JP2003055754A - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置

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JP2003055754A
JP2003055754A JP2001243332A JP2001243332A JP2003055754A JP 2003055754 A JP2003055754 A JP 2003055754A JP 2001243332 A JP2001243332 A JP 2001243332A JP 2001243332 A JP2001243332 A JP 2001243332A JP 2003055754 A JP2003055754 A JP 2003055754A
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JP
Japan
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deposition
plate
evaporation source
film
vapor deposition
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Pending
Application number
JP2001243332A
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English (en)
Inventor
Takeshi Tanaka
武 田中
Masahiro Ikadai
正博 筏井
Etsuo Ogino
悦男 荻野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に蒸着薄膜を形成させる真空蒸着法に
おいて、ヒーター等の特別な付帯設備を増設することな
く、防着板の膜付着力を向上させること。 【解決手段】 蒸発源を入れたるつぼ1をその設置台2
に載置し、るつぼ1と対向する位置にガラス基板3を配
置し、次の関係が成立するように真空蒸着機内の蒸発源
に対して防着板4を配置する。(1)防着板4に対する
蒸発源からの入射角が60〜90°になるように防着板
4を配置する。(2)防着板4に対する蒸発源からの入
射角が60°以下になる場合は防着板に蒸発源からの蒸
着物が堆積するのを防止するひさし7を防着板4に取り
付ける。前記入射角が60°以上であると防着板4また
はひさし7上に粒状の緻密な蒸着膜5が得られ、剥離す
ることがない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は基板上に薄膜を形成
させる成膜装置に関する。
【0002】
【従来の技術】基板上に薄膜を形成させるための成膜法
としては、真空蒸着法、スパッタリング法、減圧または
常圧物理蒸着法、プラズマ化学蒸着法、化学蒸着法など
を用いて成膜ができる。
【0003】例えば、真空蒸着機で成膜する方法では、
真空状態の室内に対向して蒸発源とガラス基板を配置
し、蒸発源からガラス基板上に蒸発物質の蒸気をガラス
基板上に蒸着して薄膜を形成する。
【0004】前記真空蒸着機では、図6に示すように蒸
発物質がガラス基板以外の方向に不用意に拡散しないよ
うに防着板を蒸発源の周囲から末広がり状に蒸発源に対
して所定の傾斜角度をもって配置している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記真空蒸着機におい
ては、その使用時間が長いと、蒸着機内で膜付着を防止
する防着板に付着した蒸着材料を含む付着膜が生産時に
剥がれ落ちてガラス基板上に形成された蒸着薄膜上に載
り、外観欠点となる問題があった。
【0006】特開平9−165679号公報には、半導
体装置を製造する過程で用いられるプラズマ中で加速さ
れたイオンでターゲットの表面をスパッタし、ウエハ上
のスパッタ粒子を堆積する方法で配線などの薄膜を成膜
するスパッタリング法が記載されているが、該スパッタ
リング法において、パーティクル発生抑圧方法としてス
パッター装置のプラズマシールドを加熱してシールドか
らのパーティクル発生を低減させる方法について前記公
報には開示されている。ただし、この方法では加熱装置
が必要なため、高価な設備投資が必要である。
【0007】本発明の課題は、基板上に蒸着薄膜を形成
させる成膜装置において、ヒーター等の特別な付帯設備
を増設することなく、防着板の膜付着力を向上させるこ
とである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の課題は、防着板
に対する蒸発源からの入射角度θが60°〜90°にな
るように防着板を蒸発源設定台に対して末広がり状に配
置することで解決できる。
【0009】本発明では、次の関係が成立するように成
膜装置内の蒸発源に対して防着板を配置する。 (1)防着板に対する蒸発源からの入射角が60〜90
°になるように防着板を配置する。 (2)防着板に対する蒸発源からの入射角が60°以下
になる場合は防着板に蒸発源からの蒸着物が堆積するの
を防止するひさしを防着板に並列状に複数取り付ける。
【0010】本発明の成膜方法としては、真空蒸着法、
スパッタリング法、減圧または常圧物理蒸着法、プラズ
マ化学蒸着法、化学蒸着法などがある。
【0011】
【作用】防着板に対する蒸発源からの入射角θを種々変
更して防着板上の付着膜をこすりとり、パーティクルの
発生状況を確認した結果、入射角θが60°以上になる
とパーティクルの発生が大きく減少することが分かっ
た。その結果を図5に示す。
【0012】前記入射角θが30°である場合の防着板
上には図4(b)に示すように柱状の粗い蒸着膜が得ら
れる。この場合得られる柱状の蒸着膜は金属棒で容易に
こすり取ることができた。
【0013】そこで、蒸発源からの入射角θ=60〜9
0°にした防着板を蒸着機内に配置することで防着板上
の付着膜が堆積するのを防止することができることを本
発明者らは見い出した。
【0014】前記入射角θが60°である場合の防着板
上には図4(a)に示すように粒状の緻密な蒸着膜が得
られた。この場合得られる粒状の蒸着膜は金属棒でこす
っても容易にこすり取ることができなかった。
【0015】以上の現象を見い出したことにより、蒸発
源からの入射角θを60°未満にした防着板を真空蒸着
機内に配置する場合には、防着板に蒸発源からの蒸着物
が堆積するのを防止するひさしを複数個、防着板上に並
列配置することで防着板の膜付着力を向上させることが
できた。
【0016】複数の同一高さのひさしを防着板に並列配
置するが、防着板に対する取り付け角度は任意とし、従
って、ひさしの蒸発源に対する入射角も任意とする。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の形態につい
て図面と共に説明する。図1には本発明の第一の実施の
形態の真空蒸着機の内部の要部概略図を示す。蒸発源を
入れたるつぼ1をその設置台2に載置し、該るつぼ1と
対向する位置にガラス基板3を配置する。蒸発源1から
の入射角が60°〜90°になるように防着板4を配置
する。例えば、ステンレス(SUS304)製の平板状
の防着板4は蒸発源設定台に対して末広がり状に対向位
置に配置する。
【0018】図1のるつぼ1とガラス基板3と防着板4
の配置関係からなる真空蒸着機内において、るつぼ1内
に蒸発源(TiOの膜を形成するための原料であるT
iO 及びSiOの膜を形成するための原料であるS
iO)から常法通り、7E−5mbarで、防着板4
近傍の温度は、おおよそ150℃前後でガラス基板3上
に蒸着させる。ガラス基板3と防着板4上に積層された
蒸着膜5は図4(a)に示す密な粒状構造であった。S
US304製の金属棒で蒸着膜表面を擦っても発塵は起
こらなかった。
【0019】図2には本発明の第二の実施の形態の真空
蒸着機の内部の要部概略図を示す。蒸発源を入れたるつ
ぼ1をその設置台2に載置し、該るつぼ1と対向する位
置にガラス基板3を配置する。蒸発源からの入射角が6
0°〜90°になるように防着板4を配置するが、領域
Aにおける防着板4の表面は蒸発源からの入射角θが6
0°未満になるが、その領域の防着板4の表面に並列配
置されたひさし7を蒸発源からの入射角θが60°〜9
0°になるように取り付ける。
【0020】図2のるつぼ1とガラス基板3及び防着板
4の配置関係からなる真空蒸着機内において、るつぼ1
内に蒸発源(TiOの膜を形成するための原料である
TiO及びSiOの膜を形成するための原料である
SiO)から常法通り、7E−5mbarで、防着板
近傍の温度はおおよそ150℃前後でガラス基板3上に
蒸着させる。ガラス基板3と防着板4とひさし7上に積
層された蒸着膜5は図4(a)に示す密な粒状構造であ
った。SUS304製の金属棒で蒸着膜表面を擦っても
発塵は起こらなかった。
【0021】図3には本発明の第三の実施の形態の真空
蒸着機の内部の要部概略図を示す。蒸発源を入れたるつ
ぼ1をその設置台2に載置し、該るつぼ1と対向する位
置にガラス基板3を配置する。防着板4の蒸発源からの
入射角θが60°未満になるが、防着板4全体の表面に
並列配置されたひさし7を取り付けている。
【0022】図3のるつぼ1とガラス基板3及び防着板
4の配置関係からなる真空蒸着機内において、るつぼ1
内に蒸発源(TiOの膜を形成するための原料である
TiO及びSiOの膜を形成するための原料である
SiO)から常法通り、7E−5mbarで、防着板
4の近傍の温度はおおよそ150℃前後でガラス基板3
上に蒸着させる。ガラス基板3とひさし7上に積層され
た蒸着膜5(防着板4には実質的に蒸着膜5は形成され
ない)は図4(a)に示す密な粒状構造であった。SU
S304製の金属棒で蒸着膜表面を擦っても発塵は起こ
らなかった。なお、防着板4に蒸着膜5が形成されない
ようにひさし7の設置角度をうまく設計することが好ま
しい。
【0023】前記本発明の実施の形態の防着板4及び/
又はひさし7は蒸着膜5のガラス基板3との密着性を、
より改善する(高める)ためサンドブラスト処理した板
を用いることもできる。
【0024】前記本発明の実施の形態の蒸着材料として
はTiO及びSiOの膜形成原料だけでなく全ての
蒸着材料を用いることができる。
【0025】(比較例)図6に示す真空蒸着機の防着板
の配置で、領域Aにおける防着板4の表面は蒸発源から
の入射角θが60°未満になるが、本発明の実施の形態
と同様な手順で、同一蒸着物質を蒸着させると、領域A
の防着板4の表面に積層された蒸着膜は図4(b)に示
す粗い柱状構造であった。SUS304製の金属棒で表
面をこするとフレーク状の発塵が発生した。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、従来技術のようなシー
ルド加熱のヒーターは必要ない。また、防着板への付着
膜の膜密着が増加して、膜強度が上がり、付着膜の剥が
れが減少する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第一の実施の形態の真空蒸着機の内
部の要部概略図を示す。
【図2】 本発明の第二の実施の形態の真空蒸着機の内
部の要部概略図を示す。
【図3】 本発明の第三の実施の形態の真空蒸着機の内
部の要部概略図を示す。
【図4】 本発明の実施の形態と従来技術の真空蒸着機
を用いて得られる蒸着膜の構造図である。
【図5】 防着板に対する蒸発源からの入射角θを種々
変更して防着板上の付着膜をこすり、パーティクルの発
生状況を確認した結果を示す。
【図6】 従来技術の真空蒸着機の内部の要部概略図を
示す。
【符号の説明】
1 るつぼ 2 るつぼ設置台 3 ガラス基板 4 防着板 5 蒸着膜 7 ひさし
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荻野 悦男 大阪府大阪市中央区北浜四丁目7番28号 日本板硝子株式会社内 Fターム(参考) 4K029 DA10

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 蒸発源と該蒸発源に対向する位置に配置
    された基板と蒸発源の近傍に防着板を配置した成膜装置
    において、 防着板に対する蒸発源からの入射角が60〜90°にな
    るように防着板を配置したことを特徴とする成膜装置。
  2. 【請求項2】 蒸発源と該蒸発源に対向する位置に配置
    された基板と蒸発源の近傍に防着板を配置した成膜装置
    において、 防着板に対する蒸発源からの入射角が60°以下になる
    場合は防着板に蒸発源からの蒸着物が堆積するのを防止
    するひさしを防着板に並列状に複数取り付けたことを特
    徴とする成膜装置。
JP2001243332A 2001-08-10 2001-08-10 成膜装置 Pending JP2003055754A (ja)

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