点に鑑みて成されたもので、その目的は
、急峻に変化するハイレベルの信号に対しては動作せず
、よって瞬間的に大きく変化する信号の出力を歪ませず
、しかも出力損失も伴わないようにした出力保護回路を
提供することである。
、急峻に変化するハイレベルの信号に対しては動作せず
、よって瞬間的に大きく変化する信号の出力を歪ませず
、しかも出力損失も伴わないようにした出力保護回路を
提供することである。
（発明の構成）
このために本発明の出力ｒ′；？、護回路は、出力用ト
ランジスタの出力信号と相似な電流を検出する電流検出
用トランジスタと、該電流検出用トランジスタの出力電
流の増加を検出する検出回路と、該検出回路の出力を低
域濾波する濾過回）洛と、該匹：波回路の出力に°より
上記出力用トランジスタの人力信号を減衰させる保護用
トランジスタとで構成している。
ランジスタの出力信号と相似な電流を検出する電流検出
用トランジスタと、該電流検出用トランジスタの出力電
流の増加を検出する検出回路と、該検出回路の出力を低
域濾波する濾過回）洛と、該匹：波回路の出力に°より
上記出力用トランジスタの人力信号を減衰させる保護用
トランジスタとで構成している。
（実施例）
以下、本発明の出力保護回路の実施例につい説明する。
第１図はその一実施例の回路を示すものである。出力用
トランジスタＱ１と接地間には負荷抵抗ＲＬのみが接続
されている。Ｑ４は出力トランジスタＱｌとベース・エ
ミ・ツタを並列接続し、出力用トランジスタＱ１のエミ
・ツク電流と相似なエミッタ電流を得るための出力電流
検出用トランジスタで、そのコレクタは検出回路Ａに接
続されている。この検出回路Ａば、カレントミラー回路
を構成するトランジスタＱ５、Ｑ６と抵抗Ｒ３で成り、
出力電流検出用トランジスタＱ４の出力電流の増加を検
出するよう働く。Ｂはこの検出回路への出力を受ける低
域Ｉ慮波回（烙であり、抵抗Ｒ４とコンデンサＣとで構
成されている。Ｑ７はその１慮彼回路Ｂの出力を受ける
保護用トランジスタであり、入力端子ＩＮと接地間に接
続されている。
トランジスタＱ１と接地間には負荷抵抗ＲＬのみが接続
されている。Ｑ４は出力トランジスタＱｌとベース・エ
ミ・ツタを並列接続し、出力用トランジスタＱ１のエミ
・ツク電流と相似なエミッタ電流を得るための出力電流
検出用トランジスタで、そのコレクタは検出回路Ａに接
続されている。この検出回路Ａば、カレントミラー回路
を構成するトランジスタＱ５、Ｑ６と抵抗Ｒ３で成り、
出力電流検出用トランジスタＱ４の出力電流の増加を検
出するよう働く。Ｂはこの検出回路への出力を受ける低
域Ｉ慮波回（烙であり、抵抗Ｒ４とコンデンサＣとで構
成されている。Ｑ７はその１慮彼回路Ｂの出力を受ける
保護用トランジスタであり、入力端子ＩＮと接地間に接
続されている。
さて、この回路においては、入力端子ｉＮに人力した信
号は、出力用トランジスタＱ１のベースに入力して増幅
され、負荷抵抗ＲＬに加わるが、同時に出力電流検出用
トランジスタＱ４のベースにも入力してそこでも増幅さ
れ、そのエミッタには出力用トランジスタＱ１のエミッ
タ電流と相似な電流が流れる。そして、このトランジス
タＱ４のコレクタ電流はトランジスタＱ５、Ｑ６介して
抵抗Ｒ３を流れる。この抵抗Ｒ３は保護用トランジスタ
Ｑ７が導通を開始するしきい値を設定するためのもので
ある。
号は、出力用トランジスタＱ１のベースに入力して増幅
され、負荷抵抗ＲＬに加わるが、同時に出力電流検出用
トランジスタＱ４のベースにも入力してそこでも増幅さ
れ、そのエミッタには出力用トランジスタＱ１のエミッ
タ電流と相似な電流が流れる。そして、このトランジス
タＱ４のコレクタ電流はトランジスタＱ５、Ｑ６介して
抵抗Ｒ３を流れる。この抵抗Ｒ３は保護用トランジスタ
Ｑ７が導通を開始するしきい値を設定するためのもので
ある。
そして、出力用トランジスタＱ１のエミッタ電流がある
所定値のレベルとなると、保護用トランジスタＱ７が導
通して、入力端子ＩＮに入力する信号を接地にバイパス
させてその人力信号を減衰させ、出力用トランジスタＱ
１のエミッタ電流を減衰させ、そのトランジスタＱ１を
過大出力電流力１ら（呆護する。
所定値のレベルとなると、保護用トランジスタＱ７が導
通して、入力端子ＩＮに入力する信号を接地にバイパス
させてその人力信号を減衰させ、出力用トランジスタＱ
１のエミッタ電流を減衰させ、そのトランジスタＱ１を
過大出力電流力１ら（呆護する。
この場合、出力電流検出用トランジスタＱ４のコレツ、
り電流は検出回路Ａで検出され、低域濾波回路Ｂによっ
てイ氏域ｌバ：波され、ｆ呆護用トランジスタＱ７に印
加するので、出力用トランジスタＱ１の出力電流が緩慢
に変化する場合には低域濾波回１／ＩＴｒＢの影響はな
い。
り電流は検出回路Ａで検出され、低域濾波回路Ｂによっ
てイ氏域ｌバ：波され、ｆ呆護用トランジスタＱ７に印
加するので、出力用トランジスタＱ１の出力電流が緩慢
に変化する場合には低域濾波回１／ＩＴｒＢの影響はな
い。
ところが、出力電流の変化が急１唆な場合は、その成分
は低域濾波回路Ｂによって除去乃至緩和されてしまうの
で、保護用トランジスタＱ７がこの急峻な成分に応答す
ることはなくなり、よって楽音信号等の急峻な成分を歪
ませるとうことは無くなる。
は低域濾波回路Ｂによって除去乃至緩和されてしまうの
で、保護用トランジスタＱ７がこの急峻な成分に応答す
ることはなくなり、よって楽音信号等の急峻な成分を歪
ませるとうことは無くなる。
また、出力用トランジスタＱ１と接地間には負荷抵抗Ｒ
Ｌ以外は接続されないので、出力のダイナミックレンジ
が低下するという問題は起らない。
Ｌ以外は接続されないので、出力のダイナミックレンジ
が低下するという問題は起らない。
なお、上記回路をモノリシックＩＣで構成する場合には
、コンデンサＣの耐圧は比較的低くて済むので、所謂ベ
ース・エミッタ拡散間のジャンクション容量をそのコン
デンサの容量として利用することができる。
、コンデンサＣの耐圧は比較的低くて済むので、所謂ベ
ース・エミッタ拡散間のジャンクション容量をそのコン
デンサの容量として利用することができる。
第２図は別の実施例の回路を示すものであり、出力用ト
ランジスタＱ１と出力電流検出用トランジスタＱ４の接
続状態は第１図と同様であるが、その出力電流検出用ト
ランジスタ４のコレクタば検出回路への抵抗Ｒ３に直接
接続されている。（呆護用トランジスタＱ７は、トラン
ジスタＱ８を介して低域酸；波回路Ｂの出力を受けるよ
うに接続されている。
ランジスタＱ１と出力電流検出用トランジスタＱ４の接
続状態は第１図と同様であるが、その出力電流検出用ト
ランジスタ４のコレクタば検出回路への抵抗Ｒ３に直接
接続されている。（呆護用トランジスタＱ７は、トラン
ジスタＱ８を介して低域酸；波回路Ｂの出力を受けるよ
うに接続されている。
この実施例の回路においても、入力α１°；）子ｒＮに
入力した信号は、出力用トランジスタＱ１のベースに入
力して増１闇されて負荷抵抗ＲＬに加わり、また、出力
電流検出用トランジスタＱ４でもベースに入力して増幅
され、そのエミッタには出力用トランジスタＱ１のエミ
ッタ電流と相似な電流が流れる。
入力した信号は、出力用トランジスタＱ１のベースに入
力して増１闇されて負荷抵抗ＲＬに加わり、また、出力
電流検出用トランジスタＱ４でもベースに入力して増幅
され、そのエミッタには出力用トランジスタＱ１のエミ
ッタ電流と相似な電流が流れる。
そして、出力電流検出用トランジスタＱ４のコレクタ電
流ば抵抗Ｒ３を流れる。この抵抗Ｒ３はトランジスタＱ
８の導通によりトラン、ジスタＱ７が導通を開始するし
きい値を設定するためのものである。
流ば抵抗Ｒ３を流れる。この抵抗Ｒ３はトランジスタＱ
８の導通によりトラン、ジスタＱ７が導通を開始するし
きい値を設定するためのものである。
そして、出力用トランジスタＱ１のエミッタ電流がある
所定値のレベルとなると、トランジスタＱ８が導通し、
トランジスタＱ７が導通して、入力端子ＩＮに入力する
人力信号を接地にバイパスしてその人力信号を減衰させ
、出力用トランジスタＱ１のエミッタ電流を減衰させて
、その出力用トランジスタＱ１を過大出力電流から保護
する。
所定値のレベルとなると、トランジスタＱ８が導通し、
トランジスタＱ７が導通して、入力端子ＩＮに入力する
人力信号を接地にバイパスしてその人力信号を減衰させ
、出力用トランジスタＱ１のエミッタ電流を減衰させて
、その出力用トランジスタＱ１を過大出力電流から保護
する。
この場合、前記実施例と同様に、出力用トランジスタＱ
１の出力電流の変化が緩慢な場合には低域濾波回路Ｂの
影１Ｖばないが、急Ｉ唆な場合にはその成分が低域源；
波回（？＆Ｂによって除去乃至緩和されてしまい、トラ
ンジスタＱ８がその成分に応答することはなくなり、ｆ
呆護用トランジスタＱ７は導通せず、楽音信号等の急峻
な成分を歪ませるようなことはなくなる。また、前記実
施例同様に出力用トランジスタＱ１と接地間には負荷抵
抗ＲＬ以外は接続されてないので、出力のダイナミック
レンジが低下することもない。
１の出力電流の変化が緩慢な場合には低域濾波回路Ｂの
影１Ｖばないが、急Ｉ唆な場合にはその成分が低域源；
波回（？＆Ｂによって除去乃至緩和されてしまい、トラ
ンジスタＱ８がその成分に応答することはなくなり、ｆ
呆護用トランジスタＱ７は導通せず、楽音信号等の急峻
な成分を歪ませるようなことはなくなる。また、前記実
施例同様に出力用トランジスタＱ１と接地間には負荷抵
抗ＲＬ以外は接続されてないので、出力のダイナミック
レンジが低下することもない。
（発明の効果）
以上のように本発明の出力ＩＩ ３’１回路によれば、
出力電流と相似な検出信号を低域濾波してから保護用ト
ランジスタに入力しているので、急激に変化するハイレ
ベルの成分はその吐波作用によって除去乃至緩和される
ため保護用トランジスタは動作せず、出力が歪むことが
防止される。また、本発明の出力保護回路によれば、出
力用トランジスタから負荷に至る経路での損失を生じさ
せず、出力のダイナミックレンジの低下を防止すること
もできる。
出力電流と相似な検出信号を低域濾波してから保護用ト
ランジスタに入力しているので、急激に変化するハイレ
ベルの成分はその吐波作用によって除去乃至緩和される
ため保護用トランジスタは動作せず、出力が歪むことが
防止される。また、本発明の出力保護回路によれば、出
力用トランジスタから負荷に至る経路での損失を生じさ
せず、出力のダイナミックレンジの低下を防止すること
もできる。
第１図は本発明の一実施例の出力保護向＋２３を示す回
路図、第２図は別の実施例の出力保護回路を示す図、第
３図と第４図は従来の出力保護回路を示す図である。 Ｑｌ・・・出力用トランジスタ、Ｑ４・・・出力電流検
出用トランジスタ、Ｑｌ・・・（呆護用トランジスタ、
Ａ・・・検出回路、Ｂ・・・低域１慮波回路。 特許出願人 新日本無線株式会社 代 理 人 弁理± １−尾常明 第１ 図 第２図 箇３ 口 Ｖｓ
路図、第２図は別の実施例の出力保護回路を示す図、第
３図と第４図は従来の出力保護回路を示す図である。 Ｑｌ・・・出力用トランジスタ、Ｑ４・・・出力電流検
出用トランジスタ、Ｑｌ・・・（呆護用トランジスタ、
Ａ・・・検出回路、Ｂ・・・低域１慮波回路。 特許出願人 新日本無線株式会社 代 理 人 弁理± １−尾常明 第１ 図 第２図 箇３ 口 Ｖｓ
Claims (1)
- （１）、出力用トランジスタの出力信号と相似な電流を
検出する電流検出用トランジスタと、該電流検出用トラ
ンジスタの出力電流の増加を検出する検出回路と、該検
出回路の出力を低域濾波する濾過回路と、該濾波回路の
出力により上記出力用トランジスタの入力信号を減衰さ
せる保護用トランジスタとで成ることを特徴とする出力
保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59174700A JPS6152010A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 出力保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59174700A JPS6152010A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 出力保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6152010A true JPS6152010A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15983135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59174700A Pending JPS6152010A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 出力保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6152010A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02135809A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | ドライバー回路 |
| WO1999029037A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Hitachi, Ltd. | Circuit d'amplification de puissance haute frequence, et appareil de communication mobile utilisant ledit circuit |
| JP2008537414A (ja) * | 2005-04-18 | 2008-09-11 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 電力増幅器のための適応保護回路 |
| US8513986B2 (en) | 2009-10-26 | 2013-08-20 | Nissan Motor Co., Ltd. | Driving circuit for switching element and power converter |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128908A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-06 | Toshiba Corp | Transistor protective circuit |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP59174700A patent/JPS6152010A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128908A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-06 | Toshiba Corp | Transistor protective circuit |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02135809A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | ドライバー回路 |
| WO1999029037A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Hitachi, Ltd. | Circuit d'amplification de puissance haute frequence, et appareil de communication mobile utilisant ledit circuit |
| JP2008537414A (ja) * | 2005-04-18 | 2008-09-11 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 電力増幅器のための適応保護回路 |
| US8513986B2 (en) | 2009-10-26 | 2013-08-20 | Nissan Motor Co., Ltd. | Driving circuit for switching element and power converter |
| JP5347032B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2013-11-20 | 日産自動車株式会社 | スイッチング素子の駆動回路および電力変換装置 |
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