JPS6141107A - テ−パカツプリング素子の製造方法 - Google Patents

テ−パカツプリング素子の製造方法

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JPS6141107A
JPS6141107A JP16185884A JP16185884A JPS6141107A JP S6141107 A JPS6141107 A JP S6141107A JP 16185884 A JP16185884 A JP 16185884A JP 16185884 A JP16185884 A JP 16185884A JP S6141107 A JPS6141107 A JP S6141107A
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JP
Japan
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coupling element
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taper coupling
gaas
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JP16185884A
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Takeshi Hamada
健 浜田
Takao Shibuya
隆夫 渋谷
Masaru Wada
優 和田
Yuichi Shimizu
裕一 清水
Kunio Ito
国雄 伊藤
Iwao Teramoto
寺本　巖
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1228—Tapered waveguides, e.g. integrated spot-size transformers

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光情報処理機器に用いることができるテーパカ
ップリング素子の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、テーパカップリング素子は光通信においての光情
達の伝達素子として注目を集めている。
光通信は伝送容量が大きい、減衰が少ない、雑音に強い
など従来の通信方法に比べて多くの利点を有している。
その中で光通信ネットワークの中で、光を一方向に安定
に伝えるテーパカップリング素子は従来その製造方法が
難しく、新しい製造方法が求められてい・る。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来のテー
パカップリング素子の製造方法について説明する。
第１図ａ　−ａは従来のテーパカップリング素子の製造
方法の各工程における断面図を示すものである。第１図
において、１はＧａＡｓ基板である。
２はＧａ１−ｙＡ１アＡＢクラッド層で、３はＧａＡｓ
：＋７層、４はＧａ１．−、ＡＪ、Ａｓ　コア層で、６
はＧａ１？ｌ　ｙＡｓクラッド層である。
以上のように構成されたテーパカップリング素子につい
て、以下その動作を説明する。
まず第１図の右方コア層４から入射された光はコア層３
との界面の斜面部でカップリングを生じコア層３へ伝達
される。しかし反対にコア層３側から入射した光は屈折
率の差によりコア層６へは。
伝達されず、光の方向制御を行なうテーパカップリング
素子が形成される。
しかしながら、第１図に示したような作製方法では、斜
面部の傾きは約６０度と非常に急しゅんとなり、そのた
めに十分なカップリングが行なわれず、反射される光が
多いという欠点を有していた。
発明の目的 するものである。
発明の構成 この目的を達成するために本発明のテーパカップリング
素子の製造方法は、（１００）　ＧａＡｓ基板上にＧａ
ＡＪＡｓクラッド層、ＧａＡｓ　：１７層、ＧａＡｌＡ
ｓキャップ層を連続成長させる工程と、〈０１１〉方向
に平行にキャップ層からコア層まで化学エツチングによ
り段差を形成する工程とをそなえてから構成されており
、この構成によってテーパ部のゆるやかなテープカップ
リング素子の作製が可能となる。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第２図ａ　−ｄは本発明の第１の実施例におけるテーパ
カップリング素子の製造方法の各工程における断面図を
示すものである。従来例を示す第１図と同一箇所には同
一番号を付している。
（１００）　ＧａＡｓ基板１上にＧａ０．６ＡＪ。、、
Ａｓクラッド層２を２　μｍ　１ＧａＡｓ　：７ア層３
を１１ｉｒｒｎ　−、Ｇａｏ　、３Ａｌｏ　、　７Ａｓ
キャップ層４を１μｍの厚さに連続成長を行なう（第２
図ａ）。成長後の表面にフォトマスクをかけ〈ｏｌｌ〉
方向に平行にコア層３とクラッド層２の界面まで化学エ
ツチングによシ段差を形成する。エッチャントは硫酸系
のものを用い、室温でエツチングを行なう。ＧａＡＪＡ
ｓとＧａＡ　ｓのエツチング速度の差により、ＧａＡｇ
コア層３の段差部は第２図すに示すように傾きの非常に
ゆるやかな斜面となる。
Ｇａ０．３ＡＪＬ０．７Ａ８キャップ層４を選、択エツ
チングに・より除去した後、Ｇａ。、ｇ５Ａ１０．。ｓ
Ａｓ　　コア層６及びＧａ。、　５ＡＪ。ｓＡｓクラッ
ド層６を成長させ、テーパカップリング素子が形成され
る。
以上のように本実施例によれば、ＧａＡｓ　　コア層の
上にＧａＡ／Ａｓキャップ層をつけ、その上から化学エ
ツチングを行なうことにょシ、テーパ部の傾きの非常に
ゆるやかなテーパカップリング素子を作製することがで
きる。
発明の効果 以上のように本発明は、コア層の上にＧａｊ’ｕＡｓキ
ャップ層を形成し、その上からエツチングを行なう工程
を設けることにより、テーパ部の傾きの非常にゆるやか
なテーパカップリング素子を作製することができ、その
実用的効果は大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ　−Ｃは従来のテーパカップリング素子の製造
方法の各工程における断面図、第２図ａ〜ｄは本発明の
実施例におけるテーパカップリング素子の製造方法の各
工程における断面図である。 １・・・・・・ＧａＡｓ基板、２・・・・・・Ｇａ１−
ＶＡｌアＡ８クラッド層、３・・・・・・ＧａＡｓ　コ
ア層、４・・・・・・♀ａ　１．Ａｌ　ｚＡｍキャップ
層、５・・・・・・Ｇａ、−８Ａ／　ｘＡｔｒコア層、
６・・・・・・Ｇａ　１ｓ−も４８クラッド層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１００）ＧａＡｓ基板上にＧａＡｌＡｓクラッド層、
    ＧａＡｓコア層、ＧａＡｌＡｓキャップ層を順次成長さ
    せる工程と、＜０１＠１＠＞方向に平行に前記キャップ
    層の上から前記コア層まで化学エッチングして段差を形
    成する工程とを含むことを特徴とするテーパカップリン
    グ素子の製造方法。
JP59161858A 1984-08-01 1984-08-01 テ−パカツプリング素子の製造方法 Expired - Lifetime JP2502494B2 (ja)

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