JPS61285718A - 半導体基板処理装置 - Google Patents

半導体基板処理装置

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Publication number
JPS61285718A
JPS61285718A JP12749385A JP12749385A JPS61285718A JP S61285718 A JPS61285718 A JP S61285718A JP 12749385 A JP12749385 A JP 12749385A JP 12749385 A JP12749385 A JP 12749385A JP S61285718 A JPS61285718 A JP S61285718A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spring
exhaust
flat ring
groove
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12749385A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Toyama
裕之 遠山
Takahiro Anada
穴田 隆啓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokuda Seisakusho Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP12749385A priority Critical patent/JPS61285718A/ja
Publication of JPS61285718A publication Critical patent/JPS61285718A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体基板処理装置、特にプラズマ上ッチング
装置等の低圧チャンバ内で半導体基板を処理する半導体
基板処理装置に関する。
〔発明の技術的背景〕
プラズマエツチング等の半導体基板処理工程では、処理
基板を減圧したチャンバ内に載置して処理を行なう。第
2図に従来の半導体基板処理装置の一例を示す。エツチ
ングチャンバ1の壁2には排気部材3が設けられている
。排気部材3はいくつかの部材から成るが、図ではこれ
らに同じハツチングを施しである。排気部材3にはプラ
ズマ発生用の電極4が取付けられている。また、複数の
排気口5が環状に設けられている。この複数の排気口5
に接するように平板状リング6が設けられ、この平板状
リング6は排気口5に対応する位置に貫通孔7を有する
。この平板状リング6はスプリング8によって排気口5
に押圧されて(Xる。平板状リング6は回転袋M9によ
って回転し、このときの排気口5と貫通孔7との位置関
係によって排気口5の開口度が調節される。即ち、各排
気口5の直下に各貫通孔7が位置する状態では全開とな
り、チャンバ1内の雰囲気を排気口5を介して吸引する
ことができるが、各排気口5と各貫通孔7とが全く重な
り合わない状態では全閉となり、チャンバ1は外気から
密閉されることになる。
〔背景技術の問題点〕
このように従来の装置では、リング6を摺動させること
により開口度を調節するが、この摺動運動が急激であっ
た場合、スプリング8が追従できずに倒れてしまうとい
う事故が発生する可能性があった。このようにスプリン
グ8が倒れてしまう事故が起こると排気口5が常開状態
となり、圧力の調整が不可能となる。プラズマエツチン
グ装置等では、圧力の調節は非常に重要な要素であり、
圧力調整不能の状態では装置を正常動作させることが全
くできなくなる。
(発明の目的) そこで本発明は、圧力調整が不能となる事故が発生する
ことのない半導体基板処理装置を提供することを目的と
する。
(発明の概要〕 本発明の特徴は、処理基板を収容するためのチャンバと
、このチャンバの壁に設けられ、環状に配設された複数
の排気口を有する排気部材と、この排気部材に接し複数
の排気口上を摺動し、この複数の排気口に対応する位置
に貫通孔を有する平板状リングと、一端が平板状リング
に、他端が排気部材の平板状リングに対向する部分に、
それぞれ接し平板状リングを排気口に押圧する働きをす
るスプリングと、をそなえ、平板状リングを摺動させる
ことにより排気口の開口度を調節する半導体基板処理装
置において、排気部材にスプリングを支持するための溝
を設け、平板状リングの摺動によってスプリングが倒れ
ることのないようにし、圧力調整が不能となる事故の発
生を抑えた点にある。
本発明の別な特徴は、上記装置において、更にスプリン
グの周囲に、径が溝の径より小さい円筒状部材を設け、
平板状リングの摺動によってスプ1〕ングが倒れること
のないようにし、圧力調整が不能となる事故の発生を抑
えた点にある。
〔発明の実施例〕
以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。
第1図はこの実施例の一部分を示した説明図で、第2図
に示した従来装置と同一構成要素については同一符号を
付し説明を省略する。従来装置と異なる点は、排気部材
3のスプリング8が接する部分に溝10を設けた点であ
る。溝10はスプリング8の一端が挿入できる大きさに
する。スプリング8の一端は溝10内に支持され、ずれ
ることがないため、平板状リング6の摺動に基づくスプ
リング8の転倒を防止することができる。本実施例のも
う1つの特徴は、溝10の他に更に円筒状部材11を設
けた点である。この円筒状部材11はスプリング8の周
囲を覆うように設け、その径は1110の径より小さく
なるようにし、スプリング8とともに溝10内に挿入さ
れるようにする。この円筒状部材11を設けることによ
り、スプリング8の転倒をより確実に防止することがで
きる。
〔発明の効果〕
以上のとおり本発明によれば、半導体基板処理装置にお
いて、排気口開度調整用の平板状リングを押圧するスプ
リングを支持するために溝を設け、更にスプリングの周
囲に円筒状部材を設けるようにしたため、平板状リング
の摺動によってスプリングが倒れることがなくなり、圧
力調整が不能となる事故の発生を抑制することができる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体基板処理装置の一実施例の
説明図、第2図は従来の半導体基板処理装置の説明図で
ある。 1・・・エツチングチャンバ、2・・・壁、3・・・排
気部材、4・・・プラズマ発生用電極、5・・・排気口
、6・・・平板状リング、7・・・貫通孔、8・・・ス
プリング、9・・・回転装置、10・・・溝、11・・
・円筒状部材。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、処理基板を収容するためのチャンバと、このチャン
    バの壁に設けられ、環状に配設された複数の排気口を有
    する排気部材と、この排気部材に接し前記複数の排気口
    上を摺動し、前記複数の排気口に対応する位置に貫通孔
    を有する平板状リングと、一端が前記平板状リングに、
    他端が前記排気部材の前記平板状リングに対向する部分
    に、それぞれ接し前記平板状リングを前記排気口に押圧
    する働きをするスプリングと、をそなえ、前記平板状リ
    ングを摺動させることにより前記排気口の開口度を調節
    する半導体基板処理装置において、前記排気部材に前記
    スプリングを支持するための溝を設けたことを特徴とす
    る半導体基板処理装置。 2、処理基板を収容するためのチャンバと、このチャン
    バの壁に設けられ、環状に配設された複数の排気口を有
    する排気部材と、この排気部材に接し前記複数の排気口
    上を摺動し、前記複数の排気口に対応する位置に貫通孔
    を有する平板状リングと、一端が前記平板状リングに、
    他端が前記排気部材の前記平板状リングに対向する部分
    に、それぞれ接し前記平板状リングを前記排気口に押圧
    する働きをするスプリングと、をそなえ、前記平板状リ
    ングを摺動させることにより前記排気口の開口度を調節
    する半導体基板処理装置において、前記排気部材に前記
    スプリングを支持するための溝を設け、前記スプリング
    の周囲に、径が前記溝の径より小さい円筒状部材を設け
    たことを特徴とする半導体基板処理装置。
JP12749385A 1985-06-12 1985-06-12 半導体基板処理装置 Pending JPS61285718A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12749385A JPS61285718A (ja) 1985-06-12 1985-06-12 半導体基板処理装置

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JP12749385A JPS61285718A (ja) 1985-06-12 1985-06-12 半導体基板処理装置

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JPS61285718A true JPS61285718A (ja) 1986-12-16

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ID=14961324

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JP12749385A Pending JPS61285718A (ja) 1985-06-12 1985-06-12 半導体基板処理装置

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JP (1) JPS61285718A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5351462U (ja) * 1976-10-06 1978-05-01
JPS5522281U (ja) * 1978-08-02 1980-02-13

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5351462U (ja) * 1976-10-06 1978-05-01
JPS5522281U (ja) * 1978-08-02 1980-02-13

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