JPS61275845A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野」 本発明は、新規な機能分離型の積層型電子写真感光体、
特に感光体に使用される光導電部材に関するものである
。

「従来の技術、発明が解決しようとする問題点」一般に
電子写真感光体としては、大別ずろと単層体と機能分離
型の積層型とがある。ｊｌｌＱ型としては、Ｓｅ系、Ｃ
ｄＳ系、ＺｎＯ系、ＰＶＫ／ＴＮＦ系、ピＩＪ　ＩＪウ
ム塩系最近では非晶質シリコン系等が挙げられる。単層
型は、１つの層に光キャリヤ生成と輸送とを合わせもた
せている為、両方の機能が１優れている必要があるが、
その様な材料は容易には見つかっていない。

その為、近年になって、光キャリヤ生成と輸送という２
つの機能を異なった層にもたせた機能分離型の積層型感
光体が開発された。電荷発生層としては、Ｓｅ系、クロ
ロジアンブルー系、スフウニアリウム系、アゾ顔料系、
フタロシアニン系、ピＩＪ　ＩＪウム塩系等が挙げられ
、電荷輸送層とじては、ＰＶＫ、ピラゾリン系、ヒドラ
ゾン系、シクロヘキザン系、等が挙げられる。

上記材料のうち、低分子有機半導体は、絶縁性樹脂中に
分散させて用いるのが普通である。

前記した電荷発生層は、一般にミクロンオーダーの薄層
であるため、機械的強度が弱く、表面に電荷発生層を設
けることは難しい。従って、」二層に電荷輸送層、下層
に電荷発生層を設けるのが一般的である。電荷輸送層の
伝導を支配しているのは、一般に、正孔であるので、」
１記積層感光体の帯電極性は、負である。

しかし、感光体を負帯電で用いると、コロナ帯電時のオ
ゾンの発生、帯電の不安定性等の問題が生じやすく、実
用」１不都合な場合がある。

また、いずれの電荷発生層も光キャリヤ生成効率（量子
効率）が低く、従って、光感度が低い。

また、いずれの電荷輸送層も光発生したキャリヤの輸送
効率（ドリフト移動度）が小さい。

本発明の目的は、電子写真感光体として使用した場合に
良好な画像を得ることができる光導電部材を提供するこ
とにある。

「問題点を解決ずろための手段、作用」第１発明 本第１発明は、前記した従来技術の欠点を改良するため
になされたものであり、正帯電で用いることのできる積
層型電子写真感光体の光導電部材を提供するものである
。しかも、電荷輸送層、電荷発生層共前記した諸材料を
用いず、電荷輸送層としては、絶縁性樹脂中に約１０〜
７５重量％のＮ、Ｎ”−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（
３−メチルフェニル）−（１，１′−ビフェニール）−
４，４′−ジアミンを分散させた層を、電荷発生層とし
ては、非晶質シリコン系微粉末を樹脂結着剤中に分散し
た層を用いるものである。

さらに、本第１発明においては、電荷発生層の表面摩耗
を防ぐ為、上記積層感光体上に中間層、透明絶縁性樹脂
中に平均粒径が０．３μｍ以下の金属あるいは金属酸化
物を分散させた透明保護層を積層することが好ましい。

本第１発明の光導電部材は、好ましくは、透明保護層、
中間層を通して電荷発生層」―に正電荷を帯電させ、電
荷発生層で光生成した電子が表面電荷を中和し、正孔が
電荷輸送層から支持体に抜けることによって、潜像を形
成させるものである。

電荷輸送層に用いられる絶縁性樹脂としては、ポリカー
ボネート、アクリル酸エステル重合体、ビニル重合体、
セルロース重合体、ポリエステル、ポリシロキサン、ポ
リアミド、ポリウレタンおよびエポキシならびにブロッ
ク、ランダム、交互、あるいはグラフト共重合体等が挙
げられる。好ましい絶縁性樹脂は、ポリカーボネート樹
脂で：ある。

好ましい分子量は、約２０．　ＯＯＯ〜約１００．００
０であり、より好ましくは約５０．　ＯＯＯ〜約１００
．０００である。

絶縁性樹脂として最も好ましい物質は、ゼネラルエレク
トリック社からレフサン１４５　（Ｌｅｘａｎ１４５）
として発売されている分子量が約３５、　ＯＯＯ〜約４
０．　ＯＯＯのポリ（４，４’　−イソフロピリデン−
ジフェニレンカーボネ−））；ゼネラルエレクトリック
社からレフサン１４１として発売されている分子量が約
４０，０００〜約４５．０００のポリ（Ｌ４’−インプ
ロピリデン−ジフェニレンカーボネート）；フアルペン
ファブリケンハイエルＡ、Ｇ’　、社（Ｐａｒｈｅｎｆ
ａｈｒｌｒ、ｋｅｎ　ｌ１ａｙｃｒ　八、　［ｉ、　）
からマクｏｐン（ＭａＫｒｏ−１ｏｎ）として発売され
ている分子量が約５０，０００〜約１００．［１００の
ポリカーボネート樹脂およびモベイケミカル社からマー
ロンＱ（ａｒｌｏｎ）として発売されている分子量が約
２０．０００〜約５０，０００のポリカーボネート樹脂
である。

また、Ｎ、Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メ
チルフェニル）−（１，１”−ビフェニール）−４，４
’−ジアミンの式は、次の通りである。

２　　　　　　　　　　　　：［： 支持体は、好ましくは、任意の適当な導電体である必要
がある。適当な導電体には、アルミニウム、銅、黒鉛、
分散した導電性塩、導電性重合体などが含まれる。支持
体は、剛性であっても可撓性であってもよく、また、ど
んな厚さのものでもよい。典型的な支持体には、可撓性
ベルトまたはスリーブ、シート、ウェブ、プレート、シ
リンダ、ドラムが含まれる。支持体は、また、紙ベース
上に含まれた薄い導電性被覆層、アルミニウムまたはヨ
ウ化銅のような薄い導電体層で被覆したプラスチック、
あるいはクロムまたは酸化錫の薄い導電性被覆層で被覆
したガラスのような複合構造物から成っていてもよい。

最近、光感性が高く、汎色性に富み、かつ、無公害性、
耐熱性、耐摩耗性、光応答性に優れた非晶質シリコン系
電子写真感光体が提案されている。

しかし、薄膜状の非晶質シリコンは、膜の成長速度が遅
く、成膜時の支持体の温度を長時間にわたって均一に保
つことが難しい。

一方、粉末状非晶質シリコンは、簡易な製造袋置で大量
に製造でき、結着剤と組み合わせて塗布するので、均一
でかつ大面積の電子写真感光体を大量生産できる。

非晶質シリコン微粉末を得る方法は、２通りある。

１つは、非晶質シリコン膜から粉末を得る方法である。

非晶質シリコン膜は、グロー放電法（ＲＦ。

ＤＣ）、スパッタリング法、イオンブレーティング法等
によって作成される。所望する特性を有する非晶質シリ
コン膜を作成するための制御が比較的容易であるため、
上記諸方法のうち、グロー放電法が多く用いられる。こ
の方法で作られた薄膜を基板から削り取り、粉砕して粉
末状非晶質シリコンを得る方法が、微粉末非晶質シリコ
ンを得る一方法である。

非晶質シリコン微粉末の他の製造方法としては、Ｓ　ｉ
　Ｈ４、Ｓ　Ｌｌ（６等の水素化硅素ガスあるいはこれ
らの誘導体ガスを真空状態のチェンバー内に導入し、チ
ェンバー内圧を０．１〜ｌ　ＱＴｏｒｒの値に保ち、Ｒ
ＦあるいはＤＣまたはこれらの組み合わさった電界を印
加し、必要に応じて原料ガス加熱を行なって、グロー放
電分解によって非晶質シリコン微粉末を堆積させる方法
がある。なお、上記した原料ガスはＨ２、Ａｒ等で適量
に希釈して用いてもよい。

非晶質シリコン微粉末は、水素原子を含み、その含有量
は、通常の場合、ｌ　Ｑ　〜４　Ｑａｔｏｍｉｃ％、好
適には、１５〜３　Ｑａｔｏｍｉｃ％がよい。前記グロ
ー放電時に、周期律表第■族の８２１（６等のガスも導
入する必要があり、前記水素化硅素ガスに対する添加比
は１〜５０νｐｐｍが好適である。

非晶質シリコン系微粉末の粒径は０．０１〜１μｍ径が
好適である。

樹脂結着剤と非晶質シリコン系微粒子との重量化は、通
常は５〜６０重量％、好適には８〜５０重量％、最適に
は１０〜４０重堵％である。

樹脂結着剤のうち、絶縁性のものは次の通りである。

フェノール樹脂：フラン樹脂：キシレン樹脂＝ホルムア
ルデヒド樹脂：尿素樹脂：メラミン樹脂；アニリン樹脂
；スルホンアミド樹脂：アルキド樹脂；不飽和ポリエス
テル樹脂；エポキシ樹脂ニトリアリルシアスレート樹脂
：ポリエチレン：ポリプロピレン：ポリスチレン：ポリ
酢酸ビニル：ポリアクリレート：ポリメタクリレート；
ポリ塩化ビニル：ポリ塩化ビニリデン：ポリテトラフル
オロエチレン：ポリクロロトリフルオロエチレン；ポリ
フッ化ビニル：ポリ弗化ビニリデン：テトラフルオ口エ
チレン：ヘキザフルオロプロピレン共重合体：クロロト
リフルオ口エチレン：弗化ビニリデン共重合体等の弗素
樹脂：ポリアクリロニトリル：ポリビニルエーテル：ポ
リビニルケトン：ポリエーテル：ポリカーボネート：ポ
リエステル：ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６７
６６等のポリアミド：ポリウレタン：シリコーン酢酸セ
ルロース、エチルセルロース、プロピオンセルロース、
等のセルロース誘導体；等々。これ等は、必要に応じて
２種以上混合しても良い。

樹脂結着剤のうち、光導電性のものは次の通りである。

ＰＶＫ１カルバソール、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−
イソプロピルカルバソール、Ｎ−フェニルカルバソール
、テトラフェニルピレン、１−メチルピレン、ペリレン
、クリセン、アトラセン、テトラセン、テトラフェン、
２−フェニルナフタリン、アザピレン、フルオレン、フ
ルオレノン、１−エチルピレン、アセチルピレン、２Ｉ
　３−ベンゾグリセリン、３．４−ベンゾピレン、１．
４−ブロモピレン、フェニルインドール、ポリビニルピ
レン、ポリビニルテトラセン、ポリビニルペリレン、ポ
リビニルテトラフェン、ポリアクリロニ）　ＩＪル、Ｐ
ＶＫ　：ＴＮＦ　（単量体でのモル比１：１）に、テト
ラニトロフルオレノン、ジニトロアントラセン、ジニト
ロアクリデン、テトラシアノフイレン、ジニトロアント
ラキノン等。

これらの光導電性樹脂結着剤は、必要に応じて２種以」
−混合して使用しても良いし、又、前記した電気絶縁性
の結着剤と混合して使用しても良い。

非晶質シリコン系微粉末を樹脂結着剤と共に混線分散さ
せる為の溶剤としては、使用される結着剤の種類に応じ
て、ａ−３ｉ粉末粒子と結着剤との組み合わせに悪影響
を与えないものから選択される。この様な溶剤としては
、通常、市販されている有機溶剤の多くのものが有効に
使用され得る。

例えば、塩化メチレン、クロロホルム、二塩化エタン、
１，１，２三塩化エタン、三塩化レチレン、四塩化エタ
ン、四塩化炭素、１．２塩化プロパン、１．１．１三塩
化エタン、四塩化エチレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、
酢酸イソアミル、七ロソルプアセナート、トルエン、キ
シレン、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキサン、
テトラヒドロフラン、ジメチルアミド、Ｎ−メチルピロ
リドン、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプ
ロピルアルコールおよびブチルアルコール等のアルコー
ル類などがある。

本第１発明の光導電部材は、支持体上に、電荷輸送層と
してポリカーボネート樹脂等の絶縁性樹脂中に約１０〜
７５重量％のＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ”−ビス（
３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニール）−
４，４”−ジアミンを分散させた層を、電荷発生層とし
て非晶質シリコン微粉末を樹脂結着剤中に分散させた層
を、積層したことを特（敷とするものである。

電荷輸送層の厚さは、約５〜１００μｍであるべきであ
るが、この範囲外の厚さも使用することができる。電荷
発生層の１ゾさは、約０．０５〜２０μｍで満足である
ことがわかっており、約０．２〜５μｍの厚さで良好な
結果が得られる。たたし、正孔のキャリヤレンジより薄
いことが必要であり、さもないと残留電位の原因になる
。

本第１発明の光導電部材は、従来技術に仕較して、正帯
電で用いることができるため、負帯電使用時の諸問題を
避けることができる。さらに、電荷発生層に非晶質シリ
コン系微粉末を分散した層を用いているため、高光感度
を有し、汎色性に富む。また、電荷輸送層中の低分子有
機半導体として、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビ
ス（３−メチルフェニル）−（１，１°−ビフェニール
）−４，４°−ジアミンを用いている為、キャリヤ（正
孔）の輸送効率が大きく、高速複写機用に適している。

さらに、本第１発明の好ましい態様においては、前記光
導電部材上に、中間層、透明絶縁性樹脂中に平均粒径が
０．３μｍ以下の金属あるいは金属酸化物を分散させた
透明保護層を積層することによって、電荷発生層の表面
摩耗を抑えることができる。

中間層は、透明保護層から電荷発生層への正孔の注入を
阻止する機能を有している。中間層材料としては、シラ
ンカップリング剤、ジルコニウムブトキサイド、ナイロ
ン、エポキシ等があり、特にジルコニウムブトキサイド
系の中間層は、室温で乾燥させることができ、しかも、
高い正孔注入阻止能を有している。膜１ワは、０．０１
〜０．１μｍが好適である。

透明保護層に含まれている金属あるいは金属酸化物とし
ては、体積固有抵抗率が１０１１Ω・ｃｍ以下で平均粒
径が０．３μｍ以下のものであれば任意の金属あるいは
金属酸化物粉末を用いることかできる。例えば金、銀、
アルミニウム、鉄、銅、ニッケル等の金属、酸化亜鉛、
酸化チタン、酸化錫、酸化ビスマス、酸化インジウム、
酸化アンチモン等の金属酸化物をあげることができる。

このとき数種の金属および金属酸化物を混合して用いる
こともできる。特に好ましいのは酸化スズと酸化アンチ
モンとを含有する平均粒径が０．１５μ以下の粉末であ
る。

透明絶縁性樹脂としては、可視光に対して実用−に透明
で、電気絶縁性、機械的強度、接着性に優れたものが望
ましい。例えばポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、シリコーン樹脂、ア
ルキ・ソド樹脂、ポリビニルクロライド樹脂、環化ブタ
ジェンゴム、フッ素樹脂等を用いることができる。保護
層の溶剤耐性が要求される場合には、硬化性樹脂を用い
ることが望ましい。

保護層の樹脂を金属あるいは金属酸化物の組成仕は、樹
脂１００重量部に対して金属あるいは金属酸化物が５〜
５００重量部、好ましくは５〜１００重量部の範囲で用
いる。保護層の膜厚は必要に応じ０．５〜３０μｍの間
に設定することができる。

一方、支持体と電荷輸送層との間に、キャリヤブロッキ
ング層や接着層を設けてもよい。キャリヤブロッキング
層材料としては、シランカップリング剤、ナイロン、エ
ポキシ、酸化アルミニウム等があり、接着層材料として
は、前記した様なポリエステル等の絶縁性樹脂結着剤が
挙げられる。

キャリヤブロッキング層、接着層共、膜厚は０．Ｏ１〜
０．１μｍが好適であり、支持体、キャリヤブロッキン
グ層、接着層、電荷輸送層の順に積層する。

第２発明 本第２発明は、前記した従来技術の欠点を改良する為に
、なされたものであり、電荷発生層、電荷輸送層共前記
した諸材料を全く用いていない。

すなわち、電荷発生層としては、非晶質シリコン系微粉
末を樹脂結着剤中に分散した層を用い、電荷輸送層とし
ては、絶縁性樹脂中に約１０〜７５重量％のＮ、Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ、Ｎ”　−ビス（３−メチルフェニル）
−（１，１’−ビフェニール）−４，４’−ジアミンを
分散させた層を用いるものである。

さらに、本第２発明においては、電荷輸送層の表面摩耗
を防ぐ為、透明絶縁性樹脂中に平均粒径が０．３μｍ以
下の金属あるいは金属酸化物を分散させた透明保護層を
積層することが好ましい。

本第２発明の光導電部材は、好ましくは、透明保護層を
通して電荷輸送層上に負電荷を帯電させ、電荷発生層か
ら光生成した正孔で電荷輸送層」二の負電荷を中和して
、潜像を形成させるものである。

なお、第２発明の説明において、前記第１発明と同様の
ものについては、説明を省略する。

電荷輸送層としてはポリカーボネート樹脂中に約１０〜
７５重量％のＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ。

Ｎｏ−ビス（３−メチルフェニルｉ（１，１”−ビフェ
ニール）−４，４°−ジアミンを分散させた層が好適で
ある。電荷輸送層は可視光線に対して実質−１−非吸収
性であるが、電荷発生層から発生した正孔の注入を可能
にし目つこれらの正孔を活性な電荷輸送層中を通して移
動させてこの電荷輸送層の表面上にある表面電荷を選択
的に消失させることができる点でパ活性″である。

本第２発駄の光導電部材は、支持体」ユに、電荷発生層
として非晶質シリコン微粉末を樹脂結着剤中に分散した
層を、電荷輸送層としてポリカーボネート樹脂等の絶縁
性樹脂中に約１０〜７５重量％のＮ、Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’
−ビフェニール）−４，４°−ジアミンを分散させた層
を、積層したことを特徴とするものである。

電荷発生層の厚さは約０．０５〜２０μｍで満足である
ことがわかっており、約０．２〜５μｍの厚さで良好な
結果が得られる。電荷輸送層の厚さは約５〜１００μｍ
であるべきであるが、この範囲外の厚さも使用すること
ができる。

本第２発明の光導電部材は、従来技術に比較して、電荷
発生層として非晶質シリコン微粉末分散層を用いている
為、高光感度を有し、汎色性に富む。また、電荷輸送層
中の低分子有機半導体としてＮ、Ｎ”−ジフェニル−Ｎ
、Ｎ”−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビ
フェニール）−４，４°−ジアミンを用いている為、キ
ャリヤ（正孔）の輸送効率が大きく、高速複写機用に適
している。

更に、本第２発明の好ましい態様においては、」１記光
導電部材」二に、透明絶縁性樹脂中に平均粒径が０３μ
ｍ以下の金属あるいは金属酸化物を分散させた透明保護
層を積層することによって、電荷輸送層の表面摩耗を抑
えることができる。

「実施例」 第１発明 次に、光導電部材用の支持体上に、絶縁性樹脂中に約１
０〜７５重量％のＮ、Ｎ”−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビ
ス（３−メチルフェニル１−（１゜１゛−ビフェニール
ｉ４，４’−ジアミンを分散させた電荷輸送層、樹脂結
着剤中にシリコン原子、水素原子及び周期律表第■族の
原子で構成された非晶質シリコン系微粉末を分散させた
電荷発中層を、順に積層して成ることを特徴とする、本
第１発明の光導電部材について、実施例を説明する。ま
た、上記光導電部材」二に、中間層、透明絶縁性樹脂中
に平均粒径が０．３μｍ以下の金属あるいは金属酸化物
を分散させた透明保護層を、積層して成る実施例につい
ても説明する。

実施例Ｉ Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフ
ェニル）−（１，１’−ビフェニール）−４，４°−ジ
アミン粉末５ｇとフアルペンファブリケンバイエルＡ、
Ｇ、社からマクロロンとして発売されているポリカーボ
ネート樹脂粉末５ｇとを、塩化メチレン５０ｇの入った
フラスコに入れ、マグネティックスクーラーで攪拌、溶
解して、均質な分散液にした。この分散液を、厚さ１５
０μｍのアルミ蒸着ＰＥＴフィルム上にアプリケータを
用いて塗布し、８０℃／ｈｒの条件で乾燥させて、膜厚
２５μｍの電荷輸送層を作成した。

次に、容量結合型グロー放電装置内の、一方の電極上に
コーニング社製７０５９ガラス板を設置し、１０−６Ｔ
ｏｒｒの真空変名拡散ポンプで真空度を−にげた。しか
るのち、ガラス板の温度を２５０℃に設定し、Ｓ　ｉ　
Ｈ＜　　１００ＳＣＣＱＩ、　１−（２８９ｓｃｃｍ、
Ｂ２Ｈ６］　１ｓｃｃｍ　（ただし、Ｂ２Ｈ６はＨ２で
希釈されているため、Ｂ　２１−（６はＳ＋Ｈ＜　に対
して１０１０Ｖｐｐの流量のガスを装置に流しこみ、Ｉ
、　３．５６ＭＨｚのＲ，Ｆ、でグロー放電分解を行な
った。

放電分解後、ガラス板上にアモルファスシリコン微粉末
を得た。

微粉末の粒径としては、０．０１〜１μｍ径が好適であ
るため、今回は分別して平均粒径０．１μｍの微粉末を
集めた。

次に、平均粒径０．１μｍの非晶質シリコン系微粉末１
．５　ｇとハスフ社製ポＩＪ　　Ｎビニルカルバゾール
粉末３．５ｇとを、トルエン７、５　ｇ　、テトラヒド
ロフラン１７．５　ｇと共に、アトライターに入れ攪拌
、溶解して均質な分散液にした。

分散液を、前記電荷輸送層」−にアプリケータを用いて
塗布し、８０℃３０分の条件で乾燥させて膜厚０．５μ
ｍの電荷発生層を作成し、積層構造にした。

なお、第１図には、実施例１による光導電部材が示され
ており、第１図において、ｌは電荷発生層、２は電荷輸
送層、３は支持体、４は光導電部材、である。

上記電子写真感光体を、川口電機製ｍｏｄｅｌ　５Ｐ４
２８　　ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ　ｐａｐｅｒ　ａ
ｍａｌｙｇｅｒ　にセットして、電子写真特性の評価を
行なった。すると、＋６ｋｖの印加電圧で帯電電位が７
６０Ｖ、残留電位が１０ｖ１感度が半減露光量で１ｌｃ
ｎｔｓｅｃ程度を得た。さらに、１にサイクル後、帯電
電位が７７′ＯＶ、残留電位が２０ｖ１感度が半減露光
量でＩＩｕｘｓｅｃ程度を得た。

なお、市販の複写機を用いてコピーテストをしたところ
、上記データから予想される様に、１サイクル目、ＩＫ
ザイクルロ共、鮮明でかぶりのない良好な画像が得られ
た。

実施例２ 本実施例２は、実施例１において作成された光導電部材
上に、中間層、透明保護層を、順に積層した光導電部材
を提供するものである。

まず、マツモト交商からＺΔ−６０として発売されてい
るジルコニウムブトキサイド液４ｇと、信越化学からＫ
ＢＭ５０３として発売されているＴ−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン液１ｇとを、エタノール３０
０ｇの入ったフラスコに入れ、マグネティックスタータ
で攪拌、溶解して均質な分散液にした。

あらかじめ、恒温槽（８０℃設定）に入れてあった実施
例１で作成された光導電部材を、恒温槽により出し、す
ぐに分散液を光導電部材上に流し塗ることにより、光導
電部材上に膜厚０．１μｍの中間層を作成した。

次に、三菱金属製の平均粒径０．１μｍの酸化スズ／酸
化アンチモン微粉末１４ｇと、関西ペイントからレタン
４０００として発売されているポリアクリルウレタン樹
脂粉末２０．９　ｇとを、塩化メチレン４４．１　ｇの
入ったボールミルに入れ、ボールミルを回転させて攪拌
、溶解し、均質な分散液にした。

均質な分散液を作成した後、フラスコに移し、住人バイ
エルウレタン社からＤｅｓｍｏｄｕｒ　ＴＰＬ　−５−
２２９１として発売されている硬化剤５．１ｇと塩化メ
チレン６３２ｇとを加えて、マグネティックスクーラー
で攪拌、溶解して均質な分散液にした。

この分散液を、上記中間層上に、アプリケークを用いて
塗布し、８０℃２４ｈｒの条件を乾燥させて、膜厚１μ
ｍの透明保護層を作成し、積層構造にした。

なお、第２図には、実施例２による光導電部材が示され
ており、第２図において、５は中間層、６は表面保護層
である。

前記電子写真感光体を、川口電機製ｍｏｄｅｌ　　Ｓ　
Ｐ４２８　　ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ　ｐａｐｅｒ
　ａｍａｌｙｇｅｒにセットして、電子写真特性の評価
を行なった。

すると、＋６ｋｖの印加電圧で、帯電電位が７８０ｖ１
残留電圧が２０ｖ１感度が半減露光量でＩＩｕｘｓｅｃ
程度を得た。さらに、１にサイクル後、帯電電位が８１
０Ｖ、残留電位が３０ｖ１感度が半減露光量で１ｌｕｘ
ｓｅｃ程度を得た。

なお、市販の複写機にてコピーテストをしたところ、上
記データから予想される様に、１サイクル目、ｌＫサイ
クル日共、鮮明でかぶりのない良好な画像が得られた。

実施例３ 実施例３においては、第３図に示されるように、実施例
２で作成された光導電部材において、キャリヤブロッキ
ング層７、接着層８、を設けている。

第２発明 次に、光導電部材用の支持体上に、樹脂結着剤中にシリ
コン原子、水素原子及び周期律表第■族の原子で構成さ
れた非晶質シリコン系微粉末を分散させた電荷発生層、
絶縁性樹脂中に約１０〜７５重量％のＮ、Ｎ”−ジフェ
ニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，
１”−ビフェニール）−４，４’−ジアミンを分散させ
た電荷輸送層、を順に積層して成ることを特徴とする、
本第２発明の光導電部材について、実施例を説明する。

また、上記光導電部材上に、透明絶縁性樹脂中に平均粒
径が０．３μｍ以下の金属あるいは金属酸化物を分散さ
せた透明保護層を、積層して成る実施例についても説明
する。

実施例４ 容量結合型グロー放電装置内の、一方の電極上にコーニ
ング社製７０５９ガラス板を設置し、１０−６Ｔｏｒｒ
の真空変進拡散ポンプで真空度を」こげた。しかるのち
、ガラス板の温度を２５０℃に設定し、Ｓ　ｉ　Ｈ４１
（ｌ　Ｏｓｃｃｍ、　Ｈ２３９ｓｃｃ＋ｒ＋。

Ｂ２Ｈｓ　　Ｉ　Ｉｓｃｃｍ　（ただし、Ｂ２Ｈ６はＨ
２で希釈されているため、Ｂ２Ｈ６は５ＩＨ４に対して
１０ｖｐｐｍ　）の流量のガスを装置に流しこみ、１３
．５６ＭＨｚのＲ，Ｆ、でグロー放電分解を行なった。

放電分解後、ガラス板上及びチャンバー内に黒色微粉末
を（等た。

微粉末の粒径としては、０．０１〜１μｍ径が好適であ
るため、分別して平均粒径０．１μｍの微粉末を集めた
。

次に非晶質シリコン系微粉末１．５ｇとバスフ社製ポリ
ーＮビニルカルバゾール粉末３．５ｇとを、トルエン７
．５ｇ、テトラヒドロフラン１７．５　ｇと共に、アト
ライターに入れ攪拌、溶解して均質な分散液にした。

この分散液を、厚さ１５０μｍのアルミ蒸着ＰＥＴフィ
ルム上にアプリケータを用いて塗布し、８０℃３０分の
条件で乾燥させて、膜厚２μｍの電荷発生層を作成した
。

次に、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’　−ビス（３−
メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニール）−４，
４’−ジアミン粉末５ｇと、ファルベンファブリケンバ
イエルＡ、Ｇ、社からマクロロンとして発売されている
ポリカーボネート樹脂粉末５ｇとを、塩化メチレン５０
ｇの入ったフラスコに入れ、マグネティックスクーラー
で攪拌、溶解して、均質な分散液にした。

この分散液を、前記電荷輸送層上にアプリケータを用い
て塗布し、８０℃１時間の条件で乾燥させて、膜厚２５
μｍの電荷輸送層を作製し、積層構造にした。

なお、第４図には、実施例４による光導電部材が示され
ており、第４図において、１１は電荷輸次層、１２は電
荷発生層、１３は支持体、１４は光導電部材、である。

上記電子写真感光体を、６にνの印加電圧で電子写真特
性の評価を行なったところ、帯電電位が一７６０ｖ、残
留電位が一１０ｖ１感度が半減露光量で１１ＵＸｓＯｃ
程度であった。さらに、１にサイクル後、帯電電位が一
７７０ｖ、残留電位が一２０Ｖ、感度が半減露光量でｌ
　Ｉｕｘｓｏｃ程度を得た。

実施例５ 本実施例は、実施例４において作成された光導電部材上
に、透明保護層を積層した光導電部材を提供するもので
ある。

三菱金属製の平均粒径０．１μｍの酸化スズ／酸化アン
チモン微粉末１４ｇと、関西ペイントからレタン４００
０として発売されているポリアクリルウレタン樹脂粉末
２０．９　ｇとを、塩化メチレン４４、１　ｇの入った
ボールミルに入れ、ボールミルを回転させて攪拌、溶解
し、均質な分散液にした。

均質な分散液を作成した後、フラスコに移し、住人バイ
エルウレタン社からＤｅｓｍｏｄｕｒ　ＴＰＬ−５−２
２９１として発売されている硬化剤５．１ｇと塩化メチ
レン６３２ｇとを加えて、マグネティックスクーラーで
攪拌、溶解して均質な分散液にした。

この分散液を、上記光導電部材上に、アプリケータを用
いて塗布し、８０℃２４ｈｒの条件を乾燥させて、膜厚
２μｍの透明保護層を作成し、積層構造にした。

なお、第５図には、実施例５による光導電部材が示され
ており、第５図において、１７は透明保護層である。

前記電子写り感光体を、川口電機製ｍｏｄｅｌ　　Ｓ　
Ｐ４２３ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ　ｐａｐｅｒ　ａ
ｎａｌｙｇｅｒにセットして、電子写真特性の評価を行
なった。

すると、−（ｉｋｖの印加電圧で、帯電電位が一７８０
Ｖ１残留電圧が２０ｖ１感度が半減露光量でＩＩｕｘｓ
ｅｃ程度を得た。さらに、１にサイクル後、帯電電位が
一８１０■、残留電位が一５０ｖ、感度が半減露光量で
１ｌｕｘｓｅｃ程度を得た。

実施例６ 実施例６においては、第６図に示されているように、実
施例４で作成された光導電部材において、キャリヤブロ
ッキング層１５、接着層１６、を設けている。

「発明の効果」 以上説明したように、本発明によれば、電子写真感光体
として使用した場合に良好な画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１発明の実施例１による光導電部材を示す構
成説明図、 第２図は第１発明の実施例２による光導電部材を示す構
成説明図、 第３図は第１発明の実施例３による光導電部材を示す構
成説明図、 第４図は第２発明の実施例４による光導電部材を示す構
成説明図、 第５図は第２発明の実施例５による光導電部材を示す構
成説明図、 第６図は第２発明の実施例６による光導電部材を示す構
成説明図である。 ■・・・・・・電荷発生層、２・・・・・・電荷輸送層
、３・・・・・・支持体、４・・・・・・光導電部材、
５・・・・・・中間層、６・・・・・・表面保護層、７
・・・・・・キャリヤブロッキング層、計−・−接着層
、１１・・・・・・電荷輸送層、１２・・・・・・電荷
発生層、１３・・・・・・支持体、１４・・・・・・光
導電部材、１５・・・・・・キャリヤブロッキング層、
１６・・・・・・接着層、１７・・・・・・透明保護層
。 第１図 寸寸 寸　　　　　　　　　の 舐　　　　　　　　　維 ■ 刷

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体上に、 絶縁性樹脂中に約１０〜７５重量％のＮ，Ｎ′−ジフェ
   ニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−（１，
   １′−ビフェニール）−４，４′−ジアミンを分散させ
   た電荷輸送層、 樹脂結着剤中にシリコン原子、水素原子及び周期律表第
   III族の原子を主体とする非晶質シリコン系微粉末を分
   散させた電荷発生層を、 順に積層して成ることを特徴とする光導電部材。
2. （２）特許請求の範囲第（１）項に記載されている光導
   電部材において、光導電部材上に、 中間層、透明絶縁性樹脂中に平均粒径が０．３μｍ以下
   の金属あるいは金属酸化物を分散させた透明保護層を、
   積層して成ることを特徴とする光導電部材。
3. （３）光導電部材用の支持体上に、 樹脂結着剤中にシリコン原子、水素原子及び周期律表第
   III族の原子で構成された非晶質シリコン系微粉末を分
   散させた電荷発生層、 絶縁性樹脂中に約１０〜７５重量％のＮ，Ｎ′−ジフェ
   ニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−（１，
   １′−ビフェニール）−４，４′−ジアミンを分散させ
   た電荷輸送層を、順に積層して成ることを特徴とする光
   導電部材。
4. （４）特許請求の範囲第（３）項に記載されている光導
   電部材において、光導電部材上に、 透明絶縁性樹脂中に平均粒径が０．３μｍ以下の金属あ
   るいは金属酸化物を分散させた透明保護層を、積層して
   成ることを特徴とする光導電部材。