JPS645993Y2 - - Google Patents

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JPS645993Y2
JPS645993Y2 JP2074084U JP2074084U JPS645993Y2 JP S645993 Y2 JPS645993 Y2 JP S645993Y2 JP 2074084 U JP2074084 U JP 2074084U JP 2074084 U JP2074084 U JP 2074084U JP S645993 Y2 JPS645993 Y2 JP S645993Y2
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JP
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coupled
current transformer
semiconductor switching
transformer
winding
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JP2074084U
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は半導体スイツチング素子を用いて構成
したパルス幅制御可能な自励コンバータ回路に関
するものである。
従来のこの種自励コンバータ回路は、第1図に
示すように、トランジスタ1,2の負荷となる変
圧器3に帰還巻線4を設け、その帰還巻線4から
抵抗5を通して変圧器6の1次巻線7に結合し、
この変圧器6の2次巻線8,9を前記トランジス
タ1,2のベースに結合して構成されている。な
お10は起動抵抗、11,12は入力端子、1
3,14は出力端子である。このような自励コン
バータ回路においては以下のような欠点があつ
た。
(1) 発振用変圧器6を飽和領域まで励磁するため
帰還回路15での電力消費が大きいこと。
(2) 帰還巻線4と変圧器3の2次巻線16に結合
される負荷とは等価的に並列に接続されるた
め、過負荷状態において、帰還量が不足し、発
振の開始、あるいは継続が困難となることがあ
ること。
(3) スイツチング素子であるトランジスタ1,2
に供給されるベース電流は変圧器6の2次巻線
8,9の巻線電圧と抵抗17,18によつて決
定され、コンバータ回路の負荷状態によつては
変化しない。従つて、軽負荷時、トランジスタ
1,2の蓄積時間の影響で一方のトランジスタ
1または2がターンオフ開始時に、他方2また
は1がオフとならずに両方のトランジスタ1,
2に同時に電流が流れることがあり、これは自
励コンバータ回路に極めて有害であること。
本考案は以上のような従来の問題点を解決する
ためになされたもので、2つの半導体スイツチン
グ素子と、この半導体スイツチング素子の負荷制
御側に結合された変圧器とを具備し、前記半導体
スイツチング素子の交互の開閉により変圧器の2
次側に電力を供給するようにしたコンバータ回路
において、前記半導体スイツチング素子の負荷制
御側に可飽和変流器の1次巻線を結合し、前記半
導体スイツチング素子の開閉制御側に前記可飽和
変流器の2次巻線を結合し、前記可飽和変流器の
2次巻線と直流電源入力側との間に制御回路を結
合してなることを特徴とするものである。このよ
うな構成とすることにより前述(1)(2)(3)の各欠点が
悉く解消できるものである。
以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明す
る。
第2図は本考案の第1実施例を示すもので、2
0,21は直流入力電源端子、22,23は半導
体スイツチング素子としてNPN形トランジスタ、
24は変圧器、25,26は出力端子である。
前記一方の入力端子20は変圧器24の中点に
結合され、この変圧器24の一方の1次巻線27
は一方のトランジスタ22のコレクタに、他方の
1次巻線28は他方のトランジスタ23のコレク
タにそれぞれ結合されている。また、これらのト
ランジスタ22,23のエミツタには変流器29
の1次巻線30,31が結合され、この1次巻線
30,31の中点が前記他方の入力端子21に結
合されている。前記トランジスタ22,23のベ
ースには、変流器29の2次巻線32,33が結
合され、この2次巻線32,33の中点と一方の
入力端子20の間には、起動抵抗34を挿入し、
2次巻線32,32の中点と他方の入力端子21
の間にはコンデンサ35とダイオード36からな
る制御回路37が結合されている。38は変圧器
の2次巻線で、整流ろ波回路を介して負荷(とも
に図示せず)が結合されている。
つぎに、以上のように構成された回路の作用を
説明する。
入力端子20に正、入力端子21に負の電源電
圧を加えると、起動抵抗34と2次巻線32,3
3を通してトランジスタ22,23のベースに電
流が供給される。そして、それぞれが増幅され、
コレクタ電流が流れる。このコレクタ電流のアン
バランスにより、負荷に接続された変圧器24が
励磁され、同時に変流器29も励磁される。そし
て変流器29の誘起電流によつてトランジスタ2
2,23のいずれか一方のベース電流が増加し、
他方は減少し、さらにこの正帰還によつて一方の
トランジスタが急激に導通状態となる。ここで、
トランジスタ22が導通状態とすると、1次巻線
30に流れる電流によつて2次巻線32に電流が
誘起され、この電流によつてトランジスタ22の
ベースに電流が供給される。この電流は2次巻線
32からトランジスタ22のベース、エミツタに
抜け、1次巻線30を通つてさらにダイオード3
6とコンデンサ35を経て2次巻線32に戻る。
この時、ダイオード36により電圧降下が生じそ
の電圧だけコンデンサ35の両端には電荷が蓄え
られる。その後、変流器29が磁気飽和に達する
と2次巻線32,33のインダクタンスは急激に
減少し、このうち一方の巻線32の両端に誘起さ
れていた電圧は急激に低下しトランジスタ22の
ベース電圧はコンデンサ35の負電圧と同電位と
なり、また、トランジスタ22のベース領域に蓄
積されていた蓄積電荷は磁気飽和状態にある変流
器29の巻線32を通つてコンデンサ35に放出
される。そしてトランジスタ22はオフとなり、
コレクタ、エミツタを流れる電流は急激に減少す
る。すると、変流器29による逆起電力が生じ、
トランジスタ22のベースが負電圧にバイアスさ
れるとともに、トランジスタ23に正電圧が印加
され、このトランジスタ23が導通状態となる。
そして再び前記の動作をくり返し発振が継続す
る。
第2図の第1実施例では変流器29の1次巻線
30,31をトランジスタ22,23のエミツタ
側に結合したが、第3図に示すように、コレクタ
側に結合してもよい。
つぎに、第4図は、第2図において、制御端子
39,40を設けた例を示している。すなわち、
前記変流器29に制御巻線41を設け、この制御
巻線41の中点は抵抗42を介して一方の制御端
子39に結合し、また制御巻線41の両端はダイ
オード43,44を介して他方の制御端子40に
結合する。このような構成において、制御端子3
9,40に自励周波数より短い時間内で電流を供
給することによつて変流器29を短絡状態として
トランジスタ22,3をともにオフ状態とするこ
とができる。そして再び制御端子39,40間に
流す電流を零とすると、変流器29の内部に蓄え
られた磁気エネルギーの放出による起電力が生
じ、制御端子39,40間に電流を流す前の状態
と逆のトランジスタが導通し、反転動作が行なわ
れる。従つて、制御端子39,40間のパルス電
流入力がコンバータ回路によつて分周動作を行な
い、スイツチングを行なう。このように自励コン
バータであるにも拘らず、制御入力によつて休止
期間を作ることができるため、パルス幅制御が可
能であり、かつ、外部から同期をかけることも容
易である。
制御端子39,40は第3図の実施例の場合も
設けることができ、その例が第5図に示される。
この場合の作用は、第4図と同様である。
本考案は上述のように構成したので、以下の効
果を有する。
(1) 本考案のよる自励コンバータ回路は第1図の
従来のコンバータ回路におけるような電流制限
低抗5,17,18が不要であり、帰還回路に
おける電力損失がきわめて少ない。
(2) 帰還巻線は、等価的に負荷と直列に接続され
るため負荷電流に応じて、帰還されるベース電
流も変化する。したがつてトランジスタのベー
スに常に最適な量の電流を供給することがで
き、負荷の広範囲な変化に対して安定に発振す
ることができる。
(3) 一方のトランジスタのターンオフ時には、変
流器の飽和によつて両方のトランジスタのベー
ス電圧がともに負電圧にバイアスされることに
よつて両方のトランジスタが同時にオン状態と
なることはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の自励コンバータ回路図、第2図
は本考案による自励コンバータ回路の第1実施例
を示す電気回路図、第3図、第4図および第5図
はそれぞれ本考案の第2、第3および第4実施例
を示す電気回路図である。 20,21……直流電源入力端子、22,23
……半導体スイツチング素子(トランジスタ)、
24……変圧器、25,26……出力端子、29
……変流器、30,31……1次巻線、32,3
3……2次巻線、37……制御回路、39,40
……制御端子、41……制御巻線。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 2つの半導体スイツチング素子と、この半導
    体スイツチング素子の負荷制御側に結合された
    変圧器とを具備し、前記半導体スイツチング素
    子の交互の開閉により変圧器の2次側に電力を
    供給するようにしたコンバータ回路において、
    前記半導体スイツチング素子の負荷制御側に可
    飽和変流器の1次巻線を結合し、前記半導体ス
    イツチング素子の開閉制御側に前記可飽和変流
    器の2次巻線を結合し、前記可飽和変流器の2
    次巻線と直流電源入力側との間に制御回路を結
    合してなることを特徴とする自励コンバータ回
    路。 (2) 半導体スイツチング素子はNPN形トランジ
    スタからなり、このトランジスタのエミツタに
    変流器の一次巻線を結合し、ベースに2次巻線
    を結合してなる実用新案登録請求の範囲第1項
    記載の自励コンバータ回路。 (3) 半導体スイツチング素子はNPN形トランジ
    スタからなり、このトランジスタのコレクタに
    変流器の1次巻線を結合し、ベースに2次巻線
    を結合してなる実用新案登録請求の範囲第1項
    記載の自励コンバータ回路。 (4) 変流器に制御巻線を設け、変流器に自励周波
    数より短かい時間の電流を供給して2個のトラ
    ンジスタをともにオフするようにした実用新案
    登録請求の範囲第2項または第3項記載の自励
    コンバータ回路。
JP2074084U 1984-02-16 1984-02-16 自励コンバ−タ回路 Granted JPS60135085U (ja)

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JP2074084U JPS60135085U (ja) 1984-02-16 1984-02-16 自励コンバ−タ回路

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JPS60135085U JPS60135085U (ja) 1985-09-07
JPS645993Y2 true JPS645993Y2 (ja) 1989-02-15

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