JPS60170206A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
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- JPS60170206A JPS60170206A JP59025522A JP2552284A JPS60170206A JP S60170206 A JPS60170206 A JP S60170206A JP 59025522 A JP59025522 A JP 59025522A JP 2552284 A JP2552284 A JP 2552284A JP S60170206 A JPS60170206 A JP S60170206A
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- JP
- Japan
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- oxide
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- zno
- zinc
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
仮術分野
本発明は、酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体に
関する。
関する。
従来技術
酸化亜鉛（ ＺｎＯ ）を主成分とする電圧非直線抵抗
体（以下、ｒ ＺｎＯ素子」という）は、優れた非直線
性を有しているために１例えばトランジスタやサイリス
タ等の半導体素子または電気機器のサージアブソーバ等
に用いられている。この種のＺｎＯ ｇ子は、通常、主
成分としてのＺｎＯに酸化ビスマス（ Ｂ１．Ｏ． ）
を含む数種の添加物を副成分として混合し、その混合物
を成形，焼結して得られる。ここに、Ｂｉ２Ｏ３は、Ｚ
ｎＯに比較して低融点であることから、液相焼結によっ
てＺｎＯ粒子の結晶成長を促進するために添加されるも
のである。しかして、従来では、その機能を充分に発揮
させるため、Ｂｉ２Ｏ，を全成分に対して０．３モルチ
以上と多量に用いていた。
体（以下、ｒ ＺｎＯ素子」という）は、優れた非直線
性を有しているために１例えばトランジスタやサイリス
タ等の半導体素子または電気機器のサージアブソーバ等
に用いられている。この種のＺｎＯ ｇ子は、通常、主
成分としてのＺｎＯに酸化ビスマス（ Ｂ１．Ｏ． ）
を含む数種の添加物を副成分として混合し、その混合物
を成形，焼結して得られる。ここに、Ｂｉ２Ｏ３は、Ｚ
ｎＯに比較して低融点であることから、液相焼結によっ
てＺｎＯ粒子の結晶成長を促進するために添加されるも
のである。しかして、従来では、その機能を充分に発揮
させるため、Ｂｉ２Ｏ，を全成分に対して０．３モルチ
以上と多量に用いていた。
一方ｓ ＺｎＯ素子の製造に際しては、ＺｎＯ素子の寿
命特性の向上を図るためおよびＺｎＯＸ子外周部におけ
る絶縁コーティングのために、焼結後４００〜９００℃
の熱処理工程を心受とする。ところが、かかる熱処理に
よ、！ｌ） 、Ｂｉ！ｏｔの結晶構造が変化し、ＺｎＯ
素子の電気的特性が大きく低下した。その低下の度合い
は、熱処理温度が高い程大きいものである。そして、こ
のような従来のＺｎＯ素子は、ある電流領域（例えば１
００μＡ〜ＩＡ）ではα（非直線指数）が２０以上とな
り満足できるものであるが、上記領域外ではαが極端に
低下するという欠点があった。
命特性の向上を図るためおよびＺｎＯＸ子外周部におけ
る絶縁コーティングのために、焼結後４００〜９００℃
の熱処理工程を心受とする。ところが、かかる熱処理に
よ、！ｌ） 、Ｂｉ！ｏｔの結晶構造が変化し、ＺｎＯ
素子の電気的特性が大きく低下した。その低下の度合い
は、熱処理温度が高い程大きいものである。そして、こ
のような従来のＺｎＯ素子は、ある電流領域（例えば１
００μＡ〜ＩＡ）ではα（非直線指数）が２０以上とな
り満足できるものであるが、上記領域外ではαが極端に
低下するという欠点があった。
童に用いているが、ビスマス（Ｂ１）元素のクラーク数
は２×１０−５ であシ、Ｂｉ２０ｍは資源的に極めて
乏しいものである。
は２×１０−５ であシ、Ｂｉ２０ｍは資源的に極めて
乏しいものである。
発明の目的
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、資源的に乏しいＢｉ２Ｏ，を用いることなく製造でき
、しかも電気的緒特性に優れた長寿命の電圧非直線抵抗
体を提供することを目的とする。
、資源的に乏しいＢｉ２Ｏ，を用いることなく製造でき
、しかも電気的緒特性に優れた長寿命の電圧非直線抵抗
体を提供することを目的とする。
発明の概要
かかる目的を達成するために、本発明は、酸化マンガｙ
（ＭｎＯ２） ０．１〜５ ％ ｋ ％ 、 Ｍ、化
アンチモン（５ｂｚＯｓ ） ０．１〜５モルチ、酸化
クロム（０ｒ２０ｓ ） ０．１〜５モルチ、残部Ｚｎ
Ｏからなる第１成分と、硼珪酸亜鉛ガラスと、ｃｒｚｏ
ｓ ｒ ＺｎＯｒ′ 酸化コバル） （Ｃｏ２０ｇ ）
およびＭｎ０ｚのうちのいずれか１ｍ以上と酸化鉛（Ｐ
ｂＯ）および８ｂｚＯｓとからなる混合物とを仮焼して
なる第２成分とを、各成分組成が硼珪酸亜鉛ガラス０．
０１〜５重量％。
（ＭｎＯ２） ０．１〜５ ％ ｋ ％ 、 Ｍ、化
アンチモン（５ｂｚＯｓ ） ０．１〜５モルチ、酸化
クロム（０ｒ２０ｓ ） ０．１〜５モルチ、残部Ｚｎ
Ｏからなる第１成分と、硼珪酸亜鉛ガラスと、ｃｒｚｏ
ｓ ｒ ＺｎＯｒ′ 酸化コバル） （Ｃｏ２０ｇ ）
およびＭｎ０ｚのうちのいずれか１ｍ以上と酸化鉛（Ｐ
ｂＯ）および８ｂｚＯｓとからなる混合物とを仮焼して
なる第２成分とを、各成分組成が硼珪酸亜鉛ガラス０．
０１〜５重量％。
第２成分０．２〜２０重′！１％、残部第１成分となる
ように混合し、それを焼結してＺｎＯ素子としたもので
ある。
ように混合し、それを焼結してＺｎＯ素子としたもので
ある。
実施例
以下、本発明の一実施例につき詳細に説明する。
先ず、ＰｂＯ＋ ＣｒｚＯｓ ＊ ８ｂｚ０３の谷粉末
をモル比にして４：１：１の割合で所定量秤量し、これ
ら秤量した各粉末を遠心ボールミルで十分混合して混合
粉末とした。その後、この混合粉末をアルミナルツボ中
、焼成温度１０００℃で４時間仮焼し、この仮焼体を遠
心ボールミルで粉砕して第２成分たる反応生成物を得た
。
をモル比にして４：１：１の割合で所定量秤量し、これ
ら秤量した各粉末を遠心ボールミルで十分混合して混合
粉末とした。その後、この混合粉末をアルミナルツボ中
、焼成温度１０００℃で４時間仮焼し、この仮焼体を遠
心ボールミルで粉砕して第２成分たる反応生成物を得た
。
一方、第１成分として、Ｚｎ０９８．５モルチ。
Ｍｎ０ｚ ０．５モル％ 、 ８ｂｘＯｓ ０．５モル
％ ＋ ＣｒｚＯｓ ０．５モルチを所定量秤量した。
％ ＋ ＣｒｚＯｓ ０．５モルチを所定量秤量した。
その後、この第１成分が９７．８重量％、上記反応生成
物が２重量％、硼珪酸亜鉛ガラスが０．２重量％となる
ように秤量し、これらを回転ボールミルで十分混合して
、円板状に成形した。
物が２重量％、硼珪酸亜鉛ガラスが０．２重量％となる
ように秤量し、これらを回転ボールミルで十分混合して
、円板状に成形した。
次に、この成形体を空気中、焼成温度１１００℃で６時
間焼成した後、得られた焼結体の両端面を研磨し、この
両端面に銀（Ａｇ）電極を塗布し、温度５９０℃で１時
間の熱処理を行なって、電圧非直線抵抗体（ＺｎＯ素子
）を得た。
間焼成した後、得られた焼結体の両端面を研磨し、この
両端面に銀（Ａｇ）電極を塗布し、温度５９０℃で１時
間の熱処理を行なって、電圧非直線抵抗体（ＺｎＯ素子
）を得た。
ここに、ＰｂＯｒ ０ｒｚ０３＊ ５ｂ２ｏ３の混合粉
末を仮焼してなる前記反応生成物についてＸｉ回折を行
なったところ、そのＸ鱒回折図は第１図に示すようにな
った。第１図におけるシグナルを帰属した結果、前記反
応生成物には、パイロクロア結晶Ｐ７が主成分として生
成されていることが判った。
末を仮焼してなる前記反応生成物についてＸｉ回折を行
なったところ、そのＸ鱒回折図は第１図に示すようにな
った。第１図におけるシグナルを帰属した結果、前記反
応生成物には、パイロクロア結晶Ｐ７が主成分として生
成されていることが判った。
第２図は、本実施例のＺｎＯ素子の電圧−電流特性を示
すグラフで、横軸に電流、縦軸に電圧をとったものであ
る。第２図において、実線ｌは本実施例のＺｎＯ素子の
特性を示し、！ｉ！畿２はＢｉ！’ｓを添加物の主成分
とする従来のＺｎＯ素子の特性を示すもので、微小電流
領域および大電流領域においては、実ｆＩＭ１の傾きが
実線２の傾きよ如も小さくなっている。ここに、αは第
２図における実線の傾きが小さい程大きいので、本実施
例のＺｎＯ素子の方が従来のＺｎＯ素子よりも非直線特
性が優れていることが判る。
すグラフで、横軸に電流、縦軸に電圧をとったものであ
る。第２図において、実線ｌは本実施例のＺｎＯ素子の
特性を示し、！ｉ！畿２はＢｉ！’ｓを添加物の主成分
とする従来のＺｎＯ素子の特性を示すもので、微小電流
領域および大電流領域においては、実ｆＩＭ１の傾きが
実線２の傾きよ如も小さくなっている。ここに、αは第
２図における実線の傾きが小さい程大きいので、本実施
例のＺｎＯ素子の方が従来のＺｎＯ素子よりも非直線特
性が優れていることが判る。
また、第３図は、 ＺｎＯ素子製造工程中の最終段階で
ある熱処理の温度を種々変化せしめた場合の各熱処理温
度と熱処理前後におけるＶｔｍａ／、およびαの変化率
との関係を示すグラフで、横軸に熱処理温度、縦軸に各
変化率をとったものである。
ある熱処理の温度を種々変化せしめた場合の各熱処理温
度と熱処理前後におけるＶｔｍａ／、およびαの変化率
との関係を示すグラフで、横軸に熱処理温度、縦軸に各
変化率をとったものである。
なお、熱処理時間は、各温度ともに１時間である。
ここに、 Ｖｘｍａ／−とは厚さＩＷのＺｎＯ素子に１
ｍＡの電流を流したときの両端電圧でめシ、αとはＺｎ
Ｏ素子にＩ （Ａ）の電流を流したときにＶ（ｖ）■
α の電圧が発生したとするとＩ＝（−） で表わされる指
数である。Ｋは非直線抵抗でめるｅまた、とのαは電流
値によって異なるが、一般に０．１ｍＡ〜１ｍＡ の範
囲の電流を流したときの値を用いることが多く、以下で
はこの範囲の値を採用する。
ｍＡの電流を流したときの両端電圧でめシ、αとはＺｎ
Ｏ素子にＩ （Ａ）の電流を流したときにＶ（ｖ）■
α の電圧が発生したとするとＩ＝（−） で表わされる指
数である。Ｋは非直線抵抗でめるｅまた、とのαは電流
値によって異なるが、一般に０．１ｍＡ〜１ｍＡ の範
囲の電流を流したときの値を用いることが多く、以下で
はこの範囲の値を採用する。
第３図において、実線３および４はそれぞれ本° 実施
例のＺｎ０１を子のαおよびｖ１ｍＡ／ＩＩ＋の特性を
示し、実線５および６はそれぞれＢｉｔｃｈを添加物の
主成分とする従来のＺｎＯ索子のαおよびｖ１ｍＡ／／
ＩＩＩの特性を示すもので、従来のＺｎＯ素子において
は、αおよびＶ！ｍＡ／ｌＩの両者とも熱処理温度が約
５００℃より高くなると、温度上昇に伴って急激に特性
が低下している。これに対し、本実施例のＺｎＯＸ子に
おいては、αおよびＶｌ！ＯＡ、／１ｍの両者とも熱処
理によって特性がほとんど変化しない仁とが判る。
例のＺｎ０１を子のαおよびｖ１ｍＡ／ＩＩ＋の特性を
示し、実線５および６はそれぞれＢｉｔｃｈを添加物の
主成分とする従来のＺｎＯ索子のαおよびｖ１ｍＡ／／
ＩＩＩの特性を示すもので、従来のＺｎＯ素子において
は、αおよびＶ！ｍＡ／ｌＩの両者とも熱処理温度が約
５００℃より高くなると、温度上昇に伴って急激に特性
が低下している。これに対し、本実施例のＺｎＯＸ子に
おいては、αおよびＶｌ！ＯＡ、／１ｍの両者とも熱処
理によって特性がほとんど変化しない仁とが判る。
さらに、第４図は、温度１３０℃の恒温槽中においてＶ
ｚｍＡ、−の８５−の直流電圧を印加したときの漏れ電
流増加率を示すグラフで、横軸に課電時間、縦軸に漏れ
電流増加率をとったものである。第４図において、実線
７は本実施例のＺｎＯｇ子の特性を示し、実Ｍ８はＢｉ
＊ｏｇを添加物の主成分とする従来のＺｎＯ素子の特
性を示すもので、本実施例のＺｎＯ素子は従来のＺｎＯ
素子に比べて漏れ電流増加率が少なく、寿命特性が良好
であ志ことが判る。
ｚｍＡ、−の８５−の直流電圧を印加したときの漏れ電
流増加率を示すグラフで、横軸に課電時間、縦軸に漏れ
電流増加率をとったものである。第４図において、実線
７は本実施例のＺｎＯｇ子の特性を示し、実Ｍ８はＢｉ
＊ｏｇを添加物の主成分とする従来のＺｎＯ素子の特
性を示すもので、本実施例のＺｎＯ素子は従来のＺｎＯ
素子に比べて漏れ電流増加率が少なく、寿命特性が良好
であ志ことが判る。
第５図は、硼珪酸亜鉛ガラスの含有割合を変化させた場
合にＶ １ ｍＡ／ｗａ およびαがどのように変化す
るかを示すグラフで、横軸に硼珪酸亜鉛ガラスの含有割
合、縦軸にＶｘｍＡ／ｍおよびαをとったものである。
合にＶ １ ｍＡ／ｗａ およびαがどのように変化す
るかを示すグラフで、横軸に硼珪酸亜鉛ガラスの含有割
合、縦軸にＶｘｍＡ／ｍおよびαをとったものである。
ここに、実＃！９はＶ１ｍＡ／ｓｓ＋の特性を示し、実
１ｌＪ１０はαの特性を示すもので、硼珪酸亜鉛ガラス
以外の成分については、反応生成物の含有割合を実施例
と同様に２重１１％に固定するとともに、第１成分内に
おける各成分仲実施例と同様にして第１成分全体の含有
割合を硼珪酸亜鉛ガラスに対応させて増減した。
１ｌＪ１０はαの特性を示すもので、硼珪酸亜鉛ガラス
以外の成分については、反応生成物の含有割合を実施例
と同様に２重１１％に固定するとともに、第１成分内に
おける各成分仲実施例と同様にして第１成分全体の含有
割合を硼珪酸亜鉛ガラスに対応させて増減した。
第５図から判るように＊ Ｖ１ｍＡ／ｍおよびαともに
良好な特性を得るためには、硼珪酸亜鉛ガラスが全体に
おける０、０１〜５Ｘｆ％の範囲で含有されていること
が必要でおる。
良好な特性を得るためには、硼珪酸亜鉛ガラスが全体に
おける０、０１〜５Ｘｆ％の範囲で含有されていること
が必要でおる。
なお、上記の如く、硼珪酸亜鉛ガラスの有効な含有割合
を確かめたのと同様にして、他の添加成分、すなわちＭ
ｎＯ２＋ ５ｂｚＯｓ＋ ０ｒｚＯｓ＋ 反応生成物に
ついて実験したところ、良好な特性を得るためには、Ｍ
ｎ０ｚが０．１〜５モル％ ＋ ８ｂ２０３が０．１〜
５モルチ＊ ０ｒ２０３が０．１〜５モルチの範囲でそ
れぞれ第１成分中に含有されていることが必要であり、
反応生成物は全体における０、２〜２０重量％の範囲で
含有はれていることが必要であった。
を確かめたのと同様にして、他の添加成分、すなわちＭ
ｎＯ２＋ ５ｂｚＯｓ＋ ０ｒｚＯｓ＋ 反応生成物に
ついて実験したところ、良好な特性を得るためには、Ｍ
ｎ０ｚが０．１〜５モル％ ＋ ８ｂ２０３が０．１〜
５モルチ＊ ０ｒ２０３が０．１〜５モルチの範囲でそ
れぞれ第１成分中に含有されていることが必要であり、
反応生成物は全体における０、２〜２０重量％の範囲で
含有はれていることが必要であった。
また、前記実施例において、反応生成物の配合比はＰｂ
Ｏ： ８ｂｚＯ３： Ｃｒｔ０３＝ ４ ： １ ：
１としたが、本発明はかかる実施例に限定されるもので
はない。
Ｏ： ８ｂｚＯ３： Ｃｒｔ０３＝ ４ ： １ ：
１としたが、本発明はかかる実施例に限定されるもので
はない。
る配合比であればよい。また、成分についてもｐｂｏ
ｌ ５ｂｚＯ３１Ｃ！ｒｚｏｓの組合わせに限定されず
、Ｃ！ｒ２０ｓ ｒ ＺｎＯＩ ０ｏｚｅｓおよびＭｎ
Ｏ２のうちのいずれか１ｍ以上とＰｂＯおよび５ｂｚＯ
ｓとのあらゆる組合わせを用いてもパイロクロア結晶が
生成され、同様の効果が得られる。さらに、反応生成物
を得るための仮焼工程における仮焼温度および仮焼時間
は、それぞれ８００〜１１００℃および１〜１０時間の
範囲であることが好ましい。仮焼温度が８００℃未満の
場合には反応が遅＜、１１００℃を越える場合にはＰｂ
Ｏの揮発が多量となってしまい、また仮焼時間が１時間
未満では反応が不十分で、１０時間を越えるとＰｂＯの
揮発の程度が大きくなってしまうからである。
ｌ ５ｂｚＯ３１Ｃ！ｒｚｏｓの組合わせに限定されず
、Ｃ！ｒ２０ｓ ｒ ＺｎＯＩ ０ｏｚｅｓおよびＭｎ
Ｏ２のうちのいずれか１ｍ以上とＰｂＯおよび５ｂｚＯ
ｓとのあらゆる組合わせを用いてもパイロクロア結晶が
生成され、同様の効果が得られる。さらに、反応生成物
を得るための仮焼工程における仮焼温度および仮焼時間
は、それぞれ８００〜１１００℃および１〜１０時間の
範囲であることが好ましい。仮焼温度が８００℃未満の
場合には反応が遅＜、１１００℃を越える場合にはＰｂ
Ｏの揮発が多量となってしまい、また仮焼時間が１時間
未満では反応が不十分で、１０時間を越えるとＰｂＯの
揮発の程度が大きくなってしまうからである。
゛ 一方、第１成分と第２成分（反応生成物）等とを混
合した後の焼成工程における焼成温度および焼成時間は
、それぞれ１０００〜１３００℃および１〜２０時間の
範囲であることが好ましい。焼成温度が１０００℃未満
の場合には緻密な焼結体が得られず、１３００℃を越え
る場合にはＰｂＯの憚散が起こって非直線特性が悪くな
ってしまい、また焼成時−間が１時間未満では均一な焼
結体が得られず、２０時間を越えると表面付近のＰｂＯ
が揮発してしまい非直線特性が悪くなってしまうからで
ある。
合した後の焼成工程における焼成温度および焼成時間は
、それぞれ１０００〜１３００℃および１〜２０時間の
範囲であることが好ましい。焼成温度が１０００℃未満
の場合には緻密な焼結体が得られず、１３００℃を越え
る場合にはＰｂＯの憚散が起こって非直線特性が悪くな
ってしまい、また焼成時−間が１時間未満では均一な焼
結体が得られず、２０時間を越えると表面付近のＰｂＯ
が揮発してしまい非直線特性が悪くなってしまうからで
ある。
また、焼結体の熱処理温度は５００〜８５０℃の範囲で
あることが好ましい。熱処理温度が５００℃未満では得
られたＺｎＯ素子の寿命特性が悪（，８５０℃を越える
と非直Ｍ％性が悪くなってしまうからでるる。
あることが好ましい。熱処理温度が５００℃未満では得
られたＺｎＯ素子の寿命特性が悪（，８５０℃を越える
と非直Ｍ％性が悪くなってしまうからでるる。
なお、前記実施例では、 ＺｎＯ素子の製造にめたシ、
遠心ボールぐルやアルミナルツボ等を使用したが、これ
ら器具の種類は目的に沿うものであればよく、前記実−
施例で使用した器具に限定されるものではない。
遠心ボールぐルやアルミナルツボ等を使用したが、これ
ら器具の種類は目的に沿うものであればよく、前記実−
施例で使用した器具に限定されるものではない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、従来添加物として多量に
用いていたＢｉ ｚｏｓを全く使用しないので、熱処理
により非直線特性が低下しない。微小電流領域および大
電流領域における非直線指数が従来のものに比し大きく
、特に微小電流領域における非直線指数が大きいので課
電時における漏れ電流が小さい。また、豪期昧電による
漏れ電流の増加が小さいので、長寿命のサージ吸収素子
が得られる。さらに、クラーク数が２×１０ で資源的
に乏しいＢｉ２Ｏ，に代えて、クラーク数カ１．５ Ｘ
１０−”のＰｂＯ等を用いているので、貿源的に有利
でめる等の効果を奏する。
用いていたＢｉ ｚｏｓを全く使用しないので、熱処理
により非直線特性が低下しない。微小電流領域および大
電流領域における非直線指数が従来のものに比し大きく
、特に微小電流領域における非直線指数が大きいので課
電時における漏れ電流が小さい。また、豪期昧電による
漏れ電流の増加が小さいので、長寿命のサージ吸収素子
が得られる。さらに、クラーク数が２×１０ で資源的
に乏しいＢｉ２Ｏ，に代えて、クラーク数カ１．５ Ｘ
１０−”のＰｂＯ等を用いているので、貿源的に有利
でめる等の効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例で用いた反応注底物のＸ線回
折図、第２図は本発明の一実施例によるＺｎＯ素子の電
圧−電流特性図、第３図はＺｎＯ素子の熱処理温度に対
するＶｌｍＡ、／ｍおよびαの変化を示すグラフ、第４
図はＺｎＯ素子の課電時間に対する漏れｔ流増加率を示
すグラフ、第５図は硼珪酸亜鉛ガラスの含有割合を変化
させた場合のＶｔｍａ／晴およびαを示すグラフである
。 何虻鵜哉 第２図 第４図 第５図
折図、第２図は本発明の一実施例によるＺｎＯ素子の電
圧−電流特性図、第３図はＺｎＯ素子の熱処理温度に対
するＶｌｍＡ、／ｍおよびαの変化を示すグラフ、第４
図はＺｎＯ素子の課電時間に対する漏れｔ流増加率を示
すグラフ、第５図は硼珪酸亜鉛ガラスの含有割合を変化
させた場合のＶｔｍａ／晴およびαを示すグラフである
。 何虻鵜哉 第２図 第４図 第５図
Claims (1)
- （１）酸化マンガン０．１〜５モルｌｆＲ化アンチモン
０．１〜５モルｉ［化クロム０．ニ〜５残部酸化亜鉛か
らなる第１成分と、硼珪酸亜鉛ガラスと、酸化クロム、
酸化亜鉛，ｒＲ化コバルトおよび酸化マンガンのうちの
いずれか１種以上と酸化鉛および酸化アンチモンとから
なる混合物を仮焼してなる第２成分とを、各成分組成が
硼珪酸亜鉛ガラス０．０１〜５重ｉｔチ，第２成分０．
２〜２０重重チ，残部第１成分となるように混合し、焼
結してなることを特徴とする電圧非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59025522A JPS60170206A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59025522A JPS60170206A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170206A true JPS60170206A (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=12168384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59025522A Pending JPS60170206A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170206A (ja) |
-
1984
- 1984-02-14 JP JP59025522A patent/JPS60170206A/ja active Pending
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