JPS6148781B2 - - Google Patents
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- JPS6148781B2 JPS6148781B2 JP54137144A JP13714479A JPS6148781B2 JP S6148781 B2 JPS6148781 B2 JP S6148781B2 JP 54137144 A JP54137144 A JP 54137144A JP 13714479 A JP13714479 A JP 13714479A JP S6148781 B2 JPS6148781 B2 JP S6148781B2
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- Japan
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- semiconductor element
- storage container
- alignment
- semiconductor
- semiconductor device
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- Expired
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えばシリコンホトダイオードの
ような半導体素子を、収納容器に正確に位置決め
して装着されるようにした半導体装置に関する。
ような半導体素子を、収納容器に正確に位置決め
して装着されるようにした半導体装置に関する。
シリコンホトダイオードのような半導体素子
は、収納容器に正確に位置決めして装着しなけれ
ば、完成された各半導体装置は、一個一個が収納
容器に対し半導体素子の位置関係が異なつたもの
となる。このため、従来のこの種の半導体装置
は、使用機器に実装する場合に、各半導体装置を
それぞれ位置を微調整して取付けなければならな
かつた。殊に、正確な位置決めを要する半導体素
子複数個が１個の収納容器に装着されている場合
は、各半導体素子の位置関係が異つていると、半
導体装置を実装するのに、位置の微調整が困難に
なる。
は、収納容器に正確に位置決めして装着しなけれ
ば、完成された各半導体装置は、一個一個が収納
容器に対し半導体素子の位置関係が異なつたもの
となる。このため、従来のこの種の半導体装置
は、使用機器に実装する場合に、各半導体装置を
それぞれ位置を微調整して取付けなければならな
かつた。殊に、正確な位置決めを要する半導体素
子複数個が１個の収納容器に装着されている場合
は、各半導体素子の位置関係が異つていると、半
導体装置を実装するのに、位置の微調整が困難に
なる。
従来のこの種の半導体装置は、第１図に平面図
で示すようになつていた。収納容器１の３箇所の
収容くぼみ部には、各種の半導体素子２，３，４
が装着され、各内部リード５，６，７とそれぞれ
金属細線８のワイヤボンドにより接続されてい
る。
で示すようになつていた。収納容器１の３箇所の
収容くぼみ部には、各種の半導体素子２，３，４
が装着され、各内部リード５，６，７とそれぞれ
金属細線８のワイヤボンドにより接続されてい
る。
各半導体素子のうち、半導体素子４がシリコン
ホトダイオードの場合について説明する。上記収
納容器１は一般にはアルミナセラミツク材あるい
はガラスエポキシ樹脂を多層に積層して形成さ
れ、各層間には必要な電気的配線が各種のメタラ
イズ技術により形成され、内部リード５，６，７
や外部リード９が設けられている。上記メタライ
ズ技術により配線と同様に金属層領域１０が設け
られ、半導体素子２，３，４がそれぞれ装着され
ている。
ホトダイオードの場合について説明する。上記収
納容器１は一般にはアルミナセラミツク材あるい
はガラスエポキシ樹脂を多層に積層して形成さ
れ、各層間には必要な電気的配線が各種のメタラ
イズ技術により形成され、内部リード５，６，７
や外部リード９が設けられている。上記メタライ
ズ技術により配線と同様に金属層領域１０が設け
られ、半導体素子２，３，４がそれぞれ装着され
ている。
上記従来の装置では、各半導体素子２，３，４
が収納容器１に対し、正常な実線の位置から鎖線
で示すように変動した位置に装着されることがあ
つた。こうして完成された半導体装置を使用機器
に実装する場合には、取付位置微調整などが必要
となり、多大の作業時間を要していた。
が収納容器１に対し、正常な実線の位置から鎖線
で示すように変動した位置に装着されることがあ
つた。こうして完成された半導体装置を使用機器
に実装する場合には、取付位置微調整などが必要
となり、多大の作業時間を要していた。
その例を、第２図に斜視図で示す。図は光学系
を用いる場合であり、シリコンホトダイオードか
らなる半導体素子４は、光に対して極めて敏感な
反応を示す。したがつて、光学系のレンズ１１を
通つた光の投射により、これを受光した半導体素
子４で発生する暗電流を使用機器の装置を動作す
る信号に使用する場合には、レンズ１１と収納容
器１の半導体素子４との位置関係を正確にしてお
く必要がある。このとき、第１図に鎖線で示すよ
うに、収納容器１上の半導体素子４の位置が変動
していると、各半導体装置ごとに、各レンズ１１
との位置関係を微調整し修正する必要がある。
を用いる場合であり、シリコンホトダイオードか
らなる半導体素子４は、光に対して極めて敏感な
反応を示す。したがつて、光学系のレンズ１１を
通つた光の投射により、これを受光した半導体素
子４で発生する暗電流を使用機器の装置を動作す
る信号に使用する場合には、レンズ１１と収納容
器１の半導体素子４との位置関係を正確にしてお
く必要がある。このとき、第１図に鎖線で示すよ
うに、収納容器１上の半導体素子４の位置が変動
していると、各半導体装置ごとに、各レンズ１１
との位置関係を微調整し修正する必要がある。
この場合、半導体素子３が発光ダイオードのと
きでも、収納容器１に対する位置が変動している
と、機能に不都合をきたす。
きでも、収納容器１に対する位置が変動している
と、機能に不都合をきたす。
この発明は、収納容器の金属層領域の周辺に複
数の位置合せ形成部を設け、これに対応し半導体
素子の上面には複数の位置決め印を設け、半導体
素子が収納容器に正確に位置決めして装着される
ようにし、完成された半導体装置を使用機器に実
装する場合、取付けの微調整工程を不要にし、取
付作業時間が短縮される半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
数の位置合せ形成部を設け、これに対応し半導体
素子の上面には複数の位置決め印を設け、半導体
素子が収納容器に正確に位置決めして装着される
ようにし、完成された半導体装置を使用機器に実
装する場合、取付けの微調整工程を不要にし、取
付作業時間が短縮される半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
第３図はこの発明の一実施例による半導体装置
の平面図であり、１，２，５〜１０は上記従来装
置と同一のものである。
の平面図であり、１，２，５〜１０は上記従来装
置と同一のものである。
２０は収納容器１に設けられた金属層領域で、
周辺に切込み部からなる位置合せ形成部２１が複
数箇所設けられている。２２は金属層領域２０に
装着された半導体素子で、例えば発光ダイオード
からなり、上面には上記位置合せ形成部２１に対
応し、複数の位置決め印２３が設けてあり、正確
に位置合せができるようにしている。
周辺に切込み部からなる位置合せ形成部２１が複
数箇所設けられている。２２は金属層領域２０に
装着された半導体素子で、例えば発光ダイオード
からなり、上面には上記位置合せ形成部２１に対
応し、複数の位置決め印２３が設けてあり、正確
に位置合せができるようにしている。
また、２４は収納容器１に設けられた金属層領
域で、外周辺に等ピツチで複数のくし状歯部２５
が設けられ、このうちの複数箇所に他より長くし
た突出部からなる位置合せ形成部２６が設けられ
ている。２７は金属層領域２４に装着される半導
体素子で、例えばシリコンホトダイオードからな
り、上面には上記位置合せ形成部２６に対応し、
位置決め印２８が設けてあり、正確に位置合せが
できるようにしている。なお、くし状歯部２５は
寸法目盛の役をなしており、必要がなければ省い
てもよい。
域で、外周辺に等ピツチで複数のくし状歯部２５
が設けられ、このうちの複数箇所に他より長くし
た突出部からなる位置合せ形成部２６が設けられ
ている。２７は金属層領域２４に装着される半導
体素子で、例えばシリコンホトダイオードからな
り、上面には上記位置合せ形成部２６に対応し、
位置決め印２８が設けてあり、正確に位置合せが
できるようにしている。なお、くし状歯部２５は
寸法目盛の役をなしており、必要がなければ省い
てもよい。
上記半導体素子２２及び２７はそれぞれ、位置
決め印２３及び２８により位置合せ形成部２１及
び２６に正確に位置決めして装着される。殊に、
自動機による自動化作業に好適である。こうし
て、各半導体素子２２，２７は信号、方向及び相
互間の位置関係が正確に合わされた装着がされ
る。なお、半導体素子２は位置ずれがしていて
も、機能に支障のない種類の場合を示している。
決め印２３及び２８により位置合せ形成部２１及
び２６に正確に位置決めして装着される。殊に、
自動機による自動化作業に好適である。こうし
て、各半導体素子２２，２７は信号、方向及び相
互間の位置関係が正確に合わされた装着がされ
る。なお、半導体素子２は位置ずれがしていて
も、機能に支障のない種類の場合を示している。
また、位置合せ形成部２１，２６及び位置決め
印２３，２８の寸法、形状は、適当なものにする
ことができる。
印２３，２８の寸法、形状は、適当なものにする
ことができる。
以上のように、この発明によれば、半導体素子
を装着する収納容器の金属層領域の周辺に複数の
位置合せ形成部を設け、この形成部に対応し半導
体素子上面に複数の位置決め印を設けたので、半
導体素子が収納容器に正確な位置に装着でき、使
用機器への実装に際し、位置微調整を不用とし取
付作業時間が短縮される。
を装着する収納容器の金属層領域の周辺に複数の
位置合せ形成部を設け、この形成部に対応し半導
体素子上面に複数の位置決め印を設けたので、半
導体素子が収納容器に正確な位置に装着でき、使
用機器への実装に際し、位置微調整を不用とし取
付作業時間が短縮される。
第１図は従来の半導体装置を示す平面図、第２
図は第１図の半導体装置の半導体素子に光学系の
レンズにより光を投射している状態を示す斜視
図、第３図はこの発明の一実施例による半導体装
置の平面図である。 １……収納容器、２……半導体素子、２０……
金属層領域、２１……位置合せ形成部、２２……
半導体素子、２３……位置決め印、２４……金属
層領域、２５……くし状歯部、２６……位置合せ
形成部、２７……半導体素子、２８……位置決め
印。なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。
図は第１図の半導体装置の半導体素子に光学系の
レンズにより光を投射している状態を示す斜視
図、第３図はこの発明の一実施例による半導体装
置の平面図である。 １……収納容器、２……半導体素子、２０……
金属層領域、２１……位置合せ形成部、２２……
半導体素子、２３……位置決め印、２４……金属
層領域、２５……くし状歯部、２６……位置合せ
形成部、２７……半導体素子、２８……位置決め
印。なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上面に複数の位置決め印が設けられた半導体
素子、この半導体素子を装着し収容するための収
納容器、及びこの収納容器内に設けられ、上面に
上記半導体素子が接合され、周辺には上記位置決
め印に対応する複数の位置合せ形成部が設けられ
た金属層領域を備えた半導体装置。 ２ 位置合せ形成部は外周方向に延びた突出部か
らなる特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３ 位置合せ形成部は内側への切欠ぎ部からなる
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ４ 金属層領域は周辺に等ピツチの複数のくし状
歯部が設けられ、このうちの複数箇所を他より長
くした突出部により位置合せ形成部が構成された
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13714479A JPS5661147A (en) | 1979-10-23 | 1979-10-23 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13714479A JPS5661147A (en) | 1979-10-23 | 1979-10-23 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5661147A JPS5661147A (en) | 1981-05-26 |
| JPS6148781B2 true JPS6148781B2 (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=15191838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13714479A Granted JPS5661147A (en) | 1979-10-23 | 1979-10-23 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5661147A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176515A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Hitachi Ltd | 磁気検出センサの組立方法 |
| JPS6243154A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH0831575B2 (ja) * | 1993-02-12 | 1996-03-27 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146070A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-20 | Hitachi Ltd |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS563971Y2 (ja) * | 1974-01-21 | 1981-01-28 |
-
1979
- 1979-10-23 JP JP13714479A patent/JPS5661147A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146070A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-20 | Hitachi Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5661147A (en) | 1981-05-26 |
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