JPS6143404A - 酸化物電圧非直線抵抗体 - Google Patents
酸化物電圧非直線抵抗体Info
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- JPS6143404A JPS6143404A JP59165887A JP16588784A JPS6143404A JP S6143404 A JPS6143404 A JP S6143404A JP 59165887 A JP59165887 A JP 59165887A JP 16588784 A JP16588784 A JP 16588784A JP S6143404 A JPS6143404 A JP S6143404A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電気回路における異常高電圧の吸収等に使用
される電圧非直線抵抗体(以下、バリスタと呼ぶ)に関
する。
される電圧非直線抵抗体(以下、バリスタと呼ぶ)に関
する。
従来の技術−
ZnOを主成分とした酸化物バリスタとして。
znoにBt、o、、 CoU %MnO%Sb、03
、hi(Jおよび5iO2を添加してなるバリスタが例
えば特公昭53−11076号公報で仰られている。ま
た、ZnOに5r(J 、CoUを添加してなるバリス
タ(%公昭48−6754号公報]、zno K Ba
OJ CoQを添加してなるバリスタ(特公昭48−6
755号公報)、ZnOK Ba(J 、 MnO雪を
添刀oしてなるバリスタ(特公昭48−6756号公報
〕なとも知られている。
、hi(Jおよび5iO2を添加してなるバリスタが例
えば特公昭53−11076号公報で仰られている。ま
た、ZnOに5r(J 、CoUを添加してなるバリス
タ(%公昭48−6754号公報]、zno K Ba
OJ CoQを添加してなるバリスタ(特公昭48−6
755号公報)、ZnOK Ba(J 、 MnO雪を
添刀oしてなるバリスタ(特公昭48−6756号公報
〕なとも知られている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、前者のビスマスを使用するバリスタは、非直線
指数αは非常に大き−・と(・う長所を有しているが、
大電流領域(10〜100A程度〕における非直線性は
悪く、更に、サージによるバリスタ電圧の変化が大きい
といつ欠点を有している。
指数αは非常に大き−・と(・う長所を有しているが、
大電流領域(10〜100A程度〕における非直線性は
悪く、更に、サージによるバリスタ電圧の変化が大きい
といつ欠点を有している。
一方、後者の3f!類のバリスタは、非直線指数αがl
O〜20程度でめり、非直線指数αを30程度にするた
めには、 Z”0にSrOめるいはBaOを添加して焼
成した焼結体にC00あるいはMnO,を塗布して再度
焼成しなければならないと−・う欠点を有している。従
って、本発明の目的は、大電流領域における非直線性が
比較的優れており、且つ耐サージ性に優れて−・るバリ
スタを提供することにある。
O〜20程度でめり、非直線指数αを30程度にするた
めには、 Z”0にSrOめるいはBaOを添加して焼
成した焼結体にC00あるいはMnO,を塗布して再度
焼成しなければならないと−・う欠点を有している。従
って、本発明の目的は、大電流領域における非直線性が
比較的優れており、且つ耐サージ性に優れて−・るバリ
スタを提供することにある。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するための本発明のバリスタは。
亜鉛(zn)、ビスマス(Bib、コバルト(CoJ、
マンガン(MIN) 、マグネシウムCMg) 、カル
シウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(
BaJ、ニッケル(Ni〕、ケイ素tSiノ、錫tsn
ノ、チタン(Ti)、ゲルマニウム(Ge)、アンチモ
ン(Sb)、ホウ素(B) 、クロム(Cr)、イッテ
ルビウム(Yb) 、エルビウム(E、r)、イツトリ
ウム【Y)、ランタン (La)、プラセオジム(Pr
)、ネオジム(NdJ、アルミニウム(AID、リチウ
ムLLiJY、こ八等の代表的酸化物である酸化亜鉛t
ZnO)、酸化ビスマス【Bi、0.J、酸化コバルト
(Coo)、酸化77ガ:/ (an(J)、醇化マグ
ネシウムLMgO)、Ml化カルシウム(CaO)、酸
化ストロンチウムLSrO)、e化バリウムtBaO)
、酸化ニッケA/ (NiOJ 、 酸化ケイ素ts
iO,)、酸化錫(5nox)、酸化チタンt’rto
り、酸化ゲルマニウム(Ge(J、 ) s R化アン
チモy (Sb!O,)、酸化ホウ素tB*Os)、酸
化クロムtcrtom) 、酸化インテルビウムt Y
bz Us )、酸化エルビウム(p:r、U、)、酸
化イツトリウム(YOURJ 1M化シランタンLaw
(J3]、酸化プラセオジム(Pr、(J、〕、酸化ネ
オジム(NdtUs )、酸化アルミニウム(AltO
aJ 、酸化リチウム(LitO) 。
マンガン(MIN) 、マグネシウムCMg) 、カル
シウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(
BaJ、ニッケル(Ni〕、ケイ素tSiノ、錫tsn
ノ、チタン(Ti)、ゲルマニウム(Ge)、アンチモ
ン(Sb)、ホウ素(B) 、クロム(Cr)、イッテ
ルビウム(Yb) 、エルビウム(E、r)、イツトリ
ウム【Y)、ランタン (La)、プラセオジム(Pr
)、ネオジム(NdJ、アルミニウム(AID、リチウ
ムLLiJY、こ八等の代表的酸化物である酸化亜鉛t
ZnO)、酸化ビスマス【Bi、0.J、酸化コバルト
(Coo)、酸化77ガ:/ (an(J)、醇化マグ
ネシウムLMgO)、Ml化カルシウム(CaO)、酸
化ストロンチウムLSrO)、e化バリウムtBaO)
、酸化ニッケA/ (NiOJ 、 酸化ケイ素ts
iO,)、酸化錫(5nox)、酸化チタンt’rto
り、酸化ゲルマニウム(Ge(J、 ) s R化アン
チモy (Sb!O,)、酸化ホウ素tB*Os)、酸
化クロムtcrtom) 、酸化インテルビウムt Y
bz Us )、酸化エルビウム(p:r、U、)、酸
化イツトリウム(YOURJ 1M化シランタンLaw
(J3]、酸化プラセオジム(Pr、(J、〕、酸化ネ
オジム(NdtUs )、酸化アルミニウム(AltO
aJ 、酸化リチウム(LitO) 。
に換算した組成で、 zno (第1成分381.9〜
99.775モル%、B輸0. (第2成分)0.1〜
3モル%、CoU 、 MnO、MgO、CaO1Sr
O、BaO、Nip。
99.775モル%、B輸0. (第2成分)0.1〜
3モル%、CoU 、 MnO、MgO、CaO1Sr
O、BaO、Nip。
5ioz、SnO,、Tic)、、Gem、、Sb、O
,、B103 およびCr、01の一種以上(第3成分
)0.1〜lOモル%、Yb、03. Er、01、Y
、0.、La、0.、Pr、O,およびNdtOaの一
種以上(第4成分)0.01〜3モル%、Al、Os(
M55成) 0.01〜1モル%、Li、o (第6成
分)0.005〜1.1モル%(但し、L’tU /
Al101のモル比は0.5〜1.1)となるように含
む焼結体から成る。
,、B103 およびCr、01の一種以上(第3成分
)0.1〜lOモル%、Yb、03. Er、01、Y
、0.、La、0.、Pr、O,およびNdtOaの一
種以上(第4成分)0.01〜3モル%、Al、Os(
M55成) 0.01〜1モル%、Li、o (第6成
分)0.005〜1.1モル%(但し、L’tU /
Al101のモル比は0.5〜1.1)となるように含
む焼結体から成る。
作用
上記発明によれば、各成分の相乗効果により、入電、流
領域での電圧非直線性が優れ、且つ耐サージ性も優れて
も・るバリスタを提供することが出来る。
領域での電圧非直線性が優れ、且つ耐サージ性も優れて
も・るバリスタを提供することが出来る。
実施例
次に、図面を参照して本発明の実施例について述べる。
本発明の酸化物バリスタを製作するためニ、まずzno
が81−9〜99−775 %#%、 Bj、03が0
.1〜3モル%、Coo 1MuO%MgO、CaO1
SrU。
が81−9〜99−775 %#%、 Bj、03が0
.1〜3モル%、Coo 1MuO%MgO、CaO1
SrU。
f3aU、Nip、 Sin、、SnO,%Tie、、
QeO! 、 Sb ! (Ja、BtusおよびCr
、0.の一種以上が0.1〜10モル%。
QeO! 、 Sb ! (Ja、BtusおよびCr
、0.の一種以上が0.1〜10モル%。
Yb*Os s Er20H1y、o、、 La=03
、Pr、03およびNd 、(J。
、Pr、03およびNd 、(J。
の一種以上が0.01〜3モル%、Al宜Ojが0.0
1〜1モル%、Li、0が0.005〜1.1モル%で
あり、これ等の総和が100モル%になるように酸化物
原料を計量し、これをボールミルなどによって十分混合
した後、ポリビニールアルコールなどの有機結合剤を用
いて造粒した。なお、出発原料としては酸化物の代りに
水酸化物や戻酸塩などを用−・ることも?T能である。
1〜1モル%、Li、0が0.005〜1.1モル%で
あり、これ等の総和が100モル%になるように酸化物
原料を計量し、これをボールミルなどによって十分混合
した後、ポリビニールアルコールなどの有機結合剤を用
いて造粒した。なお、出発原料としては酸化物の代りに
水酸化物や戻酸塩などを用−・ることも?T能である。
マた1MgTi01%CaTi0a。
7、n、SnO+、MgLa、(J4など]二元金FA
酸化’IllヲfA 710してもよ−・。成形、焼
成後の寸法、特性のバラツキなどに支障をきたすとぎは
600〜1000℃の空気中で1〜3時11JJ仮焼し
た後に、微粉に粉砕して七の後造粒してもよい。このよ
うにして得られた種々の組成の造粒粉を0.5〜2−O
ton/cm” の圧力で加圧成形し、直径15−O
mm%淳さ2.Qmmのディスク型に仕上げ、更に、こ
の成形物を1000〜1400℃の空気中で1〜3時間
焼成し、最後に、この焼結体の両面にAgペーストを塗
布し。
酸化’IllヲfA 710してもよ−・。成形、焼
成後の寸法、特性のバラツキなどに支障をきたすとぎは
600〜1000℃の空気中で1〜3時11JJ仮焼し
た後に、微粉に粉砕して七の後造粒してもよい。このよ
うにして得られた種々の組成の造粒粉を0.5〜2−O
ton/cm” の圧力で加圧成形し、直径15−O
mm%淳さ2.Qmmのディスク型に仕上げ、更に、こ
の成形物を1000〜1400℃の空気中で1〜3時間
焼成し、最後に、この焼結体の両面にAgペーストを塗
布し。
焼付けることにより市、極を形成して種々のm成の酸化
物バリスタの素子を完成させた。
物バリスタの素子を完成させた。
第1図は上述のごとき方法で製作した酸化物バリスタの
断面因である。この酸化物バリスタのバリスタ作用は導
電性微結晶(11とこれを色白する高抵抗層121によ
って生じるものと考えられる。従って、材料組成や焼成
条件を変えることにより、バリスタ電圧や非直線指数を
制御することができる。
断面因である。この酸化物バリスタのバリスタ作用は導
電性微結晶(11とこれを色白する高抵抗層121によ
って生じるものと考えられる。従って、材料組成や焼成
条件を変えることにより、バリスタ電圧や非直線指数を
制御することができる。
以上のようにバリスタ作用は焼結体内部で生じているの
で、を極(31の材料や、形成方法には特に限定はなく
、Ag 、 In 、 AI 、Snなどの蒸着による
電極あるも・を工Niメッキによる!極なども同様の結
果を得る。
で、を極(31の材料や、形成方法には特に限定はなく
、Ag 、 In 、 AI 、Snなどの蒸着による
電極あるも・を工Niメッキによる!極なども同様の結
果を得る。
上述の如き方法で製作した種々の〕くリスクのノくリス
ク電圧v1と、非直線性を示す電圧比Rと、耐サージ性
を示す宵、圧変化率Δv1とを測定したところ、第2図
〜第29図に示す結果が得られた。なお、第2図〜第2
9図において、代表的な組成の■1、R1Δv1値には
点印、丸印、三角印が付けられている。また、各図面に
は、比較のために1本発明の範囲外の組成のバリスタの
特性も表示さ几て−・る。また、第2図〜第28図の横
軸の各成分の量(モル%)は対数目盛で示されている。
ク電圧v1と、非直線性を示す電圧比Rと、耐サージ性
を示す宵、圧変化率Δv1とを測定したところ、第2図
〜第29図に示す結果が得られた。なお、第2図〜第2
9図において、代表的な組成の■1、R1Δv1値には
点印、丸印、三角印が付けられている。また、各図面に
は、比較のために1本発明の範囲外の組成のバリスタの
特性も表示さ几て−・る。また、第2図〜第28図の横
軸の各成分の量(モル%)は対数目盛で示されている。
また、バリスタ電圧V1を1第1図の構造のバリスタに
l・OmAを流した時の端子電圧を測定することにより
求めた。非直線を表わす電圧比Rは、バリスタ電流1.
OmAと5Aと瓜おけるバリスタ端子電圧vIとV と
を測足し、 V、A/Vlを計算することによ!1A って求めた。従って、市、正比Rが小さ−・はど電圧非
直線性が優れ、非直線指数αが大ぎり・。電圧変化率Δ
v1は%8×20μsの波形で125Aのサージ電流を
バリスタに2回流し、この電流を流す前と後の逆方向の
バリスタ電圧v1を測定し、その変化分を計算すること
によって求めた。従って、電圧変化率ΔVt (絶対値
)が小さも・はど耐サージ性が優れ、負荷に対する安定
性が優れている。
l・OmAを流した時の端子電圧を測定することにより
求めた。非直線を表わす電圧比Rは、バリスタ電流1.
OmAと5Aと瓜おけるバリスタ端子電圧vIとV と
を測足し、 V、A/Vlを計算することによ!1A って求めた。従って、市、正比Rが小さ−・はど電圧非
直線性が優れ、非直線指数αが大ぎり・。電圧変化率Δ
v1は%8×20μsの波形で125Aのサージ電流を
バリスタに2回流し、この電流を流す前と後の逆方向の
バリスタ電圧v1を測定し、その変化分を計算すること
によって求めた。従って、電圧変化率ΔVt (絶対値
)が小さも・はど耐サージ性が優れ、負荷に対する安定
性が優れている。
次に、第2図〜M29内を詳しく説明する。
第2図は次の組成のバリスタのバリスタ電EE Vlと
電圧比Rと[Ef化率Δ■1とを示す。
電圧比Rと[Ef化率Δ■1とを示す。
Zn0 93.31〜98.26モル%BjlOm
0.05〜5モル%C001モル%一定
゛ Yl)*()s O−5モル%一定A
1コUs 0 、1モル%−足L1
*0 0−09モル%−足台計
100モル% 即ち、第2囚はB i、O,の量(モル%)及び合計1
00モル%となるようにZnOの−iを変化させた種々
のバリスタのV、、R,ΔV、を示す。txオ、82図
〜M29図において、 Zn0O量は各図の横軸の成分
のモル%が決まれば、必然的に決まる。
0.05〜5モル%C001モル%一定
゛ Yl)*()s O−5モル%一定A
1コUs 0 、1モル%−足L1
*0 0−09モル%−足台計
100モル% 即ち、第2囚はB i、O,の量(モル%)及び合計1
00モル%となるようにZnOの−iを変化させた種々
のバリスタのV、、R,ΔV、を示す。txオ、82図
〜M29図において、 Zn0O量は各図の横軸の成分
のモル%が決まれば、必然的に決まる。
第3図は次の組成のバリスタのバリスタ電圧v1と電圧
比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
ZnU 93.31〜98.26モル%Bl*O
s 0−05〜5モル%sto、
1モル%一定Yb、U、
0.5モル%一定Aft Us
O−1モルシ一定Ltt0 0−09
モル%−足台計 100モル% 即ち、第3図は第2図の組成のCod)を同一グループ
のStO,に置き換えたものの特性を示す。
s 0−05〜5モル%sto、
1モル%一定Yb、U、
0.5モル%一定Aft Us
O−1モルシ一定Ltt0 0−09
モル%−足台計 100モル% 即ち、第3図は第2図の組成のCod)を同一グループ
のStO,に置き換えたものの特性を示す。
第4囚は久の組成のバリスタのバリスタt JE Vt
と電圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
と電圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
Zn0 93.31 = 98.26 モz%13
i、Q、 0.05〜5モル%Sb! 0
1 1モル%一定Yl)mus
0.5モル%一定AI、0.
0.1モル%一定しオ、(J O
,09モル%−足台計 100モル% 即ち、第4図は第2図のCooを同一グループのsb、
o、に置き換えた場合の特性を示す。
i、Q、 0.05〜5モル%Sb! 0
1 1モル%一定Yl)mus
0.5モル%一定AI、0.
0.1モル%一定しオ、(J O
,09モル%−足台計 100モル% 即ち、第4図は第2図のCooを同一グループのsb、
o、に置き換えた場合の特性を示す。
第5脂は次の組成のバリスタのバリスタ111. 圧V
tと電圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
tと電圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
zno 78.31〜98.26 モ#%Co0
0.05〜20 %#%Bi、(J11モ
ル%一定 Yb*Oa O−5モル%一定AIt
Us O−1モル%一定Li10
0.09モル%−足台計
100モル% 即ち、第5図はCoo O量(モル%]及び合計100
モル%となるようにznOの量を変化させた攬々のバリ
スタのvt、R,Δvlを示す。
0.05〜20 %#%Bi、(J11モ
ル%一定 Yb*Oa O−5モル%一定AIt
Us O−1モル%一定Li10
0.09モル%−足台計
100モル% 即ち、第5図はCoo O量(モル%]及び合計100
モル%となるようにznOの量を変化させた攬々のバリ
スタのvt、R,Δvlを示す。
第6図は次のm或のバリスタのバリスタ電圧v1と1!
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
ZnO78,31〜98.26%ル% 、Mncl
O,05〜20七ルア。
O,05〜20七ルア。
ni、o、 1モル%−足Yb、
0. 0.5モル%一定A1.0.
0.1モル%一定L’tOO,09モル%
一定 合計 100モル% 即ち、第6図はMnOの量(モル%J及び合計100モ
ル%となるようにZn0O量を変化させた種々のバリス
タのvl、R%Δ看を示す。
0. 0.5モル%一定A1.0.
0.1モル%一定L’tOO,09モル%
一定 合計 100モル% 即ち、第6図はMnOの量(モル%J及び合計100モ
ル%となるようにZn0O量を変化させた種々のバリス
タのvl、R%Δ看を示す。
第7図は次の組成のバリスタのバリスタ電圧VIと電圧
比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
zno 78.31〜98.26 モル%mo
o、os〜20モル%13i、Q、
1モル%一定YIhOi
0.5モル%一定AI、O畠 0.1
モル%一定り輸Q O,09モル%一
定合計 100モル% 即ち、第7図はぬ0の量Cモル%]及び合計lOOモル
衛となるようにZnOの量を変化させた種々のバリスタ
の■8、R167厘を示す。
o、os〜20モル%13i、Q、
1モル%一定YIhOi
0.5モル%一定AI、O畠 0.1
モル%一定り輸Q O,09モル%一
定合計 100モル% 即ち、第7図はぬ0の量Cモル%]及び合計lOOモル
衛となるようにZnOの量を変化させた種々のバリスタ
の■8、R167厘を示す。
第8図は矢の組成のバリスタのバリスタ電圧v1と電圧
比Rと電圧変化率ΔVIとを示す。
比Rと電圧変化率ΔVIとを示す。
ZnO78,31〜98.26モル%
CaO0−05=20 モ#%
Bi、0. 1モル%一定Yb、0
10.5モル%一定 AI、U、 0.1モル%一定Li
友Q O,09モル%一定合計
100モル% 即ち、第8図はCaOの量(モル%)及び合計100モ
ル%となるようK ZnOの量を変化させた梅々のバリ
スタのVl、R1へ看を示す。
10.5モル%一定 AI、U、 0.1モル%一定Li
友Q O,09モル%一定合計
100モル% 即ち、第8図はCaOの量(モル%)及び合計100モ
ル%となるようK ZnOの量を変化させた梅々のバリ
スタのVl、R1へ看を示す。
第9図は矢のMi成のバリスタのバリスタ電圧v1と電
圧比Rと電圧変化率Δ■1とを示す。
圧比Rと電圧変化率Δ■1とを示す。
Zn0 7’8.31〜98.26モル5Sr0
0−05〜20qニル%Bt、o、
1モル%一定Yb、0.
0.5モル%一定AI! On
O−1モル%一定J、i、Q O,
09モル%一定合計 100モル% 即ち、第9図はSrOの量(モル%)及び合計100モ
ル%となるようにZnOの量を変化させた種々のバリス
タのV、、R,Δv1を示ス。
0−05〜20qニル%Bt、o、
1モル%一定Yb、0.
0.5モル%一定AI! On
O−1モル%一定J、i、Q O,
09モル%一定合計 100モル% 即ち、第9図はSrOの量(モル%)及び合計100モ
ル%となるようにZnOの量を変化させた種々のバリス
タのV、、R,Δv1を示ス。
m10図は矢の組成のバリスタのバリスタ電圧■!と電
圧比Rと電圧変化率ΔV1とを示す。
圧比Rと電圧変化率ΔV1とを示す。
Zn0 78−31〜98−26 モル%BaU
O,05〜20 モル%Bi、0.
1モル%一定Yb、0.
0.5モル%一定AI宜0. 0.
1モル%一定Li、o O,09モル
%一定合計 100モル% 即ち、第10図はBaOの景(モル%]及び合計100
モル%となるようにZnOの量を変化させた種々のバリ
スタのV、、a、ΔV1ヲ示ス。
O,05〜20 モル%Bi、0.
1モル%一定Yb、0.
0.5モル%一定AI宜0. 0.
1モル%一定Li、o O,09モル
%一定合計 100モル% 即ち、第10図はBaOの景(モル%]及び合計100
モル%となるようにZnOの量を変化させた種々のバリ
スタのV、、a、ΔV1ヲ示ス。
第11図は次のm成のバリスタのバリスタ電圧v1と電
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
Zn0 78.31〜98.26モA/%Nto
’ o、o s〜20モル%Bi叩Os
1モルカ一定Yb、Oa0.5モル%
一定 Al1 On 0 、1モル%一定
LixO0,09モk % −’i 合計 100モル% 即ち、第11図はN旧の量(モル%J及び合計100モ
ル%となるようにZn0O&を変化さ−じた徨々のバリ
スタのV、、R1Δv1を示す。
’ o、o s〜20モル%Bi叩Os
1モルカ一定Yb、Oa0.5モル%
一定 Al1 On 0 、1モル%一定
LixO0,09モk % −’i 合計 100モル% 即ち、第11図はN旧の量(モル%J及び合計100モ
ル%となるようにZn0O&を変化さ−じた徨々のバリ
スタのV、、R1Δv1を示す。
第12図は次の組成のバリスタのバリスタ電圧V1と電
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
Zn(778,31〜98.26モy%Sin、
0.05〜20 モル%B”*Os
1モル%一定YbzOa
0.5 % /I/ % 一定A1tOa
O,1モ#%一定り凰!(J
O,09モル%−足台計 100モ
ル% 即ち、第12図はsio zの■(モル%]及び合計1
00モル%となるようにZnOの童を変化させた種々の
バリスタのvl、R1Δv1を示す。
0.05〜20 モル%B”*Os
1モル%一定YbzOa
0.5 % /I/ % 一定A1tOa
O,1モ#%一定り凰!(J
O,09モル%−足台計 100モ
ル% 即ち、第12図はsio zの■(モル%]及び合計1
00モル%となるようにZnOの童を変化させた種々の
バリスタのvl、R1Δv1を示す。
第13囚は次のm成のバリスタのバリスタ電圧v1と電
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
Zn0 78.31〜98.26モル%Sn0.
0.05〜20モル%Bt、o、
1モル%一定Yb*Oi
O−5モル%−足A1201 Q、
l モ/L−%一定Li!OO,09七ル力一定 合計 100モル% ff179.第136はsno、のt(モ#%)及び合
計100モル%となるようにZnOのf馨変化させた槙
々のバリスタのVl、R,Δ■1を示す。
0.05〜20モル%Bt、o、
1モル%一定Yb*Oi
O−5モル%−足A1201 Q、
l モ/L−%一定Li!OO,09七ル力一定 合計 100モル% ff179.第136はsno、のt(モ#%)及び合
計100モル%となるようにZnOのf馨変化させた槙
々のバリスタのVl、R,Δ■1を示す。
第14図は次の組成のバリスタのバリスタ電圧vlと電
圧比Rと電圧変化率Δ■1とを示す0ZnU 7
8.31〜98.26モル%Ti(J、
0.05〜20モル慟Big(J3
1モル%一定Yb、0. 0.5モ
ル%一定AIton o、iモル%
−足L’*0 0.09モル%−足台計
100モル%一定 jl[Iち、第14図はTi1lの量【モル%]及び合
計100モル%となるよプにZnUcD:iiを変化さ
せた槽々のバリスタV1、R1Δ■1を示す。
圧比Rと電圧変化率Δ■1とを示す0ZnU 7
8.31〜98.26モル%Ti(J、
0.05〜20モル慟Big(J3
1モル%一定Yb、0. 0.5モ
ル%一定AIton o、iモル%
−足L’*0 0.09モル%−足台計
100モル%一定 jl[Iち、第14図はTi1lの量【モル%]及び合
計100モル%となるよプにZnUcD:iiを変化さ
せた槽々のバリスタV1、R1Δ■1を示す。
第15図は矢の組成のバリスタのバリスタ電圧vIと電
圧比Rと電圧変化率Δ■1とを示す。
圧比Rと電圧変化率Δ■1とを示す。
Zn0・ 78.31〜98.26モル%Gem、
0.05〜20モル%B ’z Ox
1モル%一定YbzOa
0.5モル%−足Al* Us
O−1モル%一定Li、OO,09モル%−足 合計 100モル% 即ち、第15図はQeO,の′Ji(モル力〕及び合計
100モル%となるようにZnOの量を変化させた種々
のバリスタの’b、R,Δ■zを示ス。
0.05〜20モル%B ’z Ox
1モル%一定YbzOa
0.5モル%−足Al* Us
O−1モル%一定Li、OO,09モル%−足 合計 100モル% 即ち、第15図はQeO,の′Ji(モル力〕及び合計
100モル%となるようにZnOの量を変化させた種々
のバリスタの’b、R,Δ■zを示ス。
第16図は次の!11成のバリスタのバリスタ電圧vf
と電圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
と電圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
Zn0 、 78.31〜98−26モ#%Sb*O
s 0.05〜20モル%Bt、u、
iモル%一定yb、o、
0.5モル%一定AI、 (Ja
O、1モル%−足Li、OO,09モル%−足 台計 100モル% 即ち、第16図はSb、O,の童(モル%]及び合計1
00モル%となるようにZnOの!kを変化させた種々
のバリスタv1、R1Δ看を示す。
s 0.05〜20モル%Bt、u、
iモル%一定yb、o、
0.5モル%一定AI、 (Ja
O、1モル%−足Li、OO,09モル%−足 台計 100モル% 即ち、第16図はSb、O,の童(モル%]及び合計1
00モル%となるようにZnOの!kを変化させた種々
のバリスタv1、R1Δ看を示す。
第17図は次の組成のバリスタのバリスゲ電圧vIと電
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
ZnU 78.31〜98.26−T−ル%B、
0. 0.05〜20モル%B12o、
1モル%一定Yb、0.
0.5モル%一定AI、08 0.1
モル%一定L’x0 0−09モル%−
足台計 100モル% 即ち、第17図はB、U、のfktモル%ノ及び合計1
00モル%となるようにZnu o量を変化させた檀々
のバリスタのVl、It、ΔvIを示す。
0. 0.05〜20モル%B12o、
1モル%一定Yb、0.
0.5モル%一定AI、08 0.1
モル%一定L’x0 0−09モル%−
足台計 100モル% 即ち、第17図はB、U、のfktモル%ノ及び合計1
00モル%となるようにZnu o量を変化させた檀々
のバリスタのVl、It、ΔvIを示す。
第18図は次の組成のバリスタのバリスゲ電圧vIと電
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
Zn0 78−31〜98−26 モル%Cr1U
3 0.05〜20モル%B 1xOa
1モルカ一定Yb、(Jl
o、sモル%一定AI、(J、
0 、1モル%一定Li、(J
O,09モル%−足台計 100モル% 即ち、M2S図はCr、C)Bの童(モル%]及び合計
100モル%となるようにZn(Jの量?変化させた種
々のバリスタのV、、a、ΔVIY示す。
3 0.05〜20モル%B 1xOa
1モルカ一定Yb、(Jl
o、sモル%一定AI、(J、
0 、1モル%一定Li、(J
O,09モル%−足台計 100モル% 即ち、M2S図はCr、C)Bの童(モル%]及び合計
100モル%となるようにZn(Jの量?変化させた種
々のバリスタのV、、a、ΔVIY示す。
第19図は次の組成のバリスタのバリスタ電圧V1と電
圧比Rと電圧変化率ΔV、とを示す。
圧比Rと電圧変化率ΔV、とを示す。
zno 78.31〜98.26−T−#%Co
(J+MnU 0.05〜20モル%Bi、U、
°1モル%一定’yb、o、
0.5モル%=定AI□0.
0.1モル%一定Li、OO,09モル%−足 台 i十100モルフ。
(J+MnU 0.05〜20モル%Bi、U、
°1モル%一定’yb、o、
0.5モル%=定AI□0.
0.1モル%一定Li、OO,09モル%−足 台 i十100モルフ。
R口ち、第19図はCoU + MnO(等モル混合]
のit(モル%〕及び合計100モル%となるようにZ
nUの量を変化させた種々のバリスタのV、、R1Δv
1を示す。
のit(モル%〕及び合計100モル%となるようにZ
nUの量を変化させた種々のバリスタのV、、R1Δv
1を示す。
M2O図は矢の組成のバリスタのバリスタ電圧v1と電
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
圧比Rと電圧変化率ΔvIとを示す。
Zn0 78.31〜98.26モル%coo+s
+o、+sb、o、 o、o 5〜20 モ/L/%B
里2011モル%一定 Yb2O30−5モル%一定 AI、U、 0 、1モル%一定り嶋
U O,09モル%−足台計
100モル% 即ち、第20図はCod) + 5i(J、 + Sb
、03 (等モル混@]の量(モル%)及び合計100
モル%となるようにznOO量を変化さぜた種々のノく
リスクのV8、R1Δv1を示す〇 第21図は矢の組成のバリスタのノくリスタ苛圧V1と
電圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
+o、+sb、o、 o、o 5〜20 モ/L/%B
里2011モル%一定 Yb2O30−5モル%一定 AI、U、 0 、1モル%一定り嶋
U O,09モル%−足台計
100モル% 即ち、第20図はCod) + 5i(J、 + Sb
、03 (等モル混@]の量(モル%)及び合計100
モル%となるようにznOO量を変化さぜた種々のノく
リスクのV8、R1Δv1を示す〇 第21図は矢の組成のバリスタのノくリスタ苛圧V1と
電圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
Zn(J 77−81〜97.76 モル%Yb
、030.05〜20モル% Blt(Ja ’モル%一定coo
、 1モル%−足A、1tUs
O,1モル5一定Lj、Q
O,09モル%−足合計 100
モル% 即ち、第21図はYb1(Jsの童(モル%〕及び合計
100モル%となるようにznoの量を変化させた種々
のバリスタのV、、a、ΔVt’を示す。
、030.05〜20モル% Blt(Ja ’モル%一定coo
、 1モル%−足A、1tUs
O,1モル5一定Lj、Q
O,09モル%−足合計 100
モル% 即ち、第21図はYb1(Jsの童(モル%〕及び合計
100モル%となるようにznoの量を変化させた種々
のバリスタのV、、a、ΔVt’を示す。
第22図は次の組成のバリスタのバリスタ電圧v1と電
圧比Rと電圧変化率Δ■1とを示す。
圧比Rと電圧変化率Δ■1とを示す。
ZJIO77−81〜97−76 モル%ErxOa
0.05〜20 モル%B’s Us
1モル%一定CoQ
1モル%一定Alx0a
O−1モル%一定Li、Q O,09
−r−ル%一定合計 100モル% aち、第22図はEr、01の愈(モル%]及び合計1
00モル%となるようにZll(Jの量を変化させた檜
々のバリスタのvl、R1ΔVr’t’示す。
0.05〜20 モル%B’s Us
1モル%一定CoQ
1モル%一定Alx0a
O−1モル%一定Li、Q O,09
−r−ル%一定合計 100モル% aち、第22図はEr、01の愈(モル%]及び合計1
00モル%となるようにZll(Jの量を変化させた檜
々のバリスタのvl、R1ΔVr’t’示す。
第23内は次のm成のバリスタのバリスタ電圧v1と電
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
ZnO77,81〜97.76モル%
’y、o、 o、o 5〜20 モル%Bi
*Os 1モルシ一定CoU
1モル%一定A50n
Q 、1 モA/ %−足””
0.09−r−/l/ % −tH合計
100モル% mも、第23内はY、(J、の危(モル%]及び合計1
00モル力となるようにZnOの量を変化させた種々の
バリスタV、、a、Δv1を示す。
*Os 1モルシ一定CoU
1モル%一定A50n
Q 、1 モA/ %−足””
0.09−r−/l/ % −tH合計
100モル% mも、第23内はY、(J、の危(モル%]及び合計1
00モル力となるようにZnOの量を変化させた種々の
バリスタV、、a、Δv1を示す。
第24図は次のm成のバリスタのバリスタ電圧1重と電
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
znu 77−81〜97.76 % ル?。
La、01 0−05 % 20 モx%Bt
、o、1モル%−足 Co(J 1モル%一定AI!υ
、0.1モル%一定 Li、u O,09モル%−足台計
100モル% 即ち、第24囚はLa5h’sの童(モル%〕及び合計
100モル%となるようにZnOの量を変化させた種々
のバリスタのVt、R,Δv1を示す。
、o、1モル%−足 Co(J 1モル%一定AI!υ
、0.1モル%一定 Li、u O,09モル%−足台計
100モル% 即ち、第24囚はLa5h’sの童(モル%〕及び合計
100モル%となるようにZnOの量を変化させた種々
のバリスタのVt、R,Δv1を示す。
第25図は久の組成のバリスタのバリスタ電圧V、と電
圧比Rと電圧変化率Δ■、とを示す。
圧比Rと電圧変化率Δ■、とを示す。
Z”0 77−81−97.76 % ル%Prx
Os 0.05〜20 %/I/ %Bf、
011モル島一定 Co(J 1モル%一定人1λO
a 0.1モル%一定L40
0.09モル%−足台計 10
0モル% 即ち1M25図はPr、O,の′Jk(モル%)及び合
計100モル%となるようにZn0O量を変化させた檀
々のバリスタのV’+、R,Δv1を示す。
Os 0.05〜20 %/I/ %Bf、
011モル島一定 Co(J 1モル%一定人1λO
a 0.1モル%一定L40
0.09モル%−足台計 10
0モル% 即ち1M25図はPr、O,の′Jk(モル%)及び合
計100モル%となるようにZn0O量を変化させた檀
々のバリスタのV’+、R,Δv1を示す。
第26図は矢の組成のバリスタのバリスタ電圧V1と電
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
Zn(J 77.81〜97.76−Tニル%N
d、03 0.05〜20 モル%B”tOa
1モル先一定Co0
1モル%一定AI、010.1モル%一定 Li、Q O,09モル%−足台計
100モル% 即ち、第26図はNd、O,の量(モル%)及び合計1
00モル%となるようにZnOの量を変化させた種々の
バリスタのV+、 R1Δv1を示す。
d、03 0.05〜20 モル%B”tOa
1モル先一定Co0
1モル%一定AI、010.1モル%一定 Li、Q O,09モル%−足台計
100モル% 即ち、第26図はNd、O,の量(モル%)及び合計1
00モル%となるようにZnOの量を変化させた種々の
バリスタのV+、 R1Δv1を示す。
第27図は矢の組成のバリスタのバリスタ電圧v1と電
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
Zn0 77−81〜97.76+y%yb、o、
+La、o、 o、o 5〜20 % A/%Bi
、0. 1モル%一定CoU
1モルフ0一定AI*Om
0.1モル5一定Li、Q
0.09モル%−足合計 100モル% 即ち、第27図はYb、U、 + LJlt(Jm (
等モル混合〕の愈(モルち)及び合計100モル%とな
るようにZllo 1Z)量を変化させた鴇々のバリス
タのvl、R1Δv1を示す。
+La、o、 o、o 5〜20 % A/%Bi
、0. 1モル%一定CoU
1モルフ0一定AI*Om
0.1モル5一定Li、Q
0.09モル%−足合計 100モル% 即ち、第27図はYb、U、 + LJlt(Jm (
等モル混合〕の愈(モルち)及び合計100モル%とな
るようにZllo 1Z)量を変化させた鴇々のバリス
タのvl、R1Δv1を示す。
第28図は久の組成のバリスタのバリスタ電圧v1と電
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
zno 77.81〜97.76 モル%A1.
0. 0.005〜3モル%B1gOn
1モル%一定Co0
1モル%一定Yb*Oi O−5
モル5−足Li*0 0.0045〜2.7モル%
合計 100モル% BOも、第28囚はAI□ono量(モル%]及び合計
100モル%となるようにznOの量を変化させ、且つ
L j* O/ All 01のモル比が第2図〜第2
7図の場合と同様に0.9に保たれるようにLi10
O,11を変化させた榴々のバリスタのV+ 、−R,
Δv1ヲ示ス。
0. 0.005〜3モル%B1gOn
1モル%一定Co0
1モル%一定Yb*Oi O−5
モル5−足Li*0 0.0045〜2.7モル%
合計 100モル% BOも、第28囚はAI□ono量(モル%]及び合計
100モル%となるようにznOの量を変化させ、且つ
L j* O/ All 01のモル比が第2図〜第2
7図の場合と同様に0.9に保たれるようにLi10
O,11を変化させた榴々のバリスタのV+ 、−R,
Δv1ヲ示ス。
第29図は、Bi、0.を1モル%、Coo k 1モ
ル%、’yb*oaを0.5モル力、人l、0.を0.
1モル%に固定し、L’zO/ A1.o、のモル比を
0.3〜1.3の範囲で変化させ、残部をZnOとして
総和を100モル%としたもののvI%R1Δ■鳳を示
す。
ル%、’yb*oaを0.5モル力、人l、0.を0.
1モル%に固定し、L’zO/ A1.o、のモル比を
0.3〜1.3の範囲で変化させ、残部をZnOとして
総和を100モル%としたもののvI%R1Δ■鳳を示
す。
次に、本発明の組成の限定理由を説明する。
第2図、第3図、および第4脂にお−・て、第2成分と
してのBi、o□が3モル%を越えたものは電圧比Rが
大きく、電圧変化率Δv1の絶対値も大きい。また、素
子が互−・に付着し、歩留りが悪(なる。一方、Bi(
J、が0.1モル%より少ないものは、Rが大ぎく、Δ
v1の絶対値も大ぎい。これに対して、この第2成分が
0.1〜3モル%の範囲によれば、Rが3以下、Δv1
の絶対値が10%以下である。従って、M22成の好”
!LIt%範囲は0.1〜3モル%でるる。また、第2
成分のより好ましい範囲は、Rが2.5以下になり、Δ
vzの絶対値が6以下になる0、2〜2モル%である。
してのBi、o□が3モル%を越えたものは電圧比Rが
大きく、電圧変化率Δv1の絶対値も大きい。また、素
子が互−・に付着し、歩留りが悪(なる。一方、Bi(
J、が0.1モル%より少ないものは、Rが大ぎく、Δ
v1の絶対値も大ぎい。これに対して、この第2成分が
0.1〜3モル%の範囲によれば、Rが3以下、Δv1
の絶対値が10%以下である。従って、M22成の好”
!LIt%範囲は0.1〜3モル%でるる。また、第2
成分のより好ましい範囲は、Rが2.5以下になり、Δ
vzの絶対値が6以下になる0、2〜2モル%である。
第51〜第20図において、第3成分が10モル%を越
えたもの、および0.1モル%よす少ないもののR及び
Δ■!の絶対値は大きい。こnに対して、第3成分が0
.1〜10モル%の範囲であれば、Rが3以下であり、
Δv1の絶対値が10%以下でるる。従って、第3成分
の好lしい範囲は0.1〜10モル%である。また、第
3成分が0.5〜5モル%の範囲では、RおよびΔvI
の絶対値が更に小さくなるので、0.5〜5モル%はよ
り好デし−・範囲である。
えたもの、および0.1モル%よす少ないもののR及び
Δ■!の絶対値は大きい。こnに対して、第3成分が0
.1〜10モル%の範囲であれば、Rが3以下であり、
Δv1の絶対値が10%以下でるる。従って、第3成分
の好lしい範囲は0.1〜10モル%である。また、第
3成分が0.5〜5モル%の範囲では、RおよびΔvI
の絶対値が更に小さくなるので、0.5〜5モル%はよ
り好デし−・範囲である。
i21図〜第27図にお−1て、第4成分が3モル%を
越えたもの、および0.01モル%より少ないものは、
大きなRと大きなΔV1の絶対値を有する。これに対し
て、0.01〜゛3モル%の範囲では、Rが3以下、Δ
■1の絶対値が10%以下になる。
越えたもの、および0.01モル%より少ないものは、
大きなRと大きなΔV1の絶対値を有する。これに対し
て、0.01〜゛3モル%の範囲では、Rが3以下、Δ
■1の絶対値が10%以下になる。
従って、第4成分の好ましい範囲は0.01〜3モル%
である。また、より好まし−・範囲は、R及びΔvIの
絶対値が更に小さくなる0、05〜2モル%でるる。
である。また、より好まし−・範囲は、R及びΔvIの
絶対値が更に小さくなる0、05〜2モル%でるる。
第28図にお−1で、第5成分(Al2O3)が1モル
%を越えたもの、および0.01モル%より少ないもの
は大きなRと大きなΔV1の絶対値を有する。
%を越えたもの、および0.01モル%より少ないもの
は大きなRと大きなΔV1の絶対値を有する。
これに対して0.01〜1モル%の範囲では、Rが2以
下、Δv1の絶対値が10%以下になる。従って、第5
成分の好fしい範囲は0.01〜1モル%である。また
、より好1しく1範囲は、Rおよび△v1の絶対値が更
に小さくなる0、05〜0.5モル%である。
下、Δv1の絶対値が10%以下になる。従って、第5
成分の好fしい範囲は0.01〜1モル%である。また
、より好1しく1範囲は、Rおよび△v1の絶対値が更
に小さくなる0、05〜0.5モル%である。
第29図にお(1て、L Is O/ Al 1 (J
3のモル比が1.1を越えたもの、および0.5より小
さいものは、大きなRおよび大きなΔ■8の絶対値を有
する。これに対して、上記モル比が0.5〜1.1の範
囲であわば、Rが3以下、ΔV、の絶対値が10%以下
になる。第29図ではAltClmが0.1モル%とさ
nて−するが、Al2O□を0.01〜1モル%にした
場合にも同様な傾向となる。従って、好ましいモル比の
i[’!0.5〜1.1である。また、より好ましいモ
ル比の範囲は、史にRと△看の絶対値が小さくなる0、
8〜1.0の範囲であり、最も好讐しも・モル比は0.
9近傍である。モル比の範囲が上述の如(決定すること
によr)、Liff1Oの範囲は0.005〜1.1モ
ル%となる。
3のモル比が1.1を越えたもの、および0.5より小
さいものは、大きなRおよび大きなΔ■8の絶対値を有
する。これに対して、上記モル比が0.5〜1.1の範
囲であわば、Rが3以下、ΔV、の絶対値が10%以下
になる。第29図ではAltClmが0.1モル%とさ
nて−するが、Al2O□を0.01〜1モル%にした
場合にも同様な傾向となる。従って、好ましいモル比の
i[’!0.5〜1.1である。また、より好ましいモ
ル比の範囲は、史にRと△看の絶対値が小さくなる0、
8〜1.0の範囲であり、最も好讐しも・モル比は0.
9近傍である。モル比の範囲が上述の如(決定すること
によr)、Liff1Oの範囲は0.005〜1.1モ
ル%となる。
上述の如く、ZnOを除く他の成分の範囲が決まれば、
ZnOの景(モル%)は残部であるので、必然的に81
.9〜99.775モル%である。なお、第2図〜第2
9図において、固定した成分の量(モル%〕を変えても
同様な傾向が得られる。また、第3成分%第4成分の酸
化物の楕類を変えても、同一群の酸化物はほぼ同一の働
きをなすので、同様な傾向を示す、 以上、本発明の実施例につり・て述ぺたが1本発明はこ
れに限定されるものではなく、更に変形可能なものでろ
る。例えば1本発明の目的を伯なゎな(・範囲で他の物
質を少貴添力りしてもよい。
ZnOの景(モル%)は残部であるので、必然的に81
.9〜99.775モル%である。なお、第2図〜第2
9図において、固定した成分の量(モル%〕を変えても
同様な傾向が得られる。また、第3成分%第4成分の酸
化物の楕類を変えても、同一群の酸化物はほぼ同一の働
きをなすので、同様な傾向を示す、 以上、本発明の実施例につり・て述ぺたが1本発明はこ
れに限定されるものではなく、更に変形可能なものでろ
る。例えば1本発明の目的を伯なゎな(・範囲で他の物
質を少貴添力りしてもよい。
発明の効果
上述から明らかな如く1本発明によれば、’a圧正比が
1.45〜3程度、電圧変化率ΔY+の絶対値”bl
10 %以下、/”Jスj’Tl圧VIyりX 35%
245 V程度のバリスタを提供することが出来ろ。な
お、電圧比Rはバリスタ電流1mAと5Aとの電圧によ
って決められて−・るので、これにより大電流領域の非
直線性を知ることが出来、本発明ではこれが小さ−・の
で、大電流領域での電圧非直腺注が大き−・。また、U
t圧変化率Δ■寞の絶対値が小さく・ので、耐サージ性
に優れている。
1.45〜3程度、電圧変化率ΔY+の絶対値”bl
10 %以下、/”Jスj’Tl圧VIyりX 35%
245 V程度のバリスタを提供することが出来ろ。な
お、電圧比Rはバリスタ電流1mAと5Aとの電圧によ
って決められて−・るので、これにより大電流領域の非
直線性を知ることが出来、本発明ではこれが小さ−・の
で、大電流領域での電圧非直腺注が大き−・。また、U
t圧変化率Δ■寞の絶対値が小さく・ので、耐サージ性
に優れている。
M1図は本発明に係わる酸化物電圧非直線抵抗体の焼結
結晶粒子の配列を模シ的に示す断面図、第2図はBt、
o、 tモル%ノの変化に対するバリスタ電圧v1、電
圧比R,II圧変化率ΔV+の変化を示す特性曲線図、
第3図もBitOm (モル%2の変化に対するバリス
タ電圧V、、電圧比R1電圧変化率ΔVIの変化を示す
特性曲線図、第4図もBitOm (モル%〕の変化に
対するバリスタ電圧V1.電正比R,電圧変化率ΔV、
C+変化を示す特性曲線図、第5図はCod) Cモル
%ノの変化に対するバリスタ電圧V+、電正比R,!圧
変化率Δv1の変化を示す特性曲線図、第6図はMnO
(モル%)の変化に幻するバリスタ電圧v1、電圧比R
1電圧変化率ΔV+の変化を示す特性曲線図、第7図は
MgO(モル%]の変化に対するバリスタ電圧v1、電
圧比R1%L圧変化率Δ■1の変化を示す特性曲線図、
第8図はCa0(モル%)の変化に対するバリスタ電圧
V+、を正比R,電圧変化ボΔv鳳の変化を示す特性曲
線図、第9因はSrO(モル%)の変化に対するバリス
タ電圧v1電正比R,1!/E変化率Δv1の変化を示
す特性曲線図、ilO図はBa(J 【モル%)の変化
に対するバリスタ電圧V1%電圧比R%電圧変化率Δv
Iの変化を示す特性曲線図、第11図はNto (モル
%]の変化に対するバリスタ電圧v1、電圧比R1電圧
変化率Δv1の変化を示す特性曲線図、第12図はSi
n、 uモル%ノの変化に対するバリスタ電圧vI%電
圧比R1電圧変化率Δv重の変化を示す特性曲線図、第
13図は5nCJ、 (モル%)の変化に対するバリス
タ電圧V、、@、正比FL、il圧変化率ΔvIの変化
を示す特性曲線図、第14図は’rtu、 (モル%)
の変化に対するバリスタ電圧V+、 ’Fit圧比R正
比圧変化率ΔvIの変化を示す特性曲線図、第15図ハ
Ge(J! Cモル%)の変化に対するバリスタ電圧v
1、電圧比R,111E変化率ΔvIの変化を示す特性
曲線図、第16図はsb、o、 (モル%]の変化に対
するバリスタ電圧V’ls電正比R%電圧変化率ΔvI
の変化を示す特性曲線図、第17図はn、o、 (モル
%)の変化に河するバリスタ電圧■1、電圧比R171
,圧変化率ΔvIの変化を示す特性曲線図、第18図は
Crtol (モル%)の変化に対するバリスタ11/
EVI。 電圧比R,電圧変化率ΔvIの変化を示す特性曲線図、
第19図はCo(J%MIIOの合計(モル%〕の変化
に対するバリスタ電圧Vx、電圧比R1電圧変化率ΔV
1の変化を示す特性曲線図、第20図はCoo、S l
u、、Sbn Oaの合計(モル%)の変化に幻するバ
リスタ電圧v冨、電圧比R%電圧変化率ΔvIの変化を
示す特性ai紗図、第21図はYbIU、 tモル%ノ
の変化に対するバリスタ電圧看、電圧比R,1!圧変化
率ΔVIの変化7示す特性曲線図、第22図はEr、O
B 1モル%ノの変化に対するバリスタ電圧V8、電圧
比R1電圧変化率ΔVIの変化7示す特性曲線図、第2
3図はy、o、 tモル%ノの変化に対するバリスタ電
圧vI、1i圧比R,!圧変化率ΔvIの変化を示す特
性曲線図、第24図はLa、0. (モル%]の変化に
刈するバリスタ電圧71%電圧比R1電圧変化率Δ■1
の変化を示す特性曲線図、第25図はPr、OB (モ
ル%)の変化に対するバリスタ電圧V1m電正比R,W
、圧変化率ΔVIの変化7示す特性曲線図、第26図は
Nd、U、 Cモル5ノの変化に対するバリスタ電圧■
1、電圧比R1笥圧変化率ΔV1の変化を示す特性曲線
図、第27図はYbIU3、La 20gの合計(モル
%)の変化に対するバリスタ電圧V1、電圧比R5t圧
変化率ΔV+の変化を示す特性曲線図、第28図はAl
*Us (モル%]の変化に対するバリスタ電圧v11
電正比R%電圧変化率ΔV+の変化を示す特性曲線図、
第29図はLt、uとAI、(Jaのモル此の変化に対
するバリスタ電圧Vt、を正比R1電圧変化率Δv1の
変化を示す特性曲線崗である。 +11・・・結晶、121−・・”高抵抗層、ta+・
・・電極。
結晶粒子の配列を模シ的に示す断面図、第2図はBt、
o、 tモル%ノの変化に対するバリスタ電圧v1、電
圧比R,II圧変化率ΔV+の変化を示す特性曲線図、
第3図もBitOm (モル%2の変化に対するバリス
タ電圧V、、電圧比R1電圧変化率ΔVIの変化を示す
特性曲線図、第4図もBitOm (モル%〕の変化に
対するバリスタ電圧V1.電正比R,電圧変化率ΔV、
C+変化を示す特性曲線図、第5図はCod) Cモル
%ノの変化に対するバリスタ電圧V+、電正比R,!圧
変化率Δv1の変化を示す特性曲線図、第6図はMnO
(モル%)の変化に幻するバリスタ電圧v1、電圧比R
1電圧変化率ΔV+の変化を示す特性曲線図、第7図は
MgO(モル%]の変化に対するバリスタ電圧v1、電
圧比R1%L圧変化率Δ■1の変化を示す特性曲線図、
第8図はCa0(モル%)の変化に対するバリスタ電圧
V+、を正比R,電圧変化ボΔv鳳の変化を示す特性曲
線図、第9因はSrO(モル%)の変化に対するバリス
タ電圧v1電正比R,1!/E変化率Δv1の変化を示
す特性曲線図、ilO図はBa(J 【モル%)の変化
に対するバリスタ電圧V1%電圧比R%電圧変化率Δv
Iの変化を示す特性曲線図、第11図はNto (モル
%]の変化に対するバリスタ電圧v1、電圧比R1電圧
変化率Δv1の変化を示す特性曲線図、第12図はSi
n、 uモル%ノの変化に対するバリスタ電圧vI%電
圧比R1電圧変化率Δv重の変化を示す特性曲線図、第
13図は5nCJ、 (モル%)の変化に対するバリス
タ電圧V、、@、正比FL、il圧変化率ΔvIの変化
を示す特性曲線図、第14図は’rtu、 (モル%)
の変化に対するバリスタ電圧V+、 ’Fit圧比R正
比圧変化率ΔvIの変化を示す特性曲線図、第15図ハ
Ge(J! Cモル%)の変化に対するバリスタ電圧v
1、電圧比R,111E変化率ΔvIの変化を示す特性
曲線図、第16図はsb、o、 (モル%]の変化に対
するバリスタ電圧V’ls電正比R%電圧変化率ΔvI
の変化を示す特性曲線図、第17図はn、o、 (モル
%)の変化に河するバリスタ電圧■1、電圧比R171
,圧変化率ΔvIの変化を示す特性曲線図、第18図は
Crtol (モル%)の変化に対するバリスタ11/
EVI。 電圧比R,電圧変化率ΔvIの変化を示す特性曲線図、
第19図はCo(J%MIIOの合計(モル%〕の変化
に対するバリスタ電圧Vx、電圧比R1電圧変化率ΔV
1の変化を示す特性曲線図、第20図はCoo、S l
u、、Sbn Oaの合計(モル%)の変化に幻するバ
リスタ電圧v冨、電圧比R%電圧変化率ΔvIの変化を
示す特性ai紗図、第21図はYbIU、 tモル%ノ
の変化に対するバリスタ電圧看、電圧比R,1!圧変化
率ΔVIの変化7示す特性曲線図、第22図はEr、O
B 1モル%ノの変化に対するバリスタ電圧V8、電圧
比R1電圧変化率ΔVIの変化7示す特性曲線図、第2
3図はy、o、 tモル%ノの変化に対するバリスタ電
圧vI、1i圧比R,!圧変化率ΔvIの変化を示す特
性曲線図、第24図はLa、0. (モル%]の変化に
刈するバリスタ電圧71%電圧比R1電圧変化率Δ■1
の変化を示す特性曲線図、第25図はPr、OB (モ
ル%)の変化に対するバリスタ電圧V1m電正比R,W
、圧変化率ΔVIの変化7示す特性曲線図、第26図は
Nd、U、 Cモル5ノの変化に対するバリスタ電圧■
1、電圧比R1笥圧変化率ΔV1の変化を示す特性曲線
図、第27図はYbIU3、La 20gの合計(モル
%)の変化に対するバリスタ電圧V1、電圧比R5t圧
変化率ΔV+の変化を示す特性曲線図、第28図はAl
*Us (モル%]の変化に対するバリスタ電圧v11
電正比R%電圧変化率ΔV+の変化を示す特性曲線図、
第29図はLt、uとAI、(Jaのモル此の変化に対
するバリスタ電圧Vt、を正比R1電圧変化率Δv1の
変化を示す特性曲線崗である。 +11・・・結晶、121−・・”高抵抗層、ta+・
・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Zn、Bi、Co、Mn、Mg、Ca、Sr、Ba、N
i、Si、Sn、Ti、Ge、Sb、B、Cr、Yb、
Er、Y、La、Pr、Nd、Al、Liを、これ等の
代表的酸化物であるZnO、Bi_2O_3、CoO、
MnO、MgO、CaO、SrO、BaO、NiO、S
iO_2、SnO_2、TiO_2、GeO_2、Sb
_2O_3、B_2O_3、Cr_2O_3、Yb_2
O_3、Er_2O_3、Y_2O_3、La_2O_
3、Pr_2O_3、Nd_2O_3、Al_2O_3
、Li_2Oに換算した組成で、ZnO81.9〜99
.775モル%、 Bi_2O_30.1〜3モル% CoO、MnO、MgO、CaO、SrO、BaO、N
iO、SiO_2、SnO_2、TiO_2、GeO_
2、Sb_2O_3、B_2O_3およびCr_2O_
3の内の一種以上の酸化物0.1〜10モル%、Yb_
2O_3、Er_2O_3、Y_2O_3、La_2O
_3、Pr_2O_3およびNd_2O_3の内の一種
以上の酸化物0.01〜3モル%、Al_2O_30.
01〜1モル%、 Li_2O0.005〜1.1モル%(但し、Li_2
O/Al_2O_3のモル比の範囲は0.5〜1.1)
となるように含む焼結体からなる酸化物電圧非直線抵抗
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59165887A JPS6143404A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 酸化物電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59165887A JPS6143404A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 酸化物電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6143404A true JPS6143404A (ja) | 1986-03-03 |
JPH0249525B2 JPH0249525B2 (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=15820862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59165887A Granted JPS6143404A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 酸化物電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6143404A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5138298A (en) * | 1989-11-02 | 1992-08-11 | Sanken Electric Co., Ltd. | Metallic oxide resistive bodies having a nonlinear volt-ampere characteristic and method of fabrication |
WO1994009499A1 (en) * | 1992-10-09 | 1994-04-28 | Tdk Corporation | Resistance element with nonlinear voltage dependence and process for producing the same |
JPH06321617A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 高抵抗電圧非直線抵抗体およびその製法 |
EP0803880A3 (en) * | 1996-04-23 | 1998-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Voltage-dependent non-linear resistor member, method for producing the same and arrester |
JP2004026562A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Tdk Corp | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品 |
JP2007329175A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Toshiba Corp | 電流−電圧非直線抵抗体および避雷器 |
JP2008294324A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 静電気保護素子とその製造方法 |
WO2023176608A1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-21 | 株式会社明電舎 | 酸化アンチモン代替酸化亜鉛素子 |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP59165887A patent/JPS6143404A/ja active Granted
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5138298A (en) * | 1989-11-02 | 1992-08-11 | Sanken Electric Co., Ltd. | Metallic oxide resistive bodies having a nonlinear volt-ampere characteristic and method of fabrication |
WO1994009499A1 (en) * | 1992-10-09 | 1994-04-28 | Tdk Corporation | Resistance element with nonlinear voltage dependence and process for producing the same |
JPH06321617A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 高抵抗電圧非直線抵抗体およびその製法 |
EP0803880A3 (en) * | 1996-04-23 | 1998-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Voltage-dependent non-linear resistor member, method for producing the same and arrester |
US5910761A (en) * | 1996-04-23 | 1999-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Voltage-dependent non-linear resistor member, method for producing the same and arrester |
US6011459A (en) * | 1996-04-23 | 2000-01-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Voltage-dependent non-linear resistor member, method for producing the same and arrester |
JP2004026562A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Tdk Corp | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品 |
JP2007329175A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Toshiba Corp | 電流−電圧非直線抵抗体および避雷器 |
JP2008294324A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 静電気保護素子とその製造方法 |
WO2023176608A1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-21 | 株式会社明電舎 | 酸化アンチモン代替酸化亜鉛素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0249525B2 (ja) | 1990-10-30 |
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