JPS6147964A - 新規なフオトマスクブランク及びフオトマスク - Google Patents
新規なフオトマスクブランク及びフオトマスクInfo
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- JPS6147964A JPS6147964A JP59168880A JP16888084A JPS6147964A JP S6147964 A JPS6147964 A JP S6147964A JP 59168880 A JP59168880 A JP 59168880A JP 16888084 A JP16888084 A JP 16888084A JP S6147964 A JPS6147964 A JP S6147964A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chromium
- film
- photomask
- boride
- novel
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩＣやＩ、ＳＸの製造に用し１られる新規なフ
ォトマスクブランク及びフォトマスクに関する・ ＩＣやＬＳＩでは回路画像をｔａ度良くシ１ノコン令つ
エノ＼−上に形成するために、紫外線１ノソグラフイー
法により高解像力の／＼−ドプスクプレートとしてクロ
ムマスクを用Ｉ／１て素子の製造を行っている。一般に
か力）るクロムマスクとしては、１１基板上（こクロム
単層ＩＩＱをｊ形成した単層膜タイプのもの、あるｌ／
）ζ±ウニノーーとマスクの間の多重反射を防止するた
め番こ、クロムＪｌｆｉとクロム欣化物膜ｍみ合せた低
反射タイプのものが用いられている。
ォトマスクブランク及びフォトマスクに関する・ ＩＣやＬＳＩでは回路画像をｔａ度良くシ１ノコン令つ
エノ＼−上に形成するために、紫外線１ノソグラフイー
法により高解像力の／＼−ドプスクプレートとしてクロ
ムマスクを用Ｉ／１て素子の製造を行っている。一般に
か力）るクロムマスクとしては、１１基板上（こクロム
単層ＩＩＱをｊ形成した単層膜タイプのもの、あるｌ／
）ζ±ウニノーーとマスクの間の多重反射を防止するた
め番こ、クロムＪｌｆｉとクロム欣化物膜ｍみ合せた低
反射タイプのものが用いられている。
これらのマスクはシリコン番つェ／Ｘ−にマスクパター
ンを転写する工程に１おいて使用中にホコリや汚れがつ
くため、幾度も洗浄してくり返し使用されるのが普通で
ある。この洗浄には。
ンを転写する工程に１おいて使用中にホコリや汚れがつ
くため、幾度も洗浄してくり返し使用されるのが普通で
ある。この洗浄には。
１つにはブラシによるスクラブ洗浄があり、キズのつき
難い表面が要求される。このキズのつき難い性質は、シ
リコン・ウェノ＼−と直接接触するコンタクト・プリン
ト方式で特に重要である。また、マスクの洗浄工程に於
ては、有機物系の汚れをとるために強酸１例えば熱濃硫
酸あるいはクロム混酸などが用いられ、何回も洗浄され
るので通常の金属膜は酸に侵されてしまうという欠点が
ある。クロム膜もその例外ではなく熱濃硫酸などには数
秒で溶かされてしう、この様な熱濃硫酸あるいはクロム
混酸などの強酸に対する耐酸性を向上させるために、ク
ロム膜は純粋なりロムから成る膜とはせず、異種元素の
導入を計ることが一つの方法として提案されている０例
えば、クロム−＝−ｎ他元素の導入の形としてはクロム
酸化物、クロム窒化物、及びクロム炭化物の形態か考え
られ、この様な化合物をクロム膜全体に亘って一様に分
布させれば耐酸性を向上させることが可能である。
難い表面が要求される。このキズのつき難い性質は、シ
リコン・ウェノ＼−と直接接触するコンタクト・プリン
ト方式で特に重要である。また、マスクの洗浄工程に於
ては、有機物系の汚れをとるために強酸１例えば熱濃硫
酸あるいはクロム混酸などが用いられ、何回も洗浄され
るので通常の金属膜は酸に侵されてしまうという欠点が
ある。クロム膜もその例外ではなく熱濃硫酸などには数
秒で溶かされてしう、この様な熱濃硫酸あるいはクロム
混酸などの強酸に対する耐酸性を向上させるために、ク
ロム膜は純粋なりロムから成る膜とはせず、異種元素の
導入を計ることが一つの方法として提案されている０例
えば、クロム−＝−ｎ他元素の導入の形としてはクロム
酸化物、クロム窒化物、及びクロム炭化物の形態か考え
られ、この様な化合物をクロム膜全体に亘って一様に分
布させれば耐酸性を向上させることが可能である。
−・方、高精瓜なマスク・パターンを得る方法として、
光を使うリソグラフィーに対し、電子線を用いたリソグ
ラフィーがある。電子線は光の場合に比較してその波長
が数万分の１と小さく、それだけ解像度が良くなる。現
在のフォトマスクの製造に於て、この電子線による方法
は特にマスターマスクやレチクルの製造には欠かせない
ものとなっている。′シかじ、従来のクロム酸化物を反
射防止膜とした低反射マスクブランクでは、電気抵抗が
金属クロムに比して高いため、時として、電子線によっ
てひき起されるチャージ・アップの現象を呈し、微細な
パターンの描画に支障をきたす場合がある。したがって
電子線描画用のマスクブランクとしては電気抵抗の低い
ものが望まれる。
光を使うリソグラフィーに対し、電子線を用いたリソグ
ラフィーがある。電子線は光の場合に比較してその波長
が数万分の１と小さく、それだけ解像度が良くなる。現
在のフォトマスクの製造に於て、この電子線による方法
は特にマスターマスクやレチクルの製造には欠かせない
ものとなっている。′シかじ、従来のクロム酸化物を反
射防止膜とした低反射マスクブランクでは、電気抵抗が
金属クロムに比して高いため、時として、電子線によっ
てひき起されるチャージ・アップの現象を呈し、微細な
パターンの描画に支障をきたす場合がある。したがって
電子線描画用のマスクブランクとしては電気抵抗の低い
ものが望まれる。
本発明はこの様な点に鑑み、倣ｄパターンの形成か可能
でしかも耐擦傷性があり、電気抵抗の低い反射防止膜を
もったフォトマスクブランク及びフォトマスクを提供す
ることを目的とした研究の結果、発明されたものである
。
でしかも耐擦傷性があり、電気抵抗の低い反射防止膜を
もったフォトマスクブランク及びフォトマスクを提供す
ることを目的とした研究の結果、発明されたものである
。
その第１の発明の要旨は、透明基板に遮光膜及び反射防
止膜を施したフォトマスクブランクに於て、該反射防止
膜がクロム硼化物を含有するクロムからなることを特徴
とするフォトマスクブランクに関するものであり、第２
の発明の要旨は、透明基板にパターン化された遮光膜及
び反射防止膜を有するフォトマスクに於て、該反射防止
膜がクロム硼化物を含有するクロムからなることを特徴
とするフォトマスクに関するものである。
止膜を施したフォトマスクブランクに於て、該反射防止
膜がクロム硼化物を含有するクロムからなることを特徴
とするフォトマスクブランクに関するものであり、第２
の発明の要旨は、透明基板にパターン化された遮光膜及
び反射防止膜を有するフォトマスクに於て、該反射防止
膜がクロム硼化物を含有するクロムからなることを特徴
とするフォトマスクに関するものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。第１図は本発明の
フォトマスクブランクの断面構造を示す概略図であり、
第２図は、第１図のフォトマスクブランクの遮光膜と反
射防止膜とを所定のパターンに除去した本発明のフォト
マスクの断−面１構造を示す概略図である６図において
１は透明基板、２は遮光膜、３は反射防止膜、４は遮光
膜あるいは遮光膜と反射防止膜とが除去された部分、５
はフォトマスクブランク、６はフォトマスクを示す０本
発明に於て、透明基板ｌは表面が平滑、平１！！なアル
ミ／シリケートガラス、ボロシリケートガラスなどの低
膨張性ガラス、または、石英ガラス、ソーダ・石灰ガラ
ス、あるいはサファイヤなどが使用される。そして本発
明に於ける反射防止膜３はクロム硼化物を含有するクロ
ム１１りが使用される。かかるクロム硼化物がクロムＨ
中に含有されていると耐擦傷性、導電性蒸び反射防止性
能の点から好ましい。
フォトマスクブランクの断面構造を示す概略図であり、
第２図は、第１図のフォトマスクブランクの遮光膜と反
射防止膜とを所定のパターンに除去した本発明のフォト
マスクの断−面１構造を示す概略図である６図において
１は透明基板、２は遮光膜、３は反射防止膜、４は遮光
膜あるいは遮光膜と反射防止膜とが除去された部分、５
はフォトマスクブランク、６はフォトマスクを示す０本
発明に於て、透明基板ｌは表面が平滑、平１！！なアル
ミ／シリケートガラス、ボロシリケートガラスなどの低
膨張性ガラス、または、石英ガラス、ソーダ・石灰ガラ
ス、あるいはサファイヤなどが使用される。そして本発
明に於ける反射防止膜３はクロム硼化物を含有するクロ
ム１１りが使用される。かかるクロム硼化物がクロムＨ
中に含有されていると耐擦傷性、導電性蒸び反射防止性
能の点から好ましい。
なお、本発明に於てはクロム硼化物の成分を含有するク
ロム膜に更にクロム酸化物、クロム窒化物、及びクロム
炭化物のいづれか、あるいはこれらの化合物を２つ以上
を共存させ、耐酸性の改善及びエツチング速度等の制御
を行うことが可能である。また、１１りの厚みは耐擦傷
性、導電性及び４詣防止性能の点から１００〜５００
Ａの範囲が、そしてクロム硼化物の含有量はクロムに対
し、原子比で １〜５０％の範囲が好ましい。
ロム膜に更にクロム酸化物、クロム窒化物、及びクロム
炭化物のいづれか、あるいはこれらの化合物を２つ以上
を共存させ、耐酸性の改善及びエツチング速度等の制御
を行うことが可能である。また、１１りの厚みは耐擦傷
性、導電性及び４詣防止性能の点から１００〜５００
Ａの範囲が、そしてクロム硼化物の含有量はクロムに対
し、原子比で １〜５０％の範囲が好ましい。
本発明に於て、クロム硼化物が含まれたクロｔ−遮光１
模を形成する方法としては金属クロム及びクロム硼化物
の粉末を適当量混合して焼結したターゲ・ントを用い、
アルゴンガスを導入してスパッタリングする方法、ある
いは、ジポランをアルゴンに適量混合したガスと金属ク
ロムターゲットを用いて反応性スパッタリング法でｎ９
を形成する方法がある。
模を形成する方法としては金属クロム及びクロム硼化物
の粉末を適当量混合して焼結したターゲ・ントを用い、
アルゴンガスを導入してスパッタリングする方法、ある
いは、ジポランをアルゴンに適量混合したガスと金属ク
ロムターゲットを用いて反応性スパッタリング法でｎ９
を形成する方法がある。
また、クロム硼化物が含有されたクロム１１λ中に、更
にクロム酸化物やクロム窒化物、あるいはクロム炭化物
を含有させる場合も、金属クロムとクロム硼化物の粉末
に更にクロム酸化物、クロム窒化物あるいはクロム炭化
物の粉末を加えて混合した焼結ターゲットを用いてスパ
ッタリングを行い膜を形成する。あるいは、ジポラン、
酸素ガス、窒素ガス及びメタンガス等をア。
にクロム酸化物やクロム窒化物、あるいはクロム炭化物
を含有させる場合も、金属クロムとクロム硼化物の粉末
に更にクロム酸化物、クロム窒化物あるいはクロム炭化
物の粉末を加えて混合した焼結ターゲットを用いてスパ
ッタリングを行い膜を形成する。あるいは、ジポラン、
酸素ガス、窒素ガス及びメタンガス等をア。
ルゴンガスに混合さｂ＊属ツクロムターゲット用いて反
応性スパッタリングすることによって形成することがで
きる。なお、クロム膜中への１！ＩＩ素、酸２話、窒素
および炭素の導入量は、ターゲットのＭ１成比、あるい
はスパッタガスの混合比および混合ガス導入量等を変え
ることによって可能である。
応性スパッタリングすることによって形成することがで
きる。なお、クロム膜中への１！ＩＩ素、酸２話、窒素
および炭素の導入量は、ターゲットのＭ１成比、あるい
はスパッタガスの混合比および混合ガス導入量等を変え
ることによって可能である。
以下１本発明の実施例について示す。
［実施例１コ
表面をｊＩ！Ｊ密に研磨した透明ガラス基板上にアルゴ
ンガスと金属クロムターゲットを用いたスパッタリング
法により金属クロム６００人を遮光層として形成しくス
パッタ条件ニスバッタガス圧４．ＯＸ ｔｏ−３Ｔｏｒ
ｒ、 ＲＦ電力２．０ＫＷ） 、ついで、クロムとクロ
ム硼化物（ＣｒＢ２）の粉末を適量混合して作成した焼
結ターゲラ）（Ｃｒ：Ｂ＝ｌ：ｌ）を用い、該クロム股
上に約２０ＯＡのクロム硼化物層を形成した。オージェ
分光装置によりこのＩｌλの分析を行ったところ、硼素
の含有量はＣｒに対し、原子比で工：１の割合いであっ
た。さらにこの二層１１り構−の表面反射率を分光光度
計で測定したところ波長４Ｈｎａ＋で約１０％と低く、
十分な低反射率が得られた。また、この表面層の硬さを
調べるために、約２ルｍの厚みのクロム硼化膜を作成し
、引掻試験ａ（新東科学（株）製： ＨＥＩＤＯＮ−１
８）を用い１曲率半径５０ｐｍのサファイヤ針を装着し
て１００ｇの荷重をかけて引っ掻き圧痕の幅を測定した
ところ。
ンガスと金属クロムターゲットを用いたスパッタリング
法により金属クロム６００人を遮光層として形成しくス
パッタ条件ニスバッタガス圧４．ＯＸ ｔｏ−３Ｔｏｒ
ｒ、 ＲＦ電力２．０ＫＷ） 、ついで、クロムとクロ
ム硼化物（ＣｒＢ２）の粉末を適量混合して作成した焼
結ターゲラ）（Ｃｒ：Ｂ＝ｌ：ｌ）を用い、該クロム股
上に約２０ＯＡのクロム硼化物層を形成した。オージェ
分光装置によりこのＩｌλの分析を行ったところ、硼素
の含有量はＣｒに対し、原子比で工：１の割合いであっ
た。さらにこの二層１１り構−の表面反射率を分光光度
計で測定したところ波長４Ｈｎａ＋で約１０％と低く、
十分な低反射率が得られた。また、この表面層の硬さを
調べるために、約２ルｍの厚みのクロム硼化膜を作成し
、引掻試験ａ（新東科学（株）製： ＨＥＩＤＯＮ−１
８）を用い１曲率半径５０ｐｍのサファイヤ針を装着し
て１００ｇの荷重をかけて引っ掻き圧痕の幅を測定した
ところ。
従来のクロム酸化膜（アルゴンガスに＃素ガス１０％を
混合し、スパッタガス圧を７．ＱＸＩＯ−３Ｔｏｒｒに
してＲＦ主電力２．５ＫＷとして作成したクロムへ突化
１１り）に比べて約２０％も狭く、かなり表面硬度の高
いことがわかった。さらに。
混合し、スパッタガス圧を７．ＱＸＩＯ−３Ｔｏｒｒに
してＲＦ主電力２．５ＫＷとして作成したクロムへ突化
１１り）に比べて約２０％も狭く、かなり表面硬度の高
いことがわかった。さらに。
引掻試験機を用いた砂消しゴムによる摩耗試験（圧カニ
５０ｇ／ｍｍ２．５往復）にも十分耐え、キズの発生
はほとんど見られなかった１次いで、４探針法により比
抵抗を測定したところ２１０ルΩ・Ｃｌ１ｌと従来のク
ロム酸化１気の比抵抗ｉＫΩ・Ｃｆｆ１にくらべて十分
低い値が得られた。
５０ｇ／ｍｍ２．５往復）にも十分耐え、キズの発生
はほとんど見られなかった１次いで、４探針法により比
抵抗を測定したところ２１０ルΩ・Ｃｌ１ｌと従来のク
ロム酸化１気の比抵抗ｉＫΩ・Ｃｆｆ１にくらべて十分
低い値が得られた。
［実施例２］
金属クロムとクロム硼化物（ＣｒＢ２ ）の粉木を適当
量混合して得られた焼結ターゲット（Ｃｒ：Ｂ＝９：ｌ
）を用い、スパッタガスとして、アルゴン３５％、窒素
８０％、そして酸素ガス５％を１合し、ＲＦパワ＝ ２
．５ＫＷ、スパッタガス圧＝ ５．ＯＸ １Ｏ−３Ｔ
ｏｒｒで反応性スパッタを行い、実施例１と同条件で作
成した金属クロム１３００人の上に約２５０人の膜厚で
成膜した。
量混合して得られた焼結ターゲット（Ｃｒ：Ｂ＝９：ｌ
）を用い、スパッタガスとして、アルゴン３５％、窒素
８０％、そして酸素ガス５％を１合し、ＲＦパワ＝ ２
．５ＫＷ、スパッタガス圧＝ ５．ＯＸ １Ｏ−３Ｔ
ｏｒｒで反応性スパッタを行い、実施例１と同条件で作
成した金属クロム１３００人の上に約２５０人の膜厚で
成膜した。
その結果、 ４３８ｎｊＩに於ける波長で７％の低い
反射率が得られ、表面硬度も引掻試験機を用いた砂消し
ゴムによる摩耗試験（圧カニ５０８／ｌｌ１ｒｎ２．５
往復）にも十分耐え、キズの発生は殆ど見られなかった
。また、比抵抗は１９０ルΩ・ｃｍであり、電子線描画
用として好ましい膜が得られた。
反射率が得られ、表面硬度も引掻試験機を用いた砂消し
ゴムによる摩耗試験（圧カニ５０８／ｌｌ１ｒｎ２．５
往復）にも十分耐え、キズの発生は殆ど見られなかった
。また、比抵抗は１９０ルΩ・ｃｍであり、電子線描画
用として好ましい膜が得られた。
このブランクスに、ネガ５ＥＢレジスト（東京応化製
ＯＥ Ｂ Ｒ−１００）をスピナーの回転数を４００Ｏ
ｒ、ｐ、ｍ、とじて約５０００人の厚みに塗布した。プ
リベークの後、簡易型ＥＢ描画装置を用い、照射電荷量
を２ｐＣ／ｃｎ（とじ、ブランキング装置を作動させて
線幅 １．ＱｉＬαの直線状パターンを４終ｍ間隔で描
画した０次いで現像、リンスを行いレジストのパターニ
ングを行い、１３０℃、３０分間のボストベークを行っ
た。ボストψベーク後、ドライエツチング装置を用いて
。
ＯＥ Ｂ Ｒ−１００）をスピナーの回転数を４００Ｏ
ｒ、ｐ、ｍ、とじて約５０００人の厚みに塗布した。プ
リベークの後、簡易型ＥＢ描画装置を用い、照射電荷量
を２ｐＣ／ｃｎ（とじ、ブランキング装置を作動させて
線幅 １．ＱｉＬαの直線状パターンを４終ｍ間隔で描
画した０次いで現像、リンスを行いレジストのパターニ
ングを行い、１３０℃、３０分間のボストベークを行っ
た。ボストψベーク後、ドライエツチング装置を用いて
。
プラズマ・アッシング処理（酸素ガス１Ｑｃｃ／＋ｍＯ
，７Ｔｏｒｒ）を行い、ついで、硝酸第二セリウムアン
モニウム １６５ｇと過塩素酸（７０％）４２ｆｆｉ見
に純水を加えて １０００ｍ ！；Ｌにしたエツチング
液（２２〜２３℃）でクロム膜のエツチングを行った。
，７Ｔｏｒｒ）を行い、ついで、硝酸第二セリウムアン
モニウム １６５ｇと過塩素酸（７０％）４２ｆｆｉ見
に純水を加えて １０００ｍ ！；Ｌにしたエツチング
液（２２〜２３℃）でクロム膜のエツチングを行った。
その結果、エツチング時間は４５秒であった。走査型電
子５ｊｌ微鏡（ＳＥＭ）によるパターンのエツジ番シャ
ープネスは０．０５．ｐｍ以下と小さく、また、１０秒
当りの線幅の減少ｆＩｋ（サイドエッチ量）を微小寸法
測定装置で測定したところ約０．４ ｇ ｍ／ＩＱｓｅ
ｃ以下と小さく良好であった。特にＥＢ露光時における
、チャージ・アップによるパターン精度の悪さは見られ
ず、精度の良いパターニングができていた。
子５ｊｌ微鏡（ＳＥＭ）によるパターンのエツジ番シャ
ープネスは０．０５．ｐｍ以下と小さく、また、１０秒
当りの線幅の減少ｆＩｋ（サイドエッチ量）を微小寸法
測定装置で測定したところ約０．４ ｇ ｍ／ＩＱｓｅ
ｃ以下と小さく良好であった。特にＥＢ露光時における
、チャージ・アップによるパターン精度の悪さは見られ
ず、精度の良いパターニングができていた。
以上に説明した様に、本発明によれば、精度の高い微細
なパターニングが可能で、耐擦傷性があり、又電気抵抗
の低い反射防止膜を持ったフォトマスクブランク及びフ
ォトマスクを得ることができる。
なパターニングが可能で、耐擦傷性があり、又電気抵抗
の低い反射防止膜を持ったフォトマスクブランク及びフ
ォトマスクを得ることができる。
第１図は、本発明に係るフォトマスクブランクの部分断
面概略図を示し、第２図は本発明に係るフォトマスクの
部分断面概略図を示す。 ｌ：透明基板 ２：遮光Ｊｉｇ １反射防止膜４：除
去部分 ５：フォトマスクブランク６：フォトマスク
面概略図を示し、第２図は本発明に係るフォトマスクの
部分断面概略図を示す。 ｌ：透明基板 ２：遮光Ｊｉｇ １反射防止膜４：除
去部分 ５：フォトマスクブランク６：フォトマスク
Claims (4)
- （１）透明基板に遮光膜及び反射防止膜を施したフォト
マスクブランクに於て、該反射防止膜がクロム硼化物を
含有するクロムからなる ことを特徴とする新規なフォトマスクブラ ンク。 - （２）上記反射防止膜がクロム硼化物、並びにクロム酸
化物、クロム窒化物、及びクロム炭化物の少なくとも１
つとを含有するクロムからなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の新規なフォトマスクブランク。 - （３）透明基板にパターン化された遮光膜及び反射防止
膜を有するフォトマスクに於て、該反射防止膜がクロム
硼化物を含有するクロムからなることを特徴とする新規
なフォトマスク。 - （４）透明基板にパターン化された遮光膜及び反射防止
層を有するフォトマスクに於て、該反射防止膜がクロム
硼化物、並びにクロム酸化物、クロム窒化物及びクロム
炭化物の少なくとも１つとを含有するクロムから成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の新規なフォ
トマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59168880A JPS6147964A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 新規なフオトマスクブランク及びフオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59168880A JPS6147964A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 新規なフオトマスクブランク及びフオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6147964A true JPS6147964A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15876270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59168880A Pending JPS6147964A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 新規なフオトマスクブランク及びフオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6147964A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007315346A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電動送風機及びこれを用いた電気掃除機 |
| US7416384B2 (en) | 2002-09-20 | 2008-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electric blower and vacuum cleaner using same |
-
1984
- 1984-08-14 JP JP59168880A patent/JPS6147964A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7416384B2 (en) | 2002-09-20 | 2008-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electric blower and vacuum cleaner using same |
| JP2007315346A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電動送風機及びこれを用いた電気掃除機 |
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