JPS614025A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが１例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 １８
． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １２
７〜１２ＢのＶｏｌｔａｇｅ−Ｉｌｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗｉ
ｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌ”に示されたＴＮｌ （ｔｗｉｓｔｅｄ ｎ
ｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の
液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチッ
ク液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル
構造）を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並
行に配列した構造を形成している。一方、電界印加状態
では、正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向
に配列し、この結果光調変調を起すことができる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが１例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 １８
． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １２
７〜１２ＢのＶｏｌｔａｇｅ−Ｉｌｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗｉ
ｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌ”に示されたＴＮｌ （ｔｗｉｓｔｅｄ ｎ
ｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の
液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチッ
ク液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル
構造）を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並
行に配列した構造を形成している。一方、電界印加状態
では、正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向
に配列し、この結果光調変調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択さ ゛れ、信号電極が選択されない
領域或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択さ
れる領域（所謂゛′半遺択点パ）にも有限の電界がかか
ってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる
電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列
させるに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定され
るならば１表示素子は正常に動作するわけである。しか
し、この方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行っ
た場合、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの
選択点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）
は、１／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり
返し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効
値としての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さ
くなり、結果的には画像コントラストの低下やクロスト
ークが避は難い欠点となっている。このような現象は、
双安定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が
水平に配向しているのが安定状態であり、電界が有効に
印加されている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積
効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）と
きに生じる本質的には避は難い問題点である。この点を
改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マ
トリクス法等が既に提案されているが、いずれの方法で
も不充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走
査線数が充分に増やせないことによって頭打ちになって
いるのが現状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択さ ゛れ、信号電極が選択されない
領域或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択さ
れる領域（所謂゛′半遺択点パ）にも有限の電界がかか
ってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる
電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列
させるに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定され
るならば１表示素子は正常に動作するわけである。しか
し、この方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行っ
た場合、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの
選択点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）
は、１／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり
返し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効
値としての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さ
くなり、結果的には画像コントラストの低下やクロスト
ークが避は難い欠点となっている。このような現象は、
双安定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が
水平に配向しているのが安定状態であり、電界が有効に
印加されている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積
効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）と
きに生じる本質的には避は難い問題点である。この点を
改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マ
トリクス法等が既に提案されているが、いずれの方法で
も不充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走
査線数が充分に増やせないことによって頭打ちになって
いるのが現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
Ｌ問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各画
素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ゲートに走査信号
、ソースもしくはドレインに表示信号を印加す−６１ｍ
＊＊ｖｈｕ・””６””Ｍ％’Ｊａ （’７”−ト）に
順次所定の走査信号を印加するとともに、表示信号線（
ソース又はドレイン）に所定の表示信号を印加して、第
一の配向状態に基づく表示状態を全画面に順次書込み１
次に前記走査信号線に再び、順次所定の走査信号を印加
するとともに、選択された表示信号線に第二の配向状態
を形成する所定の表示信号を印加することを特徴とする
ものである。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各画
素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ゲートに走査信号
、ソースもしくはドレインに表示信号を印加す−６１ｍ
＊＊ｖｈｕ・””６””Ｍ％’Ｊａ （’７”−ト）に
順次所定の走査信号を印加するとともに、表示信号線（
ソース又はドレイン）に所定の表示信号を印加して、第
一の配向状態に基づく表示状態を全画面に順次書込み１
次に前記走査信号線に再び、順次所定の走査信号を印加
するとともに、選択された表示信号線に第二の配向状態
を形成する所定の表示信号を印加することを特徴とする
ものである。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定−状態と第二の光学
的安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する
双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する
液晶が用いられる。
れる電界に応じて第一の光学的安定−状態と第二の光学
的安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する
双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する
液晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメ
クティックＣ相（Ｓｍｌｄ） 又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液
晶が適している。この強誘電性液晶ニツイテは、”Ｉ、
Ｅ ＪＯＵＲＮＡＩ、 ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴ
ＴＥＲ９″３Ｂ （Ｌ−８９） １９７５． ｒＦｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔ−ｔｅｒｓ″ ３Ｂ （１１） １１１８０
、 ｒＳｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５
ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔ
ｃｈｉｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ
Ｊ ； ”固体物理″１Ｂ （１４１） １９８１
ｒ液晶」等に記載されており、本発明ではこれらに開
示された強誘電性液晶を用いることができる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメ
クティックＣ相（Ｓｍｌｄ） 又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液
晶が適している。この強誘電性液晶ニツイテは、”Ｉ、
Ｅ ＪＯＵＲＮＡＩ、 ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴ
ＴＥＲ９″３Ｂ （Ｌ−８９） １９７５． ｒＦｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔ−ｔｅｒｓ″ ３Ｂ （１１） １１１８０
、 ｒＳｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５
ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔ
ｃｈｉｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ
Ｊ ； ”固体物理″１Ｂ （１４１） １９８１
ｒ液晶」等に記載されており、本発明ではこれらに開
示された強誘電性液晶を用いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）およ
び４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４
′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）およ
び４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４
′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳ−Ｃ零相又はＳａＨ攻相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
物がＳ−Ｃ零相又はＳａＨ攻相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。ｌと１′は、Ｉｎ４０３．５ｎ０２やＩＴＯ（
Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透明電極がコ
ートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層２がガラス面に垂直になるよう配向した５ｌｌ（ｊ相
の液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分子
を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメン） （Ｐよ）４を有している。
である。ｌと１′は、Ｉｎ４０３．５ｎ０２やＩＴＯ（
Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透明電極がコ
ートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層２がガラス面に垂直になるよう配向した５ｌｌ（ｊ相
の液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分子
を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメン） （Ｐよ）４を有している。
基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加
すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モー
メント（Ｐよ）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電
圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子
となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの厚
さを充分に薄くした場合（例えばＬｇ）には、第２図に
示すように電界を印加していない状態でも液晶分子のら
せん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子モー
メン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に示す
如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を所
定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又はＥ′
の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き４ｂ
と向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配向状態
５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に配向す
る。
すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モー
メント（Ｐよ）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電
圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子
となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの厚
さを充分に薄くした場合（例えばＬｇ）には、第２図に
示すように電界を印加していない状態でも液晶分子のら
せん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子モー
メン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に示す
如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を所
定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又はＥ′
の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き４ｂ
と向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配向状態
５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に配向す
る。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、（与える電界
Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態に
やはり維持ｙれている。このような応答速度の速さと、
双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来る
だけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５ＪＬ〜２０
用、特に１弘〜５ルが適している。この種の強誘電性液
晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光学
装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許第
４３［１７９２４号明細書で提案されている。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、（与える電界
Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態に
やはり維持ｙれている。このような応答速度の速さと、
双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来る
だけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５ＪＬ〜２０
用、特に１弘〜５ルが適している。この種の強誘電性液
晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光学
装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許第
４３［１７９２４号明細書で提案されている。
本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる。
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる。
又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであっても
同様に行う事も可能である。
同様に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、Ｖ をＤ
Ｇ ゲート電圧、■、をソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとｖ、〉ｖＳ であり、ｖ ＞ｖＳ
＋ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ＜Ｖ ＋Ｖ、の時
非導通状態となる。
Ｇ ゲート電圧、■、をソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとｖ、〉ｖＳ であり、ｖ ＞ｖＳ
＋ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ＜Ｖ ＋Ｖ、の時
非導通状態となる。
Ｓ
Ｐ型ＦＥＴにおいては７口＜ Ｖ ｓとし、ＶＧ くＶ
＋Ｖ、−ｃ’導通状８となり、Ｖ、＞Ｖ、＋ＶＰで
非導通状態となる。
＋Ｖ、−ｃ’導通状８となり、Ｖ、＞Ｖ、＋ＶＰで
非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かｊ±、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ
型では電圧の低い方がソースであり、ｐｙ！では電圧の
高い方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かｊ±、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ
型では電圧の低い方がソースであり、ｐｙ！では電圧の
高い方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示される
如く位相（時間）ｔ１〜ｔ３では、Ｖ６＝０であり、位
相（時間）ｔ４〜 ｔ６では、＋ｖＧである。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示される
如く位相（時間）ｔ１〜ｔ３では、Ｖ６＝０であり、位
相（時間）ｔ４〜 ｔ６では、＋ｖＧである。
一方、それ以外の選択されない走査電極に与えられる電
気信号は第６図（ａ）に示す如く位相ｔ１〜ｔ３では−
ＶＧであり、位相ｔ４〜ｔ６では０である。また、選択
された表示電極に与えられる電気信号は、第６図（ｂ）
に示される如く位相ｔ１〜ｔ３では−ｖｓであり、位相
ｔ４〜ｔ６では＋ｖＳである。また選択されない表示電
極に与えられる電気信号は０である。以上に於て各々の
電圧値は、以下の関係を満足する所望の値に設定される
。
気信号は第６図（ａ）に示す如く位相ｔ１〜ｔ３では−
ＶＧであり、位相ｔ４〜ｔ６では０である。また、選択
された表示電極に与えられる電気信号は、第６図（ｂ）
に示される如く位相ｔ１〜ｔ３では−ｖｓであり、位相
ｔ４〜ｔ６では＋ｖＳである。また選択されない表示電
極に与えられる電気信号は０である。以上に於て各々の
電圧値は、以下の関係を満足する所望の値に設定される
。
走査電極請＝１−Ｈのラインに、表示電極ｎ＝見１の信
号線で、全画面に順次「明」を書込み、次に同じ鴛＝１
〜Ｎのラインに、表示電極ｍ＝文、の信号線で、全画面
に順次「暗」を書込みを行う場合。
号線で、全画面に順次「明」を書込み、次に同じ鴛＝１
〜Ｎのラインに、表示電極ｍ＝文、の信号線で、全画面
に順次「暗」を書込みを行う場合。
ｖＧＩｌ＝ ０ （ｍ＝１−Ｎ、
ｎ−１１）■ｃ −■ＬｃンＶ ５ｎ（ｎ＝ ｌ ｒ
）ＶＧ、−ＶＰ＞ＶＬｃ＋ＶＣ（ｍ＝１〜Ｎ、ｎ＝１
２ ）１ ｖ ｃ ＋ Ｖ ＬＣ＜ Ｖ
５ｎ（ｎ＝ １２ ）Ｖ ｓｒｌ：ＨＯ（ｎｓ ｌ ｔ
） （ｎ＃９−２ ）但し、各記号は下記の事項を表
わす。
ｎ−１１）■ｃ −■ＬｃンＶ ５ｎ（ｎ＝ ｌ ｒ
）ＶＧ、−ＶＰ＞ＶＬｃ＋ＶＣ（ｍ＝１〜Ｎ、ｎ＝１
２ ）１ ｖ ｃ ＋ Ｖ ＬＣ＜ Ｖ
５ｎ（ｎ＝ １２ ）Ｖ ｓｒｌ：ＨＯ（ｎｓ ｌ ｔ
） （ｎ＃９−２ ）但し、各記号は下記の事項を表
わす。
■Ｇ１１＝ゲート電極（走査信号）電圧■、。：強誘電
性液晶の閾値電圧の絶対値■、：ゲート、ソース間の閾
値 以上の動作なｑ＝１−Ｎまで繰返し書込みを行う。
性液晶の閾値電圧の絶対値■、：ゲート、ソース間の閾
値 以上の動作なｑ＝１−Ｎまで繰返し書込みを行う。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（暗）上
側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす。すな
わち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相ｔ１に
おいて選択された走査線及び表示線の交点にある画素Ｐ
Ｎ４１．Ｈには閾値−■ を越える一Ｖ ＞−Ｖ８−
ＶＣが印加されＬＣＬＣ る。したがって、第４図において画素ＰＮ４１．Ｈに「
明」の書込みが行なわれる。以後、位相ｔ２及びｔ３で
は、それぞれ選択された走査線と表示線の交点にある画
素Ｐ 、Ｐ Ｎ、Ｎ＋Ｉ Ｎ＋２．Ｎ＋１ “１□、Ｎ＋２
Ｎ＋２．Ｎ＋２に順次「明」の書込みがＰ
、Ｐ 行なわれる。位相ｔ１〜ｔ３で全画面の画素に、「明」
の書込みが行なわれた後、位相１４〜１６間では全画面
に「暗」の書込みが行なわれる。すなわち、位相ｔ４に
おいて選択された走査線上にある画素Ｐ 、Ｐ
には閾値ＶＬｏを越えるＮ、Ｎ Ｎ＋２．
Ｎ Ｖ ＜Ｖ −Ｖ。の電圧が印加される。したかっＬ
ＣＳ て第４図において画素Ｐ 、Ｐ に「暗」Ｎ
、Ｎ Ｎ＋２．Ｎ の書込みが行なわれる。以後位相ｔ５及びｔ６では、そ
れぞれ選択された走査線上にある画素ＰＮ＋□、Ｎ＋Ｉ
Ｎ、Ｎ＋２に「暗」の書込みが行なわ、 Ｐ れる。以上の各動作でわかる通り１選択された走査電極
線上に於て、表示電極が選択された否かに応じて、選択
された場合には液晶分子は第一の配向状態あるいは第二
の配向状態に配向を揃え、画素はＯＮ （暗）あるいは
ＯＦＦ （明）となり、選択されない場合にはすべて
の画素に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えな
い。従って、選択された走査線上以外の各画素における
液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査されたと
きの信号状態（ＱＮ−１）に対応した配向を、そのまま
保持している。即ち、走査電極が選択されたときにその
ｌライフ分の信号の書き込みが行われ、■フレームが終
了して次回選択されるまでの間は、その信号状態を保持
し得るわけである。従って、走査電極数が増えても、実
質的なデユーティ比はかわらず、コントラストの低下は
全く生じない。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（暗）上
側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす。すな
わち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相ｔ１に
おいて選択された走査線及び表示線の交点にある画素Ｐ
Ｎ４１．Ｈには閾値−■ を越える一Ｖ ＞−Ｖ８−
ＶＣが印加されＬＣＬＣ る。したがって、第４図において画素ＰＮ４１．Ｈに「
明」の書込みが行なわれる。以後、位相ｔ２及びｔ３で
は、それぞれ選択された走査線と表示線の交点にある画
素Ｐ 、Ｐ Ｎ、Ｎ＋Ｉ Ｎ＋２．Ｎ＋１ “１□、Ｎ＋２
Ｎ＋２．Ｎ＋２に順次「明」の書込みがＰ
、Ｐ 行なわれる。位相ｔ１〜ｔ３で全画面の画素に、「明」
の書込みが行なわれた後、位相１４〜１６間では全画面
に「暗」の書込みが行なわれる。すなわち、位相ｔ４に
おいて選択された走査線上にある画素Ｐ 、Ｐ
には閾値ＶＬｏを越えるＮ、Ｎ Ｎ＋２．
Ｎ Ｖ ＜Ｖ −Ｖ。の電圧が印加される。したかっＬ
ＣＳ て第４図において画素Ｐ 、Ｐ に「暗」Ｎ
、Ｎ Ｎ＋２．Ｎ の書込みが行なわれる。以後位相ｔ５及びｔ６では、そ
れぞれ選択された走査線上にある画素ＰＮ＋□、Ｎ＋Ｉ
Ｎ、Ｎ＋２に「暗」の書込みが行なわ、 Ｐ れる。以上の各動作でわかる通り１選択された走査電極
線上に於て、表示電極が選択された否かに応じて、選択
された場合には液晶分子は第一の配向状態あるいは第二
の配向状態に配向を揃え、画素はＯＮ （暗）あるいは
ＯＦＦ （明）となり、選択されない場合にはすべて
の画素に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えな
い。従って、選択された走査線上以外の各画素における
液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査されたと
きの信号状態（ＱＮ−１）に対応した配向を、そのまま
保持している。即ち、走査電極が選択されたときにその
ｌライフ分の信号の書き込みが行われ、■フレームが終
了して次回選択されるまでの間は、その信号状態を保持
し得るわけである。従って、走査電極数が増えても、実
質的なデユーティ比はかわらず、コントラストの低下は
全く生じない。
第５図に於て、走査電極Ｇ Ｇ 、ＧＮ＋２．・・・
Ｎ’ Ｎ＋１ と表示電極Ｓ Ｓ Ｓ ・・・の交点で形成するＮ
’ Ｎ＋ｌ’ Ｎ＋２’ 画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示し
た画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図
中の表示電極ＳＮ上の表示に注目すると、走査電極ＧＮ
、ＧＮ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ
以外の画素は「明」状態である。前記、位相ｔ 、 ｘ
ｔ ６の各動作によって、第５図の表示パターンが完成
する。
Ｎ’ Ｎ＋１ と表示電極Ｓ Ｓ Ｓ ・・・の交点で形成するＮ
’ Ｎ＋ｌ’ Ｎ＋２’ 画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示し
た画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図
中の表示電極ＳＮ上の表示に注目すると、走査電極ＧＮ
、ＧＮ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ
以外の画素は「明」状態である。前記、位相ｔ 、 ｘ
ｔ ６の各動作によって、第５図の表示パターンが完成
する。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第９図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャツターアレイ等とし
て利用することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第９図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャツターアレイ等とし
て利用することができる。
次に、以上に説明した実施例において、強誘電性液晶と
してＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ０＝ＩＸ１０４〜ｌＸ１０６Ｈ２１０＜
Ｉ Ｖｏｌ ＜ＢＯＶ （波高値）０．３ ＜ ｌ
ＶＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
してＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ０＝ＩＸ１０４〜ｌＸ１０６Ｈ２１０＜
Ｉ Ｖｏｌ ＜ＢＯＶ （波高値）０．３ ＜ ｌ
ＶＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
第９図は本発明において使用されるＴＰＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１θ図はＴＦＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１３図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ ”線で切断した部分断面図であり、以上
に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもので
ある。
Ｔの構成を示す断面図、第１θ図はＴＦＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１３図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ ”線で切断した部分断面図であり、以上
に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもので
ある。
第１０図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラス２ チッ
ク等の基板２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２ψ （水素原子をドーピングした窒化シリコン膜な ｑ ど）を介して形成した半導体膜ｔｅ（水素原子をドーピ
ングしたアモルファスシリコン）と、この半導体膜１８
に接する２つ端子８と１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴ
の端子１１と接続した画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄ
ｎｉｕｍＴｉｎ ０ｗ１ｄｅ）が形成されている。
具体例を表わしている。ガラス、プラス２ チッ
ク等の基板２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２ψ （水素原子をドーピングした窒化シリコン膜な ｑ ど）を介して形成した半導体膜ｔｅ（水素原子をドーピ
ングしたアモルファスシリコン）と、この半導体膜１８
に接する２つ端子８と１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴ
の端子１１と接続した画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄ
ｎｉｕｍＴｉｎ ０ｗ１ｄｅ）が形成されている。
さらに、この上に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミド
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
，ＳｉＯ□）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮
蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′の
」−には対向電極２１ （ＩＴＯ； ＩｎｄｎｉｕｍＴ
ｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
，ＳｉＯ□）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮
蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′の
」−には対向電極２１ （ＩＴＯ； ＩｎｄｎｉｕｍＴ
ｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１８と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
ＩＯよりの反射光１１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９”の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１８と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
ＩＯよりの反射光１１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９”の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［発明の効果］
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１０図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図及び第
１４図はＢ−Ｂ ’部分断面図である。 ｔ、ｔ”；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３°：液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ↓） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′：第二の配向状態 ８；ソース電極（ドレイン電極） ９；光遮蔽膜 １０：ｎ＋層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５．半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８：反射板
１９．１９′；偏光板２０．２０”；ガラス、プラス
チック等の透明基板２１：対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ”ｉ走査電極 １〜Ｎ；表示電極 Ｌ：共通電極 ＬＣ，液晶 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１０図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図及び第
１４図はＢ−Ｂ ’部分断面図である。 ｔ、ｔ”；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３°：液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ↓） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′：第二の配向状態 ８；ソース電極（ドレイン電極） ９；光遮蔽膜 １０：ｎ＋層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５．半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８：反射板
１９．１９′；偏光板２０．２０”；ガラス、プラス
チック等の透明基板２１：対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ”ｉ走査電極 １〜Ｎ；表示電極 Ｌ：共通電極 ＬＣ，液晶 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極に
して各画素に対応している、ＦＦＴ端子のうち、ゲート
に走査信号、ソースもしくはドレインに表示信号を印加
する、時分割駆動であり、かかる走査信号線に順次所定
の走査信号を印加するとともに、表示信号線に所定の表
示信号を印加して、第一の配向状態に基づく表示状態を
全画面に順次書込み、次に前記走査信号線に再び、順次
所定の走査信号を印加するとともに、選択された表示信
号線に第二の配向状態を形成する所定の表示信号を印加
することを特徴とする液晶素子の駆動法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124515A JPS614025A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124515A JPS614025A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614025A true JPS614025A (ja) | 1986-01-09 |
| JPH0453291B2 JPH0453291B2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=14887388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124515A Granted JPS614025A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614025A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124513A (ja) * | 1982-12-30 | 1984-07-18 | Kawasaki Steel Corp | 板材のパイリング装置 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59124515A patent/JPS614025A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124513A (ja) * | 1982-12-30 | 1984-07-18 | Kawasaki Steel Corp | 板材のパイリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453291B2 (ja) | 1992-08-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |