JPS61295386A - 電気分解用カソ−ドおよび該カソ−ドの製造方法 - Google Patents

電気分解用カソ−ドおよび該カソ−ドの製造方法

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JPS61295386A
JPS61295386A JP61148032A JP14803286A JPS61295386A JP S61295386 A JPS61295386 A JP S61295386A JP 61148032 A JP61148032 A JP 61148032A JP 14803286 A JP14803286 A JP 14803286A JP S61295386 A JPS61295386 A JP S61295386A
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    • C25B11/04Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電気分解に使用する新規なカソードに関するも
のである。本発明はまた、そのようなカソードの製造方
法に関するものである。更に本発明は特に、アルカリ金
属ハライド水溶液の電気分解に使用されるカソードに関
するものであり、前記カソードは、特に稼動電位が低い
値であることおよび時間に対する電気化学的挙動の安定
性の点において注目すべきものである。
前記カソードは陰極基板を種々の活性物質で被覆するこ
とにより得られる活性化された金属カソードの群に属し
、かつ意図された目的は、本質的にはアルカリ性媒質に
おける水素過電圧を低下させることである。
英国特許第1.511.719号においては、金属基板
、コバルト被覆層およびルテニウムの第2被覆層より成
るカソードが記載されている。
米国特許第4.100.049号においては、基板およ
び貴金属酸化物と半導体金属酸化物、特に酸化ジルコニ
ウムとの混合物からなる被覆層を含むカソードが記載さ
れている。
例えば、ニッケルを含む基板上に、ニッケルーパラジウ
ム合金を含む被覆層を堆積させる方法が米国特許第3.
216.919号に記載されている。この特許によれば
、合金層を、粉末状態で前記基板に被覆し、その後前記
合金粉末を焼結する。
特開昭54−110.983号(米国特許第4.465
.580号)においては、ニッケルまたはニッケル合金
の粒子を含む分散物、および白金、ルテニウム、イリジ
ウム、ロジウム、パラジウムまたはオスミウムもしくは
前記金属の酸化物を含む活性化剤から成る分散物を含む
被覆層を有するカソードが記載されている。
特開昭53−010.036においては、半導体金属か
ら成る基板および少なくとも1つの白金族金属と半導体
金属との合金から成る被覆層を有し、かつ適当な場合に
は少なくとも1つの白金族金属を含む表面被覆層を有す
るカソードが記載されている。
本発明は、特にアルカリ金属ハライド水溶液の電気分解
において使用できる新規なカソードを提供するものであ
り、このカソードは、白金族金属酸化物を主成分とする
被覆層を有する電気伝導性の基板を含み、かつ前記カソ
ードが複数の金属酸化物層を含む被覆を有し、該被覆が
実質的に半導体金属酸化物を含む表面層および実質的に
元素周期率表第■族に属する貴金属酸化物を含む少なく
とも一つの中間層を有することを特徴とする。
「実質的に」という用語はここでは、表面および中間層
に関して、前記層が当該金属のみの酸化物または当該金
属と低比率例えば1/10をこえないモル比率で第2の
金属との混合酸化物を含むことを示すために、用いてい
る。
「半導体金属」という表現は、本発明においては従来使
用されてきた意味で使用している。すなわち、クロムを
例外とする周期律表第4b、5bおよび6b族に属する
金属を表わす。
特に、本発明は電気伝導性基板および被覆層を含むカソ
ードを提供する。前記被覆は1つまたはそれ以上の酸化
チタン層および/または酸化ジルコニウム層と組合わせ
た1つまたはそれ以上の酸化ルテニ、ウム(RuOz)
層を含む。本発明は特に、被覆がRuO□およびTiO
□を含むようなカソードに関するものである。
そのようなカソードの中で、特に被覆が電気伝導性基板
からみて、1つまたはそれ以上のRuO□層、それに次
ぐ1つまたはそれ以上のTiO□層を含むか、または1
つまたはそれ以上のTi 02層/1つまたはそれ以上
のRubs層/1層重1はそれ以上のTi02層で構成
される一連の層を含むようなカソードを挙げることがで
きる。上記一連の層間に、他の貴金属または非貴金属か
ら成る層を介在させるか、またはいくらかのもしくはす
べてのRub、 詔よび/またはT iO2を導電性基
板から電解質と接触する表面へと増大するXの値を有す
る(RLIXTII−X) Osで右きかえたとしても
、発明の範囲から逸脱しない。本発明において、「表面
層」という用語は正確には表面が電解質と直接接触して
いる酸化物層を示し、かつ「中間層」という表現は、電
気伝導性基板と前記表面層の間に位置するすべての層を
表わす。特に本発明は、上記酸化物のうちのいくつかま
たはすべてがフレーク形状であるような被覆を有するカ
ソードを提供する。
本発明において、「フレーク」という用語は平面形の薄
膜、一部円柱形または球形またぼ前記形態の組合せのも
のを表わし、かつその厚さは前記フレークが内接する四
辺形の二辺の寸法の平均の10分の1以下であり、前記
寸法の平均値は、1〜100ミクロン、更に正確には3
〜30ミクロンである。
すでに示されたように、前記被覆は完全にまたは部分的
に、少なくとも1つの貴金属の酸化物、すなわちルテニ
ウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム
および白金の酸化物を含む。
本発明においては酸化ルテニウムまたは1つまたはそれ
以上の異なる貴金属酸化物と前記酸化物との組合せが有
利である。
本発明によるカソードの被覆においては、貴金属酸化物
と半導体金属のモル比は一般に10/1〜1/10、好
ましくは175〜5/1の範囲にある。
基板を形成する材料は、電気伝導性材料から選択できる
。前記材料は、ニッケノペステンレス鋼および軟鋼を含
む群から選ばれることが望ましいが、前記材料により同
等限定されるものではない。
基板は多数のオリフィスもしくは貫通孔を有するもしく
は有していない板状またはシート、金網、金属布もしく
はエキスバンプイツトメタル、または格子状形態を有し
、前記材料は、平面形または円筒形または使用される技
術によりどのような形であってもよい。
本発明はまた、前記カソードの製造方法に関するもので
ある。
前記方法は本質的には、まず必要に応じて適当な前処理
を施し、基板上に金属塩の層を堆積させ、その後全体に
熱処理を施し酸化物を得ることを含む。
基板の前処理は脱脂処理を含むことが望ましく、必要な
らば公知の方法に従ってその後に機械的および/または
化学的洗浄を行なう。
本方法は実質的には、基板上に金属塩溶液層を順次堆積
させることを含む。
混合酸化物を堆積させる場合、同じ方法を繰返し使用す
ることも、または二つの該金属塩を含む層を直接堆積さ
せることも可能である。一般には金属塩は、溶液または
懸濁液状態で堆積させる。
塩の性質によって、溶媒または希釈液は水、無機もしく
は有機酸、または有機溶媒をも含むことができる。ジメ
チルホルムアミド、アルコール、特にエタノールまたは
2−エチルヘキサノールのような有機溶媒の使用が望ま
しい。一般に、金属の原子濃度は3X10−”〜3モル
/1、好ましくは1〜2モル/βである。
本発明に使用される金属塩は、一般に例えばノ10ゲン
化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩、または酢酸塩もしくは
アセチルアセトネートを含む。白金およびルテニウムの
酸化物を生成する塩の場合、ヘキサクロロ白金酸の6水
塩および塩化ルテニウム水和物を使用することが望まし
い。
上記塩から成る層の堆積は、従来の方法に従って行なわ
れる。すなわち、溶液または懸濁液中での基板の浸漬、
塗料ぼけ、はけまたは同様の道具を使用しての被覆、お
よび静電スプレーなどである。
溶液または懸濁液の調製および堆積は、一般には室温で
かつ空気中で行なわれる。もちろん、適切な場合には、
前記温度を高くしてもよく、その場合特にある塩に対し
ては、溶解しやすくなるし、かつ/または操作は窒素雰
囲気中でまたは、前記塩に対し反応性を有しない他の気
体中で行なってもよい。
金属塩の酸化物への転化は、一般に熱処理により行なう
。該処理の前に、溶媒または希釈液の一部またはすべて
を減少させることを意図して空気中で加熱することが望
ましい。
前記加熱は、200℃以下の温度でおこなう。
100〜150℃の範囲の温度が特に好ましい。前記処
理の時間は一般に数十分である。適切な処理は一般に、
使用される塩に依存して200〜1.000℃の範囲の
温度において、空気中において行なう。
操作は好ましくは、400〜750℃の範囲の温度で行
なう。前記熱処理の時間は一般に1層あたり15分〜1
時間である。この熱処理はそれ、それの加熱の後または
最終的な加熱の後に行なう。
本発明によるカソードは電気的に活性な被覆の基板に対
する優れた接着性を特徴としている。
本発明のカソードは、カソードにおける水素の電解生成
を伴なって水または水溶液を、電気分解できるような電
解槽における使用に適している。
前記カソードは、特にアルカリ金属塩化物の水溶液、と
りわけ塩化ナトリウム水溶液の電気分解に対しておよび
例えば水酸化カリウム水溶液の電気分解における水の電
気分解に対して適している。
微小孔隔膜が電解槽におけるセパレーターとして使用さ
れるが、本発明によるカソードは、隔膜法において非常
に興味あるものである。
実施例1 基板は寸法200 X 10 X 0.6mmのニッケ
ル板から成る。表面処理はコランダム(ビーズ径が25
0μm)を使用して行なう。
a) 約38重量%のルテニウム金属を含む2gのRu
C15・x HCI−y H2Oの2crlxタノール
溶液を23℃で調製する。ニッケル板を、この溶液を用
いて被覆する。空気中での加熱を120℃で30分行な
い、次に空気中において500℃で30分間熱処理を行
なう。冷却後被覆/加熱/熱処理の手順をくり返す。1
.4mg / CfffのRuO2の堆積物を平均寸法
3〜30μmのフレーク形状で得た。前記堆積物はX線
によりRuO□構造を示すことが確かめられた。
b)2.5モルTi/j!を含む2.6cffITt 
0C12・2 HCIの2crlエタノール溶液を23
℃で調製する。同様な被覆/加熱/熱処理(2層)をa
)と同様の条件下で行なう。このようにして0.8mg
 / cnfのTiO2が堆積する。
C) 得られたカソードを85℃かつ50A/dm2の
電流密度で450 g / 1の濃度の水酸化す) I
Jウム内で試験し、結果的に飽和カロメル電極(S、C
,E)に対して−1,225mVの稼動電位を得る。
d) 上記方法に従ってRub2/Tie、で被覆した
網目状のエキスパンデッドニッケルあるいは圧延された
ニッケルから成る直径80aonのディスクを隔膜法に
おける塩化ナトリウム水溶液の電解槽におけるカソード
として使用する。
操作条件は下記のようである。
電気密度=30Δ/dm2 温度=85℃ 水酸化ナトリウム 32重量% 下記のような結果が得られた。すなわち、この電解槽の
電極における電圧は、カソードが被覆されていないニッ
ケル合金のみから成る電解槽の電極における電圧と比較
すると、300mVのゲインを示した。
また、このゲインは6日間の連続操作の後でも300m
Vで一定であった。
実施例2 実施例10条件下において、表面処理されたニッケルか
ら成る基板を使用する。
二つの溶液を23℃で調製する。すなわち溶液A;実施
例1における2gのRuC15・x HCI・yH20
の2cJエタノール溶液 溶液B;2.5モルTi/j1!を含む1.3cafT
+ 0C12・2 HCIの10fflエタノール溶液
実施例1における被覆/加熱/熱処理の手順に従ってニ
ッケル基板上に2層の溶液Bを堆積させる。次いで冷却
後被覆/加熱/熱処理の手順に従って2層の溶液Aを、
それから再び2層の溶液Bを堆積させ、次いで同様な処
理を行なう。金属酸、化物の総堆積量は、0.6mg 
/ clllのRub、を含む1.75mg/crlで
ある。
T s 02 、Ru O2およびT IO2を含む3
層構造の被覆を有するカソードを実施例1に示されるよ
うに水酸化ナトリウム中において試験する。このとき稼
動電位は、S、C,Eに対し−1,240mVであった
。40時間、後の電位は−1,210mVであった。
実施例3 a) 実施例1にあける条件下で表面処理されたNi基
板を使用する。
b)  2つの溶液を23℃で調製する。
溶液A:実施例1の2gのRLIC13・x HCI 
・y H2Oの2cafエタノール溶液 溶液B:1gのZr0C1,−8820のエタノール(
2,4clIl) / HCI (1cat、 I N
 )溶液C) 実施例1の被覆/加熱/熱処理の手゛順
に従って2層の溶液Bを基板上に堆積させる。次いで冷
却後2層の溶液Aを被覆/加熱/熱処理の手順に従って
更に2層の溶液Bを堆積させ、次いで同様の処理を行な
う。
d) 金属酸化物の総堆積量は、0.7mg / cl
llのRu5tを含む1.8mg / crlである。
ZrO2、RuO2およびZrO,から成る3層構造の
被覆を有するカソードを実施例1に示されるように水酸
化ナトリウム中において試験する。
稼動電位はS、C,Eに対し−1,210mVであった
。16時間後その電位は−1,200mVであった。
実施例4 a) 実施例3で使用したニッケル基板と溶液Aおよび
Bを使用する。
b) 2層の溶液Aを次いで2層の溶液Bを実施例1に
示される被覆/加熱/熱処理の方法および条件にて基板
上に堆積させる。
C) 金属酸化物の総堆積量は0.7mg / Cdの
Ru0iを含み1.2mg / cdである。
RuO2/ZrO□の2層構造の被覆を有するカソード
を実施例1に示されるように、水酸化ナトリウム中に右
いて試験する。
稼動電位はS、C,Eに対し、−1,210mVであり
、16時間後でもこの電位は一定であった。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)白金族金属酸化物を主成分とする被覆を有する電
    気伝導性基板を含み、電解槽に使用できるカソードであ
    って、前記カソードが複数の金属酸化物層を含む被覆を
    有し、該被覆が実質的に半導体金属酸化物を含む表面層
    および実質的に元素周期律表第VIII族に属する貴金属の
    酸化物を含む少なくとも1つの中間層を有することを特
    徴とする上記カソード。
  2. (2)上記表面層および/または少なくとも一つの中間
    層が上記金属のみの酸化物を含むことを特徴とする特許
    請求の範囲第1項に記載のカソード。
  3. (3)上記表面層および/または少なくとも一つの中間
    層が上記金属と低比率の第二の金属との混合酸化物を含
    むことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のカソ
    ード。
  4. (4)前記被覆が1つまたはそれ以上の酸化チタン層お
    よび/または酸化ジルコニウム層と組合わせた、1つま
    たはそれ以上の酸化ルテニウム(RuO_2)層を含む
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1〜3項のいずれか
    1項に記載のカソード。
  5. (5)前記被覆が基板からみて、1つまたはそれ以上の
    RuO_2層、次いで1つまたはそれ以上のTiO_2
    層および/またはZrO_2層を含むか、または1つま
    たはそれ以上のTiO_2層および/またはZrO_2
    層/1つまたはそれ以上のRuO_2層/1つまたはそ
    れ以上のTiO_2層および/またはZrO_2層で構
    成される一連の層を含むことを特徴とする特許請求の範
    囲第1〜4項のいずれか1項に記載のカソード。
  6. (6)前記被覆中のいくつかのまたはすべての酸化物が
    フレーク形状であることを特徴とする特許請求の範囲第
    1〜5項のいずれか1項に記載のカソード。
  7. (7)前記基板がニッケル、ステンレス鋼および軟鋼を
    含む群より選択されることを特徴とする特許請求の範囲
    第1〜6項のいずれか1項に記載のカソード。
  8. (8)必要に応じて適当な前処理を施した基板上に金属
    塩の層を堆積させ、次いで全体に酸化物を生成するため
    の熱処理を施す工程を含むことを特徴とする特許請求の
    範囲第1〜7項のいずれか1項に記載のカソードの製造
    方法。
  9. (9)金属塩の溶液または懸濁液から成る層を順次基板
    上に堆積させることを特徴とする特許請求の範囲第8項
    に記載の方法。
  10. (10)前記混合酸化物を形成するための金属塩を前記
    塩溶液からなる1つまたはそれ以上の層として堆積する
    ことを特徴とする特許請求の範囲第8項に記載のカソー
    ドの製造方法。
  11. (11)前記金属塩を例えばハロゲン化物、硝酸塩、炭
    酸塩、硫酸塩または酢酸塩もしくはアセチルアセトネー
    トのような無機または有機金属塩から選択することを特
    徴とする特許請求の範囲第8〜10項のいずれか1項に
    記載の方法。
  12. (12)前記熱処理を200〜1,000℃の範囲の温
    度で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第8〜11
    項のいずれか1項に記載の方法。
  13. (13)前記熱処理の前に前記金属塩から部分的にまた
    は完全に溶媒あるいは希釈液を除去するための加熱を行
    ない、該加熱が200℃以下の温度で行なわれることを
    特徴とする特許請求の範囲第12項に記載の方法。
JP61148032A 1985-06-24 1986-06-24 電気分解用カソ−ドおよび該カソ−ドの製造方法 Granted JPS61295386A (ja)

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