JP2789665B2 - 焦電材料基板への薄膜形成装置 - Google Patents
焦電材料基板への薄膜形成装置Info
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- JP2789665B2 JP2789665B2 JP10388689A JP10388689A JP2789665B2 JP 2789665 B2 JP2789665 B2 JP 2789665B2 JP 10388689 A JP10388689 A JP 10388689A JP 10388689 A JP10388689 A JP 10388689A JP 2789665 B2 JP2789665 B2 JP 2789665B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、焦電材料基板へスパッタリングにより薄膜
を形成する装置に関し、特にその基板装着機構の改良に
関するものである。
を形成する装置に関し、特にその基板装着機構の改良に
関するものである。
従来の技術 従来、焦電材料基板へスパッタリングにより薄膜を形
成する場合第２図に示すような装置で行っていた。
成する場合第２図に示すような装置で行っていた。
以下、図面を参照しながら、従来の方法について述べ
る、第２図において、32はターゲット31を固定するカソ
ード、33は電源35によりプラズマを発生させスパッタリ
ングする時のシャッター、34はプラズマシールドであ
る。37は、温水36で温調している基板ホルダー、38は、
金属薄膜42を裏面に薄膜形成された基板39を持ち上げる
トレーである。40は、チャンバー41に導入するArガス導
入口、43は排気口である。
る、第２図において、32はターゲット31を固定するカソ
ード、33は電源35によりプラズマを発生させスパッタリ
ングする時のシャッター、34はプラズマシールドであ
る。37は、温水36で温調している基板ホルダー、38は、
金属薄膜42を裏面に薄膜形成された基板39を持ち上げる
トレーである。40は、チャンバー41に導入するArガス導
入口、43は排気口である。
以下、その動作について説明する。チャンバー41内を
真空ポンプにより排気口43から排気し、10-6Torr台に設
定する。その後、Arガスをガス導入口40より導入し、５
×10-3Torrに設定し、カソード32へ電源35によりDCまた
はRFの電圧を印加する。これで、チャンバー41内にプラ
ズマが発生する。プラズマ中のArイオンが、ターゲット
31へ衝突し、ターゲット材料をはじき飛ばすことによ
り、基板39へ薄膜が形成される。基板39が焦電材料の場
合、薄膜形成中、基板39に温度変化が発生する。そのた
め、焦電材料特有の正電気が発生し、基板ホルダー37に
基板39が吸着してしまう。そこで、従来は第２図に示す
ように、予め基板39の裏面に金属薄膜42を形成してい
た。そのため、基板39に静電気が発生したとしても、金
属薄膜42により発生した電荷は急激に流出し、電化は消
失する。従って、基板ホルダー37へ吸着することはな
い。
真空ポンプにより排気口43から排気し、10-6Torr台に設
定する。その後、Arガスをガス導入口40より導入し、５
×10-3Torrに設定し、カソード32へ電源35によりDCまた
はRFの電圧を印加する。これで、チャンバー41内にプラ
ズマが発生する。プラズマ中のArイオンが、ターゲット
31へ衝突し、ターゲット材料をはじき飛ばすことによ
り、基板39へ薄膜が形成される。基板39が焦電材料の場
合、薄膜形成中、基板39に温度変化が発生する。そのた
め、焦電材料特有の正電気が発生し、基板ホルダー37に
基板39が吸着してしまう。そこで、従来は第２図に示す
ように、予め基板39の裏面に金属薄膜42を形成してい
た。そのため、基板39に静電気が発生したとしても、金
属薄膜42により発生した電荷は急激に流出し、電化は消
失する。従って、基板ホルダー37へ吸着することはな
い。
発明が解決しようとする課題 上記構成においては、基板裏面へ金属薄膜を形成する
という工程が付加され、商品がコスト高となる。また、
裏面に薄膜が形成されているため、ドライエッチング工
程でパターンを形成しようとすれば、表面・裏面両方同
時にはエッチングできないため、２工程必要となり、熱
による割れの問題も発生してくる。また、ウェットエッ
チングで行う場合は、両面同時に処理できるが、今後パ
ターン巾を狭くする方向へ動いて行くため、ウエットエ
ッチングを用いるのは将来的には不利となる。
という工程が付加され、商品がコスト高となる。また、
裏面に薄膜が形成されているため、ドライエッチング工
程でパターンを形成しようとすれば、表面・裏面両方同
時にはエッチングできないため、２工程必要となり、熱
による割れの問題も発生してくる。また、ウェットエッ
チングで行う場合は、両面同時に処理できるが、今後パ
ターン巾を狭くする方向へ動いて行くため、ウエットエ
ッチングを用いるのは将来的には不利となる。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明の焦電材料基板へ
の薄膜形成装置は、トレーを工夫して装着した基板を、
基板ホルダーから0.5〜1.6mm離し、基板を基板ホルダー
に接触させないで薄膜形成可能にしたものである。
の薄膜形成装置は、トレーを工夫して装着した基板を、
基板ホルダーから0.5〜1.6mm離し、基板を基板ホルダー
に接触させないで薄膜形成可能にしたものである。
作用 この本発明の構成によると、基板を基板ホルダーに接
触させなくしたことにより、基板ホルダーへの吸着はな
くなり、裏面に金属薄膜を形成しなくても良くなる。
触させなくしたことにより、基板ホルダーへの吸着はな
くなり、裏面に金属薄膜を形成しなくても良くなる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第１図は、本発明の一実施例における焦電材料基板へ
の薄膜形成装置を示す。第１図において、２はターゲッ
ト１を固定するカソード、３は電源５によりプラズマを
発生させスパッタリングする時のシャッター、４はプラ
ズマシールドである。７は、温水６で温調している基板
ホルダー、８は基板９を持ち上げるトレーである。10
は、チャンバー11に導入するArガス導入口、13は排気
口、12は基板９と基板ホルダー７の間に形成されたすき
間である。
の薄膜形成装置を示す。第１図において、２はターゲッ
ト１を固定するカソード、３は電源５によりプラズマを
発生させスパッタリングする時のシャッター、４はプラ
ズマシールドである。７は、温水６で温調している基板
ホルダー、８は基板９を持ち上げるトレーである。10
は、チャンバー11に導入するArガス導入口、13は排気
口、12は基板９と基板ホルダー７の間に形成されたすき
間である。
以下、その動作について説明する。チャンバー11内を
真空ポンプにより排気口13から排気し、10-6Torr台に設
定する。その後、Arガスをガス導入口10より導入し５×
10-3Torrに設定し、カソード２へ電源５によりDCまたは
RFの電圧を印加するこれで、チャンバー11内にプラズマ
が発生する。プラズマ中のArイオンが、ターゲット１へ
衝突し、ターゲット材料をはじき飛ばすことにより、基
板９へ薄膜が形成される。薄膜形成中、基板９と基板ホ
ルダー７の間には0.5〜1.6mmのすき間12がある。このす
き間は第１表に示すように、基板９と基板ホルダー７と
の吸着の有無・基板と薄膜の密着性・薄膜の反射率等、
重要なパラメーターから判断したものである。
真空ポンプにより排気口13から排気し、10-6Torr台に設
定する。その後、Arガスをガス導入口10より導入し５×
10-3Torrに設定し、カソード２へ電源５によりDCまたは
RFの電圧を印加するこれで、チャンバー11内にプラズマ
が発生する。プラズマ中のArイオンが、ターゲット１へ
衝突し、ターゲット材料をはじき飛ばすことにより、基
板９へ薄膜が形成される。薄膜形成中、基板９と基板ホ
ルダー７の間には0.5〜1.6mmのすき間12がある。このす
き間は第１表に示すように、基板９と基板ホルダー７と
の吸着の有無・基板と薄膜の密着性・薄膜の反射率等、
重要なパラメーターから判断したものである。
以上のように、本実施例によれば、基板９と基板ホル
ダー７の間に、0.5〜1.6mmのすき間を設けたことによ
り、基板裏面への金属薄膜の形成を行わずに基板９の吸
着を防ぐことができる。なお、本実施例における加熱手
段である温水は、ヒーターでも良い。また、カソードは
マグネトロンカソードでも良い。装置は毎回大気開放し
て薄膜形成するものであるが、インラインタイプ・ロー
ドロック機構を装着したものでも良い。
ダー７の間に、0.5〜1.6mmのすき間を設けたことによ
り、基板裏面への金属薄膜の形成を行わずに基板９の吸
着を防ぐことができる。なお、本実施例における加熱手
段である温水は、ヒーターでも良い。また、カソードは
マグネトロンカソードでも良い。装置は毎回大気開放し
て薄膜形成するものであるが、インラインタイプ・ロー
ドロック機構を装着したものでも良い。
発明の効果 以上のように、本発明の焦電材料基板への薄膜形成装
置によると、裏膜に薄膜に形成しなくても基板の基板ホ
ルダーへの吸着が無くなり、上記裏面への薄膜形成が不
要になったこと、およびトレーの簡単な改造でできるた
め、コスト的にも大巾に低減でき、かつ特性的にも充分
満足するものが得られる。また、基板吸着が無くなった
ため、インラインタイプ・ロードロック式の機構を持つ
ものにも使用することができ、生産性向上にも寄与でき
る。
置によると、裏膜に薄膜に形成しなくても基板の基板ホ
ルダーへの吸着が無くなり、上記裏面への薄膜形成が不
要になったこと、およびトレーの簡単な改造でできるた
め、コスト的にも大巾に低減でき、かつ特性的にも充分
満足するものが得られる。また、基板吸着が無くなった
ため、インラインタイプ・ロードロック式の機構を持つ
ものにも使用することができ、生産性向上にも寄与でき
る。
第１図は本発明の一実施例における焦電材料基板への薄
膜形成装置の断面図、第２図は従来例の断面図である。 １……ターゲット、２……カソード、５……電源、６…
…温水、７……基板ホルダー、８……トレー、９……基
板、11……チャンバー、12……すき間。
膜形成装置の断面図、第２図は従来例の断面図である。 １……ターゲット、２……カソード、５……電源、６…
…温水、７……基板ホルダー、８……トレー、９……基
板、11……チャンバー、12……すき間。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−227414（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−132456（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭63−7457（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/34,14/50
Claims (1)
- 【請求項１】基板加熱手段と基板を着脱可能に保持する
トレーを備えた基板ホルダーと、スパッタ蒸発源とをチ
ャンバー内に備え、前記トレーを装着した基板を基板ホ
ルダーから0.5〜1.6mm離すように構成したことを特徴と
する焦電材料基板への薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10388689A JP2789665B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 焦電材料基板への薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10388689A JP2789665B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 焦電材料基板への薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02282473A JPH02282473A (ja) | 1990-11-20 |
| JP2789665B2 true JP2789665B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=14365916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10388689A Expired - Fee Related JP2789665B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 焦電材料基板への薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2789665B2 (ja) |
-
1989
- 1989-04-24 JP JP10388689A patent/JP2789665B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02282473A (ja) | 1990-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |