JPS6142179A - 半導体結合超伝導素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体結合超伝導素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6142179A JPS6142179A JP16411784A JP16411784A JPS6142179A JP S6142179 A JPS6142179 A JP S6142179A JP 16411784 A JP16411784 A JP 16411784A JP 16411784 A JP16411784 A JP 16411784A JP S6142179 A JPS6142179 A JP S6142179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- superconducting
- convex portion
- coupled
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16411784A JPS6142179A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 半導体結合超伝導素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16411784A JPS6142179A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 半導体結合超伝導素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142179A true JPS6142179A (ja) | 1986-02-28 |
| JPH0564473B2 JPH0564473B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 1993-09-14 |
Family
ID=15787071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16411784A Granted JPS6142179A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 半導体結合超伝導素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142179A (cg-RX-API-DMAC7.html) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294782A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Takeshi Awaji | 半導体超伝導素子 |
| WO2024069696A1 (ja) | 2022-09-26 | 2024-04-04 | 富士通株式会社 | 量子デバイス、量子演算装置及び量子デバイスの製造方法 |
-
1984
- 1984-08-03 JP JP16411784A patent/JPS6142179A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294782A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Takeshi Awaji | 半導体超伝導素子 |
| WO2024069696A1 (ja) | 2022-09-26 | 2024-04-04 | 富士通株式会社 | 量子デバイス、量子演算装置及び量子デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564473B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 1993-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4679311A (en) | Method of fabricating self-aligned field-effect transistor having t-shaped gate electrode, sub-micron gate length and variable drain to gate spacing | |
| JP2616130B2 (ja) | 超伝導素子の製造方法 | |
| JPS6142179A (ja) | 半導体結合超伝導素子及びその製造方法 | |
| CA1271850A (en) | Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate | |
| JP2817217B2 (ja) | 金属・半導体接合を有する半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6237890B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) | ||
| JP2961805B2 (ja) | 超伝導素子およびその製造方法 | |
| JPS6115375A (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ | |
| JPS60251671A (ja) | 電界効果形トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS61208279A (ja) | 超伝導三端子素子及びその製造方法 | |
| JP2973461B2 (ja) | 超伝導素子およびその製造方法 | |
| JPS61158187A (ja) | 超伝導三端子素子及びその製造方法 | |
| JP2624666B2 (ja) | 超伝導素子 | |
| JP2996267B2 (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH02192172A (ja) | 超伝導トランジスタ | |
| JPS61228674A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0797634B2 (ja) | 電界効果トランジスタとその製造方法 | |
| JPS62216370A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63181477A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0194673A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS63281482A (ja) | 超電導トランジスタ | |
| JPH03136251A (ja) | pn接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPS6366432B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) | ||
| JPH01184967A (ja) | ジョセフソン素子およびその製造方法 | |
| JPS6279676A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 |