JPS613482A - 磁気抵抗器 - Google Patents
磁気抵抗器Info
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- JPS613482A JPS613482A JP59123998A JP12399884A JPS613482A JP S613482 A JPS613482 A JP S613482A JP 59123998 A JP59123998 A JP 59123998A JP 12399884 A JP12399884 A JP 12399884A JP S613482 A JPS613482 A JP S613482A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は例えは無刷子モータにおけるロータの回転速
度、ロータの回転角度位置の検出に適用でき、磁界に応
答して抵抗値が変化するこ°とにより磁界を検出する磁
気抵抗器に関する。
度、ロータの回転角度位置の検出に適用でき、磁界に応
答して抵抗値が変化するこ°とにより磁界を検出する磁
気抵抗器に関する。
「従来の技術」
従来の3相無刷子モータにおいては永久磁石のロータの
回転角度位置を検出するために、ロータの磁極を検出す
る3個のホール素子を用いると共に、回転速度を制御す
るために回転速度検出子゛段を用いていた。回転速度検
出手段として高精度のものはロータリヱンコーダが用い
られていた。このように3相無刷子モータにおいてはロ
ータの回転角度位置検出用に三つと、速度検出用に少く
とも一つとの少くとも“四つの検出素子を必要とした。
回転角度位置を検出するために、ロータの磁極を検出す
る3個のホール素子を用いると共に、回転速度を制御す
るために回転速度検出子゛段を用いていた。回転速度検
出手段として高精度のものはロータリヱンコーダが用い
られていた。このように3相無刷子モータにおいてはロ
ータの回転角度位置検出用に三つと、速度検出用に少く
とも一つとの少くとも“四つの検出素子を必要とした。
この発明の目的は例えば無刷子モータに適用してそのロ
ータの一転角度位置と、回転速度とを検出可能とするこ
とができる磁気抵抗器を提供することにある。
ータの一転角度位置と、回転速度とを検出可能とするこ
とができる磁気抵抗器を提供することにある。
「発明の構成」
この発明によれば基板上に第1、第2磁気抵抗素子がは
り平行し、かつ対向して配置され、これら第1、第2磁
気抵抗素子の幅方向上の位置からずらされてその幅方向
とはり平行して第3、第4磁気抵抗素子が上記基板上に
配される。更に第3、第4磁気抵抗素子の延長上からず
らされて上記基板上に第゛5、第6磁気抵抗累子が配さ
れる。
り平行し、かつ対向して配置され、これら第1、第2磁
気抵抗素子の幅方向上の位置からずらされてその幅方向
とはり平行して第3、第4磁気抵抗素子が上記基板上に
配される。更に第3、第4磁気抵抗素子の延長上からず
らされて上記基板上に第゛5、第6磁気抵抗累子が配さ
れる。
必要に応じて上記基板の板面とはゾ平行して上記第1〜
第4磁気抵抗素子とは1′45度で交差するバイアス磁
界を与える永久磁石が設けられる。
第4磁気抵抗素子とは1′45度で交差するバイアス磁
界を与える永久磁石が設けられる。
この永久磁石は基板に取付けてもよく、基板自体ヲ尿久
磁石として用いてもよい。
磁石として用いてもよい。
更に好ましくは上記第5、第6磁気抵抗素子は上記第1
、第2磁気抵抗素子の幅方向上の位置に配され、かつそ
の幅方向に対しはゾ45度で交差している。
、第2磁気抵抗素子の幅方向上の位置に配され、かつそ
の幅方向に対しはゾ45度で交差している。
また無刷子モータのロータ磁極の回転角度検出及び回転
速度検出に用いられる場合は、その無刷子モータの回転
部分に、回転軸を中心としてN極とS極とが交互に円形
に同一ピッチで配列されて速度検出用トラックが形成さ
れ、まfcS極とN極との組が等間隔で偶数個、上記回
転軸を中心とする同一円上に配列され、その各組のS極
とN極とは上記円上の一方の側と他方の側とに位置し、
かつ交互にS極とN極とが入れかえられた第1、第2磁
極位置検出用トラックが形成されておシ、これらに対し
この発明の磁気抵抗器はその第1、第2磁気抵抗素子は
上記速度検出用トラックと対向し、そのN極とS極との
間隔の奇数個の間隔で配置′され、上記第3、第4の磁
気抵抗素子は上記第1、第2磁極位置検出用トラックと
それぞれ対向し、上記第5、第6磁気抵抗素子は上記第
1、第2磁極位置検出用トラックと対向しないように配
置される。
速度検出に用いられる場合は、その無刷子モータの回転
部分に、回転軸を中心としてN極とS極とが交互に円形
に同一ピッチで配列されて速度検出用トラックが形成さ
れ、まfcS極とN極との組が等間隔で偶数個、上記回
転軸を中心とする同一円上に配列され、その各組のS極
とN極とは上記円上の一方の側と他方の側とに位置し、
かつ交互にS極とN極とが入れかえられた第1、第2磁
極位置検出用トラックが形成されておシ、これらに対し
この発明の磁気抵抗器はその第1、第2磁気抵抗素子は
上記速度検出用トラックと対向し、そのN極とS極との
間隔の奇数個の間隔で配置′され、上記第3、第4の磁
気抵抗素子は上記第1、第2磁極位置検出用トラックと
それぞれ対向し、上記第5、第6磁気抵抗素子は上記第
1、第2磁極位置検出用トラックと対向しないように配
置される。
「実施例」
、構成
第1図はこの発明による磁気抵抗器の例を示す。
A40g + Si 02などの酸化物系セラミック、
あるいはガラスなど、例えば厚さ0.8鱗のガラスの基
板ll上に互に平行し、かつ対向した第1、第2磁気抵
抗素子12.13が形成される。第1、第2@気抵抗素
子12.13の幅方向上の位置14からずらされ、かつ
磁気抵抗素子12.13の幅方向と平行し几第3、第4
磁気抵抗素子15,16が基板11上に形成される。こ
れら第3、第4@気抵抗素子15.16はその幅方向に
おいて互にずらされ、かつ長手方向においてはわずかず
らされている。第3、第4磁気抵抗素子15,16の砥
長上、つまシ長手方向上の位置からずらされて第5、第
61ia気抵抗素子17.18が基板ll上に形成され
る。第1図では第11第2磁気抵抗紫子12.13と第
3、第4磁気抵抗素子15.16とは各一端が比較的接
近して直角関係に配置され、これら間において第5、第
6磁気抵抗素子17゜18はその延長方向が、磁気抵抗
素子12,13゜15.16に対しは′i45度の角度
で配されている。更に第1、第2磁気抵抗素子12.1
3の幅方向上の位1114上に第5、第6磁気抵抗素子
17゜18の大部分が位置している。磁気抵抗素子12
゜13 p 15 + 16 + 17
+ 18 Fl % F6eN1 #COあるいは
これらの合金を真空蒸着、化学蒸着、スパッタリング、
化学メッキ、電気メッキなどKよシ1oo’ty−xo
oooiの磁性体薄膜として、形成した後、写真蝕刻に
よシ所要のパターンとして形成することができる。
あるいはガラスなど、例えば厚さ0.8鱗のガラスの基
板ll上に互に平行し、かつ対向した第1、第2磁気抵
抗素子12.13が形成される。第1、第2@気抵抗素
子12.13の幅方向上の位置14からずらされ、かつ
磁気抵抗素子12.13の幅方向と平行し几第3、第4
磁気抵抗素子15,16が基板11上に形成される。こ
れら第3、第4@気抵抗素子15.16はその幅方向に
おいて互にずらされ、かつ長手方向においてはわずかず
らされている。第3、第4磁気抵抗素子15,16の砥
長上、つまシ長手方向上の位置からずらされて第5、第
61ia気抵抗素子17.18が基板ll上に形成され
る。第1図では第11第2磁気抵抗紫子12.13と第
3、第4磁気抵抗素子15.16とは各一端が比較的接
近して直角関係に配置され、これら間において第5、第
6磁気抵抗素子17゜18はその延長方向が、磁気抵抗
素子12,13゜15.16に対しは′i45度の角度
で配されている。更に第1、第2磁気抵抗素子12.1
3の幅方向上の位1114上に第5、第6磁気抵抗素子
17゜18の大部分が位置している。磁気抵抗素子12
゜13 p 15 + 16 + 17
+ 18 Fl % F6eN1 #COあるいは
これらの合金を真空蒸着、化学蒸着、スパッタリング、
化学メッキ、電気メッキなどKよシ1oo’ty−xo
oooiの磁性体薄膜として、形成した後、写真蝕刻に
よシ所要のパターンとして形成することができる。
第11第2磁気抵抗素子12.13は直列に接続され、
その両端は配線21.22t−通じて端子23.24に
接続され、磁気抵抗素子12.13の接続点は配線25
を通じて端子26に接続される。第3磁気抵抗素子15
、第5磁気抵抗素子17は直列に接続され、その両端は
配線27.22をそれぞれ通じて端子28.24に接続
され、磁気抵抗素子15.17の接続点は配線29t−
通じて端子31に接続される。第4、第6磁気抵抗素子
16.18は直列に接続され、その両端はそれぞれ配線
27.22を通じて端子28.24に接続され、磁気抵
抗素子16.18の接続点は配線32を通じて端子33
に接続される。端子23,2−”42.26.28,3
1,33は基板11の一911縁部に配列されている。
その両端は配線21.22t−通じて端子23.24に
接続され、磁気抵抗素子12.13の接続点は配線25
を通じて端子26に接続される。第3磁気抵抗素子15
、第5磁気抵抗素子17は直列に接続され、その両端は
配線27.22をそれぞれ通じて端子28.24に接続
され、磁気抵抗素子15.17の接続点は配線29t−
通じて端子31に接続される。第4、第6磁気抵抗素子
16.18は直列に接続され、その両端はそれぞれ配線
27.22を通じて端子28.24に接続され、磁気抵
抗素子16.18の接続点は配線32を通じて端子33
に接続される。端子23,2−”42.26.28,3
1,33は基板11の一911縁部に配列されている。
これら配線や端子はAg s Auvpd l s、
l Pb l Cut〜あるいはこれらの合金を0.1
μm〜10μmの厚さとして形成される。配線や端子を
この例のように兼用することなく、極端な場合は各磁気
抵抗素子ごとに各別に導出してもよい。
l Pb l Cut〜あるいはこれらの合金を0.1
μm〜10μmの厚さとして形成される。配線や端子を
この例のように兼用することなく、極端な場合は各磁気
抵抗素子ごとに各別に導出してもよい。
第2図に示すように端子部を除いて基板1’lの磁気抵
抗素子、配線が形成された面上に例えは厚さ5μm程度
のポリイミド樹脂層34が形成され、更にその上にエポ
キシ樹脂層35が厚さ10μm程度に形成されて尿護#
36が設けられる。これらは共通のウェハー上゛に多数
の磁気抵抗素子を形成し、第1図に示したものを単位と
して分割して多数の磁気抵抗器を同時に作ることができ
る。更に第2図に示すように基板11の磁気抵抗素子が
形成された面と反対の面に、例えば厚さが0.5語程度
のストロ/チウムフェライトのような永久磁石37をエ
ポキシ樹脂のような接着剤@38にて取付ける。この接
着剤層38は50μm程度の厚さとされる。永久磁石3
7のN極とS極とは基板11側の面において第5、第6
磁気抵抗素子17゜18の延長方向(長手方向)と平行
に配列され、基板11と平行な面内で第1、第?、第3
及び第4磁気抵抗素子12.13.15及び16に対し
その各長手方向とはゾ45度で交差するバイアス磁界が
与えられ、かつ第7、第6FB気抵抗素子17゜18に
その長手方向に沿ったバイアス磁界が与えられる。永久
磁石37の代シに基板11自体會同様に着磁してもよい
。
抗素子、配線が形成された面上に例えは厚さ5μm程度
のポリイミド樹脂層34が形成され、更にその上にエポ
キシ樹脂層35が厚さ10μm程度に形成されて尿護#
36が設けられる。これらは共通のウェハー上゛に多数
の磁気抵抗素子を形成し、第1図に示したものを単位と
して分割して多数の磁気抵抗器を同時に作ることができ
る。更に第2図に示すように基板11の磁気抵抗素子が
形成された面と反対の面に、例えば厚さが0.5語程度
のストロ/チウムフェライトのような永久磁石37をエ
ポキシ樹脂のような接着剤@38にて取付ける。この接
着剤層38は50μm程度の厚さとされる。永久磁石3
7のN極とS極とは基板11側の面において第5、第6
磁気抵抗素子17゜18の延長方向(長手方向)と平行
に配列され、基板11と平行な面内で第1、第?、第3
及び第4磁気抵抗素子12.13.15及び16に対し
その各長手方向とはゾ45度で交差するバイアス磁界が
与えられ、かつ第7、第6FB気抵抗素子17゜18に
その長手方向に沿ったバイアス磁界が与えられる。永久
磁石37の代シに基板11自体會同様に着磁してもよい
。
この発明の磁気抵抗iはモータ用磁気トラック検出用素
子に適するものである。このモータ用磁気トラックにつ
いて説明する。第3図は無刷子モータの一例を示し、回
転軸41が軸受42’(+−介して取付板43に挿通し
て回転自在に取付けられている。取付板43の一面にス
テータヨーク44が取付けられ、そのステータヨーク4
4上にステータコイルのスタック45が取付けられてい
る。コイルスタック45と近接対向してロータ永久磁石
46が配され、ロータ永久磁石46はロータヨーク47
にてプシツシュ48を介して回転軸41に取付けられる
。
子に適するものである。このモータ用磁気トラックにつ
いて説明する。第3図は無刷子モータの一例を示し、回
転軸41が軸受42’(+−介して取付板43に挿通し
て回転自在に取付けられている。取付板43の一面にス
テータヨーク44が取付けられ、そのステータヨーク4
4上にステータコイルのスタック45が取付けられてい
る。コイルスタック45と近接対向してロータ永久磁石
46が配され、ロータ永久磁石46はロータヨーク47
にてプシツシュ48を介して回転軸41に取付けられる
。
ロータヨーク47に回転軸41を中心とするモータ用磁
気トラック49がリング状に取付けられ −る。この
例ではロータヨーク47の外周縁が斜めに″取付板43
1111に一4VC延長され、その延長部47a上にモ
ータ用磁気トラック49が取付けられ、軸方向の長さを
長くすることなく磁気トラック49の幅を比較的大とし
ている。
気トラック49がリング状に取付けられ −る。この
例ではロータヨーク47の外周縁が斜めに″取付板43
1111に一4VC延長され、その延長部47a上にモ
ータ用磁気トラック49が取付けられ、軸方向の長さを
長くすることなく磁気トラック49の幅を比較的大とし
ている。
モータ用磁気トラック49は第4図に展開して示すよう
に速度検出用トラック51と、第1、第2磁極位置検出
用トラック52.53との三つのトラックが回転軸41
t−中心とする円をそれぞれ形成するように構成される
。速度検出用トラック51はN極とS極とが交互に同一
ピッチでそのトラック51に沿って配列されている。第
1磁極位置検出用トラック52はN極とS極との組が等
間隔でそのトラック52に沿って配列され、その磁極の
各組はそれぞれその配列用の一側にS極が他側にN極が
位置され、かつそのS極、N極が交互に入れかえられて
いる。またこのN極、S極の組の数は偶数個であり、そ
の数はモータの相数で決まる。第2磁極位置検出用トラ
ック53本第1磁極位賃検出用トラック52と同一に構
成され、一般に角度的にずらされている。
に速度検出用トラック51と、第1、第2磁極位置検出
用トラック52.53との三つのトラックが回転軸41
t−中心とする円をそれぞれ形成するように構成される
。速度検出用トラック51はN極とS極とが交互に同一
ピッチでそのトラック51に沿って配列されている。第
1磁極位置検出用トラック52はN極とS極との組が等
間隔でそのトラック52に沿って配列され、その磁極の
各組はそれぞれその配列用の一側にS極が他側にN極が
位置され、かつそのS極、N極が交互に入れかえられて
いる。またこのN極、S極の組の数は偶数個であり、そ
の数はモータの相数で決まる。第2磁極位置検出用トラ
ック53本第1磁極位賃検出用トラック52と同一に構
成され、一般に角度的にずらされている。
このモータ用磁気トラック49に対し、この発明の磁気
抵抗器54は第5図に示す°関係で配される。即ち第1
、第2磁気抵抗素子12.13は速度検出用トラック5
1と対向し、かつそのS極とN極との間隔の奇数倍の間
隔と、磁気抵抗素子12゜13の間隔とを等しくする。
抵抗器54は第5図に示す°関係で配される。即ち第1
、第2磁気抵抗素子12.13は速度検出用トラック5
1と対向し、かつそのS極とN極との間隔の奇数倍の間
隔と、磁気抵抗素子12゜13の間隔とを等しくする。
また第3、第4磁気抵抗素子15.16は一第1、第2
磁極位置検出用トラック52.53の各組のN極とS極
との境界線上に沿ってそれぞれ配される。更にM5.第
6磁気抵抗素子17.18はその大部分が速度検出用ト
ラック51と対向し、かつこの例では常に複数の磁極と
対向している。バイアス磁界Hbは速度検出用トラック
51の各磁極の磁界よシ十分大とされる。
磁極位置検出用トラック52.53の各組のN極とS極
との境界線上に沿ってそれぞれ配される。更にM5.第
6磁気抵抗素子17.18はその大部分が速度検出用ト
ラック51と対向し、かつこの例では常に複数の磁極と
対向している。バイアス磁界Hbは速度検出用トラック
51の各磁極の磁界よシ十分大とされる。
例えば第6図に示すように取付板43上にモータ用磁気
トラック49と近接対向して保持片55が堰付けられ、
保持片55に磁気抵抗器54がモータ用磁気トラック4
9と対向して固定される。
トラック49と近接対向して保持片55が堰付けられ、
保持片55に磁気抵抗器54がモータ用磁気トラック4
9と対向して固定される。
保持片55から図に示してないが磁気抵抗器54に対す
るリード線が導出されている。モータのコイルスタック
45に対する端子56が取付板43上に導出されている
。モータ用磁気トラック49はF6 r Ni + C
o+ CfI# 8m+ Lur C6などの合金やF
e、co、Orなどの酸化物やBaミツエライト St
フェライトなどの蒸着膜やその粉末を樹脂材をバインダ
とした膜に磁極して各トラック51,52゜53を形成
して作ることができる。
るリード線が導出されている。モータのコイルスタック
45に対する端子56が取付板43上に導出されている
。モータ用磁気トラック49はF6 r Ni + C
o+ CfI# 8m+ Lur C6などの合金やF
e、co、Orなどの酸化物やBaミツエライト St
フェライトなどの蒸着膜やその粉末を樹脂材をバインダ
とした膜に磁極して各トラック51,52゜53を形成
して作ることができる。
動作原理
磁気抵抗素子57は第7図に示すようにその長手方向を
X軸、幅方向をY軸、厚さ方向1−2軸とする時、磁化
され易い方向はx>y>zの関係であシ、これは寸法比
で決まる。磁気抵抗素子57は強磁性体でおるから磁気
モーメントを本っているが外部磁界がゼロの時は最も磁
化され易い方向に磁化されている。磁気抵抗素子57の
長手方向(X軸方向)に電流を流した場合、磁気抵抗素
子57のX軸方向の抵抗Rは次式で巽わせる。
X軸、幅方向をY軸、厚さ方向1−2軸とする時、磁化
され易い方向はx>y>zの関係であシ、これは寸法比
で決まる。磁気抵抗素子57は強磁性体でおるから磁気
モーメントを本っているが外部磁界がゼロの時は最も磁
化され易い方向に磁化されている。磁気抵抗素子57の
長手方向(X軸方向)に電流を流した場合、磁気抵抗素
子57のX軸方向の抵抗Rは次式で巽わせる。
R= R,1li−θ+R□1(ロ)リ α
)XY面内でX軸に対し角度θをもって外部磁界Hが与
えられており、θ=1の時の抵抗がRL、θ=0の時の
抵抗がR1□であシ、磁気抵抗素子の抵抗値変化(電流
と直角方向の磁界により抵抗値が下る)は比較的弱い磁
界で飽和してしまい、R山、R1,はその飽和値であり
、磁界の強さに関係しないR山<R,□である。外部磁
界θを変化させると抵抗Rは第8図に示すように変化す
る。バイアス磁界を与えることなく、Y軸方向の外部磁
界H8の強さを変化すると抵抗Rは第9図に示すように
磁界〜=0で最大値R1□となシ、磁界の方向に拘らず
Hyが太麺<灸ると抵抗Rは減少する。ヒステリシスが
アシ、これはHy=0付近で大きく現われる。
)XY面内でX軸に対し角度θをもって外部磁界Hが与
えられており、θ=1の時の抵抗がRL、θ=0の時の
抵抗がR1□であシ、磁気抵抗素子の抵抗値変化(電流
と直角方向の磁界により抵抗値が下る)は比較的弱い磁
界で飽和してしまい、R山、R1,はその飽和値であり
、磁界の強さに関係しないR山<R,□である。外部磁
界θを変化させると抵抗Rは第8図に示すように変化す
る。バイアス磁界を与えることなく、Y軸方向の外部磁
界H8の強さを変化すると抵抗Rは第9図に示すように
磁界〜=0で最大値R1□となシ、磁界の方向に拘らず
Hyが太麺<灸ると抵抗Rは減少する。ヒステリシスが
アシ、これはHy=0付近で大きく現われる。
第8図の曲線から理解されるように、外部磁界の方向θ
の変化に対し抵抗Rが大きく変化するのはθ=−付近で
あり、θ=1の時のRは最大値R1、と最小値&との中
央値であり、この付近ではθが変化の方向によって抵抗
Rが増加又は減少する・θ=−の時の抵抗RriB)式
で表わせる。
の変化に対し抵抗Rが大きく変化するのはθ=−付近で
あり、θ=1の時のRは最大値R1、と最小値&との中
央値であり、この付近ではθが変化の方向によって抵抗
Rが増加又は減少する・θ=−の時の抵抗RriB)式
で表わせる。
R=−RL十−R11(2)
θ=iの方向にバイアス磁界Kbk与え、この状態でY
軸方向の磁界Hyt加えると、Hyによって抵抗Rは第
10図に示すように変化する。この時はHア=θ付近で
ヒステリシスは僅かしか現われず、ま−fi:、H,=
Oよシ磁界H8の極性によシ抵抗は1増加又は減少する
。
軸方向の磁界Hyt加えると、Hyによって抵抗Rは第
10図に示すように変化する。この時はHア=θ付近で
ヒステリシスは僅かしか現われず、ま−fi:、H,=
Oよシ磁界H8の極性によシ抵抗は1増加又は減少する
。
動 作
第1図中の磁気抵抗素子はその互に直列に接続され次も
の12と13.15と17.16と18とはそれぞれ第
11図A、B、Cに示す分圧回路を構成している。これ
ら直列磁気抵抗素子の各両端間に一定電圧Viを印加し
てそれぞれ直流電流をその長手方向に流しである。先に
述べたようにバイアス磁界Hbが磁気抵抗素子12,1
3.15゜16に対しそれぞれθ=45度方向で与えら
れ、磁気抵抗素子17.18にはX軸方向で与えられる
。
の12と13.15と17.16と18とはそれぞれ第
11図A、B、Cに示す分圧回路を構成している。これ
ら直列磁気抵抗素子の各両端間に一定電圧Viを印加し
てそれぞれ直流電流をその長手方向に流しである。先に
述べたようにバイアス磁界Hbが磁気抵抗素子12,1
3.15゜16に対しそれぞれθ=45度方向で与えら
れ、磁気抵抗素子17.18にはX軸方向で与えられる
。
モータ用磁気トラック49が回転軸41の回転によシ回
転すると、速度検出用トラック51の磁極による磁界H
7は磁気抵抗素子12.13の一方と他方とで互に逆向
きとなっている。従ってバイアス磁界Hbと町との合成
磁界のθは、磁気抵抗素子12.13の一方に対して抵
抗Rが増加する方向の時、他方に対して抵抗Rは減少す
る方向となる。モータ用磁気トラック49の回転によシ
この磁気抵抗素子12.xsog蝋杭、゛R1め一方が
減劣し一他方が増加することが交互に行われる。もし各
抵抗Rが最大R11、最小R,までそれぞれ変化し友と
すると、端子26には E・=RL−R・・・Vi (3)なる交
流出力が得られる。トラック51の磁極の数が409”
1.ら端子26に得られる交流出力の波の数は回転軸4
1の1回転で200回であり、この交流出力の周波数は
回転速度に比例する。
転すると、速度検出用トラック51の磁極による磁界H
7は磁気抵抗素子12.13の一方と他方とで互に逆向
きとなっている。従ってバイアス磁界Hbと町との合成
磁界のθは、磁気抵抗素子12.13の一方に対して抵
抗Rが増加する方向の時、他方に対して抵抗Rは減少す
る方向となる。モータ用磁気トラック49の回転によシ
この磁気抵抗素子12.xsog蝋杭、゛R1め一方が
減劣し一他方が増加することが交互に行われる。もし各
抵抗Rが最大R11、最小R,までそれぞれ変化し友と
すると、端子26には E・=RL−R・・・Vi (3)なる交
流出力が得られる。トラック51の磁極の数が409”
1.ら端子26に得られる交流出力の波の数は回転軸4
1の1回転で200回であり、この交流出力の周波数は
回転速度に比例する。
磁気抵抗素子17.18はその長手方向にトラック51
の磁極による磁界Hyと比較して太き表バイアス磁界島
がそのX軸方向に印加されているため、トラック51の
移動に対して磁気抵抗素子17゜18に″与えられる外
部磁界の方向はθ=+0で61、その抵抗Rはほとんど
変化せずはソ一定IRよ、でおる。磁気抵抗素子15.
16はそれぞれ磁極位置検出用トラック52.53上に
おいてその磁極の組と対向している時にはその磁極によ
りHyが加わ多磁極の組と対向していない時に対し各抵
抗Rが変化し、しかもその変化の方向は磁極の組の磁界
方向がトラックに沿って交互に変化している九め、抵抗
Rの増加と減少とが交互に行われる。この抵抗Rが最大
R11と砲との間で変化したとすると、端子31.33
にはそれぞれ なる大きさの交流出力が得られる。
の磁極による磁界Hyと比較して太き表バイアス磁界島
がそのX軸方向に印加されているため、トラック51の
移動に対して磁気抵抗素子17゜18に″与えられる外
部磁界の方向はθ=+0で61、その抵抗Rはほとんど
変化せずはソ一定IRよ、でおる。磁気抵抗素子15.
16はそれぞれ磁極位置検出用トラック52.53上に
おいてその磁極の組と対向している時にはその磁極によ
りHyが加わ多磁極の組と対向していない時に対し各抵
抗Rが変化し、しかもその変化の方向は磁極の組の磁界
方向がトラックに沿って交互に変化している九め、抵抗
Rの増加と減少とが交互に行われる。この抵抗Rが最大
R11と砲との間で変化したとすると、端子31.33
にはそれぞれ なる大きさの交流出力が得られる。
例えば第4図Aのモータ用磁気トラックが移動した時、
出力端子26.31.33にはそれぞれ第4図Bに示す
ような交流出力61,62.63が得られる。磁極位置
検出用トラック52.53の各磁極の組と、モータのロ
ータ永久磁石46の各磁極との角度位置関係が対応ずけ
られているため、端子31.33の交流出力からモータ
のステータコイルに対する駆動制御のためのタイミング
信号を得ることができる。
出力端子26.31.33にはそれぞれ第4図Bに示す
ような交流出力61,62.63が得られる。磁極位置
検出用トラック52.53の各磁極の組と、モータのロ
ータ永久磁石46の各磁極との角度位置関係が対応ずけ
られているため、端子31.33の交流出力からモータ
のステータコイルに対する駆動制御のためのタイミング
信号を得ることができる。
なお各磁気抵抗素子としては第1図にも示しているよう
に、必要な抵抗値ヲ得るようにまた誘導起電力を打消す
ように折返しジグザグなバター/として構成してもよい
。速度検出用トラック51に対しては、更に二つの磁気
抵抗素子を素子1213と同様に、位置をずらして設け
て1回転当シの出力パルス数が多く得られるようにする
と共に回転方向の検出もできるようにすることもできる
。
に、必要な抵抗値ヲ得るようにまた誘導起電力を打消す
ように折返しジグザグなバター/として構成してもよい
。速度検出用トラック51に対しては、更に二つの磁気
抵抗素子を素子1213と同様に、位置をずらして設け
て1回転当シの出力パルス数が多く得られるようにする
と共に回転方向の検出もできるようにすることもできる
。
バイアス磁界HbはそのY軸方向成分の絶対値がトラッ
ク51,52.53による磁界Hy道対値とはゾ等しい
が大きくすることが好ましい。バイアス磁界Hbは基板
11とは離されたコイル又は磁石によシ与えてもよい。
ク51,52.53による磁界Hy道対値とはゾ等しい
が大きくすることが好ましい。バイアス磁界Hbは基板
11とは離されたコイル又は磁石によシ与えてもよい。
磁気抵抗素子17.18はトラック51と対向しないよ
うに設けてもよく、その場合はこの磁気抵抗素子17.
18の方向は任意にとることができる。上述では2相モ
ータに対する磁極位置検出を行う場合につき示したが、
3相モータの場合は磁極位置検出用トラックを更に1本
増加し、これと対向する磁気抵抗素子と対向しないもの
とを基板11に形成する。モータ用磁気トラック49は
ロータヨークの11)1面の与ならずその板面に設けて
もよく、回転軸に取付けたものに形成してもよい。
うに設けてもよく、その場合はこの磁気抵抗素子17.
18の方向は任意にとることができる。上述では2相モ
ータに対する磁極位置検出を行う場合につき示したが、
3相モータの場合は磁極位置検出用トラックを更に1本
増加し、これと対向する磁気抵抗素子と対向しないもの
とを基板11に形成する。モータ用磁気トラック49は
ロータヨークの11)1面の与ならずその板面に設けて
もよく、回転軸に取付けたものに形成してもよい。
「発明の効果」
以上述べたようにこの発明の磁気抵抗器によれば一つの
素子でモータの速度検出、磁極位置検出が可能であシ、
取扱いに便利であり、かつ小形に作ることができる。し
かも同−上に各磁気抵抗素子が形成されているため、周
囲温度の変化や経時変化の影Wt受は雌いようにするこ
とができる。
素子でモータの速度検出、磁極位置検出が可能であシ、
取扱いに便利であり、かつ小形に作ることができる。し
かも同−上に各磁気抵抗素子が形成されているため、周
囲温度の変化や経時変化の影Wt受は雌いようにするこ
とができる。
磁気抵抗素子17 、 I El速度検出用トラック5
1と対向させるように配置する時は全体の構成を小さく
することができ、しかもバイアス磁界の方向と、磁気抵
抗素子17.18の方向とによシトラック51の影響を
なくすことができる。またバイアス磁界のための磁石を
基板と一体に設ける時は取扱い、取付けが頗る便利とな
る。
1と対向させるように配置する時は全体の構成を小さく
することができ、しかもバイアス磁界の方向と、磁気抵
抗素子17.18の方向とによシトラック51の影響を
なくすことができる。またバイアス磁界のための磁石を
基板と一体に設ける時は取扱い、取付けが頗る便利とな
る。
第1図はこの発明による磁気抵抗器の一例を示す平面図
、第2図はこの発明の磁気抵抗器の他の例を示す外観斜
視図、第3図は無刷子モータの一例の一半部を示す断面
図、第4図Aはモータ用磁気トラック490例を示す展
開図、第4図Bは磁気抵抗器出力の例を示す波形図、第
5図は、モータ用磁気トラック49と磁気抵抗器54と
の配置関係の例を示す図、第6図は無刷子モータにこの
発明の磁気抵抗器を取付けた例を示す正面図、第7図は
一つの磁気抵抗素子を示す斜視図、第8図は外部磁界の
方向θと抵抗Rとの関係を示す図、第9図はバイアス磁
界なしの状態でのY軸方向の磁界IEiy’を変化させ
た時の抵抗Rの変化を示す図、第10図はθ=45°の
バイアス磁界を与えた状態でのH7の変化とRとの関係
を示す図、第11図は磁気抵抗素子12.13と15.
16と17.18との各等価回路図である。 特許出願人 勧業電気機器株式会社 本5゛図 本 6オ オ 7回 冷 8圓
、第2図はこの発明の磁気抵抗器の他の例を示す外観斜
視図、第3図は無刷子モータの一例の一半部を示す断面
図、第4図Aはモータ用磁気トラック490例を示す展
開図、第4図Bは磁気抵抗器出力の例を示す波形図、第
5図は、モータ用磁気トラック49と磁気抵抗器54と
の配置関係の例を示す図、第6図は無刷子モータにこの
発明の磁気抵抗器を取付けた例を示す正面図、第7図は
一つの磁気抵抗素子を示す斜視図、第8図は外部磁界の
方向θと抵抗Rとの関係を示す図、第9図はバイアス磁
界なしの状態でのY軸方向の磁界IEiy’を変化させ
た時の抵抗Rの変化を示す図、第10図はθ=45°の
バイアス磁界を与えた状態でのH7の変化とRとの関係
を示す図、第11図は磁気抵抗素子12.13と15.
16と17.18との各等価回路図である。 特許出願人 勧業電気機器株式会社 本5゛図 本 6オ オ 7回 冷 8圓
Claims (1)
- (1)基板と、その基板の上にほゞ平行に対向配置され
た第1、第2磁気抵抗素子と、これら第1、第2磁気抵
抗素子の幅方向上の位置から異なる位置にずらされ、か
つその幅方向と平行して上記基板上に配置された第3、
第4磁気抵抗素子と、これら第3、第4磁気抵抗素子の
延長上からずらされて上記基板上に配置された第5、第
6磁気抵抗素子とを具備する磁気抵抗器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59123998A JPS613482A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-16 | 磁気抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59123998A JPS613482A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-16 | 磁気抵抗器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS613482A true JPS613482A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14874504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59123998A Pending JPS613482A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-16 | 磁気抵抗器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS613482A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6472573A (en) * | 1987-09-12 | 1989-03-17 | Japan Servo | Magnetic sensor |
US7832085B2 (en) * | 2007-03-16 | 2010-11-16 | Tdk Corporation | Method of manufacturing magnetic head and method of manufacturing magnetic head substructure |
-
1984
- 1984-06-16 JP JP59123998A patent/JPS613482A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6472573A (en) * | 1987-09-12 | 1989-03-17 | Japan Servo | Magnetic sensor |
US7832085B2 (en) * | 2007-03-16 | 2010-11-16 | Tdk Corporation | Method of manufacturing magnetic head and method of manufacturing magnetic head substructure |
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