JPS61287187A - 単一縦モ−ドモノリシツク分布帰還型レ−ザの製造方法 - Google Patents
単一縦モ−ドモノリシツク分布帰還型レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS61287187A JPS61287187A JP60128925A JP12892585A JPS61287187A JP S61287187 A JPS61287187 A JP S61287187A JP 60128925 A JP60128925 A JP 60128925A JP 12892585 A JP12892585 A JP 12892585A JP S61287187 A JPS61287187 A JP S61287187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase adjustment
- diffraction grating
- adjustment region
- distributed feedback
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
位相調整領域をもつ単一縦モードモノリシック分布帰還
型レーザであり９位相調整領域側に高反射率端面を２回
折格子側に無反射端面を設け、各端面ば、化学エツチン
グ法とコーティング技術を用いて形成する。
型レーザであり９位相調整領域側に高反射率端面を２回
折格子側に無反射端面を設け、各端面ば、化学エツチン
グ法とコーティング技術を用いて形成する。
この発明は、半導体レーザに関するものであり。
特に化学エツチング法により端面を形成する位相シフト
型の分布帰還型レーザの製造方法に関するものである。
型の分布帰還型レーザの製造方法に関するものである。
化学エツチングにより、レーザの反射面を形成する方法
は、レーザのモノリシック化、集積化を行なうために必
要である。しかし、その反射面は。
は、レーザのモノリシック化、集積化を行なうために必
要である。しかし、その反射面は。
襞間で形成した反射面に比べ、平坦性が悪く、雑兵振器
化しても、単一縦モード動作が得にくい。
化しても、単一縦モード動作が得にくい。
一方、動的単一モードレーザである分布帰還型（Ｄ Ｆ
Ｂ）レーザでは、原理的に、端面が無反射の場合、ブ
ラッグ波長をはさんで、２つの縦モードが同等に発振し
得ることが知られており、単一縦モード化に対して大き
な問題となっている。素子化した場合、無反射でも利得
分布の位置によって、単一縦モード発振が可能となるが
、どちらのモードが発振するかわからず、また、２モ一
ド動作となったり、温度変化によりモード跳びが生じた
りすることがあり、再現性・生産性良く単一モードレー
ザを作ることが難しい。
Ｂ）レーザでは、原理的に、端面が無反射の場合、ブ
ラッグ波長をはさんで、２つの縦モードが同等に発振し
得ることが知られており、単一縦モード化に対して大き
な問題となっている。素子化した場合、無反射でも利得
分布の位置によって、単一縦モード発振が可能となるが
、どちらのモードが発振するかわからず、また、２モ一
ド動作となったり、温度変化によりモード跳びが生じた
りすることがあり、再現性・生産性良く単一モードレー
ザを作ることが難しい。
また、襞間で端面を形成することが一般的であるが、襞
間面が回折格子の位置により１位相が異なるため、共振
する２つの低次モードの１つが優勢になって襞間面で単
一縦モード発振が得られる。
間面が回折格子の位置により１位相が異なるため、共振
する２つの低次モードの１つが優勢になって襞間面で単
一縦モード発振が得られる。
しかし、モードを正確に設定できず、また、２モ一ド発
振や９両端面で形成されるファブリ・ペロー共振器のモ
ードで発振したりすることから、やはり制御性が悪い。
振や９両端面で形成されるファブリ・ペロー共振器のモ
ードで発振したりすることから、やはり制御性が悪い。
一方、端面反射の影響を除くことと、出力端からの出力
をより大きくすることを目的として、非対称構造の片面
無反射２片面高反射ミラーを何間端面に形成する方法が
あり、単一縦モード発振を得られるものの、高反射面を
形成する回折格子の位置により位相が異なり２発振波長
の選択性の再現性に問題がある。
をより大きくすることを目的として、非対称構造の片面
無反射２片面高反射ミラーを何間端面に形成する方法が
あり、単一縦モード発振を得られるものの、高反射面を
形成する回折格子の位置により位相が異なり２発振波長
の選択性の再現性に問題がある。
また、これを防ぐため、高反射面の方を襞間で形成した
後、乾式エツチング法等により１回折格子の位置を決め
て高反射面を形成する方法もある。
後、乾式エツチング法等により１回折格子の位置を決め
て高反射面を形成する方法もある。
しかし、過程が複雑で生産性に乏しい。
これに対して２回折格子の中央部に１／４波長分位相シ
フトを設け、ブラッグ波長での発振を可能にする構造が
あるが、端面を無反射にしなくてはならず、素子長も長
くなり２両方向の出力が同じになるため無効の出力が多
い。
フトを設け、ブラッグ波長での発振を可能にする構造が
あるが、端面を無反射にしなくてはならず、素子長も長
くなり２両方向の出力が同じになるため無効の出力が多
い。
また、中央にある程度許容範囲のある位相調整領域を形
成すると、かなりの範囲で単一モード条件が得られるが
、非対称構造にすると、この関係が乱れる恐れが多く、
無反射にしなければならないなど、前述と同様素子長の
問題や、出力光のむだがある。
成すると、かなりの範囲で単一モード条件が得られるが
、非対称構造にすると、この関係が乱れる恐れが多く、
無反射にしなければならないなど、前述と同様素子長の
問題や、出力光のむだがある。
また、現在製作されている分布帰還型レーザは。
回折格子を共振器に用いているものの、端面を襞間で得
ているため、純粋にモノリシックな製作法とは言えず、
ウェハ単位の一括検査も十分に行なえないという問題が
ある。
ているため、純粋にモノリシックな製作法とは言えず、
ウェハ単位の一括検査も十分に行なえないという問題が
ある。
この発明は、上述の点を解決するため、従来のＤＦＢ構
造の欠点を補い、また、化学エツチングによる端面形成
の利点を取り入れ、そして、非対称構造で９等価的に位
相調整領域を持つ構造のＤＦＥレーザの製造方法を提供
する。すなわち２位相調整により、波長の設定を容易に
し、かつ、モノリシック化、集積化等が容易に形成でき
、ウェハ単位で素子チェックが可能な、化学エツチング
法による端面形成法を導入することを特徴としている。
造の欠点を補い、また、化学エツチングによる端面形成
の利点を取り入れ、そして、非対称構造で９等価的に位
相調整領域を持つ構造のＤＦＥレーザの製造方法を提供
する。すなわち２位相調整により、波長の設定を容易に
し、かつ、モノリシック化、集積化等が容易に形成でき
、ウェハ単位で素子チェックが可能な、化学エツチング
法による端面形成法を導入することを特徴としている。
第１図は、この発明の方法により製造された分布帰還型
レーザの１例の素子断面図である。
レーザの１例の素子断面図である。
図において、１はｎ形１．Ｐ基板、２はｎ形Ｇ。
１、Ａ、Ｐ導波路層、３はＧ、１．Ａ、Ｐ活性層、４は
ｐｉｌ、Ｐｌ！、５はｐ形Ｇ、Ｉ 、ｌＡ、Ｐキヤツプ
層。
ｐｉｌ、Ｐｌ！、５はｐ形Ｇ、Ｉ 、ｌＡ、Ｐキヤツプ
層。
６はｐ形電極、７はｎ形電極、８は回折格子、９は位相
調整領域、１０は高反射端面、１０ａは高反射膜、１１
は無反射端面、１１ａは無反射膜。
調整領域、１０は高反射端面、１０ａは高反射膜、１１
は無反射端面、１１ａは無反射膜。
１２は光出力を表わしている。
素子の両端面１０．１１は、化学エツチングで形成され
ており１位相調整領域９側は高反射率に。
ており１位相調整領域９側は高反射率に。
回折格子８側は無反射にし、高出力化が可能となってい
る。この構造は、第２図に示すような共振器の中央部に
位相調整領域９′を持ち９両端面１０′。
る。この構造は、第２図に示すような共振器の中央部に
位相調整領域９′を持ち９両端面１０′。
１１′が無反射の構造のものと等価的に等しく、ブラッ
グ波長での発振が得られ、波長を決定し易い。
グ波長での発振が得られ、波長を決定し易い。
第１図においては、素子中で発生した光は３回折格子８
の周期によって決まるブラッグ波長で共振する。
の周期によって決まるブラッグ波長で共振する。
この回折格子８のみでは、ブラッグ波長のところに禁止
帯が存在するが、この構造では１位相調整領域９がある
ため、この部分で９位相調整ができ、ブラッグ波長でし
きい値利得を一番低くすることができて、この波長で単
一縦モード発振する。
帯が存在するが、この構造では１位相調整領域９がある
ため、この部分で９位相調整ができ、ブラッグ波長でし
きい値利得を一番低くすることができて、この波長で単
一縦モード発振する。
この位相調整領域９の長さは、前述したように。
厳密に設定する必要がないため、高反射膜１０ａの高反
射率反射鏡で反射して１位相ずれが生じても９等価的に
位相調整領域９の長さの変化として作用するため、単一
縦モード条件を破ることはない。
射率反射鏡で反射して１位相ずれが生じても９等価的に
位相調整領域９の長さの変化として作用するため、単一
縦モード条件を破ることはない。
光は、高反射率反射鏡側からは、はとんど出力されず９
回折格子８側の無反射面から出射される。
回折格子８側の無反射面から出射される。
このため、光出力が高く、また、高効率のレーザが製作
できる。
できる。
また、この構造は９等価的には、第２図に示す倍の素子
長を持つ分布帰還型レーザと等しく９通常の分布帰還型
レーザでは、χＬとして０．２程度が必要であり、この
ため素子長として３００〜５００μｍ程度必要となるが
、この構造では、この約半分の１５０〜３００μｍ程度
で良く２このため、素子の容量を減らすことができ、い
っそうの高速変調化が期待できる。また、化学エツチン
グ法により端面を形成しているため、素子の一括チェッ
クができ、また、襞間により１チツプごとに切り出さな
くても、素子化ができるため、他の素子（バイポーラト
ランジスタ、ＦＥＴ等）との集積化も可能である。
長を持つ分布帰還型レーザと等しく９通常の分布帰還型
レーザでは、χＬとして０．２程度が必要であり、この
ため素子長として３００〜５００μｍ程度必要となるが
、この構造では、この約半分の１５０〜３００μｍ程度
で良く２このため、素子の容量を減らすことができ、い
っそうの高速変調化が期待できる。また、化学エツチン
グ法により端面を形成しているため、素子の一括チェッ
クができ、また、襞間により１チツプごとに切り出さな
くても、素子化ができるため、他の素子（バイポーラト
ランジスタ、ＦＥＴ等）との集積化も可能である。
この発明の重要な点は９位相調整領域を形成すること、
この領域の中で高反射端面を化学エツチング法、コーテ
ィング技術によって形成すること。
この領域の中で高反射端面を化学エツチング法、コーテ
ィング技術によって形成すること。
並びに９回折格子上に、無反射端面をやはり化学エツチ
ング法、コーティング技術により形成することであり、
襞間を用いないモノリシックな分布帰還型レーザの製造
方法を初めて提供するものである。
ング法、コーティング技術により形成することであり、
襞間を用いないモノリシックな分布帰還型レーザの製造
方法を初めて提供するものである。
第３図および第４図は、それぞれ本発明による分布帰還
型レーザの製造過程の実施例を示したものである。なお
図中の番号工ないし１１は第１図に示されているものと
共通であり、また１３．１３’はエツチングマスクであ
る。
型レーザの製造過程の実施例を示したものである。なお
図中の番号工ないし１１は第１図に示されているものと
共通であり、また１３．１３’はエツチングマスクであ
る。
まず、第３図の実施例について説明すると９図（ａ）゛
に示すように、一般的に製作されているＤＦＢレーザウ
ェハをＬＰＥ結晶成長法、ＭＯＣＶＤ結晶成長法、ＭＢ
Ｅ結晶成長法等の結晶成長技術を用いて形成する。
に示すように、一般的に製作されているＤＦＢレーザウ
ェハをＬＰＥ結晶成長法、ＭＯＣＶＤ結晶成長法、ＭＢ
Ｅ結晶成長法等の結晶成長技術を用いて形成する。
回折格子８は、基板１に形成されるが、第５図に示すよ
うに、活性層３′の上に成長した導波路層２′上に形成
する構造とすることも可能である。このとき１図に示し
たように、伝搬定数の異なる。
うに、活性層３′の上に成長した導波路層２′上に形成
する構造とすることも可能である。このとき１図に示し
たように、伝搬定数の異なる。
いわゆる１位相調整領域９を形成する。この領域の形成
方法としては、活性層厚を変える方法、ストライブ幅を
変える方法等がある。また、しきい値電流を下げるため
に電流狭窄構造（埋込み構造。
方法としては、活性層厚を変える方法、ストライブ幅を
変える方法等がある。また、しきい値電流を下げるため
に電流狭窄構造（埋込み構造。
内部ストライプ構造等）を用いる。そして、電極６．７
を形成する。
を形成する。
次いで、第３図（ｂ）に示すように、設定した位相調整
領域長（０〜数十μｍ）となるように。
領域長（０〜数十μｍ）となるように。
エツチングマスク１３を形成し湿式または乾式化学エツ
チング、またはマイクロクリープ法等を用いて、第３図
（ｃ）に示すように垂直の端面１０を形成する。このと
き、単一縦モード条件を満たすために必要な位相調整領
域長の長さの精度は。
チング、またはマイクロクリープ法等を用いて、第３図
（ｃ）に示すように垂直の端面１０を形成する。このと
き、単一縦モード条件を満たすために必要な位相調整領
域長の長さの精度は。
あまり厳しくなく、２０−３０μｍ程度の誤差が許され
る。
る。
その後、第３図（ｄ）に示すように、必要な素子長とな
るように２回折格子８のある部分に、エツチングマスク
１３′を形成し、湿式エツチング法により、第３図（６
）に示すように、無反射にするため端面１１が斜めにな
るように形成する。
るように２回折格子８のある部分に、エツチングマスク
１３′を形成し、湿式エツチング法により、第３図（６
）に示すように、無反射にするため端面１１が斜めにな
るように形成する。
次いで、第３図（ｆ）に示すように９位相調整領域９の
方に形成した端面１０に高反射膜１０ａを形成し、完成
する。
方に形成した端面１０に高反射膜１０ａを形成し、完成
する。
次に第４図の実施例について説明する。
第４図（ａ）は、第３図（ａ）の場合と同じ過程で製造
されたＤＦＢレーザウェハを示している。
されたＤＦＢレーザウェハを示している。
次に第４図（ｂ）に示すマスク形成時に９位相調整領域
９上と回折格子８上とに同時にエツチングマスク１３を
形成し第４図（Ｃ）におけるように、垂直の端面１０，
１１を形成する。
９上と回折格子８上とに同時にエツチングマスク１３を
形成し第４図（Ｃ）におけるように、垂直の端面１０，
１１を形成する。
次いで、第４図（ｄ）に示すように位相調整領域９側の
端面１０に高反射膜１０ａを、そして回折格子側の端面
１１に無反射膜１１ａを形成し。
端面１０に高反射膜１０ａを、そして回折格子側の端面
１１に無反射膜１１ａを形成し。
完成する。チップとして用いるときは、溝の部分でまず
、切り放し、そして個々に切り出す。
、切り放し、そして個々に切り出す。
他の例として第６図に示すような回折格子側に窓構造を
有するレーザにも応用できる。このときは、窓領域１４
上にエツチングで端面を形成することにより無反射面が
自動的に形成できる。
有するレーザにも応用できる。このときは、窓領域１４
上にエツチングで端面を形成することにより無反射面が
自動的に形成できる。
以上、詳細に説明したように、この発明によれば２位相
制御を持つＤＦＢレーザが容易に形成でき、ブラッグ波
長で単一縦モード発振する半導体レーザがモノリシック
製作できる。また、素子長を短くできる可能性があり、
より速い高速変調化が期待できる。また、化学エツチン
グを用いているため、大量生産性に冨み、素子の一括チ
ェック化ができ、他の素子との集積化が容易で、また。
制御を持つＤＦＢレーザが容易に形成でき、ブラッグ波
長で単一縦モード発振する半導体レーザがモノリシック
製作できる。また、素子長を短くできる可能性があり、
より速い高速変調化が期待できる。また、化学エツチン
グを用いているため、大量生産性に冨み、素子の一括チ
ェック化ができ、他の素子との集積化が容易で、また。
再現性も良くなる。したがって、これからのＤＦＢレー
ザの形式ならびに工業的製造方法として。
ザの形式ならびに工業的製造方法として。
重要な意義がある。
第１図は本発明により製造された分布帰還型レーザの１
例の素子構造を示す図、第２図は第１図に示す素子と等
価な素子構造を示す図、第３図および第４図はそれぞれ
本発明による製造過程の異なる実施例を示す図、第５図
および第６図はそれぞれ本発明が適用可能な分布帰還型
レーザの他の素子構造例を示す図である。 第１図において、ｌはｎ形１．Ｐ基板、２はｎ形Ｇ、１
．Ａ、Ｐ導波路層、３はＧ、１．Ａ、Ｐ活性層。 ４はｐ形１．ＩＰ層、５はｐ形Ｇ、 Ｉ 、Ａ、Ｐキヤ
ツプ層、６はｐ形電極、７はｎ形電極、８は回折格子。 ９は位相調整領域、１０は高反射端面、１０ａは高反射
膜、１１は無反射端面、１１ａは無反射膜。 １２は光出力を示す。 特許出願人 新技術開発事業団 代理人弁理士 長谷用 文廣 サ １ 目 す１図”ｌ；丞すオ釜テと′４４ｆｆ１ｈ＊：子清［）
１サ ２ 図′ ＃４区
例の素子構造を示す図、第２図は第１図に示す素子と等
価な素子構造を示す図、第３図および第４図はそれぞれ
本発明による製造過程の異なる実施例を示す図、第５図
および第６図はそれぞれ本発明が適用可能な分布帰還型
レーザの他の素子構造例を示す図である。 第１図において、ｌはｎ形１．Ｐ基板、２はｎ形Ｇ、１
．Ａ、Ｐ導波路層、３はＧ、１．Ａ、Ｐ活性層。 ４はｐ形１．ＩＰ層、５はｐ形Ｇ、 Ｉ 、Ａ、Ｐキヤ
ツプ層、６はｐ形電極、７はｎ形電極、８は回折格子。 ９は位相調整領域、１０は高反射端面、１０ａは高反射
膜、１１は無反射端面、１１ａは無反射膜。 １２は光出力を示す。 特許出願人 新技術開発事業団 代理人弁理士 長谷用 文廣 サ １ 目 す１図”ｌ；丞すオ釜テと′４４ｆｆ１ｈ＊：子清［）
１サ ２ 図′ ＃４区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 結晶成長技術により回折格子および位相調整領域を有す
る分布帰還型レーザウェハを形成し、次に化学エッチン
グにより、位相調整領域側に第一の端面を形成し、そし
て回折格子側に第二の端面を形成し、 さらに位相調整領域側に形成された第一の端面に高反射
膜を形成する ことを特徴とする単一縦モードモノリシック分布帰還型
レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60128925A JPS61287187A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 単一縦モ−ドモノリシツク分布帰還型レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60128925A JPS61287187A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 単一縦モ−ドモノリシツク分布帰還型レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287187A true JPS61287187A (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=14996774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60128925A Pending JPS61287187A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 単一縦モ−ドモノリシツク分布帰還型レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61287187A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01238181A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144693A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser |
| JPS60100491A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布帰還型半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-06-13 JP JP60128925A patent/JPS61287187A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144693A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser |
| JPS60100491A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布帰還型半導体レ−ザ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01238181A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007533159A (ja) | 多段一体型の光デバイス | |
| JP2010539711A (ja) | 多重キャビティエッチファセットｄｆｂレーザ | |
| JPH11214793A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JP2004253811A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2005039102A (ja) | 面発光レーザ | |
| JP2000261093A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| US4644552A (en) | Semiconductor laser | |
| JPS61287187A (ja) | 単一縦モ−ドモノリシツク分布帰還型レ−ザの製造方法 | |
| JPS622478B2 (ja) | ||
| JPH0319292A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2005353761A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JPS62209886A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JP4033822B2 (ja) | Ｄｂｒ型波長可変光源 | |
| JPH0278291A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS59165481A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH09129979A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US20030026309A1 (en) | Process for producing semiconductor laser element including S-ARROW structure formed by etching through mask having pair of parallel openings | |
| JP2882462B2 (ja) | 半導体装置の端面形成方法 | |
| JPS6113683A (ja) | 半導体レ−ザ及びその製造方法 | |
| JPS62221182A (ja) | 分布反射型レ−ザ | |
| JPS5910596B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0198287A (ja) | 半導体レーザアレイ装置 | |
| JPH0430198B2 (ja) | ||
| KR100364772B1 (ko) | 반도체레이저 | |
| JPH067640B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 |