JP2575804B2 - 半導体素子実装装置の位置合せ精度測定具 - Google Patents
半導体素子実装装置の位置合せ精度測定具Info
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- JP2575804B2 JP2575804B2 JP63123519A JP12351988A JP2575804B2 JP 2575804 B2 JP2575804 B2 JP 2575804B2 JP 63123519 A JP63123519 A JP 63123519A JP 12351988 A JP12351988 A JP 12351988A JP 2575804 B2 JP2575804 B2 JP 2575804B2
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- Japan
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- electrode
- opening
- semiconductor element
- carrier tape
- inner lead
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、キャリアテープとそれに搭載される半導
体素子との位置合せ精度を測定するインナリードボンデ
ィング装置等の半導体素子実装装置の位置合せ精度測定
具に関する。
体素子との位置合せ精度を測定するインナリードボンデ
ィング装置等の半導体素子実装装置の位置合せ精度測定
具に関する。
（従来の技術） インアリードボンディング装置では、キャリアテープ
に半導体素子を搭載することが行われている。具体的に
は、第６図および第７図に示されるようにキャリアテー
プ１には、板面に角形の開孔２をもつ他、該開孔２の開
孔周縁に、先端を開孔側に突出させて複数本のインナリ
ード３を形成したものが用いられる。そして、第５図に
示すようにキャリアテープ１とこのキャリアテープ１に
搭載される第８図に示されるような複数の電極４をもつ
角形の半導体素子５とを、機械式ゲージング、又はITV
カメラを用いた光学的位置検出手段（図示しない）を用
いて位置合せした後、位置決め機構を使って両者を位置
決め固定し、その後、ボンディングツール６で半導体素
子５の電極４とキャリアテープ１のインナリード３とを
熱で圧着して接合するようにしている。
に半導体素子を搭載することが行われている。具体的に
は、第６図および第７図に示されるようにキャリアテー
プ１には、板面に角形の開孔２をもつ他、該開孔２の開
孔周縁に、先端を開孔側に突出させて複数本のインナリ
ード３を形成したものが用いられる。そして、第５図に
示すようにキャリアテープ１とこのキャリアテープ１に
搭載される第８図に示されるような複数の電極４をもつ
角形の半導体素子５とを、機械式ゲージング、又はITV
カメラを用いた光学的位置検出手段（図示しない）を用
いて位置合せした後、位置決め機構を使って両者を位置
決め固定し、その後、ボンディングツール６で半導体素
子５の電極４とキャリアテープ１のインナリード３とを
熱で圧着して接合するようにしている。
ところで、近年、実装の高密度化に伴い、高精度なボ
ンディングが必要となってきており、インナリードボン
ディング装置自体の位置合せ精度を知ることは重要であ
る。
ンディングが必要となってきており、インナリードボン
ディング装置自体の位置合せ精度を知ることは重要であ
る。
そこで、従来では、インナリード３の中心とそのイン
ナリードに固着される電極４の中心との距離を先に述べ
たゲージング機構，光学的位置検出手段で測定すること
が行われている。
ナリードに固着される電極４の中心との距離を先に述べ
たゲージング機構，光学的位置検出手段で測定すること
が行われている。
（発明が解決しようとする課題） ところが、この精度は、インナリードボンディング装
置の自体の位置合せ精度となる、ゲージング機構，光学
的位置検出手段の精度ならびにキャリアテープ１又は半
導体素子５の位置決め機構の精度に、キャリアテープ自
体の精度、すなわちキャリアテープの伸縮やインナリー
ドの曲りなどを加えたものである。
置の自体の位置合せ精度となる、ゲージング機構，光学
的位置検出手段の精度ならびにキャリアテープ１又は半
導体素子５の位置決め機構の精度に、キャリアテープ自
体の精度、すなわちキャリアテープの伸縮やインナリー
ドの曲りなどを加えたものである。
このため、位置合せ精度は重要であるものの、キャリ
アテープ１の精度が含まれるために、正確な測定ができ
ないものであった、 この発明はこのような事情に着目してなされたもの
で、インナリードボンディング装置の位置合せ精度を正
確に測定することができるインナリードボンディング装
置等の半導体素子実装装置の位置合せ精度測定具を提供
することを目的とする。
アテープ１の精度が含まれるために、正確な測定ができ
ないものであった、 この発明はこのような事情に着目してなされたもの
で、インナリードボンディング装置の位置合せ精度を正
確に測定することができるインナリードボンディング装
置等の半導体素子実装装置の位置合せ精度測定具を提供
することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、上記目的を達成するために、開孔が設け
られたテープ状のベースと、このベースの一方の面に前
記開孔の周縁に亘ってかつ内周側に開口を形成するよう
に所定幅で形成され、かつ、キャリアテープに接続され
る半導体素子の電極が半導体素子実装装置によって熱圧
着される電極取着部とを備え、前記電極取着部に形成さ
れる開口は、前記半導体素子の各電極の前記電極取着部
と対向する面上に設定される所定位置を結んで形成され
る設定線形状と同じ形状に構成されたことを特徴とする
半導体素子実装装置の位置合せ精度測定具を用いて、半
導体実装装置の位置合せ精度を測定する。
られたテープ状のベースと、このベースの一方の面に前
記開孔の周縁に亘ってかつ内周側に開口を形成するよう
に所定幅で形成され、かつ、キャリアテープに接続され
る半導体素子の電極が半導体素子実装装置によって熱圧
着される電極取着部とを備え、前記電極取着部に形成さ
れる開口は、前記半導体素子の各電極の前記電極取着部
と対向する面上に設定される所定位置を結んで形成され
る設定線形状と同じ形状に構成されたことを特徴とする
半導体素子実装装置の位置合せ精度測定具を用いて、半
導体実装装置の位置合せ精度を測定する。
（作 用） インナリードボンディングを始める前に、インナリー
ドボンディング装置で、通常のキャリアテープにボンデ
ィングするときと同じようにして、ベースの電極取着部
に半導体素子の電極をボンディングする。そして、この
ボンディングされたベースの開口部と電極との位置関係
を測定機器で測定し、この測定値からインナリードボン
ディング装置自体の位置合せ精度を算出する。
ドボンディング装置で、通常のキャリアテープにボンデ
ィングするときと同じようにして、ベースの電極取着部
に半導体素子の電極をボンディングする。そして、この
ボンディングされたベースの開口部と電極との位置関係
を測定機器で測定し、この測定値からインナリードボン
ディング装置自体の位置合せ精度を算出する。
（実施例） 以下、この発明を第１図ないし第４図に示す一実施例
にもとづいて説明する。第１図および第２図は位置合せ
測定具の平面図および断面図を示す。
にもとづいて説明する。第１図および第２図は位置合せ
測定具の平面図および断面図を示す。
位置合せ測定具となるキャリアテープ10には、「従来
の技術」の項で述べた通常のキャリアテープと同質、同
一形状のテープ状のベース11に枠状の銅箔12が接着され
た構造が用いられている。
の技術」の項で述べた通常のキャリアテープと同質、同
一形状のテープ状のベース11に枠状の銅箔12が接着され
た構造が用いられている。
詳しくは、銅箔12には中央に第８図の一点鎖線（設定
線）Ａで示される半導体素子５の電極４の所定位置、例
えば各電極のキャリアテープと対向する面上の所定位置
（例えば重心）を結んで形成される例えば長方形と同一
寸法の辺をもつ角孔13を形成したものが用いられてい
る。そして、ベース11の開孔10aの一方の周縁部分に銅
箔12が取着され、銅箔12の角孔13部分側をインナリード
の代わりに開孔10aへ張り出させている。
線）Ａで示される半導体素子５の電極４の所定位置、例
えば各電極のキャリアテープと対向する面上の所定位置
（例えば重心）を結んで形成される例えば長方形と同一
寸法の辺をもつ角孔13を形成したものが用いられてい
る。そして、ベース11の開孔10aの一方の周縁部分に銅
箔12が取着され、銅箔12の角孔13部分側をインナリード
の代わりに開孔10aへ張り出させている。
そして、こうした銅箔12の開孔10aに突出した部分
に、通常のキャリアテープのインナリードと同様に、錫
メッキが施され、インナリードに代わる電極取着部14を
従来のキャリアテープ１の開孔12に相当する開孔10aの
周りに形成して、測定具全体を構成している。
に、通常のキャリアテープのインナリードと同様に、錫
メッキが施され、インナリードに代わる電極取着部14を
従来のキャリアテープ１の開孔12に相当する開孔10aの
周りに形成して、測定具全体を構成している。
しかして、こうしたキャリアテープ10を用いてインナ
リードボンディング装置の位置合せ精度を測定するとき
は、半導体素子５と通常のキャリアテープとのインナリ
ードボンディングを始める前に、第５図に示されるよう
にインナリードボンディング装置のボンディングツール
６で、通常のキャリアテープにボンディングするときと
同じように半導体素子５を位置決めてボンディングす
る。すなわち、半導体素子５の電極の接続面の所定位置
を結んで形成（想定）される一点鎖線Ａとキャリアテー
プ10の角孔13の縁部の形状とが一致するように熱で圧着
する。
リードボンディング装置の位置合せ精度を測定するとき
は、半導体素子５と通常のキャリアテープとのインナリ
ードボンディングを始める前に、第５図に示されるよう
にインナリードボンディング装置のボンディングツール
６で、通常のキャリアテープにボンディングするときと
同じように半導体素子５を位置決めてボンディングす
る。すなわち、半導体素子５の電極の接続面の所定位置
を結んで形成（想定）される一点鎖線Ａとキャリアテー
プ10の角孔13の縁部の形状とが一致するように熱で圧着
する。
その後、キャリアテープ10をインナリードボンディン
グ装置から取り出し、ボンディングされた角孔13と電極
４との位置関係を測定機器で測定する。例えば、第３図
に示されるようにキャリアテープ10を顕微鏡15にセット
し、位置関係を見る。
グ装置から取り出し、ボンディングされた角孔13と電極
４との位置関係を測定機器で測定する。例えば、第３図
に示されるようにキャリアテープ10を顕微鏡15にセット
し、位置関係を見る。
ここで、両者の位置合せにずれおよび傾きがあれば、
例えば第４図に示されるように見えてくる。ついで、顕
微鏡15を通して、電極４の長方形の角孔13の中心に対す
るx,y方向のずれΔx,Δｙおよびθ方向の傾きΔθの要
素となる各部の距離、例えばx0〜x2、y1〜y3といった角
孔13の並行な辺に対するx,y方向の距離を測定する。そ
して、これら測定値から、下記の式を使ってΔx,Δｙお
よびΔθを算出すれば、インナリードボンディング装置
の位置合せ精度を知ることができる。
例えば第４図に示されるように見えてくる。ついで、顕
微鏡15を通して、電極４の長方形の角孔13の中心に対す
るx,y方向のずれΔx,Δｙおよびθ方向の傾きΔθの要
素となる各部の距離、例えばx0〜x2、y1〜y3といった角
孔13の並行な辺に対するx,y方向の距離を測定する。そ
して、これら測定値から、下記の式を使ってΔx,Δｙお
よびΔθを算出すれば、インナリードボンディング装置
の位置合せ精度を知ることができる。
Δｘ＝（x1−x2）/2 Δｙ＝（y1−y2）/2 Δθ＝tan-1｛（x2−x0）/y3｝ しかも、測定する部分はインナリードでなく角孔13な
ので、従来のようにインナリードの曲りに影響されない
ですむ。そのうえ、こうしたことに加え、上式から明ら
かなように各Δx,ΔｙおよびΔθは、x0〜x2、y1〜y3に
よって決まるので、たとえ電極４の接続面の所定位置を
結ぶ一点鎖線Ａで示される長方形の各辺の長さX1,Y
1と、これに対応する角孔13の各辺の長さX2,Y2とが、伸
縮などにより若干違っていたとしても測定値に影響を及
ぼすことはない。
ので、従来のようにインナリードの曲りに影響されない
ですむ。そのうえ、こうしたことに加え、上式から明ら
かなように各Δx,ΔｙおよびΔθは、x0〜x2、y1〜y3に
よって決まるので、たとえ電極４の接続面の所定位置を
結ぶ一点鎖線Ａで示される長方形の各辺の長さX1,Y
1と、これに対応する角孔13の各辺の長さX2,Y2とが、伸
縮などにより若干違っていたとしても測定値に影響を及
ぼすことはない。
かくして、インナリードボンディング装置の位置合せ
精度を正確に測定することができ、こうして得た精度で
インナリードボンディング装置の性能を評価すればよ
い。
精度を正確に測定することができ、こうして得た精度で
インナリードボンディング装置の性能を評価すればよ
い。
またこうしたキャリアテープ10を使った精度の測定
は、インナリードボンディング装置の種類を問わずに測
定することができるので、容易に異なる種類の装置でも
性能を比べることができる。
は、インナリードボンディング装置の種類を問わずに測
定することができるので、容易に異なる種類の装置でも
性能を比べることができる。
なお、一実施例では電極４の中心を通る長方形の角孔
13を用いたが、角孔13は電極４が少し見える範囲、具体
的には電極４の内側の辺を通る長方形よりやや大きく
て、電極４の外側の辺を通る長方形よりやや小さい範囲
の大きさの長方形であればよい。
13を用いたが、角孔13は電極４が少し見える範囲、具体
的には電極４の内側の辺を通る長方形よりやや大きく
て、電極４の外側の辺を通る長方形よりやや小さい範囲
の大きさの長方形であればよい。
また、一実施例では位置合せ精度が得られやすいよ
う、電極の接続面の中心を結んだ形と同じ開口部を設け
たものを一例に挙げたが、それに限定されるものではな
く例えば、電極の先端を除く同一な点を結んだ形と同じ
辺をもつ開口部を銅箔に設けて、開口部から露出する電
極と開口部との位置関係を測定するようにしてもよい。
う、電極の接続面の中心を結んだ形と同じ開口部を設け
たものを一例に挙げたが、それに限定されるものではな
く例えば、電極の先端を除く同一な点を結んだ形と同じ
辺をもつ開口部を銅箔に設けて、開口部から露出する電
極と開口部との位置関係を測定するようにしてもよい。
さらにまた一実施例では、銅箔に錫メッキをしたもの
を示したが、半導体素子の電極に熱圧着できるものであ
れば、材質，表面処理は問わない。
を示したが、半導体素子の電極に熱圧着できるものであ
れば、材質，表面処理は問わない。
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明によれば、例えばイン
ナリードボンディング装置のような半導体実装装置のよ
うな半導体実装装置の位置合せ精度を正確に測定するこ
とができる。しかも、例えば半導体実装装置がインナリ
ードボンディング装置である場合、その種類を問わずに
精度を測定することができるので、容易に異なる種類の
装置でも性能を比較できる。
ナリードボンディング装置のような半導体実装装置のよ
うな半導体実装装置の位置合せ精度を正確に測定するこ
とができる。しかも、例えば半導体実装装置がインナリ
ードボンディング装置である場合、その種類を問わずに
精度を測定することができるので、容易に異なる種類の
装置でも性能を比較できる。
第１図ないし第４図はこの発明の一実施例を示し、第１
図は測定具を示す平面図、第２図はその第１図中II−II
線に沿う断面図、第３図は顕微鏡を用いて位置ずれを測
定している状態を示す正面図、第４図はその電極と開口
部との位置ずれを示している平面図、第５図はインナリ
ードボンディング装置を示す正面図、第６図はそのイン
ナリードボンディングされたキャリアテープを示す平面
図、第７図はその第６図中VII−VII線に沿う断面図、第
８図はそのキャリアテープに搭載される半導体素子を示
す平面図である。 ４……電極、５……半導体素子、11……ベース、13……
角孔（開口）、14……電極取着部。
図は測定具を示す平面図、第２図はその第１図中II−II
線に沿う断面図、第３図は顕微鏡を用いて位置ずれを測
定している状態を示す正面図、第４図はその電極と開口
部との位置ずれを示している平面図、第５図はインナリ
ードボンディング装置を示す正面図、第６図はそのイン
ナリードボンディングされたキャリアテープを示す平面
図、第７図はその第６図中VII−VII線に沿う断面図、第
８図はそのキャリアテープに搭載される半導体素子を示
す平面図である。 ４……電極、５……半導体素子、11……ベース、13……
角孔（開口）、14……電極取着部。
Claims (1)
- 【請求項１】開孔が設けられたテープ状のベースと、こ
のベースの一方の面に前記開孔の周縁に亘ってかつ内周
側に開口を形成するように所定幅で形成され、かつ、キ
ャリアテープに接続される半導体素子の電極が半導体素
子実装装置によって熱圧着される電極取着部とを備え、
前記電極取着部に形成される開口は、前記半導体素子の
各電極の前記電極取着部と対向する面上に設定される所
定位置を結んで形成される設定線形状と同じ形状に構成
されたことを特徴とする半導体素子実装装置の位置合せ
精度測定具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123519A JP2575804B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体素子実装装置の位置合せ精度測定具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123519A JP2575804B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体素子実装装置の位置合せ精度測定具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292836A JPH01292836A (ja) | 1989-11-27 |
| JP2575804B2 true JP2575804B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=14862621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63123519A Expired - Lifetime JP2575804B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体素子実装装置の位置合せ精度測定具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2575804B2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123519A patent/JP2575804B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01292836A (ja) | 1989-11-27 |
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