JPS6140068A - 光プリンタ用発光ダイオ−ド - Google Patents

光プリンタ用発光ダイオ−ド

Info

Publication number
JPS6140068A
JPS6140068A JP16225584A JP16225584A JPS6140068A JP S6140068 A JPS6140068 A JP S6140068A JP 16225584 A JP16225584 A JP 16225584A JP 16225584 A JP16225584 A JP 16225584A JP S6140068 A JPS6140068 A JP S6140068A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
common electrode
led
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16225584A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Takasu
高須 広海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Tottori Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Sanyo Electric Co Ltd, Tottori Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP16225584A priority Critical patent/JPS6140068A/ja
Publication of JPS6140068A publication Critical patent/JPS6140068A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ・  イ)産業上の利用分野 本発明は表面に複数の発光部を有し、いずれの発光部の
輝度も高い光プリンタ用発光ダイオードに関する。  
   ・ 口】従来の技術 近年第3図に示すように表面に整列した発光部を有する
発光ダイオード11(milli・・・tm列させて光
プリンタ用ヘッドとして用いる事が提案されており、そ
のための発光ダイオードは例えば1982年電子通憚学
会研究会報告第23頁に記載さ些ているつところでこの
ような一光ダイオードにおいては第4図に示すように、
一つ1′つの発光ダイオードfl(1aト・内に多数の
発光i合amlIe−?有しているので、このうちの1
発光接合′(1”’):fット分の発光部)を  。
点灯させた時と金発晃接合(発光ダイオード内の□、全
ての発光部)1に点灯させた時とでは点灯条件が、異な
る。即ち仮に定電流駆動した、時でも、隣接するPN発
光接合にも電流ツ流れているか否かに゛よって電流分布
が異なるし、基板側で電流束全形成した時の電流分布等
によっても輝度等は変化するO ところがこのような点灯条件について輝度低下の原因を
検討したところ、上述した発光ダイオード内部のみ゛の
理由による低下では考えられない低下が生じる事がわか
った。□そこでさらに詳細に検討したところ、発光ダイ
オードの裏面にある電極(n側コモン電極)における損
失が大きい事がわかった。
ハ)発明が解決しようとする問題点 第5図は上記検討により注目し友電極について電子分光
分析装置で観測した裏面電極の表面(素子としては底面
]状態分析図であるが、金を主体とする表面に酸素や炭
素の存在が確認された。従ってこれら酸化物等の薄膜被
膜が、大電流時、に電 “流阻害?して輝度低下を生じ
ていたものと確認で ′き’ft。
よって本発明はこの光プリンタ用発光ダイオードの底面
の電極被膜を除いて、発光部(ドツト)の点灯数の多少
にかかわらず輝度変動の少ない光プリンタ用発光ダイオ
ードを提供するものである〇二)問題点を解決するため
の手段 本発明は共通電極の露出面をスパッタリング面とするも
のであるり ホ」作 用 これにより共通電極の露出面が活性化され、電流の如何
にかかわらず底面の界面効果がなくなってどの発壱点(
ドツト)の発光でも輝度低下は1096未満(発光ダイ
オード素子内部の要因のみに帰因する低下]とする事が
できた。
へ)実施例 第1図に本発明実施例の光プリンタ用発光ダイオードの
斜視図で、n型GaAs基板11i上にn型変成層(2
1とn型GaAsQ、(5PQ、4層(31ヲ順次エピ
タキシャル成長させ、亜鉛の選択拡散領域(4)を形成
し、個別電極+51151・・・を設けて発光部(ドツ
ト](6バ61・・・を形成するり発光部(6バ6I・
・・全一直線上に整列配置するため発光ダイオードは長
尺になる。
そして裏面VCは金(AV)t−主体とし、オーミック
剤を微量混入し友共通電極(7)全形成するっこの共通
電極+71Fi素子の基板山側はオーミック接触がとら
れているが露出面側はスパッタリング面となっているっ
スパッタリングはアルゴンを10−6丁orr  程度
においてイオン化し、2にVで加速して1.5〜3分照
射した。
このようにして得られた共通電極の電子分光分析装置に
よる状態分析図は第2図に示すとわ9で、酸素や炭素は
見あたらなかった。
また従来および本発明に係る点灯試験の結果を下記に示
した。これは1発光ダイオード中に64発光点(64ド
ツト]を設け、定電流電源を用い、任意の1ドツトのみ
t−,10mAで点灯させ九時と、半分の32ドツトe
520a+Aで点灯させた時の輝度の比較を行なってい
るが、従来の場合はいずれも1ドツトのみの点灯に対し
32ドツト点灯すると同一ドツトで十数%の輝度低下が
ある。そして本発明実施例においては輝就低下の割合は
、1桁となっているり ト) 発明の効果 このようにして共通電極の露出面での不所望な界面効果
がなくなるので、発光ダイオードが長尺になっても点灯
ドツト数の増減による一度の変化が少なくなり、印字品
質は良好に保たれる0
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の光プリンタ用発光ダイオードの
斜視図、第2図はその共通電極の状態分析図、第3図°
は光プリンタ用ヘッドの斜視図、第4図はその等価回路
図、1t!5図は従来の共通電極の状態分析図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)表面に複数の発光部を有し、裏面にスパッタリング
    面を有する共通電極を具備した事を特徴とする光プリン
    タ用発光ダイオード。 2)前記発光部は長尺の化合物半導体の長手方向に添っ
    て整列配置されている事を特徴とする前記特許請求の範
    囲第1項記載の光プリンタ用発光ダイオード。
JP16225584A 1984-07-31 1984-07-31 光プリンタ用発光ダイオ−ド Pending JPS6140068A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16225584A JPS6140068A (ja) 1984-07-31 1984-07-31 光プリンタ用発光ダイオ−ド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16225584A JPS6140068A (ja) 1984-07-31 1984-07-31 光プリンタ用発光ダイオ−ド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6140068A true JPS6140068A (ja) 1986-02-26

Family

ID=15750953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16225584A Pending JPS6140068A (ja) 1984-07-31 1984-07-31 光プリンタ用発光ダイオ−ド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6140068A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5038186A (en) * 1988-11-07 1991-08-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Light emitting diode array

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5038186A (en) * 1988-11-07 1991-08-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Light emitting diode array

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7479731B2 (en) Multicolor light-emitting lamp and light source
JP2004055646A (ja) 発光ダイオード素子のp側電極構造
JPH0738150A (ja) 半導体発光装置
JPS6417484A (en) Semiconductor light emitting element
JPH11220164A (ja) 発光素子アレイ及び発光素子
US6864514B2 (en) Light emitting diode
JPH04225577A (ja) 発光ダイオード
GB1581768A (en) Device for light emission
JP4150909B2 (ja) 発光ダイオード
JPS6140068A (ja) 光プリンタ用発光ダイオ−ド
JPH1168149A (ja) 半導体素子及び半導体素子アレイ
US5554877A (en) Compound semiconductor electroluminescent device
JPH10308533A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置
JPH09307140A (ja) 半導体発光装置
JPH10275935A (ja) 半導体発光素子
JP2000174344A (ja) 発光ダイオード
JP4255710B2 (ja) 半導体発光素子
JPH05267715A (ja) 半導体発光装置
JPS6140067A (ja) 光プリンタ用発光ダイオ−ド
JP2937439B2 (ja) 半導体発光装置
JP3020542B2 (ja) 半導体発光装置
JP2002314132A (ja) 半導体発光ダイオードおよび半導体発光ダイオード用エピタキシャルウェハ
JPS5852886A (ja) 高効率発光ダイオ−ド
JPH0521354B2 (ja)
JPH07169992A (ja) 半導体発光装置