JPS6145560A - ハロゲン電球 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はハロケ゛ン電球におけるフィラメントの端部を
モリブデンチューブを介して内部導入線に溶接する方法
に関するものである。

（従来技術） この種のモリブデンチューブを利用したフィラメントの
、容接方法としては、例えば第８〜１０図に示したもの
が公知である。この溶接方法は、タングステンワイヤー
からなるフィラメント１がコイリング部２と取付用の端
部３とを有し、この端部３側をモリブデンチューブ４に
挿入し、該モリブデンチューブを楕円形に押潰して端部
３と当接させ、このモリブデンチューブを電球内に配設
させた内部導入線５に溶接する。

この場合、第９図に示したように上下知配した電極６，
７が内部導入線５とモリブデンチューブ４とをサンドイ
ンチ状に挾み、所定の電圧を印加してスポット溶接を行
うものであり、内部導入線５とモリブデンチューブ４と
はその当接長さが、モリブデンチューブを横切る長さの
最長さで溶接される／こめに、その溶接強度は充分であ
る。

この種のハロケ８ノ電球において、ハロケ８ンサイクル
を考えだ場合にフィラメントの端子部分、即ら溶！姦側
の嬬１都のｌ７１ｉ度が極めて重大な問題となる。

つ１す、電球内に封入されるハロケ゛ンガスとして１；
１素を用いた陽舒に、電球内に酸素が存在すると、フィ
ラメントの低温部がエツチングされ、電球として’Ｐ、
、）、　３’＝７　自になる。これは低温部のタングス
テンワイヤーが酸素まだはその化合物によって酸比され
、その酸化タングステンと臭素が化合して蒸発し易いｆ
ヒ合物となるために生ずる現象である。実際に内部導入
線はフィラメントを保持するために必要な強度を保ち且
つエツチングを受けないようにフィラメント胚（径の数
倍以上の太さのものが使用され、そのためにこの内部導
入線と接続したフィラメントの接続部分近傍が低温部と
なってエツチングを受けてし１つ。

又、一般的にはフィラメントの点灯によって電１〕）；
内部に対流が生じ、それによって低温部におけるタング
ステンが酸化と蒸発とが助成されエツチングが促進され
るが、フィラメントから直径約１．５φの範囲は、ラン
グミュアシート（フィラメント近傍では温度上昇のため
気体の粘度が高くなり、対流が起らない層ができる。こ
の層をラングミュアノートと称している）と呼ばれ、対
流が生じないことも知られている。

そして、この種のハロケ゛ン電球では、内部に遮光板が
取付けられるものや、パルプが長く形成され、長さ方向
に沿ってフィラメントが配設されるものがあり、遮光板
を使用するものにあっては、酸素その他の不純ガスが出
易く、タングステン線の酸化及びエツチングが促進され
、更にはバルブが長いと高温部と低温部の温度差が著し
く、低温部にハロケ゛ン化タングステンの凝縮が起る。

この凝縮によるハロケ゛ンの減量を補うためにハロケ゛
ン量を多くするか、又は活性度の高いハロケ゛ンを混入
して凝縮を防止する必要があるが、その反面エツチング
を受は易い状態になることも明らかである。

このような実情からして前記した従来例にあってば、内
部導入線５に対する溶接強度は充分であるが、その溶接
部分の近辺及びモリブデンチューブ４から出だ部分は１
〜３胴程度の範囲において、内部幅入線５及びモリブデ
ンチューブ４に熱ヲ奪わり、る／こめ低温部となり、対
流が生ずる範囲に属すると共にエツチングを受は易い部
分となり長期に１ｊ１４用し得ないという問題点がある
。

更ンζ、内部刺・、入線５にＺ・１シてモリブデンチュ
ーブ・ｌを溶接する際に、第１０図に示しだように、溶
接電流ａがモリブデンチューブ４よりもタングステンワ
イヤー即ちフィラメント１に多く流れるため、溶接部分
におけるフィラメントがもろくなり、著しい時には折１
負して断線を起すという問題点も有している９゜ （発明が解決しようとする問題点） 本発明は、内部】ｎ入線に溶接されたフィラメントの低
温部分を対流にさらされないようにし、エツチングによ
るｒ＝　ａｌり及び使用寿命が短いという問題点、並び
に心接時における溶接電流でフィラメントがもろくなる
という問題点を解決しようとするものである。

（問題点を解決するだめの手段） 本発明は上記問題点を解決する具体的手段として、フィ
ラメントの端部をモリブデンチューブに挿入して押し潰
し、該モリブデンチューブの外面を内部導入線に溶接す
るフィラメント溶接方法において、該モリブデンチュー
ブのフィラメント端部側のみを潰して溶接部とし、フィ
ラメントのコイリング部側のモリブデンチューブは１〜
３晒程度の長さにおいてフィラメント線径の２倍以上で
且つ１φ以下の径とし、フィラメントがモリブデンチュ
ーブに接触しない保護部としたことを特徴とするハロケ
゛ン電球のフィラメント溶接方法を要旨とするものであ
って、前記溶接部から出た低温になり易い所定の長さに
亘ってフィラメントを保護部で保護しているため、対流
にさらされず、し−かもその保護部の径が１φ以下であ
って、ラングミュアシートの範囲内でカバーし、そのカ
バーされた内部が除々に高温となってラングミュアシー
ト現象を作り出し、エツチングされなくなるのである。

又、前記溶接部はフィラメント線材の外周°　面全体に
亘って圧接するように押し６°Ｊさ九でいるので、Ｍ接
電流の大半がモリブデンチューブを通ってｂＩｆ、　ｈ
ることになり、フィラメント線利がもろくならないと共
に内部導入線との溶接部分が広くなり溶接強度も高くな
るのである。

（実施例） 次に本発明を図示の実施例に基き更に詳しく説明すると
、ＩＩはタングステンワイヤー等からなるフィラメント
であり、コイリング部１２と取付用の端部１３とからな
っている。このフィラメント１１の端部１３をモリブデ
ンチューブ１４に挿通し、該モリブデンチューブの一方
の端部を所定長さに亘って押潰しフィラメント１１０周
面全体に亘って圧接する溶接部１５を形成する。押潰さ
れない方の端部はチューブ状をその１寸残し、フィラメ
ント１１と接触させないようにして保護部１６を形成す
る。この当合に［小川されるモリブデンチューブ１４の
内径はフイラメン）　１１０線径の２倍以上で且っ１φ
以下のものが使用され、フィラメント１１と接触しない
保護ｉ１？Ｂ］６の長さは約１〜３　ｍｍ程度である。

つまり、フィラメント１１が保護部１６で保護される長
さが約１〜３門程度ということになる。そしてｆ＠接部
】５にあっては、フィラメント】１の全周に当接するこ
とになるので上面を平坦にすると下部に出張部１５ａが
形成されることになる。

このようにモリブデンチューブ１４を取付けたフイラメ
ン）　１１を内部導入線１７に溶接する場合には、出張
部１５ａが内部導入線Ｉ７に当接するようにし、上下の
電極１８　、１９で押圧しながら通電すると第６図に示
したように出張部１５ａが内部導入線１７に喰い込むよ
うに溶接され溶接面が犬きくなる。この時の溶接電流ａ
はその大半がモリブデンチューブ１４を通して流れ、フ
ィラメント１１にはそれほど大きな電流が流れずもろく
ならない。

（作　用） このようにモリブデンチューブ１４を介してフィラメン
ト１１を内部導入線］７に溶接することによって、実際
の使用時にフィラメント１１に通電された場合、コイリ
ング部Ｉ２及びそれに近い部分は高温となり、ラングミ
ュアシート現象によって対流が生じないのでエツチング
されることはまずないが、溶接ｉ′τ［Ｓ＋５に近いフ
ィラメント１１は、内部導入線１７及びモリブデンチュ
ーブ１１１によって熱が奪われるため低温部となる。即
ち保護部１６でカバーされている部分が低温部となるの
である。

しかしながら、この１代部部は保護部１６でカバーされ
ているため電球内の対流にさらされず、酸化しパ唯い状
態におかれているのでエツチングされず、しかも保護部
１６で囲まれているため熱が逃げなくなり、保護部１６
内が徐々に高温になって、ラングミュアシート現象と同
じ状態になる。特に保護部１（つが１φ以下の内径であ
ることもこの現象を生じさぜる上で重要である。

（発明の効果） 以」二説明したように本発明に係るハロケ゛ン電球のフ
ィラメント溶接方法は、モリブデンチューブに挿通した
フィラメントの端部側のみを潰して溶凄）＄とし、フィ
ラメントのコイリング部１’ｔｉｌｌのモリブデンチュ
ーブは１〜３　ｍｍ程度の長さにおいてフィラメント線
径の２倍以上で且つｌφ以下の匝とし、フィラメントが
モリブデンチューブに接触しない保護部としたことによ
って、該保護部でカバ　′−された部分のフィラメント
は実質的には低温部となるが、電球内に生ずる対流にさ
らされなくなるので、タングステンが酸化され難くなり
、しかも保護部でカバーされているため周囲の熱が逃げ
ず徐々に高温部となるのでエツチングされ難いものとな
り、長期に使用し得ると云う優れた効果を奏する。

更に、フィラメントとモリブデンチューブとの結合にお
いて、押潰された溶接部がフィラメントの周面全体に亘
って圧接した状態にあるので、内部導入線との溶接にお
いて、溶接電流の大部分がモリブデンチューブを流れ、
フィラメントを流れる電流が少なくなり、溶接工程によ
るフィラメントのもろさは全くなくなるので、フィラメ
ントの折損等も生じなくなるという優れた効果も奏する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を実施するものでフィラメントの
端部をモリブデンチューブに挿通しだ状態を示す斜視図
、第２図は同モリブデンチューブの一部を押潰してフィ
ラメントと結合させた状暢の１・１１兄図、２Ｌ　３図
は第２図のｌ１１−口１線に沿う断ｉｉ’ｉ　１２１、
第４図は第２図のフィラメントを内部導入線に溶接する
状態を示す斜視図、第５図は同状態における一部拡大側
面図、第６図は同状態において溶接した後の状態を示す
拡大側面図、第７図は溶接した後の第３図と同様の断面
図、第８図は従来例におけるフィラメントの溶接状態を
示す斜視図、第９図は従来例の溶接工程を示す側面図、
第１０図は同溶接工程における溶接電流の流れを示す略
図である。 １１・・・フィラメント　　１２・・・・・・コイリン
グ部１３　　・・・端部 １／（・・・モリブデンチューブ １５・・・溶接部　　　　　１６・・・・保護部１５ａ
・・出張部　　　　　１７・・・内部導入線＋Ｓ、＋！
、＋・・・’Ｋ　−ｔＩｉｉ４　　　　　　ａ・・・・
・・電流の流れ第１図 第３図 第４図 第６図 第８図 手続ネ市Ｊ］Ｅ出 ａｌ和６０年９月１２日

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）、フイラメントの端部をモリブデンチユーブに挿
   入して押し潰し、該モリブデンチユーブの外面を内部導
   入線に溶接するフイラメント溶接方法において、該モリ
   ブデンチユーブのフイラメント端部側のみを潰して溶接
   部とし、フイラメントのコイリング部側のモリブデンチ
   ユーブは１〜３ｍｍ程度の長さにおいてフイラメント線
   径の２倍以上で且つ１φ以下の径とし、フイラメントが
   モリブデンチユーブに接触しない保護部としたことを特
   徴とするハロゲン電球のフイラメント溶接方法。
2. （２）、溶接部は押潰しによつてフイラメントの線材の
   外周面に全体的に亘つて圧接するようにしたことを特徴
   とする前記１項記載のフイラメント溶接方法。