JPS63507B2 - - Google Patents
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- JPS63507B2 JPS63507B2 JP55087626A JP8762680A JPS63507B2 JP S63507 B2 JPS63507 B2 JP S63507B2 JP 55087626 A JP55087626 A JP 55087626A JP 8762680 A JP8762680 A JP 8762680A JP S63507 B2 JPS63507 B2 JP S63507B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアルカリ金属ハロゲン化物の電解にお
いて水素過電圧の低い活性化された陰極を使用す
る電解方法に関する。
いて水素過電圧の低い活性化された陰極を使用す
る電解方法に関する。
従来アルカリ金属ハロゲン化物あるいは水の電
解のように隔膜あるいはイオン交換膜を用いる電
解槽においては主としてパンチング軟鋼板または
軟鋼金網が陰極として用いられている。
解のように隔膜あるいはイオン交換膜を用いる電
解槽においては主としてパンチング軟鋼板または
軟鋼金網が陰極として用いられている。
これらの電解電圧は理論分解電圧に加えて陽極
および陰極の過電圧、電解液の抵抗、膜抵抗、金
属導体およびその接触抵抗からなつている。
および陰極の過電圧、電解液の抵抗、膜抵抗、金
属導体およびその接触抵抗からなつている。
この中理論分解電圧以外は改善の余地のある項
目であり、その一つの手段として水素過電圧の低
い陰極を提供することは工業的に有意義である。
目であり、その一つの手段として水素過電圧の低
い陰極を提供することは工業的に有意義である。
すなわち隔膜法塩化アルカリ電解槽において通
常の運転条件下である電流密度20〜30A/dm2で
は上記軟鋼陰極を使用した際約300〜400mVの水
素過電圧が測定されており、これを低減せしめる
ことは高い電力コストを大巾に節減しうることに
なる。水素過電圧を左右する電極要因としては金
属自体の物性とその表面構造、特に表面積自体の
大きさが問題であり、理想的にはできるだけ水素
過電圧の小さい金属を選定してその有効面積をで
きるだけ大きくすることが望ましい。さらに工業
的に実用化されるためには耐久性が良好で寿命の
長いことが不可欠である。
常の運転条件下である電流密度20〜30A/dm2で
は上記軟鋼陰極を使用した際約300〜400mVの水
素過電圧が測定されており、これを低減せしめる
ことは高い電力コストを大巾に節減しうることに
なる。水素過電圧を左右する電極要因としては金
属自体の物性とその表面構造、特に表面積自体の
大きさが問題であり、理想的にはできるだけ水素
過電圧の小さい金属を選定してその有効面積をで
きるだけ大きくすることが望ましい。さらに工業
的に実用化されるためには耐久性が良好で寿命の
長いことが不可欠である。
本発明者らは上記の要求を満たす電極を種々検
討した結果、水素過電圧の低減に効果的であり、
かつ耐久性においても優れた電解用陰極が得られ
ることを見出し本発明を完成したものであつて、
すなわち陽イオン交換膜とその両側に電極体を配
置した電解槽を使用する塩化アルカリ電解方法に
おいて、陰極体としてニツケルまたはニツケル合
金基体上に白金族金属もしくはその酸化物よりな
る被覆層を設けた電極を使用することを特徴とす
る塩化アルカリ電解方法である。
討した結果、水素過電圧の低減に効果的であり、
かつ耐久性においても優れた電解用陰極が得られ
ることを見出し本発明を完成したものであつて、
すなわち陽イオン交換膜とその両側に電極体を配
置した電解槽を使用する塩化アルカリ電解方法に
おいて、陰極体としてニツケルまたはニツケル合
金基体上に白金族金属もしくはその酸化物よりな
る被覆層を設けた電極を使用することを特徴とす
る塩化アルカリ電解方法である。
ニツケルまたはニツケル合金を電極基体として
使用すると軟鋼、ステンレス鋼、チタン等に比較
して割高となるが軟鋼、ステンレス鋼より耐触性
に優れており、特に電解停止時における腐触損傷
が生じ難く電解槽の運転管理を容易にし作業能率
を向上させる。また白金族金属またはその酸化物
を被覆せしめる基体が軟鋼、ステンレス鋼である
場合は水素過電圧の低下は十分でなくニツケルま
たはその合金を基体とした場合に比べ100mV以
上も高くなり、また上記基体をチタンとした場合
は電解初期の水素過電圧は低いが次第に上昇し最
後にはチタン金属自体の水素過電圧を示す様にな
る。その理由はチタン基体が水素脆化を起し表面
の被覆層が剥離崩壊するものと考えられる。本発
明に係るニツケルまたはニツケル合金を基体とし
て使用した場合は軟鋼やステンレス鋼に比して腐
触環境に強く、またチタンのごとき水素脆化もほ
とんど起らない。ニツケル合金としては市販され
ている高ニツケル合金、たとえばインコネル
(Ni−Cr−Fe系)、インコロイ(商品名Ni−Cr−
Fe系)、ハステロイ(商品名Ni−Mo−Fe系)、
モネル(Ni−Cu系)、デイータロイ(商品名Ni
−Cr−Fe−Co−W系)等が挙げられる。基体金
属の構造は板状、棒状、円筒状、金網状のいづれ
でもよい。基体表面の前処理としてグリツトブラ
ストまたはサンドブラスト処理が施されるが通常
はグリツトブラスト処理が好ましい。グリツトに
使用しうる材料としてはスチールグリツト、アル
ミナ、炭化ケイ素等がある。グリツトの粒子径は
10〜20メツシユ程度が適当である。このブラスト
処理による電極基体表面の粗面化は被覆金属との
密着力を増加させるとともに水素過電圧低下に重
要な因子となるから十分に行う事が好ましい。ブ
ラストにより粗面化できる割合は基体の見掛け表
面積の100〜300倍である。電極基体はブラスト処
理後、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、蓚酸等で軽く酸
洗いしてその表面に付着している微粉末を除去す
る。電極基体に被覆させる白金族金属としては白
金、ロジウム、ルテニウム、イリジウムの1種ま
たは2種以上が好ましくこれらの化合物溶液を基
体表面に塗布し熱分解せしめるか、または化合物
溶液に浸漬せしめ電鍍させる。白金族金属化合物
としては塩化白金酸、塩化白金酸アンモニウム、
第一塩化白金酸カリウム、第二塩化白金酸カリウ
ム、塩化ルテニウム、塩化イリジウム、塩化ロジ
ウム等が挙げられ、溶媒として水、エチルアルコ
ール、メチルアルコール、プロピルアルコール、
ブチルアルコール、ベンゼン、トルエン、メチル
エーテル、エチルエーテル、ラベンダー油、リナ
ロエ油、アニス油、テレビン油等を使用する。こ
のような溶液をハケ塗り、ロール塗り、スプレー
塗り、浸漬等の方法で塗布し、また塗布液の密着
性を良くするために塗布前の基体をあらかじめ加
温してもよい。塗布後溶媒を蒸発させるために温
度150〜200℃で数十分間乾燥後、電気炉で温度
300〜800℃にて約15〜20分間熱処理を行う。この
熱処理操作は所望の厚みを得るために必要な回数
くり返して行うことができ、このようにして形成
された白金族金属またはその酸化物の好ましい厚
みは0.5〜1.0μ程度である。熱処理温度は300℃未
満であると白金族金属化合物の熱分解が完全に起
らず、800℃を超えると白金族金属の水素発生反
応に対する触媒活性が低下する。この白金族金
属、またはその酸化物による被覆層の形成は電鍍
によつても行いうるが、操作面等の点において上
記の熱分解法が好ましい。
使用すると軟鋼、ステンレス鋼、チタン等に比較
して割高となるが軟鋼、ステンレス鋼より耐触性
に優れており、特に電解停止時における腐触損傷
が生じ難く電解槽の運転管理を容易にし作業能率
を向上させる。また白金族金属またはその酸化物
を被覆せしめる基体が軟鋼、ステンレス鋼である
場合は水素過電圧の低下は十分でなくニツケルま
たはその合金を基体とした場合に比べ100mV以
上も高くなり、また上記基体をチタンとした場合
は電解初期の水素過電圧は低いが次第に上昇し最
後にはチタン金属自体の水素過電圧を示す様にな
る。その理由はチタン基体が水素脆化を起し表面
の被覆層が剥離崩壊するものと考えられる。本発
明に係るニツケルまたはニツケル合金を基体とし
て使用した場合は軟鋼やステンレス鋼に比して腐
触環境に強く、またチタンのごとき水素脆化もほ
とんど起らない。ニツケル合金としては市販され
ている高ニツケル合金、たとえばインコネル
(Ni−Cr−Fe系)、インコロイ(商品名Ni−Cr−
Fe系)、ハステロイ(商品名Ni−Mo−Fe系)、
モネル(Ni−Cu系)、デイータロイ(商品名Ni
−Cr−Fe−Co−W系)等が挙げられる。基体金
属の構造は板状、棒状、円筒状、金網状のいづれ
でもよい。基体表面の前処理としてグリツトブラ
ストまたはサンドブラスト処理が施されるが通常
はグリツトブラスト処理が好ましい。グリツトに
使用しうる材料としてはスチールグリツト、アル
ミナ、炭化ケイ素等がある。グリツトの粒子径は
10〜20メツシユ程度が適当である。このブラスト
処理による電極基体表面の粗面化は被覆金属との
密着力を増加させるとともに水素過電圧低下に重
要な因子となるから十分に行う事が好ましい。ブ
ラストにより粗面化できる割合は基体の見掛け表
面積の100〜300倍である。電極基体はブラスト処
理後、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、蓚酸等で軽く酸
洗いしてその表面に付着している微粉末を除去す
る。電極基体に被覆させる白金族金属としては白
金、ロジウム、ルテニウム、イリジウムの1種ま
たは2種以上が好ましくこれらの化合物溶液を基
体表面に塗布し熱分解せしめるか、または化合物
溶液に浸漬せしめ電鍍させる。白金族金属化合物
としては塩化白金酸、塩化白金酸アンモニウム、
第一塩化白金酸カリウム、第二塩化白金酸カリウ
ム、塩化ルテニウム、塩化イリジウム、塩化ロジ
ウム等が挙げられ、溶媒として水、エチルアルコ
ール、メチルアルコール、プロピルアルコール、
ブチルアルコール、ベンゼン、トルエン、メチル
エーテル、エチルエーテル、ラベンダー油、リナ
ロエ油、アニス油、テレビン油等を使用する。こ
のような溶液をハケ塗り、ロール塗り、スプレー
塗り、浸漬等の方法で塗布し、また塗布液の密着
性を良くするために塗布前の基体をあらかじめ加
温してもよい。塗布後溶媒を蒸発させるために温
度150〜200℃で数十分間乾燥後、電気炉で温度
300〜800℃にて約15〜20分間熱処理を行う。この
熱処理操作は所望の厚みを得るために必要な回数
くり返して行うことができ、このようにして形成
された白金族金属またはその酸化物の好ましい厚
みは0.5〜1.0μ程度である。熱処理温度は300℃未
満であると白金族金属化合物の熱分解が完全に起
らず、800℃を超えると白金族金属の水素発生反
応に対する触媒活性が低下する。この白金族金
属、またはその酸化物による被覆層の形成は電鍍
によつても行いうるが、操作面等の点において上
記の熱分解法が好ましい。
本発明に使用される陰極における被覆層は白金
族金属の有する水素過電圧低下に対する優れた触
媒能を利用したものであるが、このような白金族
金属を直接軟鋼製陰極上に被着させても良好な結
果は得られない。すなわち、鉄系金属基体に直接
熱分解法により白金メツキを施した電極の水素過
電圧の低下は電流密度20A/dm2において約150
mVであるが、経時的に水素過電圧が上昇する傾
向にあり、十分な耐蝕性があるとは言えない。こ
のことは白金メツキ層が徐々に剥離、崩壊してい
くものと思われる。
族金属の有する水素過電圧低下に対する優れた触
媒能を利用したものであるが、このような白金族
金属を直接軟鋼製陰極上に被着させても良好な結
果は得られない。すなわち、鉄系金属基体に直接
熱分解法により白金メツキを施した電極の水素過
電圧の低下は電流密度20A/dm2において約150
mVであるが、経時的に水素過電圧が上昇する傾
向にあり、十分な耐蝕性があるとは言えない。こ
のことは白金メツキ層が徐々に剥離、崩壊してい
くものと思われる。
本発明に使用される電極は鉄系金属基板に比べ
同条件で約300mVの水素過電圧の低下が認めら
れ、また耐蝕性も良好であり長期間の使用も可能
である。また上記電極に使用される白金族金属は
薄層であるのでその量は少量でよいため、その経
済的不利は水素過電圧の低下により十分に補うこ
とが可能である。
同条件で約300mVの水素過電圧の低下が認めら
れ、また耐蝕性も良好であり長期間の使用も可能
である。また上記電極に使用される白金族金属は
薄層であるのでその量は少量でよいため、その経
済的不利は水素過電圧の低下により十分に補うこ
とが可能である。
以下本発明の効果を比較例を混え実施例により
説明する。
説明する。
実施例1、比較例1
ニツケル板の試片(100×10×1mm)4枚を20
番グリツトのアランダムでブラスト処理を行つた
後、0.1N HCl溶液で洗浄した。別に下記の組成
を有する4種の溶液を作製した。
番グリツトのアランダムでブラスト処理を行つた
後、0.1N HCl溶液で洗浄した。別に下記の組成
を有する4種の溶液を作製した。
(1)塩化白金酸H2PtCl6・6H2O 2.0g
ラベンダー油 25ml
エチルアルコール 15ml
(2)塩化白金酸 1.0g
塩化ロジウムRhCl3・3H2O 1.0g
テレビン油 5ml
ラベンダー油 20ml
エチルアルコール 15ml
(3)塩化白金酸 1.0g
塩化イリジウムIrCl3・1.5H2O 1.0g
テレビン油 5ml
アニス油 20ml
エチルアルコール 15ml
(4)塩化白金酸 1.0g
塩化ルテニウムRuCl3・nH2O 1.0g
テレビン油 5ml
リナロエ油 20ml
エチルアルコール 15ml
(1)〜(4)の溶液をそれぞれ4枚のニツケル板基体
にハケ塗りし、120℃で乾燥後、450℃の電気炉で
10分間熱処理を行つた。この処理操作を厚さ約
0.5μのメツキ層が得られるまでくり返し行つた。
このようにして白金族金属の被覆層が形成された
試片を1cm2の有効面積を残してアラルダイト樹脂
で被覆し、液温80℃、2.5N苛性ソーダ水溶液中
で陰分極しカーレントインターラプター法により
水素過電圧を測定した。比較のため被覆を施さな
いニツケル電極および軟鋼電極の水素過電圧を測
定した。その電流密度を変化させた場合における
陰極電位の変位を第1図に示す。
にハケ塗りし、120℃で乾燥後、450℃の電気炉で
10分間熱処理を行つた。この処理操作を厚さ約
0.5μのメツキ層が得られるまでくり返し行つた。
このようにして白金族金属の被覆層が形成された
試片を1cm2の有効面積を残してアラルダイト樹脂
で被覆し、液温80℃、2.5N苛性ソーダ水溶液中
で陰分極しカーレントインターラプター法により
水素過電圧を測定した。比較のため被覆を施さな
いニツケル電極および軟鋼電極の水素過電圧を測
定した。その電流密度を変化させた場合における
陰極電位の変位を第1図に示す。
実施例2、比較例2
ニツケル金網(200×200×3mm)4枚の表面を
サンドブラスト処理を行つた後、0.1N、HClで
洗浄した。別に実施例1における(1)〜(4)組成の溶
液をそれぞれ4枚のニツケル金網にハケ塗りし実
施例1と同じ条件で熱分解処理を行つた。この各
電極をそれぞれ陽イオン交換膜(商品名ナフイオ
ン214、デユポン社製)を隔膜とした小型食塩電
解槽の陰極として用い、陽極としてエキスパンド
チタン(200×200×3mm)に酸化ルテニウムを被
覆せしめた電極を使用し、食塩電解を行つた。電
解条件は陰極液として20重量%NaOH水溶液、
陽極液として280g/NaCl水溶液を使用し電流
密度20A/dm2、電解温度約80℃にて食塩電解を
行い、陰極電位の経時変化を測定した。この電位
の測定はルギン毛細管を電極近傍の数mmの位置に
配置し、酸化水銀電極を参照電極として行つた。
比較のため同じ大きさの軟鋼金網電極、ニツケル
金網電極およびエキスパンドチタンに同じ条件で
熱分解法にて白金の被覆層を設けた電極を陰極と
し同じ条件で食塩電解を行つてそれぞれの陰極電
位の変化を同方法で測定した。その結果を第2図
に示す。
サンドブラスト処理を行つた後、0.1N、HClで
洗浄した。別に実施例1における(1)〜(4)組成の溶
液をそれぞれ4枚のニツケル金網にハケ塗りし実
施例1と同じ条件で熱分解処理を行つた。この各
電極をそれぞれ陽イオン交換膜(商品名ナフイオ
ン214、デユポン社製)を隔膜とした小型食塩電
解槽の陰極として用い、陽極としてエキスパンド
チタン(200×200×3mm)に酸化ルテニウムを被
覆せしめた電極を使用し、食塩電解を行つた。電
解条件は陰極液として20重量%NaOH水溶液、
陽極液として280g/NaCl水溶液を使用し電流
密度20A/dm2、電解温度約80℃にて食塩電解を
行い、陰極電位の経時変化を測定した。この電位
の測定はルギン毛細管を電極近傍の数mmの位置に
配置し、酸化水銀電極を参照電極として行つた。
比較のため同じ大きさの軟鋼金網電極、ニツケル
金網電極およびエキスパンドチタンに同じ条件で
熱分解法にて白金の被覆層を設けた電極を陰極と
し同じ条件で食塩電解を行つてそれぞれの陰極電
位の変化を同方法で測定した。その結果を第2図
に示す。
第2図より明らかなように本発明に使用される
電極は被覆を行わない軟鋼金網やニツケル金網の
電極に比べて約250〜300mVの陰極電位の低下が
認められ150日間の運転期間中ほぼ一定であつた。
一方エキスパンドチタン上に熱分解白金メツキを
施した電極は初期の20日間は本発明に使用される
電極と同様に水素過電圧は低かつたが次第に高く
なり、30日目にはチタンの示す水素過電圧と同様
の値を示した。
電極は被覆を行わない軟鋼金網やニツケル金網の
電極に比べて約250〜300mVの陰極電位の低下が
認められ150日間の運転期間中ほぼ一定であつた。
一方エキスパンドチタン上に熱分解白金メツキを
施した電極は初期の20日間は本発明に使用される
電極と同様に水素過電圧は低かつたが次第に高く
なり、30日目にはチタンの示す水素過電圧と同様
の値を示した。
実施例 3
電極基体としてインコネル(組成Ni72.0、
Cr15.5、Fe8.0、C0.15、Mn1.0、Cu0.5各重量%)
の金網(200×200×3mm)を使用し、実施例1に
おける組成液(1)を塗布し同様の熱処理操作を行つ
て白金被覆電極を作製した。
Cr15.5、Fe8.0、C0.15、Mn1.0、Cu0.5各重量%)
の金網(200×200×3mm)を使用し、実施例1に
おける組成液(1)を塗布し同様の熱処理操作を行つ
て白金被覆電極を作製した。
この電極を陰極とし、他の実施例2と同条件で
食塩電解を行い同じく陰極電位の経時変化を測定
した。結果は第2図に示すようにほぼ実施例2と
同様の水素過電圧を示した。
食塩電解を行い同じく陰極電位の経時変化を測定
した。結果は第2図に示すようにほぼ実施例2と
同様の水素過電圧を示した。
第1図は実施例1、比較例1における各種電極
の電流密度と陰極電位との関係を示すグラフであ
り、第2図は実施例2・3、比較例2における各
種電極の陰極電位の経時変化を示すグラフであ
る。
の電流密度と陰極電位との関係を示すグラフであ
り、第2図は実施例2・3、比較例2における各
種電極の陰極電位の経時変化を示すグラフであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 陽イオン交換膜とその両側に電極体を配置し
た電解槽を使用する塩化アルカリ電解方法におい
て、陰極体としてニツケルまたはニツケル合金基
体上に白金族金属もしくはその酸化物よりなる被
覆層を設けた電極を使用することを特徴とする塩
化アルカリ電解方法。 2 ニツケル合金がニツケルとクロム、鉄、銅、
モリブデン、コバルト、タングステンから選ばれ
た少くとも1種の金属とを含む合金である特許請
求の範囲第1項記載の塩化アルカリ電解方法。 3 白金族金属またはその酸化物が白金、ロジウ
ム、イリジウム、ルテニウムから選ばれた少くと
も1種の金属またはその酸化物である特許請求の
範囲第1項記載の塩化アルカリ電解方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8762680A JPS5713189A (en) | 1980-06-26 | 1980-06-26 | Cathode for electrolysis |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8762680A JPS5713189A (en) | 1980-06-26 | 1980-06-26 | Cathode for electrolysis |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5713189A JPS5713189A (en) | 1982-01-23 |
JPS63507B2 true JPS63507B2 (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=13920182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8762680A Granted JPS5713189A (en) | 1980-06-26 | 1980-06-26 | Cathode for electrolysis |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5713189A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE202010018532U1 (de) | 2009-10-29 | 2017-06-16 | Sony Corporation | Halbleitereinrichtung und elektronische Vorrichtung |
US20210091133A1 (en) | 2009-03-19 | 2021-03-25 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8316778D0 (en) * | 1983-06-21 | 1983-07-27 | Ici Plc | Cathode |
DE102007044171A1 (de) * | 2007-09-15 | 2009-03-19 | Bayer Materialscience Ag | Verfahren zur Herstellung von Graphitelektroden für elektrolytische Prozesse |
DE102008007605A1 (de) * | 2008-02-04 | 2009-08-06 | Uhde Gmbh | Modifiziertes Nickel |
TWI432607B (zh) | 2008-07-03 | 2014-04-01 | Asahi Kasei Chemicals Corp | Hydrogen generation cathode and its manufacturing method |
NO2518185T3 (ja) | 2009-12-25 | 2018-02-10 | ||
JP2012052202A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | Tokyo Metropolitan Univ | 電解セル用部材およびそれを用いた水素製造装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4945222A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-04-30 | ||
JPS5410279A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-25 | Tokuyama Soda Co Ltd | Cathode |
JPS54152697A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-01 | Kureha Chem Ind Co Ltd | Cathode for electrolysis of alkali halide |
-
1980
- 1980-06-26 JP JP8762680A patent/JPS5713189A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4945222A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-04-30 | ||
JPS5410279A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-25 | Tokuyama Soda Co Ltd | Cathode |
JPS54152697A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-01 | Kureha Chem Ind Co Ltd | Cathode for electrolysis of alkali halide |
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US20210091133A1 (en) | 2009-03-19 | 2021-03-25 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US11764243B2 (en) | 2009-03-19 | 2023-09-19 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
DE202010018532U1 (de) | 2009-10-29 | 2017-06-16 | Sony Corporation | Halbleitereinrichtung und elektronische Vorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5713189A (en) | 1982-01-23 |
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