JPS6135790B2 - - Google Patents
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- JPS6135790B2 JPS6135790B2 JP53066357A JP6635778A JPS6135790B2 JP S6135790 B2 JPS6135790 B2 JP S6135790B2 JP 53066357 A JP53066357 A JP 53066357A JP 6635778 A JP6635778 A JP 6635778A JP S6135790 B2 JPS6135790 B2 JP S6135790B2
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- Japan
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- voltage
- primary winding
- transistor
- transformer
- capacitor
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- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 43
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 23
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はインバータ回路に関し、そのスイツチ
素子への印加電圧を半減できるようにしたもので
ある。
素子への印加電圧を半減できるようにしたもので
ある。
例えば、並列共振プツシユプルインバータは第
１図にその代表例を示す如く、インバータトラン
スＴの１次巻線NPの中間タツプt1をインダクタ
ンス素子CHを介して直流電源Ｅのプラス端子P1
に接続すると共に、同巻線NPの各端子を夫々ト
ランジスタTR1，TR2のコレクタ、エミツタを介
して直流電源Ｅのマイナス端子P2に接続してお
り、またトランスＴの帰還巻線NBの中間タツプ
を、バイアス抵抗R1を介して前記１次巻線NPの
中間タツプt1に接続すると共に、帰還巻線NBの
各端子を夫々前記トランジスタTR1，TR2のベー
スに接続している。そして、１次巻線NPは自己
インダクタンスをもつていると共に浮遊容量をも
つており、１次巻線NPに発生する電圧はその自
己インダクタンスと浮遊容量による振動電圧とな
り、その振動により帰還巻線NBも振動し、これ
ら電圧の反転によりトランジスタTR1，TR2が互
いに逆のオンオフ動作をくりかえし、これによつ
て２次巻線NSの両端子間に接続した負荷Ｌに交
流電圧を供給するようにしている。そして、各ト
ランジスタTR1，TR2はこのベース電流が０とな
つても直ちにコレクタ電流が０とならず少し遅れ
て０になる特性をもつており、両トランジスタ
TR1，TR2は少しの時間同時にオンとなるが、こ
のときインダクタンス素子CHがトランジスタ
TR1，TR2への電流の急増を防止すべく作用し、
このインバータの効率を高めている。ところが、
インダクタンスCHがあるため、中間タツプt1と
マイナス端子P2間の電圧は電源Ｅの電圧の約1.5
倍〜２倍となり、各トランジスタTR1，TR2のコ
レクタ、エミツタ間にはタツプt1と端子P2間の電
圧に１次巻線NPの電圧が加算して加わり、電源
Ｅの電圧の約３〜４倍の電圧が印加されることと
なる。従つて、商用200V電源を直流整流した電
源でこのインバータを動作させると、トランジス
タTR1，TR2のコレクタ、エミツタ間の耐圧が
200×√２（整流電源のピーク値）×1.2（電圧変
動）×４（倍率）の電圧、即ち約1350Vのトラン
ジスタを必要とし、この様な高い耐圧をもつたト
ランジスタを使用するのは高価となり、しかもオ
ン電圧が高く高周波特性が悪くなるという問題が
ある。
１図にその代表例を示す如く、インバータトラン
スＴの１次巻線NPの中間タツプt1をインダクタ
ンス素子CHを介して直流電源Ｅのプラス端子P1
に接続すると共に、同巻線NPの各端子を夫々ト
ランジスタTR1，TR2のコレクタ、エミツタを介
して直流電源Ｅのマイナス端子P2に接続してお
り、またトランスＴの帰還巻線NBの中間タツプ
を、バイアス抵抗R1を介して前記１次巻線NPの
中間タツプt1に接続すると共に、帰還巻線NBの
各端子を夫々前記トランジスタTR1，TR2のベー
スに接続している。そして、１次巻線NPは自己
インダクタンスをもつていると共に浮遊容量をも
つており、１次巻線NPに発生する電圧はその自
己インダクタンスと浮遊容量による振動電圧とな
り、その振動により帰還巻線NBも振動し、これ
ら電圧の反転によりトランジスタTR1，TR2が互
いに逆のオンオフ動作をくりかえし、これによつ
て２次巻線NSの両端子間に接続した負荷Ｌに交
流電圧を供給するようにしている。そして、各ト
ランジスタTR1，TR2はこのベース電流が０とな
つても直ちにコレクタ電流が０とならず少し遅れ
て０になる特性をもつており、両トランジスタ
TR1，TR2は少しの時間同時にオンとなるが、こ
のときインダクタンス素子CHがトランジスタ
TR1，TR2への電流の急増を防止すべく作用し、
このインバータの効率を高めている。ところが、
インダクタンスCHがあるため、中間タツプt1と
マイナス端子P2間の電圧は電源Ｅの電圧の約1.5
倍〜２倍となり、各トランジスタTR1，TR2のコ
レクタ、エミツタ間にはタツプt1と端子P2間の電
圧に１次巻線NPの電圧が加算して加わり、電源
Ｅの電圧の約３〜４倍の電圧が印加されることと
なる。従つて、商用200V電源を直流整流した電
源でこのインバータを動作させると、トランジス
タTR1，TR2のコレクタ、エミツタ間の耐圧が
200×√２（整流電源のピーク値）×1.2（電圧変
動）×４（倍率）の電圧、即ち約1350Vのトラン
ジスタを必要とし、この様な高い耐圧をもつたト
ランジスタを使用するのは高価となり、しかもオ
ン電圧が高く高周波特性が悪くなるという問題が
ある。
本発明は上記問題点に鑑み、スイツチ素子への
印加電圧を半減でき、良好な高周波特性が得られ
るインバータ回路を提供することを目的とし、そ
の特徴とするところは、インバータトランスと交
互に導通する一対のスイツチ素子とを備え、トラ
ンスの１次巻線の自己インダクタンスと浮遊容量
とを並列共振さ、前記スイツチ素子の交互導通に
より１次巻線の直流電源を前記トランスの２次巻
線側に交流電圧として供給するようにしたインバ
ータ回路において、前記直流電源に一対のコンデ
ンサを該各コンデンサの両端電圧が電源電圧の略
1/2電圧となるように直列接続し、その各コンデ
ンサに、前記スイツチ素子と該スイツチ素子が同
時にオンとなつたとき電流が急増することを防止
すべく同一鉄心上に巻かれた２線輪をもつインダ
クタンス素子と前記１次巻線との直列回路を並列
接続した点にある。
印加電圧を半減でき、良好な高周波特性が得られ
るインバータ回路を提供することを目的とし、そ
の特徴とするところは、インバータトランスと交
互に導通する一対のスイツチ素子とを備え、トラ
ンスの１次巻線の自己インダクタンスと浮遊容量
とを並列共振さ、前記スイツチ素子の交互導通に
より１次巻線の直流電源を前記トランスの２次巻
線側に交流電圧として供給するようにしたインバ
ータ回路において、前記直流電源に一対のコンデ
ンサを該各コンデンサの両端電圧が電源電圧の略
1/2電圧となるように直列接続し、その各コンデ
ンサに、前記スイツチ素子と該スイツチ素子が同
時にオンとなつたとき電流が急増することを防止
すべく同一鉄心上に巻かれた２線輪をもつインダ
クタンス素子と前記１次巻線との直列回路を並列
接続した点にある。
以下、本発明を図示の実施例に従つて説明する
と、第２図において、P1，P2は直流電源Ｅが接続
される入力端子であり、この両端子P1，P2に同一
容量のコンデンサC1，C2が直列接続され、コン
デンサC1の両端には、インバータトランスＴの
１次巻線NPを二分割した一方の１次巻線NP′と、
エミツタ、コレクタを介して接続されるNPNト
ランジスタTR1と、二分割した一方のインダクタ
ンス素子CH′との直列回路が接続され、１次巻線
NP′とトランジスタTR1との直列回路にバイアス
抵抗R1′とダイオードD1との直列回路が並列接続
されている。コンデンサC2の両端には同様に、
他方のインダクタンス素子CH″と、１次巻線
NP″とトランジスタTR2との直列回路にバイアス
抵抗R1″とダイオードD2との直列回路が並列接続
されている。そしてインダクタンス素子CH′，
CH″は両トランジスタTR1，TR2が同時にオンし
た場合電流を制限する方向に巻線されている。
NB′，NB″は互いに二分割されたトランスＴの帰
還巻線で、一方の帰還巻線NB′はその一端がトラ
ンジスタTR1のベースに接続され、他端が抵抗
R1′とダイオードD1との間に接続されており、帰
還巻線NB″はその一端がトランジスタTR2のベー
スに接続され、他端が抵抗R1″とダイオードD2と
の間に接続されている。P3，P4は負荷Ｌが接続さ
れる出力端子であり、この両端子P3，P4にはトラ
ンスＴの２次巻線NSが接続されている。
と、第２図において、P1，P2は直流電源Ｅが接続
される入力端子であり、この両端子P1，P2に同一
容量のコンデンサC1，C2が直列接続され、コン
デンサC1の両端には、インバータトランスＴの
１次巻線NPを二分割した一方の１次巻線NP′と、
エミツタ、コレクタを介して接続されるNPNト
ランジスタTR1と、二分割した一方のインダクタ
ンス素子CH′との直列回路が接続され、１次巻線
NP′とトランジスタTR1との直列回路にバイアス
抵抗R1′とダイオードD1との直列回路が並列接続
されている。コンデンサC2の両端には同様に、
他方のインダクタンス素子CH″と、１次巻線
NP″とトランジスタTR2との直列回路にバイアス
抵抗R1″とダイオードD2との直列回路が並列接続
されている。そしてインダクタンス素子CH′，
CH″は両トランジスタTR1，TR2が同時にオンし
た場合電流を制限する方向に巻線されている。
NB′，NB″は互いに二分割されたトランスＴの帰
還巻線で、一方の帰還巻線NB′はその一端がトラ
ンジスタTR1のベースに接続され、他端が抵抗
R1′とダイオードD1との間に接続されており、帰
還巻線NB″はその一端がトランジスタTR2のベー
スに接続され、他端が抵抗R1″とダイオードD2と
の間に接続されている。P3，P4は負荷Ｌが接続さ
れる出力端子であり、この両端子P3，P4にはトラ
ンスＴの２次巻線NSが接続されている。
次に作用を説明すると、出力端子P3，P4に負荷
Ｌを接続し、入力端子P1，P2に直流電源Ｅを接続
すると、まず抵抗R1′又はR1″を介して一方のトラ
ンジスタTR1又はTR2のベース電流が流れる。こ
のとき、例えばトランジスタTR1側のベース電流
が流れたと仮定すると、そのトランジスタTR1の
コレクタ電流が流れ始め、１次巻線NP′に振動電
圧が発生する。それによつて１次巻線NP″及び帰
還巻線NB′，NB″に振動電圧が生じ、ダイオード
D1に逆バイアスが印加されてオフ状態となり、
抵抗R1′を介して流れる電流をトランジスタTR1
のベースのみに流し、トランジスタTR1をオンさ
せると共に、ダイオードD2には順バイアスが印
加されてオンとなり、抵抗R1″を介して流れる電
流はトランジスタTR2のベースへは流れなくな
り、トランジスタTR2を完全にオフさせる。そし
て、１次巻線NP′，NP″と帰還巻線NB′，NB″と
の電圧が反転した時点で、逆にダイオードD1に
順バイアスが、ダイオードD2に逆バイアスが印
加されて、オンしていたトランジスタTR1はオフ
し、オフしていたトランジスタTR2はオンとな
る。その後同様の事がくり返えされ、従来通り出
力端子P3，P4間に接続した負荷Ｌに交流電圧が供
給される。そして、インダクタンス素子CH′，
CH″はトランジスタTR1，TR2への電流が急増す
るのを防止すべく作用し、従来と同様となる。と
ころが、同一容量のコンデンサC1，C2により直
流電源Ｅを１／２の電圧に分圧すると共に、インダク タンス素子CHをインダクタンス素子CH′，
CH″に二分割しているので、１次巻線NP′，
NP″に印加される電圧が従来の１／２となり、その結 果各トランジスタTR1，TR2のコレクタ、エミツ
タ間に印加される電圧を半減することができる。
従つて、高入力電源で動作させても、低い耐圧の
トランジスタを使用することができ、安価なトラ
ンジスタですみ、しかも高周波特性も良好とな
る。
Ｌを接続し、入力端子P1，P2に直流電源Ｅを接続
すると、まず抵抗R1′又はR1″を介して一方のトラ
ンジスタTR1又はTR2のベース電流が流れる。こ
のとき、例えばトランジスタTR1側のベース電流
が流れたと仮定すると、そのトランジスタTR1の
コレクタ電流が流れ始め、１次巻線NP′に振動電
圧が発生する。それによつて１次巻線NP″及び帰
還巻線NB′，NB″に振動電圧が生じ、ダイオード
D1に逆バイアスが印加されてオフ状態となり、
抵抗R1′を介して流れる電流をトランジスタTR1
のベースのみに流し、トランジスタTR1をオンさ
せると共に、ダイオードD2には順バイアスが印
加されてオンとなり、抵抗R1″を介して流れる電
流はトランジスタTR2のベースへは流れなくな
り、トランジスタTR2を完全にオフさせる。そし
て、１次巻線NP′，NP″と帰還巻線NB′，NB″と
の電圧が反転した時点で、逆にダイオードD1に
順バイアスが、ダイオードD2に逆バイアスが印
加されて、オンしていたトランジスタTR1はオフ
し、オフしていたトランジスタTR2はオンとな
る。その後同様の事がくり返えされ、従来通り出
力端子P3，P4間に接続した負荷Ｌに交流電圧が供
給される。そして、インダクタンス素子CH′，
CH″はトランジスタTR1，TR2への電流が急増す
るのを防止すべく作用し、従来と同様となる。と
ころが、同一容量のコンデンサC1，C2により直
流電源Ｅを１／２の電圧に分圧すると共に、インダク タンス素子CHをインダクタンス素子CH′，
CH″に二分割しているので、１次巻線NP′，
NP″に印加される電圧が従来の１／２となり、その結 果各トランジスタTR1，TR2のコレクタ、エミツ
タ間に印加される電圧を半減することができる。
従つて、高入力電源で動作させても、低い耐圧の
トランジスタを使用することができ、安価なトラ
ンジスタですみ、しかも高周波特性も良好とな
る。
なお、前記実施例ではトランスＴの１次巻線
NPを１次巻線NP′，NP″に二分割しているが、第
３図に示す如く、入力端子P1，P2間に直列接続し
たコンデンサC1，C2の外端に、NPNトランジス
タTR1とインダクタンス素子CHとNPNトランジ
スタTR2との直列回路を接続し、１次巻線NPを
分割することなくその一端をインダクタンス素子
CHの中間タツプに接続し、他端をコンデンサ
C1，C2間に接続して、トランジスタTR1，TR2に
互いに逆のオンオフ動作をくり返えさせるように
して、出力端子P3，P4へ交流電圧を供給するよう
にしてもよく、この場合、コンデンサC1に、ト
ランジスタTR1とインダクタンス素子CHの半分
と１次巻線NPとの直列回路を並列接続し、また
コンデンサC2に、トランジスタTR2とインダクタ
ンス素子CHの残り半分と１次巻線CHとの直列回
路を並列接続したこととなり、前記実施例と同様
にトランジスタTR1，TR2のコレクタ、エミツタ
間に印加される電圧を半減することができ、しか
も１次巻線NPが１本で済む。また、第４図に示
す如く、コンデンサC1，C2の外端に、インダク
タンス素子CH′とNPNトランジスタTR1とPNPト
ランジスタTR2とインダクタンス素子CH″との直
列回路を接続し、１次巻線NPの一端をトランジ
スタTR1，TR2間に接続し、他端をコンデンサ
C1，C2間に接続しても、同様な効果が得られ
る。さらに、第５図に示す如く、コンデンサ
C1，C2の直列回路にトランスT2を並列接続し、
コンデンサC1，C2間とトランスT2の中間タツプ
とを接続して、コンデンサC1，C2の電圧をその
容量によらずトランスT2のタツプ位置により決
定できるようにしてもよい。また、前記実施例で
は自励発振インバーターとなつているが、ベース
駆動回路を別にした他励インバーターにも適用す
ることができ、さらに、スイツチ素子としてトラ
ンジスタ以外のゲート、例えばGTOサイリスタ
等によりオンオフ動作させるようにしてもよい。
NPを１次巻線NP′，NP″に二分割しているが、第
３図に示す如く、入力端子P1，P2間に直列接続し
たコンデンサC1，C2の外端に、NPNトランジス
タTR1とインダクタンス素子CHとNPNトランジ
スタTR2との直列回路を接続し、１次巻線NPを
分割することなくその一端をインダクタンス素子
CHの中間タツプに接続し、他端をコンデンサ
C1，C2間に接続して、トランジスタTR1，TR2に
互いに逆のオンオフ動作をくり返えさせるように
して、出力端子P3，P4へ交流電圧を供給するよう
にしてもよく、この場合、コンデンサC1に、ト
ランジスタTR1とインダクタンス素子CHの半分
と１次巻線NPとの直列回路を並列接続し、また
コンデンサC2に、トランジスタTR2とインダクタ
ンス素子CHの残り半分と１次巻線CHとの直列回
路を並列接続したこととなり、前記実施例と同様
にトランジスタTR1，TR2のコレクタ、エミツタ
間に印加される電圧を半減することができ、しか
も１次巻線NPが１本で済む。また、第４図に示
す如く、コンデンサC1，C2の外端に、インダク
タンス素子CH′とNPNトランジスタTR1とPNPト
ランジスタTR2とインダクタンス素子CH″との直
列回路を接続し、１次巻線NPの一端をトランジ
スタTR1，TR2間に接続し、他端をコンデンサ
C1，C2間に接続しても、同様な効果が得られ
る。さらに、第５図に示す如く、コンデンサ
C1，C2の直列回路にトランスT2を並列接続し、
コンデンサC1，C2間とトランスT2の中間タツプ
とを接続して、コンデンサC1，C2の電圧をその
容量によらずトランスT2のタツプ位置により決
定できるようにしてもよい。また、前記実施例で
は自励発振インバーターとなつているが、ベース
駆動回路を別にした他励インバーターにも適用す
ることができ、さらに、スイツチ素子としてトラ
ンジスタ以外のゲート、例えばGTOサイリスタ
等によりオンオフ動作させるようにしてもよい。
本発明によれば、直流電源に一対のコンデンサ
を該各コンデンサの両端電圧が電源電圧の略1/2
電圧となるように直列接続し、その各コンデンサ
に、前記スイツチ素子とインダクタンス素子と前
記１次巻線との直列回路を並列接続しているの
で、１次巻線に印加される電圧を半減することが
でき、その結果スイツチ素子に印加される電圧を
半減でき、従つてインバータ回路を高入力電源で
動作させても、低い耐圧のスイツチ素子を使用す
ることができ、安上りとなり、しかも高周波特性
も良好となる。
を該各コンデンサの両端電圧が電源電圧の略1/2
電圧となるように直列接続し、その各コンデンサ
に、前記スイツチ素子とインダクタンス素子と前
記１次巻線との直列回路を並列接続しているの
で、１次巻線に印加される電圧を半減することが
でき、その結果スイツチ素子に印加される電圧を
半減でき、従つてインバータ回路を高入力電源で
動作させても、低い耐圧のスイツチ素子を使用す
ることができ、安上りとなり、しかも高周波特性
も良好となる。
しかも、前記インダクタンス素子は、前記一対
のスイツチ素子が同時にオンとなつたとき、電流
が急増することを防止すべく同一鉄心上に巻かれ
た２線輪をもつているので、出方が緩やかに変動
する正弦波出力を得ることができ、このため例え
ば負荷を出力の急激な変動により負荷を破損乃至
損傷を与えたりするような悪影響を及ぼす惧れが
ない。また、インダクタンス素子により、スイツ
チ素子が同時にオンとなつたときに電流が急増す
ることを防止するので、スイツチ素子でのスイツ
チングロスが極力少なくなると共に、このときの
電流の急増によるスイツチ素子の破損も効果的に
防止でき、またこのためスイツチ素子が同時にオ
ンすることによる支障が生じないので、スイツチ
素子が同時にオンにならないように制御する必要
がなく、従つてスイツチ素子のスイツチングのス
ピードをはやめることが可能であるし、またスイ
ツチ素子のスイツチング制御を容易になし得、そ
の実用的効果は著大である。
のスイツチ素子が同時にオンとなつたとき、電流
が急増することを防止すべく同一鉄心上に巻かれ
た２線輪をもつているので、出方が緩やかに変動
する正弦波出力を得ることができ、このため例え
ば負荷を出力の急激な変動により負荷を破損乃至
損傷を与えたりするような悪影響を及ぼす惧れが
ない。また、インダクタンス素子により、スイツ
チ素子が同時にオンとなつたときに電流が急増す
ることを防止するので、スイツチ素子でのスイツ
チングロスが極力少なくなると共に、このときの
電流の急増によるスイツチ素子の破損も効果的に
防止でき、またこのためスイツチ素子が同時にオ
ンすることによる支障が生じないので、スイツチ
素子が同時にオンにならないように制御する必要
がなく、従つてスイツチ素子のスイツチングのス
ピードをはやめることが可能であるし、またスイ
ツチ素子のスイツチング制御を容易になし得、そ
の実用的効果は著大である。
第１図は従来例を示すインバータ回路の回路
図、第２図は本発明の一実施例を示すインバータ
回路の回路図、第３図乃至第５図は夫々他の実施
例を示すインバータ回路の回路図である。 Ｅ…直流電源、Ｔ…インバータトランス、
NP，NP′，NP″…１次巻線、NS…２次巻線、
C1，C2…コンデンサ、TR1，TR2…トランジスタ
（スイツチ素子）、CH，CH′，CH″…インダクタ
ンス素子。
図、第２図は本発明の一実施例を示すインバータ
回路の回路図、第３図乃至第５図は夫々他の実施
例を示すインバータ回路の回路図である。 Ｅ…直流電源、Ｔ…インバータトランス、
NP，NP′，NP″…１次巻線、NS…２次巻線、
C1，C2…コンデンサ、TR1，TR2…トランジスタ
（スイツチ素子）、CH，CH′，CH″…インダクタ
ンス素子。
Claims (1)
- １ インバータトランスと交互に導通する一対の
スイツチ素子とを備え、トランスの１次巻線の自
己インダクタンスと浮遊容量とを並列共振させ、
前記スイツチ素子の交互導通により、１次巻線の
直流電源を前記トランスの２次巻線側に交流電圧
として供給するようにしたインバータ回路におい
て、前記直流電源に一対のコンデンサを該各コン
デンサの両端電圧が電源電圧の略1/2電圧となる
ように直列接続し、その各コンデンサに、前記ス
イツチ素子と該スイツチ素子が同時にオンとなつ
たとき電流が急増することを防止すべく同一鉄心
上に巻かれた２線輪をもつインダクタンス素子と
前記１次巻線との直列回路を並列接続したことを
特徴とするインバータ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6635778A JPS54157218A (en) | 1978-06-01 | 1978-06-01 | Invertor circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6635778A JPS54157218A (en) | 1978-06-01 | 1978-06-01 | Invertor circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54157218A JPS54157218A (en) | 1979-12-12 |
| JPS6135790B2 true JPS6135790B2 (ja) | 1986-08-14 |
Family
ID=13313510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6635778A Granted JPS54157218A (en) | 1978-06-01 | 1978-06-01 | Invertor circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54157218A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256594U (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-24 |
-
1978
- 1978-06-01 JP JP6635778A patent/JPS54157218A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256594U (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54157218A (en) | 1979-12-12 |
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