JP2882462B2 - 半導体装置の端面形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の端面形
成方法に関し、特に劈開端面を有する半導体装置の端面
形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、劈開端面を有する半導体装置にお
いては、半導体基板の劈開により端面を形成しているた
め、ミラー端面を有する半導体基板の作製プロセスが複
雑となっている。

【０００３】また、半導体基板の劈開はメカニカルに行
われているため、劈開する部分へのスクライブ位置等に
バラツキが生じ、素子長にバラツキが生じやすい。その
素子長にバラツキが生ずると、素子特性の均一性が低下
する。

【０００４】さらに、光集積素子を作製する場合、劈開
端面を形成することができる位置が限られているので、
作製できる集積素子構造が制限されている。

【０００５】これに対し、上記の劈開を行わずに端面を
形成する方法としては、ドライエッチングによってミラ
ー端面を形成する方法も提案されているが、その方法で
形成されたミラー端面の平滑性及び垂直性は劈開端面に
比して劣っており、それが半導体装置の特性の劣化の原
因になっている。

【０００６】また、半導体基板の劈開を行わずに端面を
形成する方法としては、図１２に示すように、半導体基
板２１上の半導体装置２２，２３間に劈開端面２２ａ，
２２ｂ，２３ａ，２３ｂを必要とする半導体層を含むＶ
字型の構造をエッチングによって形成し、劈開端面２２
ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの部分を劈開することでミ
ラー端面を形成する方法がある。この方法については、
特開平６−２９６２４号公報に詳述されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＶ字型
の構造を形成して劈開を行う方法では、劈開位置がエッ
チングによって形成された端面と同じ位置に限られてし
まい、また端面がウェットエッチングによって形成され
るために制御性があまり高くない。そのため、この方法
では劈開位置の精密な制御が困難であり、半導体装置の
特性にばらつきを生じさせ、それが歩留りを低下させる
要因となっている。

【０００８】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、劈開位置の精密な制御を簡単なプロセスで容易に
実行することができ、半導体装置の特性にばらつきを生
じさせにくくして歩留りの向上を図ることができる半導
体装置の端面形成方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の端面形成方法は、側壁の一部を劈開することにより半
導体装置の端面の外側及び内側の一方にミラー端面を形
成する前記半導体装置の端面形成方法であって、前記側
壁の一部の劈開位置の幅を前記側壁の一部につながる他
の部分の幅より細くなるように前記側壁の一部の周辺部
分をエッチングする工程と、前記側壁の一部のみの劈開
で前記ミラー端面を形成する工程とを備えている。

【００１０】本発明による他の半導体装置の端面形成方
法は、上記の構成のほかに、前記劈開を行って形成され
た前記ミラー端面の予め設定された上部の所定領域に対
してエッチングを行って前記ミラー端面の上部平面を前
記半導体装置表面よりも低くする工程を具備している。

【００１１】本発明による別の半導体装置の端面形成方
法は、上記の構成のほかに、前記ミラー端面上にレンズ
構造を形成する工程を具備している。

【００１２】本発明によるさらに別の半導体装置の端面
形成方法は、自装置内に周期構造を有しかつ側壁の一部
を劈開することによりミラー端面を形成する半導体装置
の端面形成方法であって、前記側壁の一部の劈開位置の
幅が前記側壁の一部につながる他の部分の幅より細くな
るような第１のマスクと前記周期構造用の第２のマスク
とを前記半導体装置表面に形成する工程と、前記第１の
マスクに基づいて前記ミラー端面と同一平面上で互いに
略対称な二方向からエッチングを行って前記側壁の一部
の劈開面を逆三角形形状としかつ前記第２のマスクに基
づいて前記半導体装置表面に対するエッチングを行って
前記周期構造を形成する工程と、前記側壁の一部のみの
劈開で前記ミラー端面を形成する工程とを備えている。

【００１３】

【発明の実施の形態】まず、本発明の作用について以下
に述べる。

【００１４】本発明の端面形成方法では、劈開端面を形
成する領域にエッチングによって半導体装置間に形成す
る架橋の形状を幅の狭い部分と幅の広い部分とを交互に
形成した構造とする。

【００１５】すなわち、図１１（ａ）に示すように、劈
開端面２ａ，３ａを形成する領域で架橋構造４の幅を狭
くし、架橋構造４の他の部分の幅を劈開端面２ａ，３ａ
を形成する領域の幅よりも広くする。

【００１６】このように形成された架橋構造４を劈開す
ることで、強度の弱い架橋構造４の幅が狭い部分から劈
開が行われるので、図１１（ｂ）に示すように、劈開後
に劈開端面２ａ，３ａをミラー端面２ａ，２ｂとする半
導体装置２，３を形成することができる。

【００１７】よって、半導体基板１を劈開することな
く、劈開端面２ａ，３ａを形成することができ、かつ劈
開端面２ａ，３ａの形成位置（劈開位置）の精密な制御
を行うことができるので、劈開位置の精密な制御を簡単
なプロセスで容易に実行することができ、半導体装置の
特性にばらつきを生じさせにくくして歩留りの向上を図
ることができる。

【００１８】次に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施例による架橋構造
の形成工程を示す断面図であり、図２は本発明の一実施
例による架橋構造を示す斜視図であり、図３は本発明の
一実施例による劈開端面形成後の半導体装置を示す斜視
図である。

【００１９】これら図１〜図３を用いて本発明の一実施
例によるミラー端面の形成工程について説明する。以
下、Ｉｎｐ（１００）基板上に＜０１１＞方向にストラ
イプ構造を有する半導体レーザ、つまりストライプ位置
Ａに沿ってレーザ光が出射される半導体レーザ［図１
（ａ）参照］のミラー端面を形成する方法について説明
する。

【００２０】まず、半導体基板１上に積層して形成され
た半導体装置２，３と架橋構造４とをマスクするための
酸化膜マスク５を半導体装置２，３上に形成する［図１
（ａ）参照］。

【００２１】この場合、架橋構造４に対応する酸化膜マ
スク５は劈開端面２ａ，３ａを形成する位置及び架橋構
造４の劈開位置４ａ各々の幅が、それらの位置につなが
る架橋構造の他の部分の幅よりも狭くなるようなパター
ンで形成される。

【００２２】この酸化膜マスク５のパターンを基に、劈
開端面２ａ，３ａと同一平面上で互いに略対称な二方向
からエッチングを行って劈開端面２ａ，３ａの端面形状
を逆三角形（くさび形）とする。

【００２３】すなわち、塩素ガスを使用した反応性イオ
ンエッチングを矢印Ｂの方向から行って領域６ａ，６ｂ
をエッチングする［図１（ｂ）参照］。次に、反応性イ
オンエッチングを矢印Ｃの方向から行って領域６ｃ，６
ｄをエッチングする［図１（ｃ）参照］。これによっ
て、断面が逆三角形の架橋構造４が半導体装置２，３間
に形成される［図１（ｄ）及び図２参照］。

【００２４】上記の処理で形成された架橋構造４を図示
せぬスクライブ（Ｓｃｒｉｂｅ）装置を用いて劈開する
と、架橋構造４の幅が狭い部分、つまり劈開端面２ａ，
３ａを形成する位置及び架橋構造４の劈開位置４ａ各々
の強度が他の部分よりも弱いので、その位置で劈開が行
われ、半導体装置２，３各々に劈開端面２ａ，３ａが形
成される。すなわち、劈開端面２ａ，３ａを劈開ミラー
端面とする半導体レーザが形成される。

【００２５】これら劈開端面２ａ，３ａに反射膜コーテ
ィングを施し、さらに半導体基板１の劈開を行うことで
半導体装置２，３を分離すると、半導体基板の劈開によ
ってミラー端面を形成する方法と比較して同等の特性を
有する半導体レーザを得ることができる。

【００２６】この場合、劈開端面２ａ，３ａの形成位置
（劈開位置）の精密な制御を行うことで、共振器長を素
子間でそろえることができるので、発振閾値及びスロー
プ効率の偏差（レーザの電流・光出力特性の効率のバラ
ツキ）を従来例の約半分とすることができ、均一な特性
を得ることができる。

【００２７】本発明の一実施例ではＩｎｐ（１００）基
板上に＜０１１＞方向にストライプ構造を有する半導体
レーザについて劈開端面２ａ，３ａを作製しているが、
半導体アンプあるいは導波路構造の受光素子等の劈開端
面を有する半導体装置についても本発明の一実施例の方
法を適用することができる。また、ＧａＡｓ系の半導体
装置についても上記と同様に適用することができる。

【００２８】図４は本発明の他の実施例の平面図であ
る。図において、本発明の他の実施例では半導体装置
２，３をつなぐ架橋構造４の代わりに、劈開端面２ａ，
３ａから夫々突出部７ａ，７ｂが残るように酸化膜マス
ク５のパターンを形成し、上記の処理と同様に矢印Ｂ，
Ｃの方向に反応性イオンエッチングを行っている。

【００２９】この場合、突出部７ａ，７ｂに対して夫々
別々に劈開を行うことが可能となるので、架橋構造４を
形成して劈開端面２ａ，３ａを作製する場合よりも容易
に劈開を行うことができる。

【００３０】図５は本発明の別の実施例の平面図であ
る。図において、本発明の別の実施例では自装置内に周
期構造を有する半導体装置２，３を劈開する場合、周期
構造と架橋構造４とを同時に形成することで、劈開位置
の精密な制御を行っている。

【００３１】本発明の別の実施例では一次の回析格子を
有する分布帰還型（ＤＦＢ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ
Ｆｅｅｄｂａｃｋ）半導体レーザを周期構造を有する半
導体装置として使用し、劈開端面２ａ，３ａの位置を精
密制御している。

【００３２】この場合、回析格子８ａの作製に電子ビー
ム露光を用いて露光パターン８ｂを作製し、同時にスト
ライプ領域にミラー端面を作製するための架橋構造４と
なるパターン９ａ，９ｂを電子ビームレジストに作製し
ている。

【００３３】電子ビームレジストとしてはポジ型のもの
を使用し、エッチングによって回析格子８ａを形成する
ため、回析格子８ａの谷の部分が劈開位置、つまり劈開
端面２ａ，３ａを形成する位置及び架橋構造４の劈開位
置４ａとなるように架橋構造４を形成している。

【００３４】このパターンを酸化膜に転写し、塩素ガス
を用いた反応性イオンエッチングによって回析格子８ａ
が目的の深さとなるようにエッチングを行う。続いて、
回析格子８ａ部分をレジストを用いて保護し、メタンガ
スを用いた反応性イオンエッチングによって架橋構造４
を形成する。

【００３５】この場合、架橋構造４は、本発明の一実施
例と同様に、劈開端面２ａ，３ａを形成する位置及び架
橋構造４の劈開位置４ａ各々の幅がそれらの位置につな
がる架橋構造４の他の部分の幅よりも狭くなるようにか
つ断面形状が逆三角形（くさび形）となるように形成さ
れている。

【００３６】したがって、架橋構造４をスクライブ装置
を用いて劈開すると、架橋構造４の幅が狭い部分、つま
り劈開端面２ａ，３ａを形成する位置及び架橋構造４の
劈開位置４ａ各々の強度が他の部分よりも弱いので、そ
の位置で劈開が行われ、半導体装置２，３各々に劈開端
面２ａ，３ａが形成される。また、回析格子８ａの端面
位相の精密制御が可能な分布帰還型半導体レーザが作製
可能となる。

【００３７】本発明の別の実施例によって形成した半導
体レーザは均一な発振閾値及びスロープ効率を有してお
り、単一モード歩留りも従来の製造方法に比較して大幅
に改善される。さらに、本発明の別の実施例をアナログ
変調用半導体レーザに適用した場合にはレーザ端面での
回析格子位相の違いに基づくレーザの電界強度分布を制
御することができるので、変調歪のバラツキ抑制が可能
となり、高い低歪歩留りが得られる。

【００３８】図６は本発明のさらに別の実施例による劈
開端面の形成方法を示す斜視図であり、図７は本発明の
さらに別の実施例による劈開端面形成後の半導体装置を
示す斜視図であり、図８は本発明のさらに別の実施例に
よる劈開端面にレンズ構造を形成した状態を示す断面図
である。これらの図６〜図８を用いて本発明のさらに別
の実施例による劈開端面の形成について説明する。

【００３９】本発明のさらに別の実施例では、架橋構造
４を劈開して形成した劈開端面２ｂのストライプ上部の
エッチングを行う領域１０に対してもエッチングを行い
［図６（ａ）参照］、劈開端面２ｂを整形している［図
６（ｂ）参照］。

【００４０】すなわち、本発明のさらに別の実施例では
上記の方法で劈開端面２ｂを整形することによって、劈
開端面２ｂ（ミラー端面）とエッチングによって形成し
たエッチング面１１ａ，１１ｂとの位置関係を制御して
いる（図７参照）。

【００４１】劈開端面２ｂとエッチング面１１ａ，１１
ｂとの位置関係を制御した後に、形成した端面上に結晶
成長を行って結晶成長膜１２を形成し、劈開端面２ｂに
レンズ構造を形成する（図８参照）。

【００４２】上記の方法によって作製した半導体装置２
は従来に比べてレーザ放射角が約半分に制御され、ファ
イバへの結合効率が大幅に改善される。尚、上記の方法
ではレンズ構造の形成に結晶成長を用いているが、酸化
膜等の成膜（酸化膜コーティング）によってレンズ構造
を形成することも可能である。

【００４３】図９は本発明のさらにまた別の実施例によ
る劈開端面に凹レンズ構造を形成した状態を示す断面図
であり、図１０は本発明のさらにまた別の実施例による
架橋構造の形成工程を示す断面図である。これら図９及
び図１０を用いて本発明のさらにまた別の実施例による
架橋構造の形成及び劈開端面への凹レンズ構造の形成に
ついて説明する。

【００４４】本発明のさらにまた別の実施例では劈開端
面２ｃを半導体装置２の端面よりも内側に設けるため、
半導体基板１上に積層して形成された半導体装置２と架
橋構造４とをマスクするための酸化膜マスク５を半導体
装置２上に形成する［図１０（ａ）参照］。このとき、
劈開端面２ｃを形成するための領域における架橋構造４
の幅（破線Ｄに沿った架橋構造４の幅）を狭くし、架橋
構造４の他の部分の幅（例えば、破線Ｅに沿った架橋構
造４の幅）を劈開端面２ｃを形成する領域の幅よりも広
くする。

【００４５】すなわち、半導体装置２に対応する酸化膜
マスク５は劈開端面２ｃをその端面よりも内側に形成す
るような切込みが入ったパターンで、また架橋構造４に
対応する酸化膜マスク５は劈開端面２ｃを形成する位置
及び架橋構造４の劈開位置各々の幅が、それらの位置に
つながる架橋構造の他の部分の幅よりも狭くなるような
パターンで夫々形成される。

【００４６】この酸化膜マスク５のパターンを基に、劈
開端面２ｃと同一平面上で互いに略対称な二方向からエ
ッチングを行って劈開端面２Ｃの端面形状を逆三角形
（くさび形）とする。

【００４７】つまり、塩素ガスを使用した反応性イオン
エッチングを矢印Ｂの方向から行って領域１３ａ，１３
ｂをエッチングし、次に反応性イオンエッチングを矢印
Ｃの方向から行って領域１３ｃ，１３ｄをエッチングす
る［図１０（ｂ）参照］。これによって、半導体装置２
の端面の内側に断面が逆三角形の劈開端面２ｃが形成さ
れる［図９及び図１０（ｃ）参照］。

【００４８】同様に、反応性イオンエッチングを矢印Ｂ
の方向から行って領域１４ａ，１４ｂをエッチングし、
次に反応性イオンエッチングを矢印Ｃの方向から行って
領域１４ｃ，１４ｄをエッチングする［図１０（ｄ）参
照］。これによって、断面が逆三角形の架橋構造４が形
成される［図１０（ｅ）参照］。

【００４９】上記の処理で形成された架橋構造４をスク
ライブ装置を用いて劈開すると、架橋構造４の幅が狭い
部分、つまり劈開端面２ｃを形成する位置及び架橋構造
４の劈開位置各々の強度が他の部分よりも弱いので、そ
の位置で劈開が行われ、半導体装置２に劈開端面２ｃが
形成される。すなわち、劈開端面２ｃを劈開ミラー端面
とする半導体レーザが形成される。

【００５０】この劈開端面２ｃ上に結晶成長を行って結
晶成長膜１２を形成し、劈開端面２ｃにレンズ構造を形
成する（図８参照）。この場合、劈開端面２ｃが半導体
装置２の端面よりも内側に入っているので、形成される
レンズ構造は凹レンズ構造となる。

【００５１】この方法によって作製した半導体装置２は
従来に比べてレーザ放射角が約半分に制御され、ファイ
バへの結合効率が大幅に改善される。尚、上記の方法で
はレンズ構造の形成に結晶成長を用いているが、酸化膜
等の成膜（酸化膜コーティング）によってレンズ構造を
形成することも可能である。

【００５２】この劈開端面２ｃを形成した後に半導体基
板１の劈開を行うことで半導体装置２を分離すると、従
来の半導体基板の劈開によってミラー端面を形成する方
法と比較して同等の特性を有する半導体レーザを得るこ
とができる。

【００５３】その場合、半導体基板１を劈開することな
く、劈開端面２ａ，３ａを形成することができ、かつ劈
開端面２ｃの形成位置（劈開位置）の精密な制御を行う
ことができるので、劈開位置の精密な制御を簡単なプロ
セスで容易に実行することができ、半導体装置の特性に
ばらつきを生じさせにくくして歩留りの向上を図ること
ができる。

【００５４】また、劈開端面２ｃの形成位置（劈開位
置）の精密な制御を行うことで、共振器長を素子間でそ
ろえることができるので、発振閾値及びスロープ効率の
偏差（レーザの電流・光出力特性の効率のバラツキ）を
従来例の約半分とすることができ、均一な特性を得るこ
とができる。

【００５５】このように、半導体装置２，３の劈開端面
２ａ〜２ｃ，３ａを形成する位置及び劈開位置４ａに対
応する架橋構造４の幅を架橋構造４の他の部分の幅より
細くなるように半導体装置２，３のエッチングを行い、
劈開端面２ａ〜２ｃ，３ａを形成する位置及び劈開位置
４ａのみの劈開でミラー端面を形成することによって、
簡単なプロセスで、半導体基板１を劈開することなく、
半導体装置２，３のミラー端面を精度よく形成すること
が可能となる。

【００５６】よって、劈開位置の精密な制御を簡単なプ
ロセスで容易に実行することができ、半導体装置の特性
にばらつきを生じさせにくくして歩留りの向上を図るこ
とができる。また、半導体基板１上の任意の位置に劈開
端面２ａ〜２ｃ，３ａを形成することが可能となるの
で、光集積素子を容易に作製することができる。

【００５７】尚、請求項の記載に関連して本発明はさら
に次の態様をとりうる。

【００５８】（１）自装置内に周期構造を有しかつ側壁
の一部を劈開することによりミラー端面を形成する半導
体装置の端面形成方法であって、前記側壁の一部の劈開
位置の幅が前記側壁の一部につながる他の部分の幅より
細くなるような第１のマスクと前記周期構造用の第２の
マスクとを前記半導体装置表面に形成する工程と、前記
第１のマスクに基づいて前記ミラー端面と同一平面上で
互いに略対称な二方向からエッチングを行って前記側壁
の一部の劈開面を逆三角形形状としかつ前記第２のマス
クに基づいて前記半導体装置表面に対するエッチングを
行って前記周期構造を形成する工程と、前記側壁の一部
のみの劈開で前記ミラー端面を形成する工程と、前記劈
開を行って形成された前記ミラー端面の予め設定された
上部の所定領域に対してエッチングを行って前記ミラー
端面の上部平面を前記半導体装置表面よりも低くする工
程とを有することを特徴とする端面形成方法。

【００５９】（２）前記ミラー端面上にレンズ構造を形
成する工程を含むことを特徴とする（１）記載の端面形
成方法。

【００６０】（３）前記レンズ構造を形成する工程は、
前記ミラー端面上に酸化膜コーティングを行うことで前
記レンズ構造を形成したことを特徴とする（２）記載の
端面形成方法。

【００６１】（４）前記レンズ構造を形成する工程は、
前記ミラー端面上に結晶成長を行うことで前記レンズ構
造を形成したことを特徴とする（２）記載の端面形成方
法。

【００６２】（５）自装置内に周期構造を有しかつ側壁
の一部を劈開することによりミラー端面を形成する半導
体装置の端面形成方法であって、前記側壁の一部の劈開
位置の幅が前記側壁の一部につながる他の部分の幅より
細くなるような第１のマスクと前記周期構造用の第２の
マスクとを前記半導体装置表面に形成する工程と、前記
第１のマスクに基づいて前記ミラー端面と同一平面上で
互いに略対称な二方向からエッチングを行って前記側壁
の一部の劈開面を逆三角形形状としかつ前記第２のマス
クに基づいて前記半導体装置表面に対するエッチングを
行って前記周期構造を形成する工程と、前記側壁の一部
のみの劈開で前記ミラー端面を形成する工程と、前記ミ
ラー端面上にレンズ構造を形成する工程とを有すること
を特徴とする端面形成方法。

【００６３】（６）前記レンズ構造を形成する工程は、
前記ミラー端面上に酸化膜コーティングを行うことで前
記レンズ構造を形成したことを特徴とする（５）記載の
端面形成方法。

【００６４】（７）前記レンズ構造を形成する工程は、
前記ミラー端面上に結晶成長を行うことで前記レンズ構
造を形成したことを特徴とする（５）記載の端面形成方
法。

【００６５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体装置の側壁の一部の劈開位置の幅をその側壁の一部
につながる他の部分の幅より細くなるように側壁の一部
の周辺部分をエッチングし、この側壁の一部のみの劈開
でミラー端面を形成することによって、劈開位置の精密
な制御を簡単なプロセスで容易に実行することができ、
半導体装置の特性にばらつきを生じさせにくくして歩留
りの向上を図ることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による架橋構造の形成工程を
示す断面図である。

【図２】本発明の一実施例による架橋構造を示す斜視図
である。

【図３】本発明の一実施例による劈開端面形成後の半導
体装置を示す斜視図である。

【図４】本発明の他の実施例の平面図である。

【図５】本発明の別の実施例の平面図である。

【図６】本発明のさらに別の実施例による劈開端面の形
成方法を示す斜視図である。

【図７】本発明のさらに別の実施例による劈開端面形成
後の半導体装置を示す斜視図である。

【図８】本発明のさらに別の実施例による劈開端面にレ
ンズ構造を形成した状態を示す断面図である。

【図９】本発明のさらにまた別の実施例による劈開端面
に凹レンズ構造を形成した状態を示す断面図である。

【図１０】本発明のさらにまた別の実施例による架橋構
造の形成工程を示す断面図である。

【図１１】（ａ）は本発明による架橋構造を形成した状
態を示す図、（ｂ）は本発明による劈開後の状態を示す
図である。

【図１２】従来例による劈開位置を示す図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２，３ 半導体装置 ２ａ〜２ｃ，３ａ 劈開端面 ４ 架橋構造 ５ 酸化膜マスク ６ａ〜６ｄ，１０，１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄ
エッチングする領域 ７ａ，７ｂ 突出部 ８ａ 回析格子 ８ｂ，９ａ，９ｂ 露光領域 １１ａ，１１ｂ エッチング面 １２ 結晶成長膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−285327（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−115244（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−199882（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−37404（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−206549（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−77385（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−285380（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−170018（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01S 3/18

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 側壁の一部を劈開することにより半導体
   装置の端面の外側及び内側の一方にミラー端面を形成す
   る前記半導体装置の端面形成方法であって、前記側壁の
   一部の劈開位置の幅を前記側壁の一部につながる他の部
   分の幅より細くなるように前記側壁の一部の周辺部分を
   エッチングする工程と、前記側壁の一部のみの劈開で前
   記ミラー端面を形成する工程とを有することを特徴とす
   る端面形成方法。
2. 【請求項２】 前記エッチングを行う工程は、前記側壁
   の一部の劈開位置の幅が前記側壁の一部につながる他の
   部分の幅より細くなるようなマスクを前記半導体装置表
   面に形成する工程と、前記マスクに基づいて前記ミラー
   端面と同一平面上で互いに略対称な二方向からエッチン
   グを行って前記側壁の一部の劈開面を逆三角形形状とす
   る工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の端面形
   成方法。
3. 【請求項３】 前記劈開を行って形成された前記ミラー
   端面の予め設定された上部の所定領域に対してエッチン
   グを行って前記ミラー端面の上部平面を前記半導体装置
   表面よりも低くする工程を含むことを特徴とする請求項
   １または請求項２記載の端面形成方法。
4. 【請求項４】 前記ミラー端面上にレンズ構造を形成す
   る工程を含むことを特徴とする請求項１から請求項３の
   いずれか記載の端面形成方法。
5. 【請求項５】 前記レンズ構造を形成する工程は、前記
   ミラー端面上に酸化膜コーティングを行うことで前記レ
   ンズ構造を形成したことを特徴とする請求項４記載の端
   面形成方法。
6. 【請求項６】 前記レンズ構造を形成する工程は、前記
   ミラー端面上に結晶成長を行うことで前記レンズ構造を
   形成したことを特徴とする請求項４記載の端面形成方
   法。
7. 【請求項７】 自装置内に周期構造を有しかつ側壁の一
   部を劈開することによりミラー端面を形成する半導体装
   置の端面形成方法であって、前記側壁の一部の劈開位置
   の幅が前記側壁の一部につながる他の部分の幅より細く
   なるような第１のマスクと前記周期構造用の第２のマス
   クとを前記半導体装置表面に形成する工程と、前記第１
   のマスクに基づいて前記ミラー端面と同一平面上で互い
   に略対称な二方向からエッチングを行って前記側壁の一
   部の劈開面を逆三角形形状としかつ前記第２のマスクに
   基づいて前記半導体装置表面に対するエッチングを行っ
   て前記周期構造を形成する工程と、前記側壁の一部のみ
   の劈開で前記ミラー端面を形成する工程とを有すること
   を特徴とする端面形成方法。