JPS6129125B2 - - Google Patents
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- JPS6129125B2 JPS6129125B2 JP57058868A JP5886882A JPS6129125B2 JP S6129125 B2 JPS6129125 B2 JP S6129125B2 JP 57058868 A JP57058868 A JP 57058868A JP 5886882 A JP5886882 A JP 5886882A JP S6129125 B2 JPS6129125 B2 JP S6129125B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/16—Layers for recording by changing the magnetic properties, e.g. for Curie-point-writing
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、情報を熱磁気的に記録し、磁気光学
的に再生するに適した光磁気記録媒体に関するも
のである。
的に再生するに適した光磁気記録媒体に関するも
のである。
一般に、光磁気記録媒体は非磁性体基板を備
え、この基板は希土類金属−遷移金属の非晶質合
金層を支持している。そして、この非晶質合金層
は層面に垂直方向の一軸磁気異方性を有してい
る。この場合の非晶質合金層は２〜３成分から成
り、これらの成分は遷移金属、希土類金属に属す
る。このような光磁気記録媒体における記録及び
再生は次のようにして行なう。例えば焦点を合わ
せたレーザ光線によつて、それぞれ合金層の補償
温度以上の高温あるいはキユリー温度付近の温度
以上に局部的に加熱する。層面に垂直方向の外部
磁場を加えて、層面に対し望ましい垂直方向に層
の加熱領域を磁化することができる。層の加熱領
域を冷却後、抗磁力が層の磁気的に変化する領域
を安定させるのに充分であれば、安定領域の大き
さを直径１ミクロン程度にまですることができ
る。論理数「１」または「０」に相当する情報値
を層の領域の磁化方向に従つて割り当て、記録で
きる。再生は直線偏光ビームを用いて、層の領域
の磁化方向をフアラデー効果あるいはカー効果に
よつて検出して行なう。
え、この基板は希土類金属−遷移金属の非晶質合
金層を支持している。そして、この非晶質合金層
は層面に垂直方向の一軸磁気異方性を有してい
る。この場合の非晶質合金層は２〜３成分から成
り、これらの成分は遷移金属、希土類金属に属す
る。このような光磁気記録媒体における記録及び
再生は次のようにして行なう。例えば焦点を合わ
せたレーザ光線によつて、それぞれ合金層の補償
温度以上の高温あるいはキユリー温度付近の温度
以上に局部的に加熱する。層面に垂直方向の外部
磁場を加えて、層面に対し望ましい垂直方向に層
の加熱領域を磁化することができる。層の加熱領
域を冷却後、抗磁力が層の磁気的に変化する領域
を安定させるのに充分であれば、安定領域の大き
さを直径１ミクロン程度にまですることができ
る。論理数「１」または「０」に相当する情報値
を層の領域の磁化方向に従つて割り当て、記録で
きる。再生は直線偏光ビームを用いて、層の領域
の磁化方向をフアラデー効果あるいはカー効果に
よつて検出して行なう。
しかし、これらの光磁気記録媒体の欠点は、フ
アラデー効果、カー効果が充分大きくないこと
と、非晶質物質の構造が比較的低い温度で復帰し
えない程に変化して媒体の特性が劣化する（結晶
化過程）ことである。そこで、結晶化程の改善
（結晶化温度の上昇）のため、ホウ素の添加によ
る結晶化温度の上昇を図る試みがなされている
が、フアラデー効果、カー効果の改善には効果が
認められない。一方、フアラデー効果、カー効果
の改善のため、ビスマスまたはスズの添加による
両効果の改善を図る試みがなされているが、結晶
化温度の上昇には効果が認められない。ビスマ
ス、スズはともに融点300℃以下の低融点金属で
ある為、むしろ結晶化温度の低下の危険があるば
かりでなく、スパツタリング法による合金属の作
製の場合には、ターゲツトの温度をビスマス、ス
ズの融点未満に抑制する必要が生じ、単一ターゲ
ツト電極による合金層の作製が困難となる欠点が
あつた。
アラデー効果、カー効果が充分大きくないこと
と、非晶質物質の構造が比較的低い温度で復帰し
えない程に変化して媒体の特性が劣化する（結晶
化過程）ことである。そこで、結晶化程の改善
（結晶化温度の上昇）のため、ホウ素の添加によ
る結晶化温度の上昇を図る試みがなされている
が、フアラデー効果、カー効果の改善には効果が
認められない。一方、フアラデー効果、カー効果
の改善のため、ビスマスまたはスズの添加による
両効果の改善を図る試みがなされているが、結晶
化温度の上昇には効果が認められない。ビスマ
ス、スズはともに融点300℃以下の低融点金属で
ある為、むしろ結晶化温度の低下の危険があるば
かりでなく、スパツタリング法による合金属の作
製の場合には、ターゲツトの温度をビスマス、ス
ズの融点未満に抑制する必要が生じ、単一ターゲ
ツト電極による合金層の作製が困難となる欠点が
あつた。
本発明はこのような従来の欠点を解消するもの
であり、その目的は、従来の希土類金属−遷移金
属の非晶質合金層からなる光磁気記録媒体に比較
して、結晶化に対する安定性が高く、かつフアラ
デー効果、カー効果の大きい光磁気記録媒体を提
供することにある。
であり、その目的は、従来の希土類金属−遷移金
属の非晶質合金層からなる光磁気記録媒体に比較
して、結晶化に対する安定性が高く、かつフアラ
デー効果、カー効果の大きい光磁気記録媒体を提
供することにある。
すなわち、本発明の光磁気記録媒体は希土類金
属−遷移金属の非晶質合金層からなり、この合金
が少なくとも１原子％のゲルマニウムを含むこと
により、上述した目的を達成する。尚、この１原
子％のゲルマニウム（Ge）に関しては、本発明
による効果が認められ、製造段階での材料組成の
制御可能と考えられるGeの最少含有量として、
１原子％で数値範囲を定めている。希土類金属−
遷移金属の非晶質合金にゲルマニウムを添加し
て、結晶化温度を100℃前後及びカー効果による
媒体の再生SN比を約40％増加させ得ることが判
つた。
属−遷移金属の非晶質合金層からなり、この合金
が少なくとも１原子％のゲルマニウムを含むこと
により、上述した目的を達成する。尚、この１原
子％のゲルマニウム（Ge）に関しては、本発明
による効果が認められ、製造段階での材料組成の
制御可能と考えられるGeの最少含有量として、
１原子％で数値範囲を定めている。希土類金属−
遷移金属の非晶質合金にゲルマニウムを添加し
て、結晶化温度を100℃前後及びカー効果による
媒体の再生SN比を約40％増加させ得ることが判
つた。
この所望の垂直磁気異方性を有する合金層を得
るのは、この合金層が一般式 （ＲxＭ1-x）1-yGey （式中Ｒは希土類金属群のうち少なくとも１種の
元素、Ｍは遷移金属群のうち少なくとも１種の元
素を表わし、ｘは0.1＜ｘ＜0.4、ｙは０＜ｙ＜0.2
である。）で示される組成を有する場合である。
るのは、この合金層が一般式 （ＲxＭ1-x）1-yGey （式中Ｒは希土類金属群のうち少なくとも１種の
元素、Ｍは遷移金属群のうち少なくとも１種の元
素を表わし、ｘは0.1＜ｘ＜0.4、ｙは０＜ｙ＜0.2
である。）で示される組成を有する場合である。
以下、本発明について実施例の図面を用いて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例を示しており、図
中、１はガラス基板、２はガドリニウム、テレビ
ウム、鉄及びゲルマニウムからなる非晶質合金層
である。この非晶質合金層２はスパツタリング法
により作製するが、ゲルマニウムの融点は約960
℃だから遷移金属の円板ターゲツトに希土類金属
およびゲルマニウムの複合ターゲツトを用いるこ
とができる。そして、スパツタリング槽内を１×
10-7〜２×10-7Torrの真空にした後、槽内に高純
度アルゴンを導入して４×10-2Torrの圧力でス
パツタリングを行ない、ガラス基板上に200Å〜
1000Åの合金層を作製した。
中、１はガラス基板、２はガドリニウム、テレビ
ウム、鉄及びゲルマニウムからなる非晶質合金層
である。この非晶質合金層２はスパツタリング法
により作製するが、ゲルマニウムの融点は約960
℃だから遷移金属の円板ターゲツトに希土類金属
およびゲルマニウムの複合ターゲツトを用いるこ
とができる。そして、スパツタリング槽内を１×
10-7〜２×10-7Torrの真空にした後、槽内に高純
度アルゴンを導入して４×10-2Torrの圧力でス
パツタリングを行ない、ガラス基板上に200Å〜
1000Åの合金層を作製した。
このように作製した合金層の組成は次のようで
あつた。
あつた。
（Cd0.13 Tb0.13 Fe0.74）1-yGey
（式中ｙは、０〜0.15である。）
第２図は、ゲルマニウムの含有量ｙに対する上
記非晶質合金の結晶化温度の変化を示している。
この図よりゲルマニウムの含有量とともに結晶化
温度が上昇し、合金属の記録媒体としての温度に
対する安定性が向上することが分かる。
記非晶質合金の結晶化温度の変化を示している。
この図よりゲルマニウムの含有量とともに結晶化
温度が上昇し、合金属の記録媒体としての温度に
対する安定性が向上することが分かる。
第３図は、ゲルマニウムの含有量ｙに対する上
記非晶質合金層からなる記録媒体のカー効果によ
る再生SN比の変化を示している。この図よりゲ
ルマニウムの添加により再生SNが最大40％程度
増加することが分る。
記非晶質合金層からなる記録媒体のカー効果によ
る再生SN比の変化を示している。この図よりゲ
ルマニウムの添加により再生SNが最大40％程度
増加することが分る。
以上、詳述したように本発明によれば、一軸磁
気異方性を有する希土類金属−遷移金属の非晶質
合金層からなり、上記合金が少なくとも１原子％
のゲルマニウムを含むものであるため、結晶化に
対する安定性が高く、かつフアラデー効果、カー
効果の大きい光磁気記録媒体を提供することがで
きるものである。
気異方性を有する希土類金属−遷移金属の非晶質
合金層からなり、上記合金が少なくとも１原子％
のゲルマニウムを含むものであるため、結晶化に
対する安定性が高く、かつフアラデー効果、カー
効果の大きい光磁気記録媒体を提供することがで
きるものである。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の一実施例を
示す断面図、第２図は本発明による光磁気記録媒
体の一実施例におけるGd−Tb−Fe−Ge非晶質
合金の結晶化温度Tkのゲルマニウム含有量に対
する変化を示す特性図、第３図は本発明による光
磁気記録媒体の一実施例におけるGd−Tb−Fe−
Ge非晶質合金層からなる記録媒体の再生SN比の
ゲルマニウム含有量に対す特性図である。 １……ガラス基板、２……非晶質合金層。
示す断面図、第２図は本発明による光磁気記録媒
体の一実施例におけるGd−Tb−Fe−Ge非晶質
合金の結晶化温度Tkのゲルマニウム含有量に対
する変化を示す特性図、第３図は本発明による光
磁気記録媒体の一実施例におけるGd−Tb−Fe−
Ge非晶質合金層からなる記録媒体の再生SN比の
ゲルマニウム含有量に対す特性図である。 １……ガラス基板、２……非晶質合金層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一軸磁気異方性を有する希土類金属−遷移金
属の非晶質合金層からなり、前記合金が少なくと
も１原子％のゲルマニウムを含むことを特徴とす
る光磁気記録媒体。 ２ 合金は一般式 （ＲxＭ1-x）1-yGey （式中Ｒは希土類金属群のうち少なくとも１種の
元素、Ｍは遷移金属群のうち少なくとも１種の元
素を表わす）で示される組成を有し、ｘは0.1＜
ｘ＜0.4、ｙは0.01≦ｙ＜0.15であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒
体。 ３ Ｒがガドリニウム、Ｍが鉄であることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の光磁気記録媒
体。 ４ ガドリニウム：鉄の比（原子％）が25：75〜
27：73の範囲内にあり、ｙが0.01≦ｙ≦0.15であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
光磁気記録媒体。 ５ ＲはGd1-zTbz（ｚは０≦ｚ≦0.75であ
る。）、Ｍは鉄であり、ｘは0.2≦ｘ≦0.3、ｙは
0.01≦ｙ≦0.15であることを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058868A JPS58175809A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 光磁気記録媒体 |
| EP83103320A EP0091122B1 (en) | 1982-04-07 | 1983-04-05 | Magneto-optical recording medium |
| DE8383103320T DE3369229D1 (en) | 1982-04-07 | 1983-04-05 | Magneto-optical recording medium |
| US06/482,709 US4497870A (en) | 1982-04-07 | 1983-04-06 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058868A JPS58175809A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58175809A JPS58175809A (ja) | 1983-10-15 |
| JPS6129125B2 true JPS6129125B2 (ja) | 1986-07-04 |
Family
ID=13096709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57058868A Granted JPS58175809A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4497870A (ja) |
| EP (1) | EP0091122B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58175809A (ja) |
| DE (1) | DE3369229D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59103314A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| US4721658A (en) * | 1984-04-12 | 1988-01-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
| US4684454A (en) * | 1983-05-17 | 1987-08-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sputtering process for making magneto optic alloy |
| US4615944A (en) * | 1983-05-17 | 1986-10-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
| US4833043A (en) * | 1983-05-17 | 1989-05-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
| JPS6122608A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
| JPS61144742A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612697A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Suwa Seikosha Kk | Piezooelectric sound emitting element |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3795541A (en) * | 1971-11-26 | 1974-03-05 | Ibm | Ferromagnetic material |
| DE2911992C2 (de) * | 1979-03-27 | 1981-12-10 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Magnetooptisches Speicherelement, Verfahren zu seiner Herstellung und es verwendende Speichervorrichtung |
-
1982
- 1982-04-07 JP JP57058868A patent/JPS58175809A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-05 DE DE8383103320T patent/DE3369229D1/de not_active Expired
- 1983-04-05 EP EP83103320A patent/EP0091122B1/en not_active Expired
- 1983-04-06 US US06/482,709 patent/US4497870A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612697A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Suwa Seikosha Kk | Piezooelectric sound emitting element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0091122A2 (en) | 1983-10-12 |
| EP0091122A3 (en) | 1985-07-31 |
| DE3369229D1 (en) | 1987-02-19 |
| EP0091122B1 (en) | 1987-01-14 |
| US4497870A (en) | 1985-02-05 |
| JPS58175809A (ja) | 1983-10-15 |
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