JPS6130661A - 被膜形成装置 - Google Patents
被膜形成装置Info
- Publication number
- JPS6130661A JPS6130661A JP15000384A JP15000384A JPS6130661A JP S6130661 A JPS6130661 A JP S6130661A JP 15000384 A JP15000384 A JP 15000384A JP 15000384 A JP15000384 A JP 15000384A JP S6130661 A JPS6130661 A JP S6130661A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- adhesion
- substrate
- adhesion prevention
- evaporation source
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ等の被膜形成装置
に関するものである。
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来の真空蒸着装置等の被膜形成装置の内部構造物の表
面は、ガス吸着防止のために、パフ仕上等による鏡面処
理が施こされていた。しかし、この表面に堆積する堆積
膜が剥離し、被処理物に再付着し、ピンホール等の不良
が発生することを防２ぺ−７ 止するために、近年、第１図のように被膜形成装置のチ
ャンバ内の内部構造物の表面は凹凸化加工がなされてき
た。以下に従来例について第１図を参照しながら説明す
る。被膜形成装置のチャンバ内の内部構造物１の表面に
堆積する堆積物２は、この表面で凝縮して堆積する際に
、内部にひずみがたまり大きな内部応力が発生する。内
部応力が堆積物２の内部構造物１表面への付着力より大
きくなると剥離が生じる。この内部応力を緩和するため
に内部構造物１の表面をホーニング、サンドブラスト、
エツチングなどによって加工して凹凸化し、内部応力に
よる堆積物２の剥離を防止していた。しかしながら上記
の構成では、チャンバ内の内部構造物２の表面が凹凸な
ため、表面にガスが吸着してチャンバ内の充分な排気が
できない。また、内部構造物２表面の凹凸化だけでは、
堆積物２の内部応力を充分緩和できず、堆積物２の剥離
を完全に防止することができないという欠点を有してい
た。
面は、ガス吸着防止のために、パフ仕上等による鏡面処
理が施こされていた。しかし、この表面に堆積する堆積
膜が剥離し、被処理物に再付着し、ピンホール等の不良
が発生することを防２ぺ−７ 止するために、近年、第１図のように被膜形成装置のチ
ャンバ内の内部構造物の表面は凹凸化加工がなされてき
た。以下に従来例について第１図を参照しながら説明す
る。被膜形成装置のチャンバ内の内部構造物１の表面に
堆積する堆積物２は、この表面で凝縮して堆積する際に
、内部にひずみがたまり大きな内部応力が発生する。内
部応力が堆積物２の内部構造物１表面への付着力より大
きくなると剥離が生じる。この内部応力を緩和するため
に内部構造物１の表面をホーニング、サンドブラスト、
エツチングなどによって加工して凹凸化し、内部応力に
よる堆積物２の剥離を防止していた。しかしながら上記
の構成では、チャンバ内の内部構造物２の表面が凹凸な
ため、表面にガスが吸着してチャンバ内の充分な排気が
できない。また、内部構造物２表面の凹凸化だけでは、
堆積物２の内部応力を充分緩和できず、堆積物２の剥離
を完全に防止することができないという欠点を有してい
た。
発明の目的
３ペー。
本発明は上記欠点に鑑み、表面に吸着したガスを簡単に
取り除くことができ、また堆積物の剥離、落下を防止す
る防着板を有する被膜形成装置を提供するものである。
取り除くことができ、また堆積物の剥離、落下を防止す
る防着板を有する被膜形成装置を提供するものである。
発明の構成
本発明の装置は、ヒーターによ多温度制御された防着板
を有する被膜形成装置であり、ヒーター加熱で容易に防
着板の脱ガスができると共に、堆積物の付着力を強める
と共に内部応力を減少させ剥離を防止することができる
ものである。
を有する被膜形成装置であり、ヒーター加熱で容易に防
着板の脱ガスができると共に、堆積物の付着力を強める
と共に内部応力を減少させ剥離を防止することができる
ものである。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第２図において、３は内部を排気したチャンバ
、４はチャンバ内部に設置され被膜が形成される基板、
６は基板３と対向して設置され被膜形成物の蒸気を発生
する蒸発源、６は蒸発源５から基板４への蒸気流を遮り
、被膜形成を制御するシャッタ、７はチャンバ３内壁と
シャッタ６の蒸発源５対向面に設置された防着ユニット
である。第３図に防着ユニットの構成を示す。８は蒸発
源５から飛翔した被膜形成物が堆積する防、着板、９は
防着板を支持する取付ホルダー、１゜は取付ホルダうに
設置され、防着板８を加熱するヒーター、１１は防着板
８の前面に位置し、取付ホルダー９に取り付けられたメ
ソシュである。
明する。第２図において、３は内部を排気したチャンバ
、４はチャンバ内部に設置され被膜が形成される基板、
６は基板３と対向して設置され被膜形成物の蒸気を発生
する蒸発源、６は蒸発源５から基板４への蒸気流を遮り
、被膜形成を制御するシャッタ、７はチャンバ３内壁と
シャッタ６の蒸発源５対向面に設置された防着ユニット
である。第３図に防着ユニットの構成を示す。８は蒸発
源５から飛翔した被膜形成物が堆積する防、着板、９は
防着板を支持する取付ホルダー、１゜は取付ホルダうに
設置され、防着板８を加熱するヒーター、１１は防着板
８の前面に位置し、取付ホルダー９に取り付けられたメ
ソシュである。
以上のように構成された被膜形成装置について、以下そ
の動作を説明する。
の動作を説明する。
蒸発源５から飛翔した被膜形成物の堆積分子は防着板８
上で冷却され凝縮、固化し、防着板８に付着する。ここ
で、防着板８をヒーター１ｏにより加熱すると以下に述
べる２つの理由から堆積物の剥離が防止できる。第１に
加熱により堆積物と防着板８の間で原子の相互拡散が起
こり、堆積物と防着板８の界面が消滅し、堆積部の付着
力が増加する。第５図に付着力の温度依存性を示す。温
度を上げれば付着力が増加し、剥離を防止できる。
上で冷却され凝縮、固化し、防着板８に付着する。ここ
で、防着板８をヒーター１ｏにより加熱すると以下に述
べる２つの理由から堆積物の剥離が防止できる。第１に
加熱により堆積物と防着板８の間で原子の相互拡散が起
こり、堆積物と防着板８の界面が消滅し、堆積部の付着
力が増加する。第５図に付着力の温度依存性を示す。温
度を上げれば付着力が増加し、剥離を防止できる。
第２に加熱により堆積物の内部応力を緩和する。
堆積原子が飛翔して防着板８上で凝縮する際、防着板８
と堆積物の原子間の相互作用などのために、堆積原子の
運動が束縛される一方で、その運動工６ページ ネルギーは急速に拡散し、堆積物内部での原子の再配列
が妨げられる。その結果、堆積物にひずみがたまる。し
たがって、この状態で発生する堆積物の内部応力は、堆
積原子が凝縮、固化するときの構造不整の非整和に基づ
くひずみエネルギーの蓄積の結果である。前記の内部応
力を緩和するために防着板８を加熱すると、堆積原子の
再配置列を促し、堆積物内部のひずみエネ゛ルギーを減
少させる。第６図に内部応力の温度依存特性を示す０防
着板８を加熱することにより堆積物の付着力を強め、内
部応力を緩和し、剥離を防止する。なお、蒸発源６から
の輻射熱による防着板８のそり等を考慮して、防着板８
が一定温度以上にならないように温度制御を行う。
と堆積物の原子間の相互作用などのために、堆積原子の
運動が束縛される一方で、その運動工６ページ ネルギーは急速に拡散し、堆積物内部での原子の再配列
が妨げられる。その結果、堆積物にひずみがたまる。し
たがって、この状態で発生する堆積物の内部応力は、堆
積原子が凝縮、固化するときの構造不整の非整和に基づ
くひずみエネルギーの蓄積の結果である。前記の内部応
力を緩和するために防着板８を加熱すると、堆積原子の
再配置列を促し、堆積物内部のひずみエネ゛ルギーを減
少させる。第６図に内部応力の温度依存特性を示す０防
着板８を加熱することにより堆積物の付着力を強め、内
部応力を緩和し、剥離を防止する。なお、蒸発源６から
の輻射熱による防着板８のそり等を考慮して、防着板８
が一定温度以上にならないように温度制御を行う。
また、防着板８交換などで防着板８の表面に吸着してい
るガスもヒーター加熱により容易に取り除くことｉでき
、チャンバ３を被膜形成に必要な真空度にするだめの排
気時間を大巾に短縮している。このことにより、従来問
題となっていた被膜形成装置の生産性を大巾に向上して
いる。
るガスもヒーター加熱により容易に取り除くことｉでき
、チャンバ３を被膜形成に必要な真空度にするだめの排
気時間を大巾に短縮している。このことにより、従来問
題となっていた被膜形成装置の生産性を大巾に向上して
いる。
６ ベー／
防着板８の堆積物の膜厚が極めて厚くなった場合や、防
着板８交換時の衝撃によって生じる堆積物の塊状剥離、
落下防止のために、メツシュ１１を防着板８の前面に取
りつけている。ニッケルの真空蒸着をした場合では、堆
積物の塊状落下物の外径は、はとんど６闘以上であった
。したがって、網目径４ｒｒｒｍ以下のメツシュ１１を
取り付けている。
着板８交換時の衝撃によって生じる堆積物の塊状剥離、
落下防止のために、メツシュ１１を防着板８の前面に取
りつけている。ニッケルの真空蒸着をした場合では、堆
積物の塊状落下物の外径は、はとんど６闘以上であった
。したがって、網目径４ｒｒｒｍ以下のメツシュ１１を
取り付けている。
以上のように、温度制御を行った防着板とメツシュによ
り構成される防着ユニットを用いることにより、堆積物
の剥離、落下を防止し、本装置で形成した被膜への剥離
物の落下をなくシ、被膜の品質を安定化できると共に、
チャンバの排気速度を短縮することにより、被膜形成の
生産性を向上できる。
り構成される防着ユニットを用いることにより、堆積物
の剥離、落下を防止し、本装置で形成した被膜への剥離
物の落下をなくシ、被膜の品質を安定化できると共に、
チャンバの排気速度を短縮することにより、被膜形成の
生産性を向上できる。
発明の効果
本発明では、ヒーターによる防着板の温度制御をするこ
とによシ、防着板の脱ガスと堆積物の剥離を防止するこ
とができ被膜形成工程で、異物混入のない安定した品質
の被膜を形成できる。
とによシ、防着板の脱ガスと堆積物の剥離を防止するこ
とができ被膜形成工程で、異物混入のない安定した品質
の被膜を形成できる。
７ ベー／
第１図は従来の被膜形成装置の内部構造物の表面部分を
示す拡大断面図、第２図は本発明の一実施例による被膜
形成装置の概要を宗す概略図、第３図は本発明の一実施
例による防着ユニットの斜視図、第４図は第３図の防着
ユニットの断面図、第５図は堆積物の付着力の温度特性
曲線図、第６図は堆積物の内部応力の温度特性曲線図で
ある。 １・・・・・・内部構造物、２・・・・・・堆積物、３
・・・・・・チャンバ、４・・・・・・基板、５・・・
・・・蒸発源、６・・・・・・シャッタ、７・・・・・
防着ユニット、８・・・・・・防着板、１０・・・・・
・ヒーター、１１・・・・・・メツシュ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図 第５図 堪 凄Ｔ 第６図 」に績物櫃厚
示す拡大断面図、第２図は本発明の一実施例による被膜
形成装置の概要を宗す概略図、第３図は本発明の一実施
例による防着ユニットの斜視図、第４図は第３図の防着
ユニットの断面図、第５図は堆積物の付着力の温度特性
曲線図、第６図は堆積物の内部応力の温度特性曲線図で
ある。 １・・・・・・内部構造物、２・・・・・・堆積物、３
・・・・・・チャンバ、４・・・・・・基板、５・・・
・・・蒸発源、６・・・・・・シャッタ、７・・・・・
防着ユニット、８・・・・・・防着板、１０・・・・・
・ヒーター、１１・・・・・・メツシュ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図 第５図 堪 凄Ｔ 第６図 」に績物櫃厚
Claims (2)
- （１）内部が排気できるチャンバと、チャンバ内の構造
物の表面に配置した防着板と、防着板に取り付けられ温
度制御を行うヒーターを備えた被膜形成装置。 - （２）防着板の前面にメッシュが取り付けられた特許請
求の範囲第１項記載の被膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15000384A JPS6130661A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 被膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15000384A JPS6130661A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 被膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130661A true JPS6130661A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15487341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15000384A Pending JPS6130661A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 被膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130661A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS6360471U (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-22 | ||
| JPS63103068A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS63114964A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置 |
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| CN109097739A (zh) * | 2018-08-02 | 2018-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种防着板及蒸镀设备 |
-
1984
- 1984-07-19 JP JP15000384A patent/JPS6130661A/ja active Pending
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