JPS6130248U - 多層セラミツク基板 - Google Patents
多層セラミツク基板Info
- Publication number
- JPS6130248U JPS6130248U JP1984113811U JP11381184U JPS6130248U JP S6130248 U JPS6130248 U JP S6130248U JP 1984113811 U JP1984113811 U JP 1984113811U JP 11381184 U JP11381184 U JP 11381184U JP S6130248 U JPS6130248 U JP S6130248U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer ceramic
- ceramic substrate
- board
- semiconductor chip
- conductive pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来の多層セラミック基板に半導体チップを搭
載した構成を示す斜視図、第2図は、第1図の多層セラ
ミック基板及び半導体チップの断面図、第3図は、第1
図の多層セラミック基板の表面層を示す平面図、第4図
はこの考案の一実施例である多層セラミック基板に半導
体チップを搭載した構成を示す斜視図、第5図は、第4
図め多層セラミック基板の表面層を示す平面図、第6図
及び第7図は、それぞれ第4図の多層セラミック基板に
適用される、異なるバンプ配列、バンプ形状を有する半
導体チップを示す裏面図、第8図は、第4図の多層セラ
ミック基板及び半導体チップの断面図である。 図において、1.10・・・多層セラミック基板、2,
13・・・半導体チップ、3.11・・・I/Oピン、
4,7.8・・・パッド、5.14・・・はンタバン7
’、6.12・・・スルホール、9・・・導電パターン
である。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
載した構成を示す斜視図、第2図は、第1図の多層セラ
ミック基板及び半導体チップの断面図、第3図は、第1
図の多層セラミック基板の表面層を示す平面図、第4図
はこの考案の一実施例である多層セラミック基板に半導
体チップを搭載した構成を示す斜視図、第5図は、第4
図め多層セラミック基板の表面層を示す平面図、第6図
及び第7図は、それぞれ第4図の多層セラミック基板に
適用される、異なるバンプ配列、バンプ形状を有する半
導体チップを示す裏面図、第8図は、第4図の多層セラ
ミック基板及び半導体チップの断面図である。 図において、1.10・・・多層セラミック基板、2,
13・・・半導体チップ、3.11・・・I/Oピン、
4,7.8・・・パッド、5.14・・・はンタバン7
’、6.12・・・スルホール、9・・・導電パターン
である。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- はんだバンプを有する半導体チップを搭載する基板にお
いて、前記半導体チップと前記基板との接続点のパッド
に接続されると共に、I/Oピンに接続される前記基板
の表面の導電パターンの途中に別個のパッドを設け、前
記基板に、異なるバンプ配列、・バンプ形状を有する他
の半導体チップを搭載で碁る様に構成した多層セラミッ
ク基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984113811U JPS6130248U (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 多層セラミツク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984113811U JPS6130248U (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 多層セラミツク基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6130248U true JPS6130248U (ja) | 1986-02-24 |
Family
ID=30672836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1984113811U Pending JPS6130248U (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 多層セラミツク基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6130248U (ja) |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP1984113811U patent/JPS6130248U/ja active Pending
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