JPH0572662B2 - - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
技術分野
本発明はハードデイスク、フロツピーデイス
ク、ドキユメントフアイル等に使用されるマグネ
トプラムバイト型磁性体の垂直磁気異方性薄膜を
有する光磁気記録媒体に関する。 従来技術 近年、半導体レーザー光により磁気記録を行う
光磁気記録媒体が高密度記録用として種々研究さ
れている。従来、これら光磁気記録媒体に用いら
れる磁性膜として遷移金属（Fe、Co）と希土類
金属（Tb、Cd、……）との合金よりなるアモル
フアス磁性合金膜が知られている。これらアモル
フアス磁性合金膜はキユリー温度が低く、またア
モルフアスであるため光学的ノイズが小さい等の
長所がある反面、希土類金属は酸化活性が大きい
ため酸化し易く、酸化に起因する磁気特性の劣
化、記録又は再生特性の劣化が生じ易く、膜安定
性に劣る欠点を有するものである。 かかることから本発明者らは膜安定性に優れ、
キユリー温度が低いマグネトプラムバイト型酸化
物磁性体、すなわちMeO.n〔MxFe（２−ｍ／３ｘ） O3〕、（ここでMe：Ba、Pb、Srの少くとも１種
以上、Ｍ：Ga、Al、Mn、Co、Ni、Zn、Ti、
In、Sc、Cu、Bi、Cr、Ta、Rh、Ge、Sn、Gd、
Tb、Ｖ、Ｙ、Sm、Mo、Ru等の少くとも１種以
上、ｘ：０＜ｘ≦１、ｎ：５≦ｎ≦６、ｍ：Ｍの
イオン価数）を光磁気記録媒体に適用する事を
種々検討を重ねてきた。これらマグネトプラムバ
イト型酸化物磁性体により光磁気記録媒体を作成
するには一般に支持体上にこれら磁性体をターゲ
ツトとして基板温度400〜700℃で真空蒸着、スパ
ツタリング、イオンプレーテイング等の方法で膜
厚0.1〜10μｍ程度に付着させることにより得られ
る。しかしながら、このようにして得られる磁性
膜は垂直磁気異方性膜になり難く、必ずしも磁気
光学効果に優れ再現性が良好であるとはいえず、
さらにビツト密度も充分満足できるものではなか
つた。 一般に光磁気記録媒体への記録、再生は次のよ
うにして行われる。すなわち、記録は磁性膜のキ
ユリー温度または補償温度近傍における温度変化
に対応した保磁力の急激な変化特性を利用して情
報信号で変調されたレーザー光を磁性膜に照射加
熱して磁化の向きを反転させることにより行わ
れ、また再生はこうして反転記録された磁性膜磁
気光学効果の差を利用して読出すことにより行わ
れる。従つて、前述したビツト密度および再現性
等を良好ならしめるためにはレーザー光の入射光
と同方向な垂直磁気異方性膜、すなわちＣ軸配向
した磁気配向性を付与することが必要となる。 目 的 本発明の目的はマグネトプラムバイト型磁性体
の垂直磁気異方性薄膜を作成することにより、再
現性、磁気光学効果に優れ、高密度記録再生可能
な光磁気記録媒体を提供することにある。 構 成 本発明は支持体の結晶面もしくは支持体上に形
成した下地皮膜の結晶面がその上面にエピタキシ
ヤル成長するマグネトプラムバイト型磁性体の結
晶の六方晶Ｃ面に対するミスフイツト率が±30％
以内とすることによりマグネトプラムバイト型磁
性体の垂直磁気異方性薄膜を形成した光磁気記録
媒体である。 本発明者らは一般式MeO.n〔MxFe（２−ｍ／３） O3〕、（ここでMe：Ba、Sr、Pb、Caの少くとも
１種、Ｍ：Ga、Al、Mn、Cr、Zn、Ti、In、
Sc、Co、Ni、Sn、Cu、Bi、Ta、Ge、Mg、
Mo、Ru、Rh、Gd、Tb、Ｖ、Ｙ、Sm等の少く
とも１種、ｘ：０＜ｘ≦１、ｎ：５≦ｎ≦６、
ｍ：Ｍのイオン価数）で示されるマグネトプラム
バイト型酸化物磁性体を種々の支持体上に真空蒸
着、スパツタリング、イオンプレーテイング等の
方法で薄膜形成する過程で、マグネトプラムバイ
ト型酸化物磁性体の薄膜はこれら磁性体が被着さ
れるべき支持体もしくは支持体上に形成した下地
皮膜の特性、特にミスフイツト率に大きく影響さ
れ、マグネトプラムバイト型磁性薄膜を垂直磁気
異方性膜、すなわちＣ軸配向性をもつてエピタキ
シヤル成長せしめるためにはこの磁性薄膜を被着
されるべき支持体の結晶面もしくは支持体上に形
成した下地皮膜の結晶面とこの上に作成するマグ
ネトプラムバイト垂直磁気膜の結晶面Ｃ軸とは±
30％以内のミスフイツト率を有することが必要で
あることを知見した。 ここで、ミスフイツト（MISFIT）率fiとは２
つの適当に選ばれた境界面の方向をｉ＝１、２と
し、成長層とその基板結晶の原子間隔をbi、aiと
すると、 fi＝ai−bi／ai×100 ……(1) で示される。 しかして本発明ではマグネトプラムバイト型磁
性体をＣ面配向させるためにはその結晶格子の原
子間隔biとするならば、これら選ばれる基材の原
子間隔aiはミスフイツト率が±30％以内のものと
なる。換言すれば、本発明ではマグネトプラムバ
イト型磁性体を垂直磁気異方性薄膜とするに際し
て、このマグネトプラムバイト型磁性体のＣ軸原
子間隔とのミスフイツト率が±30％以内とされた
原子間隔を有する支持体もしくは支持体上に形成
した下地皮膜を選択することにより、これら支持
体もしくは下地皮膜上にマグネトプラムバイト型
磁性体をエピタキシヤル成長させることによりマ
グネトプラムバイト型磁性体がＣ面配向した垂直
磁気異方性薄膜を得るものである。 ここで本発明で適用し得るマグネトプラムバイ
ト型酸化物磁性体の具体例を示せば、〔BaO〕6.0
〔Ga0.4Fe1.6O3〕、〔BaO〕5.6〔Zn0.12Ti0.06Fe1.64
O3〕、〔BaO〕6.0〔Al0.3Fe1.7O3〕、〔SrO〕6.0〔Al0.
4
Fe1.6O3〕、〔PbO〕6.0〔Mn0.4Fe1.6O3〕、〔BaO〕
6.0〔Cr0.4Fe1.6O3〕、〔BaO〕5.6〔In0.2Fe1.3O3〕、
〔SrO〕5.6〔Se0.2Fe1.3O3〕、〔PbO〕5.6〔Al0.3Zn0.2
1
Fe1.56O3〕、〔BaO〕6.0〔Al0.3Bi0.1Fe1.5O3〕、
〔BaO〕5.6〔Ga0.3Bi0.1Fe1.6O3〕、〔SrO〕6.0〔Al0.3
Ti0.12Fe1.54O3〕、〔BaO〕6.0〔Ga0.1Fe1.9O3〕、
〔SrO〕6.0〔Zn0.12Fe1.92O3〕、〔BaO〕6.0〔Co0.3
Zn0.21Fe0.56O3〕、〔BaO〕5.6〔Al0.3In0.12Fe1.58O3
〕、
〔SrO〕6.0〔Al0.3Sc0.12Fe1.58O3〕、〔SrO〕5.6
〔Ga0.3In0.15Fe1.55O3〕、〔SrO〕5.6〔Ga0.3Se0.15
Fe1.55O3〕、〔GaO〕6.0〔Al0.3Zn0.12Fe1.62O3〕、
〔0.6BaO 0.4CaO〕6.0〔Al0.3Zn0.12Fe1.83O3〕、
〔0.4BaO 0.6PbO〕6.0〔Al0.3Zn0.12Fe1.62O3〕等が
挙げられる。 これらマグネトプラムバイト型酸化物磁性体の
結晶面Ｃ面とミスフイツト率が±30％以内の結晶
面を有する支持体もしくは支持体上に形成した下
地被膜としては、例えばFe3O6（111）、α−
Fe2O3C面、Al2O3C面、ZnO（002）、MgO（111）、
MnZnFe2O4（111）、MnFe2O4（111）、BaOFe2O3
（100）、PbOFe2O3（100）、SrOFe2O3（100）、
CoFe2O4（111）、NiFe2O4（111）、AlN（002）等が
挙げられる。 これら結晶面に対するマグネトプラムバイト型
酸化物磁性体としてバリウムフエライトの結晶面
Ｃ面との具体的なミスフイツト率を例示すれば次
のようである。
ク、ドキユメントフアイル等に使用されるマグネ
トプラムバイト型磁性体の垂直磁気異方性薄膜を
有する光磁気記録媒体に関する。 従来技術 近年、半導体レーザー光により磁気記録を行う
光磁気記録媒体が高密度記録用として種々研究さ
れている。従来、これら光磁気記録媒体に用いら
れる磁性膜として遷移金属（Fe、Co）と希土類
金属（Tb、Cd、……）との合金よりなるアモル
フアス磁性合金膜が知られている。これらアモル
フアス磁性合金膜はキユリー温度が低く、またア
モルフアスであるため光学的ノイズが小さい等の
長所がある反面、希土類金属は酸化活性が大きい
ため酸化し易く、酸化に起因する磁気特性の劣
化、記録又は再生特性の劣化が生じ易く、膜安定
性に劣る欠点を有するものである。 かかることから本発明者らは膜安定性に優れ、
キユリー温度が低いマグネトプラムバイト型酸化
物磁性体、すなわちMeO.n〔MxFe（２−ｍ／３ｘ） O3〕、（ここでMe：Ba、Pb、Srの少くとも１種
以上、Ｍ：Ga、Al、Mn、Co、Ni、Zn、Ti、
In、Sc、Cu、Bi、Cr、Ta、Rh、Ge、Sn、Gd、
Tb、Ｖ、Ｙ、Sm、Mo、Ru等の少くとも１種以
上、ｘ：０＜ｘ≦１、ｎ：５≦ｎ≦６、ｍ：Ｍの
イオン価数）を光磁気記録媒体に適用する事を
種々検討を重ねてきた。これらマグネトプラムバ
イト型酸化物磁性体により光磁気記録媒体を作成
するには一般に支持体上にこれら磁性体をターゲ
ツトとして基板温度400〜700℃で真空蒸着、スパ
ツタリング、イオンプレーテイング等の方法で膜
厚0.1〜10μｍ程度に付着させることにより得られ
る。しかしながら、このようにして得られる磁性
膜は垂直磁気異方性膜になり難く、必ずしも磁気
光学効果に優れ再現性が良好であるとはいえず、
さらにビツト密度も充分満足できるものではなか
つた。 一般に光磁気記録媒体への記録、再生は次のよ
うにして行われる。すなわち、記録は磁性膜のキ
ユリー温度または補償温度近傍における温度変化
に対応した保磁力の急激な変化特性を利用して情
報信号で変調されたレーザー光を磁性膜に照射加
熱して磁化の向きを反転させることにより行わ
れ、また再生はこうして反転記録された磁性膜磁
気光学効果の差を利用して読出すことにより行わ
れる。従つて、前述したビツト密度および再現性
等を良好ならしめるためにはレーザー光の入射光
と同方向な垂直磁気異方性膜、すなわちＣ軸配向
した磁気配向性を付与することが必要となる。 目 的 本発明の目的はマグネトプラムバイト型磁性体
の垂直磁気異方性薄膜を作成することにより、再
現性、磁気光学効果に優れ、高密度記録再生可能
な光磁気記録媒体を提供することにある。 構 成 本発明は支持体の結晶面もしくは支持体上に形
成した下地皮膜の結晶面がその上面にエピタキシ
ヤル成長するマグネトプラムバイト型磁性体の結
晶の六方晶Ｃ面に対するミスフイツト率が±30％
以内とすることによりマグネトプラムバイト型磁
性体の垂直磁気異方性薄膜を形成した光磁気記録
媒体である。 本発明者らは一般式MeO.n〔MxFe（２−ｍ／３） O3〕、（ここでMe：Ba、Sr、Pb、Caの少くとも
１種、Ｍ：Ga、Al、Mn、Cr、Zn、Ti、In、
Sc、Co、Ni、Sn、Cu、Bi、Ta、Ge、Mg、
Mo、Ru、Rh、Gd、Tb、Ｖ、Ｙ、Sm等の少く
とも１種、ｘ：０＜ｘ≦１、ｎ：５≦ｎ≦６、
ｍ：Ｍのイオン価数）で示されるマグネトプラム
バイト型酸化物磁性体を種々の支持体上に真空蒸
着、スパツタリング、イオンプレーテイング等の
方法で薄膜形成する過程で、マグネトプラムバイ
ト型酸化物磁性体の薄膜はこれら磁性体が被着さ
れるべき支持体もしくは支持体上に形成した下地
皮膜の特性、特にミスフイツト率に大きく影響さ
れ、マグネトプラムバイト型磁性薄膜を垂直磁気
異方性膜、すなわちＣ軸配向性をもつてエピタキ
シヤル成長せしめるためにはこの磁性薄膜を被着
されるべき支持体の結晶面もしくは支持体上に形
成した下地皮膜の結晶面とこの上に作成するマグ
ネトプラムバイト垂直磁気膜の結晶面Ｃ軸とは±
30％以内のミスフイツト率を有することが必要で
あることを知見した。 ここで、ミスフイツト（MISFIT）率fiとは２
つの適当に選ばれた境界面の方向をｉ＝１、２と
し、成長層とその基板結晶の原子間隔をbi、aiと
すると、 fi＝ai−bi／ai×100 ……(1) で示される。 しかして本発明ではマグネトプラムバイト型磁
性体をＣ面配向させるためにはその結晶格子の原
子間隔biとするならば、これら選ばれる基材の原
子間隔aiはミスフイツト率が±30％以内のものと
なる。換言すれば、本発明ではマグネトプラムバ
イト型磁性体を垂直磁気異方性薄膜とするに際し
て、このマグネトプラムバイト型磁性体のＣ軸原
子間隔とのミスフイツト率が±30％以内とされた
原子間隔を有する支持体もしくは支持体上に形成
した下地皮膜を選択することにより、これら支持
体もしくは下地皮膜上にマグネトプラムバイト型
磁性体をエピタキシヤル成長させることによりマ
グネトプラムバイト型磁性体がＣ面配向した垂直
磁気異方性薄膜を得るものである。 ここで本発明で適用し得るマグネトプラムバイ
ト型酸化物磁性体の具体例を示せば、〔BaO〕6.0
〔Ga0.4Fe1.6O3〕、〔BaO〕5.6〔Zn0.12Ti0.06Fe1.64
O3〕、〔BaO〕6.0〔Al0.3Fe1.7O3〕、〔SrO〕6.0〔Al0.
4
Fe1.6O3〕、〔PbO〕6.0〔Mn0.4Fe1.6O3〕、〔BaO〕
6.0〔Cr0.4Fe1.6O3〕、〔BaO〕5.6〔In0.2Fe1.3O3〕、
〔SrO〕5.6〔Se0.2Fe1.3O3〕、〔PbO〕5.6〔Al0.3Zn0.2
1
Fe1.56O3〕、〔BaO〕6.0〔Al0.3Bi0.1Fe1.5O3〕、
〔BaO〕5.6〔Ga0.3Bi0.1Fe1.6O3〕、〔SrO〕6.0〔Al0.3
Ti0.12Fe1.54O3〕、〔BaO〕6.0〔Ga0.1Fe1.9O3〕、
〔SrO〕6.0〔Zn0.12Fe1.92O3〕、〔BaO〕6.0〔Co0.3
Zn0.21Fe0.56O3〕、〔BaO〕5.6〔Al0.3In0.12Fe1.58O3
〕、
〔SrO〕6.0〔Al0.3Sc0.12Fe1.58O3〕、〔SrO〕5.6
〔Ga0.3In0.15Fe1.55O3〕、〔SrO〕5.6〔Ga0.3Se0.15
Fe1.55O3〕、〔GaO〕6.0〔Al0.3Zn0.12Fe1.62O3〕、
〔0.6BaO 0.4CaO〕6.0〔Al0.3Zn0.12Fe1.83O3〕、
〔0.4BaO 0.6PbO〕6.0〔Al0.3Zn0.12Fe1.62O3〕等が
挙げられる。 これらマグネトプラムバイト型酸化物磁性体の
結晶面Ｃ面とミスフイツト率が±30％以内の結晶
面を有する支持体もしくは支持体上に形成した下
地被膜としては、例えばFe3O6（111）、α−
Fe2O3C面、Al2O3C面、ZnO（002）、MgO（111）、
MnZnFe2O4（111）、MnFe2O4（111）、BaOFe2O3
（100）、PbOFe2O3（100）、SrOFe2O3（100）、
CoFe2O4（111）、NiFe2O4（111）、AlN（002）等が
挙げられる。 これら結晶面に対するマグネトプラムバイト型
酸化物磁性体としてバリウムフエライトの結晶面
Ｃ面との具体的なミスフイツト率を例示すれば次
のようである。
【表】
上表より典型的なマグネトプラムバイト型酸化
物磁性体であるバリウムフエライトのＣ面に対
し、前述の各結晶面はいずれもミスフイツト率が
±30％以内にあることがわかる。またバリウムフ
エライト以外のマグネトプラムバイト型酸化物磁
性体のＣ面に対してもいずれもミスフイツト率が
±30％以内にある。このようにマグネトプラムバ
イト型酸化物磁性体をＣ面配向させるためにはこ
のＣ面とミスフイツト率が±30％以内、好ましく
は±20％以内にある結晶配向面上にエピタキシヤ
ル成長させることによりマグネトプラムバイト型
酸化物磁性体の垂直磁化薄膜を得ることができ
る。逆にミスフイツト率が±30％を越える結晶面
上には垂直磁化薄膜を形成することが困難とな
る。 以下具体例を図面に従つて説明する。 第１図において、１は支持体、２は下地皮膜、
３は磁性層、４は保護層である。支持体１として
は例えばアルミニウム、アルミニウム−マグネシ
ウム合金、アルミ青銅、黄銅、クロメル、ステン
レス鋼、ジユラルミン等の金属材料、あるいは石
英ガラス、結晶化ガラス、単結晶シリコン、無機
シリコン、バイコールガラス、パイレツクスガラ
ス、GGG、Liタンタレート、サフアイヤ、透明
セラミツク材、MgO、MgOLiF、BeO、ZrO2、
Y2O2、ThO2等の無機材料等が使用し得る。これ
ら支持体上に形成される下地皮膜２はマグネトプ
ラムバイト型酸化物磁性体の結晶の六方晶Ｃ面に
対しミスフイツト率が±30％、好ましくは±20％
以内の結晶配向を有する材料からなり、これをス
パツタリング法、反応スパツタリング法、蒸着
法、CVD等により基板温度常温〜500℃で通常は
0.1〜10μｍ程度の厚さに付着してなる。通常、こ
の下地皮膜２は支持体１が結晶面を有する場合、
前述の如きFe3O4、α−Fe2O3、Al2O3、ZnO、
BaOFe2O3、MnZnFe2O4等の下地材料をスパツ
タリング法、反応スパツタリング法、蒸着法、
CVD等により皮膜形成するとマグネトプラムバ
イト型酸化物磁性体のＣ面に対しミスフイツト率
が±30％以内におさまる結晶配向をもつた下地皮
膜として形成される。従つて支持体１がミスフイ
ツト率±30％より大きい結晶性である場合にはこ
の支持体に非晶質SiO2を予備形成させ、その
SiO2層上に下地皮膜２を形成するようにする。
かくして形成された下地皮膜２上にはマグネトプ
ラムバイト型酸化物磁性層３を形成する。この磁
性層３の形成はマグネトプラムバイト型酸化物磁
性体をターゲツトとして基板温度400〜700℃に維
持しスパツタリング、真空蒸着、CVD等の方法
で通常は0.1〜10μｍ程度の厚さに付着させること
により形成される。これにより磁性層３は下地皮
膜２の結晶配向に対応してＣ面配向した垂直磁気
異方性膜となる。この磁性層３上に所望により形
成される保護層４はアクリル樹脂、ポリウレタン
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスル
ホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、
TiN、Si3N4、AlN、CrN、TaN、SiO2、SiO等
を樹脂の場合は塗布法で、その他の材料の場合は
真空蒸着、スパツタリング、反応スパツタリン
グ、CVD等の方法で磁性層３上に膜厚0.1〜10μ
ｍ程度に付着させることにより行う。なお、下地
皮膜２は２層もしくは多層に設け、磁性層３に近
い層に向うに従つてマグネトプラムバイト酸化物
磁性体のＣ面配向とのミスフイツト率を小さくす
るようにしてもよい。 第２図は支持体１そのものが磁性層３のマグネ
トプラムバイト型酸化物磁性体のＣ面配向と±30
％以内のミスフイツト率を有する結晶配向をもつ
た材料である場合の例を示し、この場合には下地
皮膜２を設けなくともＣ面配向した、すなわち垂
直磁化した磁性層３が形成される。 また第３図は反射型フアラデー効果で再生する
場合の光磁気記録媒体の例を示すもので第１図に
おける支持体１と下地皮膜２との間にAg、Au、
Pt、Cu、Al等の反射層５を積層したものである。 なお、第１図および第２図に示される如き光磁
気記録媒体では磁性層３が比較的透光性を有さな
いマグネトプラムバイト型酸化物磁性体である場
合に好適に使用し得るものであり、カー効果を利
用して変調または偏向されたレーザー光により読
み出すものである。 効 果 以上のような本発明によれば、支持体もしくは
支持体上に形成した下地皮膜の結晶配向がその上
に付着されるマグネトプラムバイト型酸化物磁性
体の結晶面Ｃ面と±30％以内のミスフイツト率を
有するため、マグネトプラムバイト型酸化物磁性
体の垂直磁気異方性薄膜が得られ、従つて磁気光
学効果が優れ、ピツト数も増大で再現性が飛躍的
に向上し、高密度記録再生可能な光磁気記録媒体
が得られる。 以下に実施例を示す。 実施例 １ Siウエハー支持体の表面を酸化処理して膜厚
0.3μｍのSiO2を形成し、この面に反応スパツタリ
ング法によりZnO膜を0.5μｍ形成した。得られた
ZnO膜は（002）の配向面を示した。次にこの面
にスパツタリング法により基板温度400〜700℃に
維持しBaO6.0〔Al0.3Fe1.7O3〕を膜厚0.3μｍ付着し
た光磁気記録媒体を得た。この膜の構造解析の結
果BaO6.0〔Al0.3Fe1.7O3〕の結晶配向面は（00l）、
ただしｌは６、８、14、であり、Ｘ線回折の結果
Ｃ線に配向を有する垂直磁化膜であることが確認
された。 実施例 ２ 実施例１と同様であるが下地皮膜としてZnOの
代りにAlNを用い、また磁性体としてBaO6.0
〔Ga0.6Fe1.6O3〕を用いその他は同様にして光磁
気録媒体を得た。その結果、下地皮膜のAlNの
結晶配向面は（002）であり、またBa06.0〔Ga0.4
Fe1.6O3〕の結晶面は（00l）、ただしｌは６、８、
14であり、磁性層は垂直磁化膜であることが確認
された。 実施例 ３ 石英ガラス上にスパツタリング法により膜厚
0.3μｍのSiO2および反応スパツタリング法により
AlNを膜厚0.3μｍ形成した。次にこの面にSrO6.0
〔Al0.4Fe1.6O3〕をスパツタリング法により基板温
度550〜700℃に維持して膜厚0.3μｍ作成し、光磁
気記録媒体を得た。その結果、下地皮膜のAlN
の結晶配向面は（002）であり、その上の磁性層
の結晶配向面は（00l）、ただしｌは６、８、14で
あり、磁性層は垂直磁化膜であることが確認され
た。
物磁性体であるバリウムフエライトのＣ面に対
し、前述の各結晶面はいずれもミスフイツト率が
±30％以内にあることがわかる。またバリウムフ
エライト以外のマグネトプラムバイト型酸化物磁
性体のＣ面に対してもいずれもミスフイツト率が
±30％以内にある。このようにマグネトプラムバ
イト型酸化物磁性体をＣ面配向させるためにはこ
のＣ面とミスフイツト率が±30％以内、好ましく
は±20％以内にある結晶配向面上にエピタキシヤ
ル成長させることによりマグネトプラムバイト型
酸化物磁性体の垂直磁化薄膜を得ることができ
る。逆にミスフイツト率が±30％を越える結晶面
上には垂直磁化薄膜を形成することが困難とな
る。 以下具体例を図面に従つて説明する。 第１図において、１は支持体、２は下地皮膜、
３は磁性層、４は保護層である。支持体１として
は例えばアルミニウム、アルミニウム−マグネシ
ウム合金、アルミ青銅、黄銅、クロメル、ステン
レス鋼、ジユラルミン等の金属材料、あるいは石
英ガラス、結晶化ガラス、単結晶シリコン、無機
シリコン、バイコールガラス、パイレツクスガラ
ス、GGG、Liタンタレート、サフアイヤ、透明
セラミツク材、MgO、MgOLiF、BeO、ZrO2、
Y2O2、ThO2等の無機材料等が使用し得る。これ
ら支持体上に形成される下地皮膜２はマグネトプ
ラムバイト型酸化物磁性体の結晶の六方晶Ｃ面に
対しミスフイツト率が±30％、好ましくは±20％
以内の結晶配向を有する材料からなり、これをス
パツタリング法、反応スパツタリング法、蒸着
法、CVD等により基板温度常温〜500℃で通常は
0.1〜10μｍ程度の厚さに付着してなる。通常、こ
の下地皮膜２は支持体１が結晶面を有する場合、
前述の如きFe3O4、α−Fe2O3、Al2O3、ZnO、
BaOFe2O3、MnZnFe2O4等の下地材料をスパツ
タリング法、反応スパツタリング法、蒸着法、
CVD等により皮膜形成するとマグネトプラムバ
イト型酸化物磁性体のＣ面に対しミスフイツト率
が±30％以内におさまる結晶配向をもつた下地皮
膜として形成される。従つて支持体１がミスフイ
ツト率±30％より大きい結晶性である場合にはこ
の支持体に非晶質SiO2を予備形成させ、その
SiO2層上に下地皮膜２を形成するようにする。
かくして形成された下地皮膜２上にはマグネトプ
ラムバイト型酸化物磁性層３を形成する。この磁
性層３の形成はマグネトプラムバイト型酸化物磁
性体をターゲツトとして基板温度400〜700℃に維
持しスパツタリング、真空蒸着、CVD等の方法
で通常は0.1〜10μｍ程度の厚さに付着させること
により形成される。これにより磁性層３は下地皮
膜２の結晶配向に対応してＣ面配向した垂直磁気
異方性膜となる。この磁性層３上に所望により形
成される保護層４はアクリル樹脂、ポリウレタン
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスル
ホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、
TiN、Si3N4、AlN、CrN、TaN、SiO2、SiO等
を樹脂の場合は塗布法で、その他の材料の場合は
真空蒸着、スパツタリング、反応スパツタリン
グ、CVD等の方法で磁性層３上に膜厚0.1〜10μ
ｍ程度に付着させることにより行う。なお、下地
皮膜２は２層もしくは多層に設け、磁性層３に近
い層に向うに従つてマグネトプラムバイト酸化物
磁性体のＣ面配向とのミスフイツト率を小さくす
るようにしてもよい。 第２図は支持体１そのものが磁性層３のマグネ
トプラムバイト型酸化物磁性体のＣ面配向と±30
％以内のミスフイツト率を有する結晶配向をもつ
た材料である場合の例を示し、この場合には下地
皮膜２を設けなくともＣ面配向した、すなわち垂
直磁化した磁性層３が形成される。 また第３図は反射型フアラデー効果で再生する
場合の光磁気記録媒体の例を示すもので第１図に
おける支持体１と下地皮膜２との間にAg、Au、
Pt、Cu、Al等の反射層５を積層したものである。 なお、第１図および第２図に示される如き光磁
気記録媒体では磁性層３が比較的透光性を有さな
いマグネトプラムバイト型酸化物磁性体である場
合に好適に使用し得るものであり、カー効果を利
用して変調または偏向されたレーザー光により読
み出すものである。 効 果 以上のような本発明によれば、支持体もしくは
支持体上に形成した下地皮膜の結晶配向がその上
に付着されるマグネトプラムバイト型酸化物磁性
体の結晶面Ｃ面と±30％以内のミスフイツト率を
有するため、マグネトプラムバイト型酸化物磁性
体の垂直磁気異方性薄膜が得られ、従つて磁気光
学効果が優れ、ピツト数も増大で再現性が飛躍的
に向上し、高密度記録再生可能な光磁気記録媒体
が得られる。 以下に実施例を示す。 実施例 １ Siウエハー支持体の表面を酸化処理して膜厚
0.3μｍのSiO2を形成し、この面に反応スパツタリ
ング法によりZnO膜を0.5μｍ形成した。得られた
ZnO膜は（002）の配向面を示した。次にこの面
にスパツタリング法により基板温度400〜700℃に
維持しBaO6.0〔Al0.3Fe1.7O3〕を膜厚0.3μｍ付着し
た光磁気記録媒体を得た。この膜の構造解析の結
果BaO6.0〔Al0.3Fe1.7O3〕の結晶配向面は（00l）、
ただしｌは６、８、14、であり、Ｘ線回折の結果
Ｃ線に配向を有する垂直磁化膜であることが確認
された。 実施例 ２ 実施例１と同様であるが下地皮膜としてZnOの
代りにAlNを用い、また磁性体としてBaO6.0
〔Ga0.6Fe1.6O3〕を用いその他は同様にして光磁
気録媒体を得た。その結果、下地皮膜のAlNの
結晶配向面は（002）であり、またBa06.0〔Ga0.4
Fe1.6O3〕の結晶面は（00l）、ただしｌは６、８、
14であり、磁性層は垂直磁化膜であることが確認
された。 実施例 ３ 石英ガラス上にスパツタリング法により膜厚
0.3μｍのSiO2および反応スパツタリング法により
AlNを膜厚0.3μｍ形成した。次にこの面にSrO6.0
〔Al0.4Fe1.6O3〕をスパツタリング法により基板温
度550〜700℃に維持して膜厚0.3μｍ作成し、光磁
気記録媒体を得た。その結果、下地皮膜のAlN
の結晶配向面は（002）であり、その上の磁性層
の結晶配向面は（00l）、ただしｌは６、８、14で
あり、磁性層は垂直磁化膜であることが確認され
た。
【表】
【表】
比較例 １
実施例１と同様であるがZnOの下地皮膜を形成
せずにSiウエハー上に直接スパツタリング法によ
り基板温度400〜700℃に維持してBaO6.0〔Al0.3
Fe1.7O3〕を膜厚0.3μｍを作成し、光磁気記録媒
体を得た。この磁性膜のＸ線回折図を第４図に示
す。この第４図からわかるように得られた磁性膜
はＣ面の回折強度（006）、（008）のピーク強度は
小さく、この磁性膜はＣ軸配向性の弱い、すなわ
ち良好な垂直磁化膜となつていないことを示し
た。 また、第５図は実施例１〜15の磁性膜のＸ線回
折図を示すもので、この第５図によるとＣ面の回
折強度（006）、（008）のピーク強度は大きく、実
施例に従つた磁性膜はＣ面配向性が強く、すなわ
ち良好な垂直磁気異方性膜であることを示した。
せずにSiウエハー上に直接スパツタリング法によ
り基板温度400〜700℃に維持してBaO6.0〔Al0.3
Fe1.7O3〕を膜厚0.3μｍを作成し、光磁気記録媒
体を得た。この磁性膜のＸ線回折図を第４図に示
す。この第４図からわかるように得られた磁性膜
はＣ面の回折強度（006）、（008）のピーク強度は
小さく、この磁性膜はＣ軸配向性の弱い、すなわ
ち良好な垂直磁化膜となつていないことを示し
た。 また、第５図は実施例１〜15の磁性膜のＸ線回
折図を示すもので、この第５図によるとＣ面の回
折強度（006）、（008）のピーク強度は大きく、実
施例に従つた磁性膜はＣ面配向性が強く、すなわ
ち良好な垂直磁気異方性膜であることを示した。
第１図〜第３図は本発明に係る光磁気記録媒体
の一例を示す概略構成図である。第４図は比較例
により得た光磁気記録媒体磁性膜のＸ線回折図で
ある。第５図は実施例により得た光磁気記録媒体
磁性膜のＸ線回折図である。 １……支持体、２……下地皮膜、３……磁性
層、４……保護層、５……反射層。
の一例を示す概略構成図である。第４図は比較例
により得た光磁気記録媒体磁性膜のＸ線回折図で
ある。第５図は実施例により得た光磁気記録媒体
磁性膜のＸ線回折図である。 １……支持体、２……下地皮膜、３……磁性
層、４……保護層、５……反射層。
Claims (1)
- １ 支持体と磁性層とからなる光磁気記録媒体に
おいて、支持体の結晶面とマグネトプラムバイト
型磁性体の結晶面(C)との界面がミスフイツト率±
30％以内であることを特徴とする光磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2999884A JPS60175229A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2999884A JPS60175229A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175229A JPS60175229A (ja) | 1985-09-09 |
| JPH0572662B2 true JPH0572662B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=12291592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2999884A Granted JPS60175229A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175229A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01102758A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP2999884A patent/JPS60175229A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60175229A (ja) | 1985-09-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |