JPS6129415A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はハードディスク、フロッピーディスク、光磁気
メモリ等に使用される磁気記録媒体に関する。

従来技術 従来、磁気記録媒体の磁性体として六方晶型酸化物を用
いたものが知られている。これら六方晶型酸化物磁性体
を用いた磁気記録媒体は、例えばＢａ７エライトの六角
板状の粉末粒子をノ々インダー中に分散してこれを支持
体上に塗布し、磁場配向して垂直磁化配向膜を作成して
いた。この場合に得られる記録媒体の記録密度は７６Ｋ
ＢＩ程度であシ、これ以上の高密度記録を行うためには
Ｂａフェライト六角板状の粉末の粒子径をよｐ小さくす
る必要がある。しかし、この粒子径が小さくカると、面
方向と局方向の軸比が小さくなシ、磁場配向が困難とな
る。また、配向した六角板状のすき間に非磁性体のバイ
ンダーがあるので、この領域の分だけ記録密度が減じる
ことになる。本発明はノ々イングーな用いることなしに
基板上に直接六方晶Ｗ型酸化物磁性体薄膜をスノぐツタ
リング、蒸着法、イオンシレーティング法によって作成
し、非磁性領域の無い高密度光磁気記録媒体とする。六
方晶Ｗ型数化物磁性体はキュリ一温度が高く、半導体レ
ーザーで記録できない。そこでＦｅ　　の１部を他の金
属で置換してキュリ一温度を下げて光磁気記録媒体に適
用した。

目　　　　　的 本発明は上記した従来の六方晶メｌメ／ｌ／ｙｉｉｉ／
ｌｙ型酸化物磁性体を用いた場合の問題点を解消し、高
密度記録可能な磁気記録媒体、構成によっては光磁気記
録媒体を提供することを目的とするものでおる。

構　　　成 本発明は一般式ＡＭに　Ｉ：ＭｘＦｅ、、−ｘ：ＩＱ、
　（但しＡはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｃｍの少くとも１種、
Ｍ＠″はＦｅ、Ｚｎ、Ｎｉ　、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎ
、Ｐｂの少くとも１種、ＭはＡＪ、Ｇａ、Ｃｒ、Ｆａ、
Ｉｎ、Ｂｅ、Ｔｉ。

Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｒｓ＋、Ｔａ、Ｖ、Ｓ
ｎ、Ｎｉ。

Ｃｕ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｉｒの少くとも１種、ＯくＸ≦５）
で示される六方晶Ｗ減酸化物磁性体の垂直磁化膜を有す
る磁気記録媒体である。

本発明の六方晶Ｗ減酸化物磁性体はマグネツトゾランノ
々イト型と似た構造、０”　によって稠密に充填され九
六方晶型で陽イオンはＯの間隙に介在する。マグネット
プランノ々イト型と比べて飽和磁化が１０％大きく、膜
面に対して垂直方向の磁気異方性を有し、光磁気記録媒
体に適した垂直磁化磁性体である。

具体例としては次の如きものが挙げられる。

Ｂ　’Ｆｅ　２Ｆａ　、　、Ｏ＊　ｖ　＋　Ｓ　ｒＦｅ
　、　Ｆｅ１ｓ　Ｏ！　Ｉ　ＴＰｂＦｅ　　Ｆｅ　　Ｏ
、５ｒＦｅ　　（ＡＪ　　Ｆｅ　　）０　　。

２　　　　１＠１？　　　　　　　　　　ｔ　　　　　
　　　４　　　　１２　　　　　ｔγＢａ　　　Ｃｏ　
　　Ｆｅ　　　　Ｆｅ　　　　Ｏ−、５ｒＺｎ　　　Ｆ
ｓ　　　　Ｆ、、０．、　　　。

０．４　　　　へ６　　１　　　　１６　　意７ＳｒＺ
ｎ　　Ｆａ　　Ｏ、ＢａＮｉ　　Ｆｅ　　０　　。

２　　　　１６　　　意１　　　　　　　　　　１１６
２？Ｓ　ｒ　Ｃｏ　　Ｆｅ（Ａ’　＊　Ｆ”　ｔ　、　
）　Ｏ！　７１　Ｂ　’Ｃｕ　！　Ｆｅ　１ｓ　０２　
ｔ　＊ＢａＮｉ　　Ｃｕ　　Ｆｅ　　Ｏ、５ｒＣｏ　　
Ｆｓ　　０　　。

１６！７　　　　　　　　　　２　　　　　１８２７Ｂ
ａＭｎ　　Ｆｅ　　Ｏ、５ｒＺｎ　　Ｆｅ　　（ＡＡｌ
　　Ｆｅ　　’）０　　。

２　　１６　寓７　　　　　　　　　　　　　　　　３
　　　１１　　　２’ｌＢａＺｎ″＋ＣＡＪ”Ｆｅ”）
Ｏ、５ｒＺｎ　　（ＡＩＦｅ　　）０　　。

２１１１４２丁　　　　　　　　２４１１１７ｔ＋　　
Ｂ＋　　　Ｂ＋ ＰｂＺｎ　　［Ｓｃ　　Ｆｅ　　）ｏ　　、　ＢａＺｎ
、　［Ｇａ、Ｆｅ１．：）Ｏ，、。

２＋ ＢａＺｎ　　（Ｉｎ　　Ｆａ　　）Ｏ、５ｒＺｎ、　（
Ｇａ３Ｆｅ１．）Ｏ，、。

２　　　　　　　　　　　　ｉｌｌ　　　　２７ＢａＣ
ｕ　　（ＡＩＦｅ　　１０　　　、　８ｒＺｎ　　Ｃｕ
　　（Ｆｅ　　）ｏ　　　。

ＢａＮｉ　”Ｃｕ”［Ｇａ″＋Ｆｅ″＋〕０　。

ｓ　　　　１ｓ　　　黛７ ２４　　　　Ｂ＋　　　Ｂ＋　　　　ａ十５ｒＣｕ　　
（ＡＪ　　Ｉｎ　　Ｆｅ、ｓ）Ｏ，、。

ＢａＦｅ　　［ＡＩ　　Ｆｅ　　］０　　　。

２　　　　１１１２フ ２＋　　　　Ｂ＋　　　　　Ｂ＋　　　　３＋　　　　
Ｂ＋ＢａＺｎ　　Ｆｅ　　［Ｇａ　　Ｉｎ　　Ｆｅ　　
］Ｏ。

１３　　２丁 ５ｒＦｅ　　（Ｇａ　　Ｆ’ｓ　　）０　　　。

ＰｂＦｅ”［Ｇａ”Ｉｎ”Ｆｅ”］０　　。

２１１　　　　　　　１！２丁 ８ｒＣｏ　：”（Ｃｏ　：”Ｔ’　７２Ｆｅ　”、：）
Ｏｘ　？　１！＋　　　　Ｂ＋　　Ｂ＋ ＰｂＦｅ　　（ＡＩＦａ　　）０　　　。

２　　　　　　２１４１丁 ＢａＣｏ”（Ｃｏ”ＴＩ”Ｆａ”）Ｏ。

！　　　　　　　　　　　　　１３　３丁ＢａＭｇ”［
ＡＡｌ”Ｆｅ”’ＩＱ　　。

２　　　　　４　　　　１意　　　露７ＳｒＺｎ　　（
Ｚｎ　　Ｓｎ　　Ｆｅ　　）Ｏ。

！　　　　　１　　　　　　　１１　　１フＢａＮＩ　
　Ｆｅ　　（：ｋｌ　　Ｆｅ　　）Ｏ、ＢａＦｅ　　（
Ｃｒ４Ｆｅ、、”ＩＱ、、。

ＢａＺｎ　　（Ｚｎ　　Ｔａ　　Ｆｅ　　）Ｏ、ＢａＦ
ｅ２（Ｂｉ、Ｆｅ１．）Ｏ，、。

２　　　　　　２　　　　　　　　　　１！　　　　２
７ＢａＣｏ”Ｆｓ”（Ｇａ３Ｆｅ１）０　　。

１４　１丁 ＳｒＭｎ　　Ｆｅ　　（Ｒｕ　　Ｆｅ　　）Ｏ、ＢａＦ
ｅ　　（Ｒｈ　　Ｆｅ　　）０　　。

４　　　＋！　　２丁　　　　　　　　２　　　５ｓｓ
ａｙＢａＦｅ　　（Ｒｅ　　Ｆｅ　　）０　　　、　Ｂ
ａＣｏ　　Ｆｅ　　（Ｉｒ　　Ｆｅ　　３０゜２　　　
　１１ｍ！７　　　　　　　　　　　　　　　　　　１
１１！）ＢａＮｉ　　［ＮＩ　　Ｇｅ　　Ｆｅ　　］０
２　　　　１　　　　　　　１１　　１フ上記のような
本発明に係る六方晶Ｗ減酸化物磁性体は予めターゲット
とされ、このターゲットを用いて支持体上にスパッタリ
ング、イオンブレーティング、イオン化クラスタービー
ム法等の手段で支持体温度２００〜５５０℃に維持して
膜厚１０００〜３００００Ｘの垂直磁化膜を得る。

ターゲットの作製方法の一例を示せば次のようである。

すなわちＡＣＯとＦｅ　ＯおよびＭｅｏ　。

３　　　　　　　２　　き ＭＯの粉末をＩ−ルミルで５０時間混合し、これを金型
にプレスし１．これをＯ分圧ｌＯ〜１０〜１３１Ａｔ１
分のＮ気流中で１２００〜１４００℃で５時間焼成する
。次いでこれを粉砕し、ゼールミルで１００時間粉砕し
た後、これを５％ＨＣ１水溶液にて酸処理し不純物を除
去する。これを乾燥し、金型に入れてプレスして大気中
にて１２００〜１４００℃にて焼成し、所望の六方。

晶Ｗ型酸化物磁性体ターゲットを得る。

本発明に適用し得る支持体としては耐熱ガラス、石英ガ
ラス、結晶化ガラス、ＧＧＧ、　リチウムタンタレート
、単結晶８１．アモルファス無機ｓｔｏ、、有機８１０
．、セラミック（ＺｎＯ、ＭｇＯ。

Ａｌ　ｓ　Ｏｓ　ｒ　Ｓ　ｉ　Ｃ＊　Ｓ　ｉ　ｚ　Ｎ４
１　Ｔ　ｉ　Ｎ　＋　Ｔ　’Ｎ　Ｔ　ＣｒＮ　＋Ａ７Ｎ
　）、メタル（Ｎｉ、Ｎ１−Ｐ、ステンレス、銅、ＡＪ
）、耐熱性プラスチック（ポリイミド、ポリアミド）等
が好ましい。

これら支持体上に前述したス）Ｒツタリング法等の手段
で六方晶Ｗ減酸化物磁性体の垂直磁化膜を作製する。な
お、これら磁性体を垂直磁化膜にエビタキャシャル生成
させるためにはＷ減酸化物磁性体の結晶の六方晶Ｃ面と
の界面のミスフィツト率が小さいＺｎＯ、ＡＡ！Ｎ　、
　Ｔｉ　。

ＢａＦａ　Ｏ、ＭｎＺｎＦｅ　Ｏ、αＦｅ　Ｏ、ＭｇＯ
＋ＭｎＦ＠Ｏ等の下地層を設けることが好ましい。

また、支持体には反射層としてＡＪ　＊　Ａｇ　＋Ａｕ
　、　Ｐｔ　、Ｃｕ等を設けるようにしてもよく、この
ような反射層を設けた場合には光磁気記録媒体として使
用するに好適である。

その他、磁性層の上面に所望により適宜の保護層、保護
板を設けるようにしてもよい。また磁性層の下にはパー
マロイ等の軟磁性層を設けてもよい。

以下に実施例を示す。

実施例Ｉ Ｎｉ電鋳板支持体１上に下地層２として８１０□をス・
々ツタリング法にて膜厚１０００Ｘ付着させた。この支
持体を５５０℃に維持して対向ターゲット法スノ七ツタ
リング法にてＢａＦｅ　　Ｆｅ　　０からなる磁性層３
を膜厚１０００Ｘ付着させて第１図に示す如き磁気記録
媒体を得た。

実施例２ セラミック（日本碍子製フォトセラム）支持体１上に下
地層２としてＺｎＯをスノぞツタリング法にて膜厚１０
００に付着させた。次に・ぐ−マロイからなる軟磁性層
４を膜厚１０００Ｘ付着させ、その上にｓ　ｒ　Ｆ　ｅ
２１１：　Ａｔ　ａ　Ｆｅ　１ｚ　）ｏ　２ｔからなる
磁性層３を膜厚２０００Ｘ付着させた。との磁性層３の
上に保護層５としてＳｉＣを５００Ｘ付瘤させ、第２図
に示されるような磁気記録媒体を得た。

実施例３ 単結晶シリコン（日立金属製）支持体ｌ上に下地層２と
してＺｎＯを膜厚５００Ｘ付着させ、この上にＢ　ａＺ
”　２　（Ｇａ　ｓ　Ｆｅ１．　）ｏ＊　？からなる磁
性層３を３０００Ｘ付着させ、保護板５として１電厚の
プリカーゼネートをエポキシ接着剤層６を介して接合し
、第３図に示されるような磁気記録媒体を得た。

実施例４ ハ（コールガラス＋３０３（コーニンク製）支持体ｌ上
に反射層７としてＡｇを膜厚５００Ｘ付着させ、次に下
地層２としてＡＩＮを膜厚５００Ｘ付着させ、この下地
層２の上に磁性層３として５ｒＺｎ　　Ｆｅ　　（ＡＩ
Ｆｅ　　）Ｏを膜厚１１Ｂ！フ ５０００Ｘ付着させ、次にこの磁性層３の上にエポキシ
接着剤層６を介してプレグルーブ付メチルメタクリレー
ト樹脂からなる保護板５を接合して第４図に示されるよ
うな光磁気記録媒体を得た。

実施例５ プレグルーブ付Ｎ１電鋳板の支持体１上に下地層として
ＺｎＯを膜厚１０００Ｘ付着させ、次いで磁性層３とし
てＢａＺｎ　　Ｆｅ　　［：Ｇａ　　Ｉｎ　　Ｆｅ　　
）。

雪　　　　　　　　　　１３　　　ｚ７を膜厚３０００
Ｘ付着させ、この上にエポキシ接着剤層６を介して保護
板５としてポリメチルメタクリレート樹脂を接合し、第
５図に示されるような磁気記録媒体を得た。

実施例６〜１０ 実施例１で得た第１図に示される磁気記録媒体において
、磁性層３を次表に示す六方晶Ｗ減酸化物磁性体を用い
たこと以外は全く同様にして磁気記録媒体を得た。

第　　　１　　　表 実施例１１〜１８ 実施例３で得た第３図に示される磁気記録媒体において
、磁性層３を次表に示す六方晶Ｗ減酸化物磁性体を用い
たこと以外は全く同様にして磁気記録媒体を得た。

第２表 上記各実施例の記録媒体のうち、実施例１゜２．６，７
，８，９．１０は磁気記録ヘッドを用いて記録、再生す
るものであシ、実施例３゜應、５，１１，１２，１３，
１４，１５，１６゜１７．１８はキュリ一温度が３５０
℃以下であシ、光レーザーによって記録再生するもので
ある。

上記実施例１２の記録媒体を用い、８３０ｎｍのレーザ
ー光を８　ｍＷの強さ、媒体の磁界と逆の外部磁界３０
０エールステツドをかけ々から０、５メガヘルツの周波
数で記録した結果、約２、ａのビット径が記録された。

次に同じレーザー２　ｍＷの強さで再生したところ、フ
ァラデー回転角が約０．８°／であった。また第１表お
よび第μ ２表に示した各実施例の記録媒体について同様にテスト
を行ったところ、得られたピット径は約１〜２μ、ファ
ラデー回転角は０．２〜０．９’／μ であった。

効　　　果 以上のような本発明によれば、六方晶Ｗ減酸化物磁性体
をノ署インダーを使用することなく、ターゲットとし、
これを適宜の支持体上にスパッタリング、イオンシレー
ティング、イオン化クラフトビーム法等によりエピタキ
シャル成長させるため、垂直磁化配向性に優れるととも
に記録密度が従来のものに比べて飛躍的に増大させるこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は本発明の実施例における記録媒体の構
成を示す概略説明図である。 １・・・支持体　　　　　　２・・・下地層３・・・磁
性層　　　　　　４・・・軟磁性層５・・・保應層、保
護板　　６・・・接合層７・・・反対層 沁１図　　　　　　　　箇２図 崩３図　　　　　　　　　崩４図 箋５図 ２、発明の名称 磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社　リ　コ　− 代表者　浜　１）　　広 ４、代理人 ５、補正の対象 ６、補正の内容　　　　　゛ （１）第６頁下から５行目ノｒ２００−５５０℃」をＩ
ｒ２００−６５０℃」と訂正する。 （２）第１３頁第１０行目の「０．８°／μ」を［ｒｏ
、８　’　／μｍ」と訂正する。 （３）同頁第１３行目の１１〜２μ」および［０，２〜
０．９°／μ」をそれぞれ［ｉ’　１〜２　ｐ　ｍ　Ｊ
ｌおよび「０．２〜０．９　／μｍ」に訂正する。 （４）第１４頁第１０行目の［反対層」を「反射層」と
訂正する。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ＡＭｅ＾２＾＋＿２〔ＭｘＦｅ＿１＿６＿−＿Ｘ〕Ｏ＿
   ２＿７、（但し、ＡはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｃａの少くと
   も１種、Ｍｅ＾２＾＋はＦｅ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｃｏ
   、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｐｂの少くとも１種、ＭはＡｌ、Ｇａ、
   Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｒ
   ｈ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、
   Ｐｂ、Ｉｒの少くとも１種、 ０＜Ｘ≦５） で示される六方晶Ｗ量酸化物磁性体の垂直磁化膜を有す
   る磁気記録媒体。