JP3371595B2 - 電流共振型スイッチング電源 - Google Patents

電流共振型スイッチング電源

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JP3371595B2 JP03293995A JP3293995A JP3371595B2 JP 3371595 B2 JP3371595 B2 JP 3371595B2 JP 03293995 A JP03293995 A JP 03293995A JP 3293995 A JP3293995 A JP 3293995A JP 3371595 B2 JP3371595 B2 JP 3371595B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明はスイッチング電源回路に
係わり、特にデッドタイムの設定を容易にすると共に、
起動時や軽負荷時における安定性を改善した電流共振型
のスイッチング電源回路に関するものである。 【0002】 【従来の技術】一般的に各種のスイッチング電源はスイ
ッチング周波数を高くすることによりトランス、その他
のデバイスを小型化することができ、DC−DCコンバ
ータとして各種の電子機器の電源として使用される。 【0003】図6に記載されているスイッチング電源回
路は、商用電源ACをブリッジ整流回路D1 に供給し、
その整流出力を平滑用のコンデンサC1 に充電すること
により先ず直流電圧を得るようにしている。Q1 、Q2
は直列に接続されているスイッチング素子でバイポーラ
トランジスタで構成されており、その中間点からドライ
ブトランスT1 のドライブコイルLD 、共振コンデンサ
4 を介して出力用の絶縁トランスT2 の1次コイルL
1 に電流を流すようにする。そして、絶縁トランスT2
の2次コイルL2 の出力をブリッジ型の整流ダイオード
4 で整流して直流電圧V0 を得る。 【0004】ドライブトランスT1 の駆動コイルLB
1 、LB2 から前記スイッチングトランジスタQ1 、Q
2 を交互にオン/オフする駆動信号が供給される。すな
わち、駆動コイルLB1 、LB2 に誘起された電圧は、
コンデンサC2 、C3 及びドライブ電流調整用の抵抗R
2 、R3 を介してスイッチング素子Q1 、Q2 のベース
電極に供給される。D2 、D3 は後で述べるようにスイ
ッチング素子Q1 、Q2 の切り換え時にデッドタイムを
与えるために、逆回復電流が比較的大きいダンパーダイ
オードで構成される。そして、このダンパーダイオード
2 、D3 とスイッチングトランジスタQ1、Q2 を構
成しているバイポーラトランジスタのベース・コレクタ
順方向接合部によって、図7(a)の等価回路に示すよ
うに、スイッチング電流が逆流する方向に導通する逆並
列ダイオードD10、D20が形成される。なお、この等価
回路は、スイッチング素子Q1 、Q2 には並列コンデン
サC5、C6 が接続され、絶縁トランスT2 を介して2
次側から直流電圧V0 を出力するハーフブリッジ型のス
イッチング電源を構成していることを示す。。 【0005】このようなハーフブリッジ型のスイッチン
グ電源は商用電源ACが供給されると起動抵抗R2 、R
3 を介していづれかのスイッチング素子が導通状態にな
り、例えばスイッチング素子Q1 がオンとなると、ドラ
イブトランスT1 の駆動コイルLB1 にスイッチング素
子Q1 をオンに駆動するためのドライブ電圧が発生する
と共に、ドライブトランスT1 の駆動コイルLB2 には
スイッチング素子Q2をオフに駆動するドライブ電圧が
発生する。そして、ドライブトランスT1 の駆動コイル
LB2 のインダクタンスとコンデンサC2 の容量で決ま
る共振周波数によって、所定時間後にスイッチング素子
1 がオフ、スイッチング素子Q2 がオンになるように
反転し、以後はこの反転動作によってスイッチング素子
1 、Q2 が交互にオン/オフ駆動されることにより、
自励発振型のスイッチング動作が継続するように構成さ
れている。 【0006】したがって、絶縁トランスT2 2次コイル
2 にこの反転動作によって交番電圧が発生し、この交
番電圧がブリッジ型の整流ダイオードD4 によって全波
整流されることにより直流電圧V0 がえられる。ところ
で、スイッチング素子Q1 のオンによって絶縁トランス
2 の1次コイルL1 には絶縁トランスT2 の漏れイン
ダクタンスと共振コンデンサC4 の共振電流IQ1 が図
7(b)のt1 期間に流れ、共振周期の半サイクルが終
了すると、整流ダイオードD4 がオフとなるが、スイッ
チング素子Q1 は期間t2 の間オンとなっており、励磁
電流を流している。 【0007】この励磁電流は共振コンデンサC4 と絶縁
トランスT2 の1次コイルL1 の共振電流となるが、こ
の共振電流が負となる前にスイッチング素子Q1 をオフ
にすると、励磁エネルギーによってスイッチング素子Q
1 、Q2 に並列に接続されている並列コンデンサC5
6 が期間t3 で充放電され、スイッチング素子Q2
逆並列ダイオードD20を導通させることができる。した
がって、この期間t3 にスイッチング素子Q2 をオンに
駆動するよう設定すると、ゼロ電圧スイッチングを行う
ことができる。このようなスイッチング動作はQ2 がオ
フ、Q1 がオンに反転する時も行われる。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】上記した切り換え時の
タイミングは、スイッチング素子Q1 、Q2 を構成する
バイポーラトランジスタのベース電流がなくなってトラ
ンジスタがオフとなるまでのストレージタイムをTS、
ベース電流が正となってトランジスタがオンとなるまで
のダンパーダイオードD2 、D3 の逆回復時間をTrr
(t4 )とすると、TS<Trrとなる場合に切り換え
時にスイッチング素子Q1 、Q2 が同時にオフとなるデ
ッドタイムが発生し、トランジスタのオン/オフ制御が
円滑に行われることになる。 【0009】しかしながら、このようなハーフブリッジ
型のスイッチング電源では、ダンパーダイオードD2
3 の逆回復時間Trrを利用して、デッドタイムを確
保するようにしていたため、回路の特性が逆回復時間の
初期値のばらつきや、温度特性等によって影響を大きく
受けることになり、最適な設計が困難になるという問題
があった。また、起動時や高入力電圧で軽負荷時にはバ
イポーラトランジスタのドライブが不足することによ
り、上記した条件が満足されない場合がある。すると、
所定のデッドタイムが得られないため、スイッチング電
源の異常な発熱や電源変換効率の低下を生じるという問
題がある。 【0010】 【課題を解決するための手段】本発明はかかる問題点を
簡単に解決するためになされたものであって、例えば直
流電圧に対してハーフブリッジ接続されたバイポーラト
ランジスタを交互に断続して絶縁トランスの1次側に交
番電流を印加し、上記絶縁トランスの2次巻線から所定
の交番電圧が得られるようにした電流共振型スイッチン
グ電源において、上記バイポーラトランジスタのベース
・エミッタ間に対して逆方向に導通特性を有する半導体
素子を接続し、該半導体素子のオフセット電圧によって
上記バイポーラトランジスタの駆動信号に逆方向のバイ
アス電圧が加わるようにしたものである。 【0011】上記半導体素子は、具体的にはツエナーダ
イオードによって構成されるが、2以上のダイオードの
直列接続によって構成することもできる。また、上記半
導体素子はツエナーダイオードとダイオードの直列接続
された回路によって構成するようにしてもよく、このよ
うな回路を並列に接続して大電力用のDC−DCコンバ
ータに適用できるようにすることもできる。 【0012】 【作用】特に、スイッチング素子としてバイポーラトラ
ンジスタを使用したハーフブリッジ型のスイッチング電
源において、バイポーラトランジスタのベース・エミッ
タ間にスイッチング素子をオン/オフする駆動信号に対
して、オフとする極性側にシフトするオフセットを有す
る半導体素子を接続しているので、スイッチング素子の
オン反転時間を電気回路的に遅くらせることができ、十
分にデッドタイムを与えることができる。 【0013】 【実施例】図1は本発明の実施例を示す電流共振型スイ
ッチング電源回路であって、前記した図6に示すよう
に、ACは交流電源、D1 はブリッジ型の整流素子を示
す。点線で囲った10の部分はハーフブリッジ型のスイ
ッチング電源部を示している。この中のQ1 、Q2 はハ
ーフブリッジ型のスイッチング回路を形成するスイッチ
ング素子であり、バイポーラトランジスタによって構成
されている。そして、その出力はドライブトランスT1
のドライブコイルLD 、共振コンデンサC4を介して絶
縁トランスT2 の1次コイルL1 に供給されている。ま
た、絶縁トランスT2 の2次コイルL2 に誘起される誘
起電圧が整流素子D4 を介して直流電圧に変換され直流
電圧V0 とされる。 【0014】本実施例の場合もドライブトランスT1
2次コイルLB1 、LB2 からは、スイッチングトラン
ジスタQ1 、Q2 を交互にオン/オフする駆動電圧が誘
起され、この誘起された電圧がコンデンサC2 、C3
びドライブ電流調整用の抵抗R2 、R3 を介してスイッ
チング素子Q1 、Q2 のベース電極に供給される。DZ
31、DZ32はツエナー電圧が、例えば2Vないし7V程
度のツエナーダイオードであって、後で述べるようにス
イッチング素子Q1 、Q2 の切り換え時にデッドタイム
を与えるために、負のバイアス電圧をドライブ電圧に重
畳するのに役立つ半導体素子である。 【0015】また、2次コイルLB1 、LB2 に並列接
続されているコンデンサC8 、C9は本発明が自励発振
を行うときに役立つ安定用のコンデンサを示す。 8
9 は、スイッチングトランジスタQ 1 、Q 2 を構成し
ているバイポーラトランジスタのベース・コレクタ順方
向接合部と共に、ダンパー電流の経路となっている。 【0016】このようなハーフブリッジ型のスイッチン
グ電源は、商用電源ACが供給されると、上記したよう
に起動抵抗R2 、R3 を介していづれかのスイッチング
素子がオンとなり、例えばスイッチング素子Q1 が先に
導通すると、ドライブトランスT1 の2次コイルLB1
にスイッチング素子Q1 をオンに駆動するための駆動電
圧が発生すると共に、ドライブトランスT1 の2次コイ
ルLB2 にはスイッチング素子Q2 をオフに駆動する駆
動電圧が発生する。ツエナーダイオードDZ31の順方向
電圧VF は、スイッチング素子Q1 を構成しているバイ
ポーラトランジスタ(Q1 )のベース・エミッタ順方向
電圧VBEより大きいため、ドライブ電圧は殆どがバイポ
ーラトランジスタのベース・エミッタ電流となってスイ
ッチング素子Q1 をオンにすることができる。 【0017】そして、ドライブトランスT1 の2次コイ
ルLB1 、及びLB2 のインダクタンスとコンデンサC
2 、C3 の容量で決まる共振周波数によって、所定時間
後にスイッチング素子Q1 がオフ、スイッチング素子Q
2 がオンに反転し、以後はこの反転動作によってスイッ
チング素子Q1 、Q2 が交互にオン/オフ駆動されるこ
とにより自励発振型のスイッチング動作が継続するよう
にドライブされる。したがって絶縁トランスT2 の2次
コイルL2 に、この反転動作によって交番電圧が発生
し、この交番電圧がブリッジ型の整流ダイオードD4
よって全波整流されることにより直流電圧V0 が出力さ
れる。 【0018】ところで、本発明の実施例の場合は、ドラ
イブトランスT1 の2次コイルLB2 に誘起される電圧
は、A点を基準としてB点、C点、D点の各電圧VAB
AC、VADは図2の(a)(b)(c)に示すような波
形になる。すなわち、2次コイルLB2 に発生する電圧
(VAB)は、上下対称の正弦波であるが、ツエナーダイ
オードDZ32の存在によって電圧VACはマイナス側にバ
イアスされた波形(b)になり、この波形が抵抗を介し
てスイッチング素子Q2 のベース・エミッタ間に供給さ
れる電圧は、VADに見られるようにオン期間でトランジ
スタが導通する信号波形になる。スイッチング素子Q1
についても同様に、そのベース・エミッタ間に印加され
る電圧VEFの波形は図2の(d)に示すようにオン期間
が形成される。したがって、電圧VAD及び電圧VEFで切
り換えられるスイッチング素子Q1 、及びQ2 は同時に
オフとなっているデッドタイムtD が存在することにな
り、このデッドタイムtD はツエナーダイオードD
31、DZ32のツエナー電圧値によって電気的な回路で
確実に設定されることになる。 【0019】また、駆動電圧がマイナス側にシフトする
ことによってスイッチング素子Q1、Q2 のオフ時のマ
イナスバイアスが増加し、スイッチング素子Q1 、Q2
がオフとなるときの蓄積時間(TS)を小さく押さえる
ことができ、この点からもデッドタイムのtD 確保が
有効に作用することになる。 【0020】図3は本発明の他の実施例を示すスイッチ
ング電源回路であって、図1に示した符号と同一部分は
同一の符号によって示されている。この実施例の場合は
絶縁トランスT2 の2次側から出力される直流電圧V0
が差動増幅器40の一方の入力端子に抵抗R11及びR12
で分圧されて供給されており、他方の入力端子には基準
電圧Er が接続されている。また、この差動増幅器40
の出力は直交型のドライブトランスT3 に巻回されてい
る制御用のコイルLC に制御電流を供給する。直交型の
ドライブトランスT3 は制御用のコイルLC に流れる制
御電流によって2次コイルLB1 、LB2 のインダクタ
ンス値が変化するように構成されており、その結果スイ
ッチング周波数が直流電圧V0 の値によって変化する。 【0021】例えば、直流電圧V0 が負荷の変動によっ
て低下すると、差動増幅器40の出力によって制御用の
コイルLC に流れる制御電流が変化し、2次コイルLB
1 、LB2 のインダクタンス値が低くなるように制御さ
れる。その結果スイッチング周波数がスイッチング回路
の共振周波数に接近するように変化し、絶縁トランスT
2 に流れる共振電流が増加して、直流電圧V0 を高くす
る方向に制御する。また、軽負荷時に直流電圧V0 が高
くなると、スイッチング周波数が増加する方向に制御さ
れ、スイッチング周波数が回路の共振周波数から離れる
方向に制御されることにより共振電流が小さくなる。そ
の結果、2次側の直流電圧V0 が低下して常に一定の出
力電圧が得られるようにしている。 【0022】図4はドライブコイルLD に外部から交番
信号が供給されることによってスイッチング電源を他励
発振型にしたときの実施例を示したものであり、図3と
同一部分は同一の符号としてその詳細な説明を省略す
る。この実施例の場合は、直流電圧V0 を検出している
差動増幅器40の出力が可変周波数発振器50に供給さ
れ、この可変周波数発振器50の出力をドライブトラン
スT1 の励磁コイルLD に供給することにより、図3の
実施例の場合と同様に直流電圧V0 の電圧値のよってス
イッチング周波数が変化し、定電圧出力が得られるよう
にしたものである。 【0023】図5はスイッチング素子となるバイポーラ
トランジスタのベース・エミッタ間に接続する半導体素
子を20として、その変形例を示したものである。この
図の(a)は前記したツエナーダイオードを2個並列に
接続してバイアスを与えるものであり、図5の(b)は
通常の順方向電圧VF を有するダイオードDを2個以上
接続する場合の構成例を示す。また、同図(C)はツエ
ナーダイオードDZ に対して順方向の通常のダイオード
Dを接続したものであり、スイッチング信号のオン電圧
が全てバイポーラトランジスタのベース・エミッタ間に
供給されるようにしたものである。さらに、図5(d)
示した半導体素子20は順方向ダイオードDを複数個接
続してバイアス電圧を得る(b)の回路において、抵抗
0 を接続して逆電圧を大きくできるようにしたもので
ある。図5(e)に示したものは、上記各回路の半導体
素子20を並列接続して使用することにより小容量の半
導体素子を使用して大電流のドライブ電流ががえられる
ように構成したものである。 【0024】なお、本発明の実施例としてはバイポーラ
トランジスタをハーフブリッジ接続した電流共振型のス
イッチング電源に適応した場合について述べたが、バイ
ポーラトランジスタを4個使用して交互にオン/オフ駆
動して、よく知られているようにフルブリッジ型のスイ
ッチング電源を構成する場合にも応用することができ、
この時もBE間ダイオードして上記したツエナーダイオ
ードDZ や、所定の直流オフセットを有する図5に例示
した半導体素子20を使用することもできる。 【0025】 【発明の効果】以上説明したように本発明の電流共振型
スイッチング電源は、特にハーフブリッジ型の電流共振
型スイッチング電源において、スイッチング素子を構成
する各バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間に
対して逆方向にオフセット電圧を持ったツェナダイオー
ドを接続し、該ツェナーダイオードが有するオフセット
電圧によって上記スイッチング素子を交互に断続するた
めに印加する駆動信号に逆方向のバイアス電圧を加え、
上記スイッチング素子の切り換え時に安定化したデッド
タイムを電気回路的に形成することができ、スイッチン
グ電源の設計が容易になるという効果が生じると共に、
その動作を安定にすることができる
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明のスイッチング電源回路の実施例を示す
回路図である。 【図2】図1においてスイッチング素子を駆動するドラ
イブ信号の波形図を示す。 【図3】本発明のスイッチング電源の他の実施例を示す
回路図である。 【図4】本発明のスイッチング電源を他励型とした実施
例を示す回路図である。 【図5】電流特性にオフセットを与える具体例を示す半
導体回路図である。 【図6】ハーフブリッジ型の電流共振型スイッチング電
源の回路図である。 【図7】ハーフブリッジ型の電流共振型のスイッチング
電源の等価回路と信号波形図である。 【符号の説明】 D1 ブリッジ型整流回路 Q1 、Q2 スイッチング素子 T1 ドライブトランス LB1 、LB2 駆動コイル C1 平滑コンデンサ C4 共振コンデンサ T2 絶縁トランス L1 1次コイル L2 2次コイル T3 直交型のドライブトランス DZ ツエナーダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H02M 7/5387 H02M 7/5387 A (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02M 7/48 H02M 3/28 H02M 7/06 H02M 7/537 H02M 7/5383 H02M 7/5387

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 直流電圧に対してフルブリッジ接続、又
    はハーフブリッジ接続されたバイポーラトランジスタを
    スイッチング素子として交互に断続し、該スイッチング
    素子によって断続された電流を共振コンデンサを介して
    絶縁トランスの1次巻線に印加し、上記絶縁トランスの
    2次巻線から所定の交番電圧が得られるようにした電流
    共振型スイッチング電源において、 上記バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間に
    対して逆方向にオフセット電圧を持ったツェナダイオー
    ドを接続し、該ツェナーダイオードが有するオフセット
    電圧によって上記スイッチング素子を交互に断続するた
    めに印加する駆動信号に逆方向のバイアス電圧を加え、
    上記スイッチング素子の切り換え時にデッドタイムが確
    保されるようにしたことを特徴とする電流共振型スイッ
    チング電源。
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JPH08214559A (ja) 1996-08-20

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