JPS6055689A - レ−ザ−ダイオ−ド - Google Patents
レ−ザ−ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6055689A JPS6055689A JP59167252A JP16725284A JPS6055689A JP S6055689 A JPS6055689 A JP S6055689A JP 59167252 A JP59167252 A JP 59167252A JP 16725284 A JP16725284 A JP 16725284A JP S6055689 A JPS6055689 A JP S6055689A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laser diode
- additional layer
- laser
- diode according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、帯状のレーザー能動領域のある半導体基板と
、少なくとも一つの接触層と、光学的共振体の境端面と
を備え、半導体基板は逆さにされてヒートシンク上に据
えられていて、金属である一つの接触層がヒートシック
と基板との間のレーザー能動領域の近くにあり、半導体
基板とヒートシックとを互いにしつかり接着させるろう
層がこの接触層とヒートシンクとの間にあるようなレー
ザーダイオードに関する。
、少なくとも一つの接触層と、光学的共振体の境端面と
を備え、半導体基板は逆さにされてヒートシンク上に据
えられていて、金属である一つの接触層がヒートシック
と基板との間のレーザー能動領域の近くにあり、半導体
基板とヒートシックとを互いにしつかり接着させるろう
層がこの接触層とヒートシンクとの間にあるようなレー
ザーダイオードに関する。
雑誌「”Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ’、
第１８巻（１９８２年）」第６３１頁以下より放射伝送
に用いるガラスファイバに連結するために設けられるレ
ーザーダイオードは公知である。前記文献の第２図に詳
しく記載されているレーザーダイオードは、ここでＱま
シリコン基板であるヒートシンク上にろう付けされてい
る。これにおいてはヒートシックの材料中ＫＶ字形みぞ
が設けられていて、ろうを受け入れるのに役立つ。７５
μｍの幅金持たされているこのみそとこの上にある本来
のレーザーダイオードの基板とは、このみその表面とレ
ーザー能動領域とが正確に重なシ合うように互いにまっ
すぐに向けられている。ヒートシンクの胴体の表面はな
おも別の部分的に横方向に走るみぞを有し、これらのみ
ぞは同様にろうの流れ込むために設けられている。後で
みぞを満たすべきろうの予備を納めるためにヒートシン
クにはそれ相応の切欠きが設けられている。
第１８巻（１９８２年）」第６３１頁以下より放射伝送
に用いるガラスファイバに連結するために設けられるレ
ーザーダイオードは公知である。前記文献の第２図に詳
しく記載されているレーザーダイオードは、ここでＱま
シリコン基板であるヒートシンク上にろう付けされてい
る。これにおいてはヒートシックの材料中ＫＶ字形みぞ
が設けられていて、ろうを受け入れるのに役立つ。７５
μｍの幅金持たされているこのみそとこの上にある本来
のレーザーダイオードの基板とは、このみその表面とレ
ーザー能動領域とが正確に重なシ合うように互いにまっ
すぐに向けられている。ヒートシンクの胴体の表面はな
おも別の部分的に横方向に走るみぞを有し、これらのみ
ぞは同様にろうの流れ込むために設けられている。後で
みぞを満たすべきろうの予備を納めるためにヒートシン
クにはそれ相応の切欠きが設けられている。
上記文献には熱膨張がレーザーの寿命にとって非常に不
利であると述べられている。この文献においてはこの問
題の解決手段がヒートシンクにシリコンを限定し、上述
のみそを用いることであった。
利であると述べられている。この文献においてはこの問
題の解決手段がヒートシンクにシリコンを限定し、上述
のみそを用いることであった。
本発明が解決しようとする問題点は、レーザーダイオー
ドのだめの技術的改善手段を提供すること、特に、現れ
る機械的応力の低減および残留Ｅｍｆ’Ａ的応力υ均質
化並びに熱拡散および通電の改善および／または均質化
を得ることにある。
ドのだめの技術的改善手段を提供すること、特に、現れ
る機械的応力の低減および残留Ｅｍｆ’Ａ的応力υ均質
化並びに熱拡散および通電の改善および／または均質化
を得ることにある。
上述の問題点１ハ、冒頭に述べたよう：１−レーザーダ
イオードにおいて、接触層とろう層との間に、接触層の
金属に関して、ろうに対し合金化を阻止する作用を有す
る材料からなる付加的な層があり、この付加的な層は、
レーザー能動領域の全長にわたって広がっていて少なく
とも殆どレーザー能動領域の波動案内範囲の幅に相当す
る幅を有し、レーザー能動領域と波動案内範囲とに合わ
せて調整されているようにすることによって解決される
。
イオードにおいて、接触層とろう層との間に、接触層の
金属に関して、ろうに対し合金化を阻止する作用を有す
る材料からなる付加的な層があり、この付加的な層は、
レーザー能動領域の全長にわたって広がっていて少なく
とも殆どレーザー能動領域の波動案内範囲の幅に相当す
る幅を有し、レーザー能動領域と波動案内範囲とに合わ
せて調整されているようにすることによって解決される
。
本発明は、レーザーダイオードをヒートシンク上に据え
る従来のもの、例えば先に挙げた文献に記載のものは問
題を未だ最適なやシ方では解決していないという認識、
即ち本発明にしたがって、従来例に反して、ヒートシン
クとの機械的にしつかりした結合および／または合金結
合によるレーザー能動領域の直接隣接範囲が少なくとも
大々的に喉り除かれるように配慮することによ勺更に改
良された解決策が得られるという認識に基〈ものである
。この取り除き範囲は例えば帯状のレーザー能動領域の
全長にわたる。その敗り除き範囲の幅は、この範囲がレ
ーザー能動領域において生ぜしめられるレーザー放射波
の波動案内範囲にわたって広がり、これにもできるだけ
正確に合わせられるように設計される。
る従来のもの、例えば先に挙げた文献に記載のものは問
題を未だ最適なやシ方では解決していないという認識、
即ち本発明にしたがって、従来例に反して、ヒートシン
クとの機械的にしつかりした結合および／または合金結
合によるレーザー能動領域の直接隣接範囲が少なくとも
大々的に喉り除かれるように配慮することによ勺更に改
良された解決策が得られるという認識に基〈ものである
。この取り除き範囲は例えば帯状のレーザー能動領域の
全長にわたる。その敗り除き範囲の幅は、この範囲がレ
ーザー能動領域において生ぜしめられるレーザー放射波
の波動案内範囲にわたって広がり、これにもできるだけ
正確に合わせられるように設計される。
少なくともこの波動案内範囲にわたって、この帯状のレ
ーザー能動領域に隣接する接触層が広がっている。この
接触層は基板の隣接表面上にある特に金からなる金属層
である。よく仰られているように、金とろうとが互いに
直接に接触すると、ろう接の間に金の合金が生じる。
ーザー能動領域に隣接する接触層が広がっている。この
接触層は基板の隣接表面上にある特に金からなる金属層
である。よく仰られているように、金とろうとが互いに
直接に接触すると、ろう接の間に金の合金が生じる。
本発明による付加的な層の配置および寸法により接触層
の本来の状態が得られる。
の本来の状態が得られる。
本発明により設けられ且つ本発明により広がりを定めら
れた付加的な層は、特に、酸化アルミニウム、酸化シリ
コン等の如き金属酸化物や、あるいは窒化シリコンのよ
うな材料からなり、この場合にそれらの拐料は、一般に
ろうとして１更用されるインジウム、鉛、錫もしくは合
金等に対して、接触層の金属との合金形成を妨げる。こ
の付加的な層の範囲には、本発明によるレーザーダイオ
ードの場合、個々の層もしくは面の重なり合いだけがあ
り、しかしそれにも拘わらずそれらは密に重なり合って
いる。かかる金属酸化物または窒化シリコンを使用する
場合には付加的な層の幅は波動案内範囲の幅に等しくす
ることが好ましい。
れた付加的な層は、特に、酸化アルミニウム、酸化シリ
コン等の如き金属酸化物や、あるいは窒化シリコンのよ
うな材料からなり、この場合にそれらの拐料は、一般に
ろうとして１更用されるインジウム、鉛、錫もしくは合
金等に対して、接触層の金属との合金形成を妨げる。こ
の付加的な層の範囲には、本発明によるレーザーダイオ
ードの場合、個々の層もしくは面の重なり合いだけがあ
り、しかしそれにも拘わらずそれらは密に重なり合って
いる。かかる金属酸化物または窒化シリコンを使用する
場合には付加的な層の幅は波動案内範囲の幅に等しくす
ることが好ましい。
上述の本発明１でよる手段は、基板材料においてｆｆｉ
レーザー能動領域の範囲でヒートシンクから出発して高
々均一なｔａｒｔ的な応力が生じ得るだけであるという
ことをもたらすのみならず、基板のレーザー能動領域か
らヒートンツクへの熱伝達の均質化も生ぜしめる。本発
明によるレーザーダイオードの場合には、熱伝達はこの
付加的な層において合金の橋渡しの場合におけるよりも
、時により必然的に僅かであるとはいえない。しかし熱
伝達は均質であり、全体排熱は本発明によるレーザーダ
イオードの場合の方が逆さに据えられているようなレー
ザーダイオードの場合におけるよりも更に良好である。
レーザー能動領域の範囲でヒートシンクから出発して高
々均一なｔａｒｔ的な応力が生じ得るだけであるという
ことをもたらすのみならず、基板のレーザー能動領域か
らヒートンツクへの熱伝達の均質化も生ぜしめる。本発
明によるレーザーダイオードの場合には、熱伝達はこの
付加的な層において合金の橋渡しの場合におけるよりも
、時により必然的に僅かであるとはいえない。しかし熱
伝達は均質であり、全体排熱は本発明によるレーザーダ
イオードの場合の方が逆さに据えられているようなレー
ザーダイオードの場合におけるよりも更に良好である。
レーザー能動領域への通電に関する既述の改善も本発明
てより設けられた付加的な層に基づく。
てより設けられた付加的な層に基づく。
付加的な層の範囲における接触層の例えば金の合金化阻
止は、この接触層の高い全面的に均質な導電性を保証す
る。したがって、レーザー能動領域には均一に電流が流
れる。同様のことがこの接触層における放熱に当てはま
る。
止は、この接触層の高い全面的に均質な導電性を保証す
る。したがって、レーザー能動領域には均一に電流が流
れる。同様のことがこの接触層における放熱に当てはま
る。
以下、図面に示す実施例を参照しながら本発明を更に詳
細（Ｃ説明する。
細（Ｃ説明する。
１により本発明によるレーザーダイオードがそのヒート
シンクとともに示されている。そのうち、２は特にヒ化
ガリウムまたはリン化インジウムからなる半導体基板で
あり、３は特に銅からなるヒートン／りである。ヒート
ン／り３０本体は一部分のみしか示されていない。基板
をヒートン／りとの寸法関係は相応しておらず、図の解
かりやすさを考慮して選ばれている。
シンクとともに示されている。そのうち、２は特にヒ化
ガリウムまたはリン化インジウムからなる半導体基板で
あり、３は特に銅からなるヒートン／りである。ヒート
ン／り３０本体は一部分のみしか示されていない。基板
をヒートン／りとの寸法関係は相応しておらず、図の解
かりやすさを考慮して選ばれている。
４′ｒｉ基板２における帯状のレーザー能動領域であシ
、これは特に図示されていないｐｎ接合を有する。特に
、エピタキシ・−により形成された層５゜６だけが示さ
れている。これらの層５，６およびレーザー能動領域４
は基板２においてこれらの層５．６と領域４とが基板２
の下面の極めて近くにあるようＱて配置されている。
、これは特に図示されていないｐｎ接合を有する。特に
、エピタキシ・−により形成された層５゜６だけが示さ
れている。これらの層５，６およびレーザー能動領域４
は基板２においてこれらの層５．６と領域４とが基板２
の下面の極めて近くにあるようＱて配置されている。
７は、特に金からなるとりわけ全面の金属層であり、層
６の図の下面１１１１１ （したがって基板２の外面１
！ＩＩ 、）にある。層７は一方の通電用電極である。
６の図の下面１１１１１ （したがって基板２の外面１
！ＩＩ 、）にある。層７は一方の通電用電極である。
他方の通電用電極は基板接触部８で十分である。
図示されていないが、種々の公知の手段により、できる
だけ全体の電流が図において垂直方向に帯状のレーザー
能動領域４によって貫通されるように接触層７から端子
８＼の電流の流れが形成され、しかもこの領域４内では
よく知られているとおりできるだけ均一な電流分布が存
在させられるべきである。
だけ全体の電流が図において垂直方向に帯状のレーザー
能動領域４によって貫通されるように接触層７から端子
８＼の電流の流れが形成され、しかもこの領域４内では
よく知られているとおりできるだけ均一な電流分布が存
在させられるべきである。
９はろう材料であり、これは仕上がったレーザーダイオ
ード１では層形態を有し、基板２をヒートシンク３に機
械的に固定接続する。
ード１では層形態を有し、基板２をヒートシンク３に機
械的に固定接続する。
１４はレーザー能動領域４の端面である。この端面１４
は基板２の図の前方端面の一部であり、よく知られてい
るようＶＣＪＩのような特性を有する。
は基板２の図の前方端面の一部であり、よく知られてい
るようＶＣＪＩのような特性を有する。
この面１４はレーザー能動領域４において発生したビー
ムのだめの出口面の一つである。これに対応して、面１
４とは反対側に一般に同じ特性を有する面１１４がある
。
ムのだめの出口面の一つである。これに対応して、面１
４とは反対側に一般に同じ特性を有する面１１４がある
。
本発明にしたがって図のレーザーダイオード１において
層１０が設けられている。この層１０は接触層７とろう
層０の一部との間もしくは基板２とヒートシンク３との
間にある。一方の寸法において層１０は基板２もしくは
レーザー能動領域４の全長ｔにわたって広がっている。
層１０が設けられている。この層１０は接触層７とろう
層０の一部との間もしくは基板２とヒートシンク３との
間にある。一方の寸法において層１０は基板２もしくは
レーザー能動領域４の全長ｔにわたって広がっている。
これに対して直角な方向の層１０の幅すは、本発明にし
たがって、その幅すがどこにおいても領域４の（図示）
の幅よりも広く、即ち基板２におけるレーザービーム発
生範囲での電流の流れを境界付ける領域よりも広くしで
ある。レーザー能動領域１０幅は周知のように約７ ｔ
ｔ ｍである。この領域４０間１）喝、即ち接触層７を
備えた基板２の（図示の下側の）面からの層５の間隔は
周知のとおり約２〜３μｍである。
たがって、その幅すがどこにおいても領域４の（図示）
の幅よりも広く、即ち基板２におけるレーザービーム発
生範囲での電流の流れを境界付ける領域よりも広くしで
ある。レーザー能動領域１０幅は周知のように約７ ｔ
ｔ ｍである。この領域４０間１）喝、即ち接触層７を
備えた基板２の（図示の下側の）面からの層５の間隔は
周知のとおり約２〜３μｍである。
本発明によれば、付加的な層１０の幅すは領域４の幅よ
りも焼焙か大きい。寸法すは少なくとも基板２における
レーザー放射のための波動案内範囲と同じ幅に選ばれて
いる。レーザービームは殆ど帯状領域４の内部で生じさ
せられるが、しかし領域４に、おいて形成されるレーザ
ービームの振動モードの電気光学的作用範囲は領域４を
遥かに越えて広がる。機械的な乱れ、特ｉｃｄ力および
不均質性（・まＶ−ザーダイオードにとって、それらが
領域４の隣接範囲に現れる場合（／Ｉ：も不利に作用す
る。
りも焼焙か大きい。寸法すは少なくとも基板２における
レーザー放射のための波動案内範囲と同じ幅に選ばれて
いる。レーザービームは殆ど帯状領域４の内部で生じさ
せられるが、しかし領域４に、おいて形成されるレーザ
ービームの振動モードの電気光学的作用範囲は領域４を
遥かに越えて広がる。機械的な乱れ、特ｉｃｄ力および
不均質性（・まＶ−ザーダイオードにとって、それらが
領域４の隣接範囲に現れる場合（／Ｉ：も不利に作用す
る。
付加的な層１０の幅すはできるだけ上述の基板２、（お
ける波動案内範囲の幅に合わせることが好ましい。
ける波動案内範囲の幅に合わせることが好ましい。
本発明によれば、付加的な層１０は特に金からなる接触
層７の金属と層９のろう金属との合金化を阻止する材料
からなる。特に、このためには酸化アルミニウム、酸化
シリコンのような金属酸化物が適し、しかし窒化シリコ
ンも適していて、これらは上述の合金作用を妨げる。付
加的な層ＩＯに対して同様のことがモリブデンおよびタ
ングステンのような金属によっても達せられる。モリブ
デンおよびタングステンも前記酸化物もしくは窒化物も
１％にレーザー能動領域４において発生する高い熱量を
ヒートシンク３に放出するのに十分に良好な熱伝導性を
有する。金属酸化物もしくは金属窒化物は比較的導電性
が良くないことは１本発明にとって、通電が接触層７を
介して十分に保証されていることからもはや問題になら
ない。本発明の場合には、接触層７の例えば金における
合金形成による導電度の低下が全く生じない。領域４の
近くにおける合金形成は１例えば金にとってイ／ジウム
、錫等との合金の場合において極度に現れるように、領
域４の近傍において接触層７の金属の導電度低下をこう
むるという結果をもたらしていだのである。接触層７に
おける伝播抵抗は、レーザー能動領域４の近傍範囲での
本発明による付加的な層ｌＯの保護によって十分に均一
で乱れていない。これに対して、付加的な層１０の範囲
外に生じる接触層７の金属の合金は問題ではない。
層７の金属と層９のろう金属との合金化を阻止する材料
からなる。特に、このためには酸化アルミニウム、酸化
シリコンのような金属酸化物が適し、しかし窒化シリコ
ンも適していて、これらは上述の合金作用を妨げる。付
加的な層ＩＯに対して同様のことがモリブデンおよびタ
ングステンのような金属によっても達せられる。モリブ
デンおよびタングステンも前記酸化物もしくは窒化物も
１％にレーザー能動領域４において発生する高い熱量を
ヒートシンク３に放出するのに十分に良好な熱伝導性を
有する。金属酸化物もしくは金属窒化物は比較的導電性
が良くないことは１本発明にとって、通電が接触層７を
介して十分に保証されていることからもはや問題になら
ない。本発明の場合には、接触層７の例えば金における
合金形成による導電度の低下が全く生じない。領域４の
近くにおける合金形成は１例えば金にとってイ／ジウム
、錫等との合金の場合において極度に現れるように、領
域４の近傍において接触層７の金属の導電度低下をこう
むるという結果をもたらしていだのである。接触層７に
おける伝播抵抗は、レーザー能動領域４の近傍範囲での
本発明による付加的な層ｌＯの保護によって十分に均一
で乱れていない。これに対して、付加的な層１０の範囲
外に生じる接触層７の金属の合金は問題ではない。
なぜならば、そこで生じる不均一性は領域４に関して本
発明によシ避けるべき乱れを生じさせ得る範囲外にある
からである。接触層に用いることのできる他の金属は白
金および銀である。
発明によシ避けるべき乱れを生じさせ得る範囲外にある
からである。接触層に用いることのできる他の金属は白
金および銀である。
付加的な層ｌＯとろう層９もしくはヒート７／り３の対
応部分との間に１本発明の場合には合金もしくはろう接
に相邑する機械的接続が存在しない。そこには、例えば
酸化アルεニウム、酸化シリコン等と半導体材料または
金属との間で周知のように物理的に生じるような機械的
結合が存在する。本発明では付加的な層の幅すはｌＯ〜
１００μｍ１ とりわけ３０〜７０μｍに選定される。
応部分との間に１本発明の場合には合金もしくはろう接
に相邑する機械的接続が存在しない。そこには、例えば
酸化アルεニウム、酸化シリコン等と半導体材料または
金属との間で周知のように物理的に生じるような機械的
結合が存在する。本発明では付加的な層の幅すはｌＯ〜
１００μｍ１ とりわけ３０〜７０μｍに選定される。
付加的な層が広く延びているので、基板２の材料は領域
４の範囲において大いに、ヒートシンク３上へ基板２も
しくは接触層７を直接にろう付けした場合に生じるよう
な不均一な機械的応力から解放される。基板２における
幅すの範囲外に生じる不均一な機械的応力は殆ど問題で
ない。なぜならば、その不均一な機械的応力は副次的に
しか波動案内範囲に作用せず、領域４の範囲Ｖこ・：は
作用しないからである。本発明により設けられた付加的
な層１０の前述の作用を保証するには層１０の厚みｉｒ
：ｉ１μｍ〜ｌｑｍ、特に０．２μｍで十分である。
４の範囲において大いに、ヒートシンク３上へ基板２も
しくは接触層７を直接にろう付けした場合に生じるよう
な不均一な機械的応力から解放される。基板２における
幅すの範囲外に生じる不均一な機械的応力は殆ど問題で
ない。なぜならば、その不均一な機械的応力は副次的に
しか波動案内範囲に作用せず、領域４の範囲Ｖこ・：は
作用しないからである。本発明により設けられた付加的
な層１０の前述の作用を保証するには層１０の厚みｉｒ
：ｉ１μｍ〜ｌｑｍ、特に０．２μｍで十分である。
本発明によれば、レーザーダイオードに現われる機械的
応力の低減と均質化が得られるとともに、ヒートシンク
に対する熱伝達の均質化、および通電の均質化を得るこ
とができるものである。
応力の低減と均質化が得られるとともに、ヒートシンク
に対する熱伝達の均質化、および通電の均質化を得るこ
とができるものである。
図は本発明によるレー・ザーダイオードの実施例を示す
構造概念図である。 １・・レーザーダイオード、２・・・半導体基板、３・
・・ヒートシンク、４・・・レーザー能動領域、７・・
・接触層、８・基板接触部、９−・・ろう層、１０・・
・付加的な層、ｂ・・・付加的な層の幅。
構造概念図である。 １・・レーザーダイオード、２・・・半導体基板、３・
・・ヒートシンク、４・・・レーザー能動領域、７・・
・接触層、８・基板接触部、９−・・ろう層、１０・・
・付加的な層、ｂ・・・付加的な層の幅。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）帯状のレーザー能動領域（４）のある半導体基板（
２）と、少なくとも一つの接触層（７）と、光学的共振
体の鈍端面とを備え、半導体基板は逆さにされてヒート
シンク（３）上に据えられていて、金属である一つの接
触層がヒートシンクと基板との間のレーザー能動領域の
近くにあり、半導体基板とヒートシンクとを互いにしつ
かシ接着させるろう層（９）がこの接触層とヒートシン
クとの間にあるようなレーザーダイオードにおいて、接
触層（７）とろう層（９）との間に、接触層（７）の金
属に関して、ろう（９）に対して合金化を阻止する作用
を有する材料からなる付加的な層（１０）があり、この
付加的な層（１０）は、レーザー能動領域（４）の全長
にわたって広がっていて少なくともほぼレーザー能動領
域（４）の波動案内範囲の幅に相当する幅（ｂ）を有し
、レーザー能動領域（４）と波動案内範囲とに合わせて
調整されていることを特徴とするレーザーダイオード。 ２）接触層（７）の金属は金であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のレーザーダイオード。 ３）付加的な層（１０）の材料は、導電度は比較的低い
が熟成導性は良好な金属酸化物であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項また（は第２項記載のレーザーダ
イオード。 ４）付加的な層（１０）の材料は酸化アルミニウムであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のレーザ
ーダイオード。 ５）付加的な層（１０）の材料は酸化シリコンであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のレーザーダ
イオード。 ６）付加的な層（１０）の材料は窒化シリコンであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
のレーザーダイオード。 ７）波動案内範囲に相当する付加的な層（１０）の幅（
ｌは１０〜７０μｍであることを特徴とする特許請求の
範囲第１頃ないし第６項のいずれかに記載のレーザーダ
イオード。 ８）付加的な層（１０）の幅（ｂ）は波動案内範囲の幅
に等しいことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第６項のいずれかに記載のレーザーダイオード。 ９）付加的な層（１０）の材料はモリブデンであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項、第７項および第８
項のいずれかに記載のレーザーダイオード。 １０）付加的な層（１０）の材料はタングステンである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項、第７項および
第８項のいずれかに記載のし・−ザーダイオード。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3329107.1 | 1983-08-11 | ||
| DE19833329107 DE3329107A1 (de) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | Laserdiode mit homogenisierter mechanischer spannung und/oder waermeableitung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055689A true JPS6055689A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=6206365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59167252A Pending JPS6055689A (ja) | 1983-08-11 | 1984-08-09 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4589116A (ja) |
| JP (1) | JPS6055689A (ja) |
| DE (1) | DE3329107A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63318188A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| US4951123A (en) * | 1988-09-30 | 1990-08-21 | Westinghouse Electric Corp. | Integrated circuit chip assembly utilizing selective backside deposition |
| US5105429A (en) * | 1990-07-06 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Modular package for cooling a laser diode array |
| JPH05173046A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Sony Corp | 光導波路装置 |
| JP3024354B2 (ja) * | 1992-01-27 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
| US5519363A (en) * | 1994-05-31 | 1996-05-21 | The Whitaker Corporation | Controlled impedance lines connected to optoelectronic devices |
| DE19611046A1 (de) * | 1996-03-20 | 1997-09-25 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung |
| US6967982B2 (en) * | 2001-12-25 | 2005-11-22 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device with a strain reduction cushion function, semiconductor laser module, and semiconductor laser device fabrication method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140584A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Fujitsu Ltd | Semiconductor |
| JPS52116185A (en) * | 1976-03-26 | 1977-09-29 | Hitachi Ltd | Mesa-type semiconductor laser |
| US4124826A (en) * | 1977-03-01 | 1978-11-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Current confinement in semiconductor lasers |
| JPS5833885A (ja) | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | レ−ザ−ダイオ−ド |
-
1983
- 1983-08-11 DE DE19833329107 patent/DE3329107A1/de not_active Ceased
-
1984
- 1984-07-23 US US06/633,598 patent/US4589116A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-08-09 JP JP59167252A patent/JPS6055689A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3329107A1 (de) | 1985-02-21 |
| US4589116A (en) | 1986-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4626517B2 (ja) | 半導体レーザアセンブリ | |
| JPS6055689A (ja) | レ−ザ−ダイオ−ド | |
| US6985506B2 (en) | Semiconductor laser device, semiconductor laser module for one such semiconductor laser device and a process for producing one such semiconductor laser device | |
| TWI234914B (en) | Ridge waveguide type semiconductor laser | |
| US6621839B1 (en) | Method for contacting a high-power diode laser bar and a high-power diode laser bar-contact arrangement of electrical contacts with minor thermal function | |
| JP3377553B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2000261088A (ja) | 発光素子 | |
| JP2001230498A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザ | |
| JP6988268B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2019080045A (ja) | サブマウントおよびその製造方法 | |
| JPH06260723A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2677219B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| DE112020007153T5 (de) | Halbleiterlasermaschine | |
| JP2529397B2 (ja) | チップ部品載置用電極 | |
| WO2019232970A1 (zh) | 激光二极体表面安装结构 | |
| JPH0451073B2 (ja) | ||
| US20090185591A1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH04278593A (ja) | 光電子装置およびその製造方法 | |
| TWM567505U (zh) | 雷射二極體表面安裝結構 | |
| JPH0677604A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2008021762A (ja) | 半導体レーザ素子および半導体レーザ装置 | |
| JPS6144492A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07263788A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH02181488A (ja) | 半導体レーザ素子用ヒートシンク | |
| JPH02244689A (ja) | 半導体レーザ素子放熱体のサブマウントの製造方法 |