JPH03211705A - 電圧非直線抵抗器の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗器の製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 2
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910007237 Si2 O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 102220056057 rs727505029 Human genes 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、各種電子機器などの回路電圧の安定化やサー
ジ及びノイズ吸収などに利用される電圧非直線抵抗器の
製造方法に関するものである。
ジ及びノイズ吸収などに利用される電圧非直線抵抗器の
製造方法に関するものである。
従来の技術
電圧非直線抵抗器は一般にバリスタと称され、電圧の安
定化やサージ吸収などに広く用いられている。その代表
的なものとしては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とする
ＺｎＯバリスタが知られている。
定化やサージ吸収などに広く用いられている。その代表
的なものとしては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とする
ＺｎＯバリスタが知られている。
このＺｎＯバリスタは、電圧非直線性が良く、サージ電
流耐量が大きいなどの特徴を有するものである。その製
造方法は、主成分のＺｎＯにＢ １２０ｓ、 Ｃ０２０
ｇ、Ｍｎ ｏ２． Ｓ ｂ２０ｓ、 Ｓ ｎｏｚなどの
副成分を微量添加し、有機バインダーなどとともに均一
混合を行い、その後、通常スプレードライヤーなどによ
り造粒された粉を成形し、１０００〜１４ｏＯ℃で焼結
させていた。
流耐量が大きいなどの特徴を有するものである。その製
造方法は、主成分のＺｎＯにＢ １２０ｓ、 Ｃ０２０
ｇ、Ｍｎ ｏ２． Ｓ ｂ２０ｓ、 Ｓ ｎｏｚなどの
副成分を微量添加し、有機バインダーなどとともに均一
混合を行い、その後、通常スプレードライヤーなどによ
り造粒された粉を成形し、１０００〜１４ｏＯ℃で焼結
させていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の方法では焼結過程中の７００℃付
近よりＢ １２０ａとＳｎＯ２が反応することにより、
５ｉ２ｓｎ３ｏＱが形成されていた。
近よりＢ １２０ａとＳｎＯ２が反応することにより、
５ｉ２ｓｎ３ｏＱが形成されていた。
そのため、ＺｎＯバリスタの結晶粒子の形成に重要な役
目を果たすパイロクロア相（Ｚｎ、、ＢｉｇＳｂｇＯｚ
４）が形成されず、異常粒成長が起きやすく、バリスタ
電圧のバラツキ、制限電圧特性の悪化という課題を有し
ていた。
目を果たすパイロクロア相（Ｚｎ、、ＢｉｇＳｂｇＯｚ
４）が形成されず、異常粒成長が起きやすく、バリスタ
電圧のバラツキ、制限電圧特性の悪化という課題を有し
ていた。
本発明は上記のような従来の課題を解決するもので、バ
リスタ電圧のバラツキが小さく、制限電圧特性の優れた
電圧非直線抵抗器を提供することを目的とするものであ
る。
リスタ電圧のバラツキが小さく、制限電圧特性の優れた
電圧非直線抵抗器を提供することを目的とするものであ
る。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の電圧非直線抵抗器の
製造方法は、ＺｎＯを主成分とし、副成分として少なく
ともビスマス、アンチモン、スズをそれぞれＢ ｆ ２
０ｇ、 Ｓ ｂ２０ｓ、 Ｓ ｎ Ｏｘに換算して、 Ｂ １２０ｓ： ０．０５０〜２．０００モル％。
製造方法は、ＺｎＯを主成分とし、副成分として少なく
ともビスマス、アンチモン、スズをそれぞれＢ ｆ ２
０ｇ、 Ｓ ｂ２０ｓ、 Ｓ ｎ Ｏｘに換算して、 Ｂ １２０ｓ： ０．０５０〜２．０００モル％。
ｓ ｂ２ｏＢ： ０．０５０〜３． ＯＯ０モル％。
５ｎＯ−： ０．０５０〜３．０００モル％の割合で含
んでなる原料のうち、ＺｎＯ：３．０００モル％以上、
Ｂ １２０ａ ： ０．０２５モル％以上。
んでなる原料のうち、ＺｎＯ：３．０００モル％以上、
Ｂ １２０ａ ： ０．０２５モル％以上。
５ｂ２０３ ：０．０２５モル％以上をあらかじめ混合
し、７００℃以上で仮焼後添加するものである。
し、７００℃以上で仮焼後添加するものである。
作用
この方法により、ＺｎＯ，Ｂ ｉ、ｏｓ、５ｂｚＯｓを
あらかじめ７００℃以上で仮焼することにより、パイロ
クロア相が形成されることとなり、バリスタ電圧のバラ
ツキが小さくなり、また制限電圧特性の優れた電圧非直
線抵抗器を提供することができることとなる。
あらかじめ７００℃以上で仮焼することにより、パイロ
クロア相が形成されることとなり、バリスタ電圧のバラ
ツキが小さくなり、また制限電圧特性の優れた電圧非直
線抵抗器を提供することができることとなる。
実施例
以下、本発明を実施例にしたがって詳細に説明する。
（実施例１）
まず、Ｚ ｎ Ｏ、Ｂ １２０ｓ、 ＣＯｔＯ＠、 Ｍ
ｎ ０２゜Ｓ ｂ、ｏ、、Ｓ ｎ０２を下記の第１表に
示すように調合した。そのうち、ＺｎＯ： １０．ＯＯ
Ｏ％ル％。
ｎ ０２゜Ｓ ｂ、ｏ、、Ｓ ｎ０２を下記の第１表に
示すように調合した。そのうち、ＺｎＯ： １０．ＯＯ
Ｏ％ル％。
Ｂｉ２Ｏ，全量とｓ ｂ２０．全量をあらかじめ混合し
、９００℃で仮焼を行い添加した。次に、この調合した
原料を混合し、バインダーなどを加え造粒を行った。次
いで、二〇造粒粉を成形後、１２５０℃で２時間焼成を
行い、直径１０＋ｍ＋、厚さＩＩｕＩの焼結体を得た。
、９００℃で仮焼を行い添加した。次に、この調合した
原料を混合し、バインダーなどを加え造粒を行った。次
いで、二〇造粒粉を成形後、１２５０℃で２時間焼成を
行い、直径１０＋ｍ＋、厚さＩＩｕＩの焼結体を得た。
この焼結体の両端面に電極を形成して試料とした。そし
て、各試料につき各５０個のバリスタ電圧＜ Ｖ １−
Ａ ／ ｍ ）を測定し、その平均値とバラツキ（σｌ
ｌ−１）を第１表に併せて示す。
て、各試料につき各５０個のバリスタ電圧＜ Ｖ １−
Ａ ／ ｍ ）を測定し、その平均値とバラツキ（σｌ
ｌ−１）を第１表に併せて示す。
また、電圧非直線係数（ａ）、制限電圧比（Ｖ２６Ａ／
Ｖ １−Ａ ）およびサージ電流耐量（８／２０μｓ
。
Ｖ １−Ａ ）およびサージ電流耐量（８／２０μｓ
。
２５０ＯＡの電流印加後のｖ１□の変化率）についても
示す。
示す。
なお、第１表中の試料ｌは従来の仮焼を行わずに添加し
たものであり、本発明品は試料番号３゜４．５．８．９
．１２．１３である。
たものであり、本発明品は試料番号３゜４．５．８．９
．１２．１３である。
（以 下 余 白 ）
〈
第
表
本仮焼を行わない従来品。
率本は比較例で本発明の請求範囲外である。
上記の第１表から明らかなように、ＺｎＯ。
Ｂ １２０３．Ｓ ｂ２０ｓを仮焼後、添加したものは
、バリスタ電圧のバラツキが小さくなっている。また、
制限電圧特性も優れたものである。しかし、Ｂ ｉ２０
．が０．０５０モル％より少ない場合はサージ電流耐量
の変化が大きく、また２、 ＯＯ０モル％より多くなる
と制限電圧特性が悪くなり、共に好ましくない。さらに
、５ｂ２０３が０．０５０モル％より少ない場合は制限
電圧特性、サージ電流耐量が悪くなり、３．０００モル
％より多くなるとαが悪くなり、共に好ましくない。ま
た、５ｎ０２が０．０５０モル％より少ない場合、サー
ジ電流耐量が悪く、３．０００モル％より多くなるとα
が悪くなり、共に好ましくない。
、バリスタ電圧のバラツキが小さくなっている。また、
制限電圧特性も優れたものである。しかし、Ｂ ｉ２０
．が０．０５０モル％より少ない場合はサージ電流耐量
の変化が大きく、また２、 ＯＯ０モル％より多くなる
と制限電圧特性が悪くなり、共に好ましくない。さらに
、５ｂ２０３が０．０５０モル％より少ない場合は制限
電圧特性、サージ電流耐量が悪くなり、３．０００モル
％より多くなるとαが悪くなり、共に好ましくない。ま
た、５ｎ０２が０．０５０モル％より少ない場合、サー
ジ電流耐量が悪く、３．０００モル％より多くなるとα
が悪くなり、共に好ましくない。
（実施例２）
Ｂｉ２０３：Ｏ，０００モル％、Ｃｏ２０ａ：ｏ、５０
０モル％、 Ｍ ｎ Ｏ２： ０ 、５００モル％、５
ｂ２Ｑ３：１、○Ｏ○モル％、ＳｎＯ□：０．５００モ
ル％、残量ＺｎＯという組成の中で、ＺｎＯ，Ｂｉ２Ｏ
３゜５ｂ２０３を下記の第２表に示す比率であらかじめ
混合し、９００℃で仮焼後添加し、各試料を作成した。
０モル％、 Ｍ ｎ Ｏ２： ０ 、５００モル％、５
ｂ２Ｑ３：１、○Ｏ○モル％、ＳｎＯ□：０．５００モ
ル％、残量ＺｎＯという組成の中で、ＺｎＯ，Ｂｉ２Ｏ
３゜５ｂ２０３を下記の第２表に示す比率であらかじめ
混合し、９００℃で仮焼後添加し、各試料を作成した。
その時の各特性を下記の第２表に示す。ここで、その他
の作製条件は実施例１と同様である。
の作製条件は実施例１と同様である。
く 第 ２ 表 〉
＊
本仮焼を行わない従来品。
木は比較例で本発明の請求範囲外である。
第２表から明らかなように、ＺｎＯ：３、○Ｏ。
モル％Ｊｄ）、 Ｂ ：ｚＯｓ ： ０．０２５モル
％以上。
％以上。
５ｂ２０ｓ ：０．０２５０モル％以上をあらかじめ
仮焼し添加したものは、バリスタ電圧のバラツキが小さ
く、制限電圧特性に優れている。また、Ｚｎ○：３．０
００モル％未満、Ｂ １２０ａ： ０．０２５モル％未
満、５ｂ２０ｓ：ｏ、０２５モル％未満の場合には、異
常粒成長を抑制するのに必要なパイロクロア相が十分に
形成されないため、効果を示さないと考えられる。した
がって、ＺｎＯ：３，０００モル％Ｊｄ上、 Ｂ ｉ
２０３ ： ０．０２５ モル２以上。
仮焼し添加したものは、バリスタ電圧のバラツキが小さ
く、制限電圧特性に優れている。また、Ｚｎ○：３．０
００モル％未満、Ｂ １２０ａ： ０．０２５モル％未
満、５ｂ２０ｓ：ｏ、０２５モル％未満の場合には、異
常粒成長を抑制するのに必要なパイロクロア相が十分に
形成されないため、効果を示さないと考えられる。した
がって、ＺｎＯ：３，０００モル％Ｊｄ上、 Ｂ ｉ
２０３ ： ０．０２５ モル２以上。
Ｓ ｂ２０ｓ ： ０．０２５モル％以上で、異常粒
成長を抑制するのに必要なパイロクロア相が得られるも
のである。
成長を抑制するのに必要なパイロクロア相が得られるも
のである。
（実施例３）
Ｂ ｉ ２０３： ｏ、 ５００モル％、Ｃｏ２０ｓ：
０．５００モル％、ＭｎＯ２：０．５０Ｑモル％、５ｂ
２０３１ 、 ＯＯＯモル％、 Ｓ ｎ○２ ：０．５
００ モル％。
０．５００モル％、ＭｎＯ２：０．５０Ｑモル％、５ｂ
２０３１ 、 ＯＯＯモル％、 Ｓ ｎ○２ ：０．５
００ モル％。
Ｚｎ○残量の組成の中で、Ｚｎ０・１０． Ｏ００モル
％、Ｂ １２０ｓ： ０．５００モル％、Ｓ ｂ２０ｓ
：１．０００モル％をあらかじめ混合し、各温度で仮焼
後添加し、上記実施例１と同様の方法で試料を作製した
。そして、各試料につき、バリスタ電圧のバラツキ（σ
、−１）と制限電圧比（Ｖ ２５Ａ ／ Ｖ ＩＩＩＡ
）を確認した。その結果を第１図、第２図に示す。
％、Ｂ １２０ｓ： ０．５００モル％、Ｓ ｂ２０ｓ
：１．０００モル％をあらかじめ混合し、各温度で仮焼
後添加し、上記実施例１と同様の方法で試料を作製した
。そして、各試料につき、バリスタ電圧のバラツキ（σ
、−１）と制限電圧比（Ｖ ２５Ａ ／ Ｖ ＩＩＩＡ
）を確認した。その結果を第１図、第２図に示す。
第１図、第２図から明らかなように、７００℃以上で仮
焼を行ったものはバラツキが小さく、制限電圧特性に優
れているものである。なお、仮焼温度が１２００℃を超
えると仮焼物が固くなるので、できれば１２００℃以下
が望ましい。
焼を行ったものはバラツキが小さく、制限電圧特性に優
れているものである。なお、仮焼温度が１２００℃を超
えると仮焼物が固くなるので、できれば１２００℃以下
が望ましい。
発明の効果
以上のように、本発明はあらかじめＺｎＯ。
Ｂ １ｚｏａ、Ｓ ｂ２０ｇをあらかじめ混合し、７０
０℃以上で仮焼後添加することにより、パイロクロア相
が形成されることとなり、バリスタ電圧のバラツキが小
さくなり、また制限電圧特性も優れたものとなる。
０℃以上で仮焼後添加することにより、パイロクロア相
が形成されることとなり、バリスタ電圧のバラツキが小
さくなり、また制限電圧特性も優れたものとなる。
第１図は本発明方法を説明するための仮焼温度とバリス
タ電圧のバラツキの関係を示す図、第２図は同じく仮焼
温度と制限電圧比の関係を示す図である。
タ電圧のバラツキの関係を示す図、第２図は同じく仮焼
温度と制限電圧比の関係を示す図である。
Claims (1)
- 酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とし、副成分として少な
くともビスマス，アンチモン，スズをそれぞれＢｉ＿２
Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，ＳｎＯ＿２に換算して、Ｂｉ
＿２Ｏ＿３：０．０５０〜２．０００モル％Ｓｂ＿２Ｏ
＿３：０．０５０〜３．０００モル％ＳｎＯ＿２：０．
０５０〜３．０００モル％の割合で含んでなる原料のう
ち、ＺｎＯ：３．０００モル％以上、Ｂｉ＿２Ｏ＿３：
０．０２５モル％以上、Ｓｂ＿２Ｏ＿３：０．０２５モ
ル％以上をあらかじめ混合し、７００℃以上で仮焼後添
加することを特徴とする電圧非直線抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006599A JP2751511B2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006599A JP2751511B2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211705A true JPH03211705A (ja) | 1991-09-17 |
| JP2751511B2 JP2751511B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=11642799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006599A Expired - Lifetime JP2751511B2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751511B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0645784A2 (en) * | 1993-09-29 | 1995-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A varistor and its manufacturing method |
| JP2008100856A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Koa Corp | 酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法 |
| CN102126852A (zh) * | 2011-03-22 | 2011-07-20 | 襄樊市三三电气有限公司 | 一种氧化锌压敏电阻陶瓷的制备方法 |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP2006599A patent/JP2751511B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0645784A2 (en) * | 1993-09-29 | 1995-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A varistor and its manufacturing method |
| EP0645784A3 (en) * | 1993-09-29 | 1995-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | A varistor and its method of manufacture. |
| US5592140A (en) * | 1993-09-29 | 1997-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Varistor formed of bismuth and antimony and method of manufacturing same |
| JP2008100856A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Koa Corp | 酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法 |
| CN102126852A (zh) * | 2011-03-22 | 2011-07-20 | 襄樊市三三电气有限公司 | 一种氧化锌压敏电阻陶瓷的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751511B2 (ja) | 1998-05-18 |
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| JPS60170206A (ja) | 電圧非直線抵抗体 |
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