JPS6144492A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6144492A JPS6144492A JP16012785A JP16012785A JPS6144492A JP S6144492 A JPS6144492 A JP S6144492A JP 16012785 A JP16012785 A JP 16012785A JP 16012785 A JP16012785 A JP 16012785A JP S6144492 A JPS6144492 A JP S6144492A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ系などのｌ−
Ｖ族化合物半導体装置の電極構造に関する。
Ｖ族化合物半導体装置の電極構造に関する。
従来、ＧａＡ４Ａ３系化合物半導体レーザでは、ｎ側電
極として、Ａｕ −Ｇｅ −Ｎｉ、Ａｕ−８ｎ、 Ｑ
ｒ−Ａｕ などの多層構造電極が、ｐ側電極として、
Ａｕ −Ｚｎ、Ｃｒ −Ａｕなとの多層構造電極が用い
られていた。
極として、Ａｕ −Ｇｅ −Ｎｉ、Ａｕ−８ｎ、 Ｑ
ｒ−Ａｕ などの多層構造電極が、ｐ側電極として、
Ａｕ −Ｚｎ、Ｃｒ −Ａｕなとの多層構造電極が用い
られていた。
とくに、ＩｎＰ系のＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の四元化
合物半導体レーザのｐ側電極には、Ｏｒ −Ａｕの連続
蒸着熱処理によって構成したオーミンク電極が用いられ
、Ａｕ−８ｎ、Ｉｎ半田に対する接合面としてもそのま
ま使用されていた。
合物半導体レーザのｐ側電極には、Ｏｒ −Ａｕの連続
蒸着熱処理によって構成したオーミンク電極が用いられ
、Ａｕ−８ｎ、Ｉｎ半田に対する接合面としてもそのま
ま使用されていた。
シカし、上記のような従来の電極では、２４０°Ｃ〜３
３０℃の高温で、Ａｕ −Ｓｎｎ日田材よるボンディン
グが行なわれた場合、Ｃｒ層だけではＡｕ、Ｓｎの拡散
、反応に対する十分なバリヤ層として働かず、Ｉｎ、Ｓ
ｎなどの相互拡散を生じ、最後には、Ｉｎ −Ｓｎの合
金化反応が進行して、素子を破壊する欠点があった。さ
らに、この傾向は、とくに、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系
化合物半導体レーザな高温、大電流で長時間動作させた
ときに発生し易く、たとえば、７０℃、ｌＯＱｍＡ程度
で数千時間動作させるとレーザ発振をする活性層部分を
放熱体に近づけてマウントした、いわゆるジャンクシラ
ン・ダウンでマウントしたレーザの活性層近くの、しか
も、出力側端面近傍の電極の一部が高温、大電流に長時
間さらされることになり、Ｑｒを通して、半田金属の＾
ｕ、Ｓｎが、また、結晶材料を構成するＩｎ、Ｑａ、Ａ
ｓ、Ｐなどが相互に拡散して、各種の低融点合金を形成
したり、金属として析出したりで、レーザの特性を低下
させることがあった。
３０℃の高温で、Ａｕ −Ｓｎｎ日田材よるボンディン
グが行なわれた場合、Ｃｒ層だけではＡｕ、Ｓｎの拡散
、反応に対する十分なバリヤ層として働かず、Ｉｎ、Ｓ
ｎなどの相互拡散を生じ、最後には、Ｉｎ −Ｓｎの合
金化反応が進行して、素子を破壊する欠点があった。さ
らに、この傾向は、とくに、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系
化合物半導体レーザな高温、大電流で長時間動作させた
ときに発生し易く、たとえば、７０℃、ｌＯＱｍＡ程度
で数千時間動作させるとレーザ発振をする活性層部分を
放熱体に近づけてマウントした、いわゆるジャンクシラ
ン・ダウンでマウントしたレーザの活性層近くの、しか
も、出力側端面近傍の電極の一部が高温、大電流に長時
間さらされることになり、Ｑｒを通して、半田金属の＾
ｕ、Ｓｎが、また、結晶材料を構成するＩｎ、Ｑａ、Ａ
ｓ、Ｐなどが相互に拡散して、各種の低融点合金を形成
したり、金属として析出したりで、レーザの特性を低下
させることがあった。
本発明は、高温、大電流動作でも比較的安定な化合物半
導体レーザまたは発光素子あるいは高出力マイクロ波ト
ランジスタのような化合物半導体装置の新しい電極構造
を提供することを目的とする０ 〔発明の概要〕 本発明は、ＭＯまたはＷなどの高融点遷移金属をバリヤ
金属として用いることＫよりて、高信頼度電極を実現し
たものである。
導体レーザまたは発光素子あるいは高出力マイクロ波ト
ランジスタのような化合物半導体装置の新しい電極構造
を提供することを目的とする０ 〔発明の概要〕 本発明は、ＭＯまたはＷなどの高融点遷移金属をバリヤ
金属として用いることＫよりて、高信頼度電極を実現し
たものである。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
実施例 １゜
第１図は本発明によるＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ半導体レ
ーザを示す。
ーザを示す。
ｎ型ＩｎＰ基板１に形成されたｐ型１ｎＰからなる埋め
込み層２によって埋め込まれたＩｎＧａＡｓＰ活性層３
に電流を限定して流すために、埋め込み層２と伝導型の
異なるΩ型Ｉｎ０ａＡｓＰ層４が表面に設けてあり、ま
た、ＩｎＧａＡ８Ｐ活性層３の上には、ｐ型ＩｎＰから
なるクラッド／！１５とキャップ層と呼ばれるＰ型Ｉｎ
ＱａＡｓＰからなる高伝導度層６が設げられ。
込み層２によって埋め込まれたＩｎＧａＡｓＰ活性層３
に電流を限定して流すために、埋め込み層２と伝導型の
異なるΩ型Ｉｎ０ａＡｓＰ層４が表面に設けてあり、ま
た、ＩｎＧａＡ８Ｐ活性層３の上には、ｐ型ＩｎＰから
なるクラッド／！１５とキャップ層と呼ばれるＰ型Ｉｎ
ＱａＡｓＰからなる高伝導度層６が設げられ。
オーミック接触電極を得やすくしである。埋め込み層２
とキャップ層６に位置合せなして電極を設けるために表
面に８１０ｍ膜からなる絶＃ｌｌ！［層７を設け、その
一部に穴開けを行なりた後、真空蒸着法によって、第１
の金属層８としてＣｒを約１５０〜５００λ、その上に
第２の金属層９としてＭＯまたはＷを１０００〜２００
０λ、さらにその上に第３の金属層としてＡｕを１００
０〜１０，０００＾被着する。
とキャップ層６に位置合せなして電極を設けるために表
面に８１０ｍ膜からなる絶＃ｌｌ！［層７を設け、その
一部に穴開けを行なりた後、真空蒸着法によって、第１
の金属層８としてＣｒを約１５０〜５００λ、その上に
第２の金属層９としてＭＯまたはＷを１０００〜２００
０λ、さらにその上に第３の金属層としてＡｕを１００
０〜１０，０００＾被着する。
Ｃｒ層は接着層として働くもので、これはＴｉ層であっ
てもよい。また、Ａｕ層はＰＨ８（Ｐｌａｔｅｄ Ｈｅ
ａｔＳλｎ１ｃ）電極の一部として、さらにメッキ法で
Ａｕを厚く、追加形成してもよい。さらに、ンルダー金
属層であるＡｕ −Ｓｎ層を形成するため、所望の厚さ
のＳｎまたはＡｕ−Ｓｎ合金を全面または一部に追加蒸
着してもよい。一般的には、このままの状態で対向電極
１１を、例えば、ＡｕＳｎの蒸着アロイ法で形成した後
、このままチップ化する。そして、ジャンクション・ダ
ウン（Ｊｕｎｃｚｉｏｎ ｄｏｗｎ ）で、活性層の近
い方をヒートシンク側圧して、Ａｕ −Ｓｎ系ンルダで
放熱体にボンディングする。
てもよい。また、Ａｕ層はＰＨ８（Ｐｌａｔｅｄ Ｈｅ
ａｔＳλｎ１ｃ）電極の一部として、さらにメッキ法で
Ａｕを厚く、追加形成してもよい。さらに、ンルダー金
属層であるＡｕ −Ｓｎ層を形成するため、所望の厚さ
のＳｎまたはＡｕ−Ｓｎ合金を全面または一部に追加蒸
着してもよい。一般的には、このままの状態で対向電極
１１を、例えば、ＡｕＳｎの蒸着アロイ法で形成した後
、このままチップ化する。そして、ジャンクション・ダ
ウン（Ｊｕｎｃｚｉｏｎ ｄｏｗｎ ）で、活性層の近
い方をヒートシンク側圧して、Ａｕ −Ｓｎ系ンルダで
放熱体にボンディングする。
本実施例では、第１の金属としてＣｒ、第３の金属とし
てＡｕを用いたが、これはＩｎＰおよびＩｎＧａＡｓＰ
忙対する低抵抗オーミック電極としての特性を良好に保
つためで、Ｔｌ −Ａｕ 、 Ａｕ −Ｚｎアロイでも
問題はない。
てＡｕを用いたが、これはＩｎＰおよびＩｎＧａＡｓＰ
忙対する低抵抗オーミック電極としての特性を良好に保
つためで、Ｔｌ −Ａｕ 、 Ａｕ −Ｚｎアロイでも
問題はない。
以上のように、バリヤ金属としてＭＯまたはＷを用いて
、Ｃｒ（または’ｒｉ ） −Ｍｏ（またはｗ）−’Ａ
ｕの３層構造を採用した本発明の電極をもつ半導体レー
ザーは、放熱体に−ｒウントした後は、オーミック接触
電極兼接着層、バリヤ金属層、Ａｕまたはソルダ層の電
極構造となり、７０’Ｃ１１０ｍＷの高温、高出力動作
寿命試験でも安定動作を示し、約１０００時間でも動作
電流の上昇はほとんどなかった。とくに、Ｏｒ −Ａｕ
のみの電極の場合のような、ソルダ材とレーザ構成元素
との反応や、ソルダ材のレーザ素子側への拡散による動
作電流の上昇は全くなかった。
、Ｃｒ（または’ｒｉ ） −Ｍｏ（またはｗ）−’Ａ
ｕの３層構造を採用した本発明の電極をもつ半導体レー
ザーは、放熱体に−ｒウントした後は、オーミック接触
電極兼接着層、バリヤ金属層、Ａｕまたはソルダ層の電
極構造となり、７０’Ｃ１１０ｍＷの高温、高出力動作
寿命試験でも安定動作を示し、約１０００時間でも動作
電流の上昇はほとんどなかった。とくに、Ｏｒ −Ａｕ
のみの電極の場合のような、ソルダ材とレーザ構成元素
との反応や、ソルダ材のレーザ素子側への拡散による動
作電流の上昇は全くなかった。
なお、同様にして、高温高出力での信頼性が要求される
発光素子（一般にＬΣＤ）にお〜・ても本発明が適用で
きることはいうまでもない。
発光素子（一般にＬΣＤ）にお〜・ても本発明が適用で
きることはいうまでもない。
実施例 ２゜
第２図は本発明によるＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 、 Ｃ
８Ｐ型（ＣｈａｆＩｎｅｌｓｄ ５ｕｌｓｔｒａｔｅ
Ｐｌａｎａｒ ）半導体レーザに適用した例を示す。
８Ｐ型（ＣｈａｆＩｎｅｌｓｄ ５ｕｌｓｔｒａｔｅ
Ｐｌａｎａｒ ）半導体レーザに適用した例を示す。
第２図に示した半導体レーザは、０型ＧａＡｓ基板２１
の一部にチャンネル溝ａが設けられており、その上にｎ
型ＧａＡｌＡｓ層お、ＧａＡｌＡｓ活性層詞、ｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層ゐ、ｎ型ＧａＡｓキャップ層あが形
成されており、さらに、Ｓ１０．絶縁膜ｒをマスクとし
て、Ｚｎｎ拡散型型層が設けられている。さも忙、全面
上にオーミック接触用の第１の金属Ｎｌ２９として、Ａ
ｕ −Ｚｎ （Ｚｎ ４％）合金層を厚さ０．３μｍ被
着後、３８０℃で熱処理してオーム性接触を得た後、天
の上に第２のバリヤ金属層力として、Ｗを厚さ０．２μ
ｍ、さらＫその上に第３の金属層３１として、Ａｕを厚
さ２μｍ被着して３層構造の電極が形成されている。こ
のとき、密着性をおぎな５目的で、第１の金属層として
、Ｏｒを厚さ０．０２μｍ被着してからＷ、Ａｕの順に
被着してもよい。
の一部にチャンネル溝ａが設けられており、その上にｎ
型ＧａＡｌＡｓ層お、ＧａＡｌＡｓ活性層詞、ｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層ゐ、ｎ型ＧａＡｓキャップ層あが形
成されており、さらに、Ｓ１０．絶縁膜ｒをマスクとし
て、Ｚｎｎ拡散型型層が設けられている。さも忙、全面
上にオーミック接触用の第１の金属Ｎｌ２９として、Ａ
ｕ −Ｚｎ （Ｚｎ ４％）合金層を厚さ０．３μｍ被
着後、３８０℃で熱処理してオーム性接触を得た後、天
の上に第２のバリヤ金属層力として、Ｗを厚さ０．２μ
ｍ、さらＫその上に第３の金属層３１として、Ａｕを厚
さ２μｍ被着して３層構造の電極が形成されている。こ
のとき、密着性をおぎな５目的で、第１の金属層として
、Ｏｒを厚さ０．０２μｍ被着してからＷ、Ａｕの順に
被着してもよい。
レーザ素子として、（＋００）面に対して＜ １１０
＞へき開方向に現われる（１００）へき開面を得るため
に、あらかじめ、ホトマスクを用いて、Ａｕ層の一部を
Ａｕのエッチ液（ヨード液）を用いてエツチングし、へ
き開が容易になるよ５Ｋした。
＞へき開方向に現われる（１００）へき開面を得るため
に、あらかじめ、ホトマスクを用いて、Ａｕ層の一部を
Ａｕのエッチ液（ヨード液）を用いてエツチングし、へ
き開が容易になるよ５Ｋした。
また、ｎ型基板２１側に対しては、Ａｕ −Ｓｎを蒸着
、アロイ化してオーミック電極を得た。
、アロイ化してオーミック電極を得た。
本実施例のレーザ素子の電極の反応を調べるためＫ、１
５０°Ｃで１０００時間の高温保管テストおよび２００
℃、１００時間の加速寿命テストを行なったが表面のＡ
ｕ層と下地ＧａＡｓ層中心のＧａとの反応はＷによって
阻止され、Ｗが十分バリヤ層として役立っていることが
わかった。
５０°Ｃで１０００時間の高温保管テストおよび２００
℃、１００時間の加速寿命テストを行なったが表面のＡ
ｕ層と下地ＧａＡｓ層中心のＧａとの反応はＷによって
阻止され、Ｗが十分バリヤ層として役立っていることが
わかった。
とくに、従来は、Ａｕ −ＳｎンルダのＳｎとＧａＡｓ
層中のＧａが、ＯｒやＡｕと多元合金をつくって、素子
の電圧電流特性を劣化させたり、欠陥の原因を形成した
り、接着力を低下させていたが、これらのことは、本発
明のように電極にＷバリヤ層を設けることＫよって完全
に防止することができる。
層中のＧａが、ＯｒやＡｕと多元合金をつくって、素子
の電圧電流特性を劣化させたり、欠陥の原因を形成した
り、接着力を低下させていたが、これらのことは、本発
明のように電極にＷバリヤ層を設けることＫよって完全
に防止することができる。
実施例 ３゜
活性層Ｋかかるストレスを低減すると共に、実装におけ
るソルダ材の盛り上りによる電流電圧特性の劣化や、光
出力の一部分のソルダ材盛り上り部分圧よる遮へいをさ
けるためＫ、多少の熱抵抗成分の上昇を許すとして、ｐ
型側を上１ｔｃ （ｐ−ｓｌａｅｕｐ）またはジャンク
シＭ／・アップで活性層部を上にしてグイボンドする方
法がある。この場合には、ｎ型側電極に対して実施例２
と同様にＷまたはＭｏをバリヤ層として用いることがで
きる。また、ｐ型基板を用いて作られた半導体レーザで
は、実施例２におけるｐ型側電極部分がｎ型側電極に相
当し、ｐ型側電極では、Ａｕ −Ｚｎ／Ｎｏ （または
Ｗ）／Ａｕとなるのに対して、ｎ型電極ではＡ、ｕＳｎ
／Ｍｏ（またはＷ）／Ａｕ、またはＯｒ ／Ｍｏ ／Ａ
ｕの３層膜とすれば同様な効果がある。
るソルダ材の盛り上りによる電流電圧特性の劣化や、光
出力の一部分のソルダ材盛り上り部分圧よる遮へいをさ
けるためＫ、多少の熱抵抗成分の上昇を許すとして、ｐ
型側を上１ｔｃ （ｐ−ｓｌａｅｕｐ）またはジャンク
シＭ／・アップで活性層部を上にしてグイボンドする方
法がある。この場合には、ｎ型側電極に対して実施例２
と同様にＷまたはＭｏをバリヤ層として用いることがで
きる。また、ｐ型基板を用いて作られた半導体レーザで
は、実施例２におけるｐ型側電極部分がｎ型側電極に相
当し、ｐ型側電極では、Ａｕ −Ｚｎ／Ｎｏ （または
Ｗ）／Ａｕとなるのに対して、ｎ型電極ではＡ、ｕＳｎ
／Ｍｏ（またはＷ）／Ａｕ、またはＯｒ ／Ｍｏ ／Ａ
ｕの３層膜とすれば同様な効果がある。
以上説明したように１本発明によれば、ＧａＡｌＡｓ／
ＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰ結晶とンル
ダ金属を形成するＡｕまたはＡｕ −Ｓｎ系ンルダ、Ｉ
ｎ −ＳＨ系ソルダ、Ｐｂ−８ｎ系ソルダ等のソルダ材
の中間にＭｏまたはＷ層をバリヤ層として設けることＫ
よって、両者の反応を防止し、光半導体装置、あるいは
一般半導体装置としての高温、大電流下での信頼性向上
を実現することができる。
ＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰ結晶とンル
ダ金属を形成するＡｕまたはＡｕ −Ｓｎ系ンルダ、Ｉ
ｎ −ＳＨ系ソルダ、Ｐｂ−８ｎ系ソルダ等のソルダ材
の中間にＭｏまたはＷ層をバリヤ層として設けることＫ
よって、両者の反応を防止し、光半導体装置、あるいは
一般半導体装置としての高温、大電流下での信頼性向上
を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例としてのＩ ｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＰ半導体レーザの斜視図、第２図は本発明の他の
実施例としてのＧａＡｌＡｓ ／ ＧａＡｓ 、 Ｃ
Ｐ Ｓ型半導体レーザの斜視図である。 図において、 １・・・ｎ型ＩｎＰ基板 ２゛°ｐ型Ｉｎｐ埋め込み層 ３− ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ４ ・＝ ｎ型Ｉ ｎ
ＧａＡｓＰＧａＡｓ層中ｎＰクラッド層 ６・ｐ型ＩｎＧａＡｓｐキ＋７プ層 ７・Ｓ１０．絶縁膜 ８・・・ｃｒ （またはＴｌ ）からなる第１の金属層
９・・Ｍｏ （またはＷ）からなる第２の金属層１０・
・・Ａｕからなる第３の金属層 １１・・対向電極 ２１・・ｎ型Ｇａ、Ａｓ基板ｎ
・・・チャンネル部 お・・ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層冴・・ＧａＡ７Ａｓ活性層 ５・・・ｐ型ＧａＡｔＡｓクラッド層 に・・・Ｄ型ＧａＡｓキャップ層 ｎ・・・ＳＩＯ□絶縁膜 四・・ｚｎ拡散ｐ型層四・・
Ａｕ−Ｚｎ合金（またはＯｒ）からなる第１の金膚湿加
・・Ｗからなる第２の金属層 ３１・・・Ａｕからなる第３の金属層 ３２・・・対向電極
／ＩｎＰ半導体レーザの斜視図、第２図は本発明の他の
実施例としてのＧａＡｌＡｓ ／ ＧａＡｓ 、 Ｃ
Ｐ Ｓ型半導体レーザの斜視図である。 図において、 １・・・ｎ型ＩｎＰ基板 ２゛°ｐ型Ｉｎｐ埋め込み層 ３− ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ４ ・＝ ｎ型Ｉ ｎ
ＧａＡｓＰＧａＡｓ層中ｎＰクラッド層 ６・ｐ型ＩｎＧａＡｓｐキ＋７プ層 ７・Ｓ１０．絶縁膜 ８・・・ｃｒ （またはＴｌ ）からなる第１の金属層
９・・Ｍｏ （またはＷ）からなる第２の金属層１０・
・・Ａｕからなる第３の金属層 １１・・対向電極 ２１・・ｎ型Ｇａ、Ａｓ基板ｎ
・・・チャンネル部 お・・ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層冴・・ＧａＡ７Ａｓ活性層 ５・・・ｐ型ＧａＡｔＡｓクラッド層 に・・・Ｄ型ＧａＡｓキャップ層 ｎ・・・ＳＩＯ□絶縁膜 四・・ｚｎ拡散ｐ型層四・・
Ａｕ−Ｚｎ合金（またはＯｒ）からなる第１の金膚湿加
・・Ｗからなる第２の金属層 ３１・・・Ａｕからなる第３の金属層 ３２・・・対向電極
Claims (1)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造において
、該電極が該電極下の半導体とオーミツク接触を有する
第１の金属層と該第１の金属層上のＭｏもしくはＷから
なる第２の金属層と該第２の金属層上のＡｕまたはＡｕ
−Ｓｎ系ソルダー、Ｉｎ系ソルダー、Ｐｂ−Ｓｎ系ソル
ダー等のソルダー群の、少なくとも１者を有する第３の
金属層とからなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16012785A JPS6144492A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16012785A JPS6144492A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144492A true JPS6144492A (ja) | 1986-03-04 |
Family
ID=15708450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16012785A Pending JPS6144492A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144492A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000091691A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | 半導体光素子 |
| JP2000332343A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51146180A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | Iii-v family compound semi-conductor electric pole formation |
| JPS5229183A (en) * | 1975-09-01 | 1977-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | Method for production of semi-conductive element |
| JPS53110460A (en) * | 1977-03-09 | 1978-09-27 | Toshiba Corp | Electrode of compound semiconductor |
| JPS5654047A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-13 | Nec Corp | Compound semiconductor device |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP16012785A patent/JPS6144492A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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| JP2000332343A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
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