JPS6127549A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、カールソン方式に用いて有効な電子写真感光
体に関し、更に詳しくは、光感度に優れ、帯電特性、残
留電位特性の安定性が良好で、耐久性に優れた電子写真
感光体に関する。
体に関し、更に詳しくは、光感度に優れ、帯電特性、残
留電位特性の安定性が良好で、耐久性に優れた電子写真
感光体に関する。
電子写真感光体の光導電プロセスは、光電荷発生プロセ
ス及び電荷輸送プロセスから成っている。
ス及び電荷輸送プロセスから成っている。
従来、電子写真感光体には、上記した2つのプロセスを
同一の物質で行なう方法と、それぞれ別個の物質で行な
う方法とが知られている。
同一の物質で行なう方法と、それぞれ別個の物質で行な
う方法とが知られている。
上記した2つの方法のうち、それぞれのプロセスを別個
の物質で行なう方法は、前者に比べて感光体に使用する
材料の選択範囲が広いために1得られる感光体の光感度
及び受容電位等の電子写真特性が優れ、更に、感光体の
製造に際して、優れ・た成膜性及び物理的性質を有する
被膜を形成することが可能であるという利点も有してい
る。
の物質で行なう方法は、前者に比べて感光体に使用する
材料の選択範囲が広いために1得られる感光体の光感度
及び受容電位等の電子写真特性が優れ、更に、感光体の
製造に際して、優れ・た成膜性及び物理的性質を有する
被膜を形成することが可能であるという利点も有してい
る。
このような方法を用いた感光体としては、例えば、導電
性支持体上に無定形セレンから成る電荷発生層を設け、
その上にポリビニルカルバゾールから成る電荷輸送層を
設けたものが知られている。
性支持体上に無定形セレンから成る電荷発生層を設け、
その上にポリビニルカルバゾールから成る電荷輸送層を
設けたものが知られている。
この感光体は、優れた光感度特性を有しているが、しか
し、電荷発生層として使用する無定形セレンは、他の有
機材料と比較して透明性、可焼性、軽量性、成膜性、表
面平滑性及び価格等の点で劣り、特に毒性が高いという
欠点を有している。又、電荷輸送層として使用するポリ
ビニルカルバゾールは可焼性が低いために固く、且つ、
もろく、形成された被膜がひび割れや剥離脱落を生じ易
いものとな夛、感光体としての耐久性が劣るという欠点
を有している。
し、電荷発生層として使用する無定形セレンは、他の有
機材料と比較して透明性、可焼性、軽量性、成膜性、表
面平滑性及び価格等の点で劣り、特に毒性が高いという
欠点を有している。又、電荷輸送層として使用するポリ
ビニルカルバゾールは可焼性が低いために固く、且つ、
もろく、形成された被膜がひび割れや剥離脱落を生じ易
いものとな夛、感光体としての耐久性が劣るという欠点
を有している。
ソコテ、ポリビニルカルバゾールの可焼性を増すだめに
可塑剤を併用することが行なわれている。
可塑剤を併用することが行なわれている。
しかし、この方法は、可塑剤の添加によシミ荷輸送層の
残留電荷が増加し、画像にカブリが生ずる等の大きな欠
点を生ずる。
残留電荷が増加し、画像にカブリが生ずる等の大きな欠
点を生ずる。
又、電荷輸送層を形成する材料とし゛て、低分子量の有
機化合物を使用することが提案されている。
機化合物を使用することが提案されている。
この低分子量の有機化合物の中には、例えば、2゜5−
ビス(p−ジエチルアミノフェニル) it3.4
−オキサジアゾールのように、電子写真特性が比較的優
れたものが知られている。しかし、これらの化合物は成
膜性が劣るため、この対策として一般に、高分子結着剤
を併用して電荷輸送層 −を形成せしめている。とζ
ろが、これら低分子量の有機化合物は、電子写真特性が
良好なものであっても、高分子結着剤との相溶性が乏し
い。そのため、電荷輸送層として被膜を形成せしめた場
合に、低分子量の有機化合物が晶出し易く、又、熱安定
性が劣るという欠点を有している。
ビス(p−ジエチルアミノフェニル) it3.4
−オキサジアゾールのように、電子写真特性が比較的優
れたものが知られている。しかし、これらの化合物は成
膜性が劣るため、この対策として一般に、高分子結着剤
を併用して電荷輸送層 −を形成せしめている。とζ
ろが、これら低分子量の有機化合物は、電子写真特性が
良好なものであっても、高分子結着剤との相溶性が乏し
い。そのため、電荷輸送層として被膜を形成せしめた場
合に、低分子量の有機化合物が晶出し易く、又、熱安定
性が劣るという欠点を有している。
本発明は、上記した従来の電子写真感光体の欠点を解消
し、光感度に浸れ、光、熱、オゾンに対する安定性が高
く、耐久性に富み、帯電特性・残留電位特性に優れてい
ると共に、繰返し使用による緒特性の低下が小さい電子
写真感光体の提供を目的とする。
し、光感度に浸れ、光、熱、オゾンに対する安定性が高
く、耐久性に富み、帯電特性・残留電位特性に優れてい
ると共に、繰返し使用による緒特性の低下が小さい電子
写真感光体の提供を目的とする。
本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と電荷発生層
と電荷輸送層との少なくとも3層から成る電子写真感光
体において、該電荷輸送層の必須成分が 次式: 望−N = N −R1 (式中、R1とR2は同一であっても異なっていてもよ
く、それぞれ、置換 若しくは非置換のアリール基、又は 置換若しくは非置換の含窒素複素環 を表わす。) で示されるアゾ化合物であることを特徴とする。
と電荷輸送層との少なくとも3層から成る電子写真感光
体において、該電荷輸送層の必須成分が 次式: 望−N = N −R1 (式中、R1とR2は同一であっても異なっていてもよ
く、それぞれ、置換 若しくは非置換のアリール基、又は 置換若しくは非置換の含窒素複素環 を表わす。) で示されるアゾ化合物であることを特徴とする。
本発明の電子写真感光体は、少なくとも導電性支持体と
電荷発生層と電荷輸送層とから成る3層構造体であシ、
導電性支持体の上に電荷発生層又は電荷輸送層が順次積
層されている。導電性支持体への電荷発生層と電荷輸送
層の積層順序は格別限定されるものではないが、感光体
の物理的強度を高めるという点からすると、導電性支持
体と電荷発生層と電荷輸送層とをこの順序で積層した構
造のものが好ましい。
電荷発生層と電荷輸送層とから成る3層構造体であシ、
導電性支持体の上に電荷発生層又は電荷輸送層が順次積
層されている。導電性支持体への電荷発生層と電荷輸送
層の積層順序は格別限定されるものではないが、感光体
の物理的強度を高めるという点からすると、導電性支持
体と電荷発生層と電荷輸送層とをこの順序で積層した構
造のものが好ましい。
本発明において使用される導電性支持体は、通常、電子
写真感光体の導電性支持体として使用されているもので
あれば伺であってもよく、格別制限されるものではない
。このような支持体としては、例えば、真ちゅう、アル
ミニウム、金、銀等の金属材料;前記金属の表面がプラ
スチックの薄膜で被覆されたもの;金属被覆紙、金属被
覆プラスチックシート或いはヨウ化アルミニウム、ヨウ
化銅、酸化クロム又は酸化スズ等の導電層で被覆された
ガラス等が挙げられる。これらは、適当な厚さ、硬さ及
び屈曲性を有する円筒状シート薄板として使用され、支
持体自身が導電性を有するか、又はその表面が導電性を
有し、取扱いに際して十分な強度を有しているものであ
ることが好ましい。
写真感光体の導電性支持体として使用されているもので
あれば伺であってもよく、格別制限されるものではない
。このような支持体としては、例えば、真ちゅう、アル
ミニウム、金、銀等の金属材料;前記金属の表面がプラ
スチックの薄膜で被覆されたもの;金属被覆紙、金属被
覆プラスチックシート或いはヨウ化アルミニウム、ヨウ
化銅、酸化クロム又は酸化スズ等の導電層で被覆された
ガラス等が挙げられる。これらは、適当な厚さ、硬さ及
び屈曲性を有する円筒状シート薄板として使用され、支
持体自身が導電性を有するか、又はその表面が導電性を
有し、取扱いに際して十分な強度を有しているものであ
ることが好ましい。
このような導電性支持体の上に、後述する電荷発生層又
は電荷輸送層を形成する。
は電荷輸送層を形成する。
電荷発生層を構成する物質としては、光を吸収して高い
効率で電荷(キャリア)を発生する電荷発生物質であれ
ば、どのような物質であってもよい。
効率で電荷(キャリア)を発生する電荷発生物質であれ
ば、どのような物質であってもよい。
例えば、セレン及びセレン合金: CdS 、 CdS
e。
e。
ctisse、 zno及びZnS等の無機光導電体;
モノアゾ色素及びジス亨ゾ色素等のアゾ系色素;べ=し
ン酸無水物及びベニレン酸イミド等のベニレン系顔料;
インジゴイド染料;キナクリドン顔料;アントラキノン
類及びピレンキノン類等の多環キノン類ニジアニン色素
;キサンチン染料;ポリ−N−ビニルカルバゾール等の
電子供与性物質とトリニトロフルオレノン等の電子受容
性物質とから成る電荷移動錯体;ピリリウム塩染料とポ
リカーボネート樹脂とから成る共晶錯体; ル (式中、Rは、水素原子、)・ロゲン 原子、シアノ基、ニトロ基のいずれ かを表わし;Mは、銅、ニッケル、 コバルト、鉄、マンガン、クロム、 チタン、ルテニウム、パラジウム、 インジウム、スズ、アンチモン、亜 鉛、マグネシウム、ガリウム、ゲル マニウム、ヒ素、アルミニウム、ケ イ素、□水銀、タリウム、バナジウム、ウランから選ば
れるいずれか1種の 金属を表わし;Aは、Mが原子価2 価の金属の場合は存在せず、Mが原 子価2価以外の金属の場合はノ・ロゲ ン原子を表わし;Bは、Mが原子価 2価若しくは原子価3価の金属の場 合は存在せず、Mが原子価4価の金 属の場合はハロゲン原子を表わす。
モノアゾ色素及びジス亨ゾ色素等のアゾ系色素;べ=し
ン酸無水物及びベニレン酸イミド等のベニレン系顔料;
インジゴイド染料;キナクリドン顔料;アントラキノン
類及びピレンキノン類等の多環キノン類ニジアニン色素
;キサンチン染料;ポリ−N−ビニルカルバゾール等の
電子供与性物質とトリニトロフルオレノン等の電子受容
性物質とから成る電荷移動錯体;ピリリウム塩染料とポ
リカーボネート樹脂とから成る共晶錯体; ル (式中、Rは、水素原子、)・ロゲン 原子、シアノ基、ニトロ基のいずれ かを表わし;Mは、銅、ニッケル、 コバルト、鉄、マンガン、クロム、 チタン、ルテニウム、パラジウム、 インジウム、スズ、アンチモン、亜 鉛、マグネシウム、ガリウム、ゲル マニウム、ヒ素、アルミニウム、ケ イ素、□水銀、タリウム、バナジウム、ウランから選ば
れるいずれか1種の 金属を表わし;Aは、Mが原子価2 価の金属の場合は存在せず、Mが原 子価2価以外の金属の場合はノ・ロゲ ン原子を表わし;Bは、Mが原子価 2価若しくは原子価3価の金属の場 合は存在せず、Mが原子価4価の金 属の場合はハロゲン原子を表わす。
ただし、Mがバ矢ジウムの場合、A
は酸素を表わしBは存在せず、Mが
ウランの場合、AとBはいずれも酸
素を表わす場合もある。)
で示される金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニ
ン等のフタロシアニン及びその誘導体があげられる。
ン等のフタロシアニン及びその誘導体があげられる。
これらの物質の中で、上記した金属7タ四シアニン又は
熱金属フタpシアニン及びこれらの誘導体紘、熱的安定
性、化学的安定性が良好であるため、本発明の感光体に
用いる電荷発生物質として特に好ましい。
熱金属フタpシアニン及びこれらの誘導体紘、熱的安定
性、化学的安定性が良好であるため、本発明の感光体に
用いる電荷発生物質として特に好ましい。
電荷発生層の形成方法としては、使用する電荷発生物質
の種類によっても異なってくるが、例えば、スピンコー
ティング法、引上げ法、ロー2塗布法、ドクタブレード
塗布法など各種の塗布法、真空蒸着法、スパッタリング
法、グロー放電を利用した例えばプラズマCVD法から
適宜に選択して適用することができる。
の種類によっても異なってくるが、例えば、スピンコー
ティング法、引上げ法、ロー2塗布法、ドクタブレード
塗布法など各種の塗布法、真空蒸着法、スパッタリング
法、グロー放電を利用した例えばプラズマCVD法から
適宜に選択して適用することができる。
このとき形成すべき電荷発生層の厚みは、電子写真感光
体として要求される帯電特性によシ適宜、決定されるが
、通常は0.1〜5μmli度であることが好ましい。
体として要求される帯電特性によシ適宜、決定されるが
、通常は0.1〜5μmli度であることが好ましい。
なお、導電性支持体の上に電荷発生層を形成する際に、
必要によっては、導電性支持体と電荷発生層との間に接
着層を形成してもよい。接着層の物質としてはカゼイン
等従来よく使用されている物質を適用することができ、
その厚みは0.1〜10μm、好ましくは0.5〜2.
pm程度がよい。
必要によっては、導電性支持体と電荷発生層との間に接
着層を形成してもよい。接着層の物質としてはカゼイン
等従来よく使用されている物質を適用することができ、
その厚みは0.1〜10μm、好ましくは0.5〜2.
pm程度がよい。
次に、本発明の感光体にあつ゛ては、電荷輸送層が後述
のアゾ化合物を必須成分として含有していることを最大
の特徴とする。
のアゾ化合物を必須成分として含有していることを最大
の特徴とする。
このアゾ化合物は、
次式: R2−N=N−R1
(式中、爵とR2は同一であっても
異なっていてもよく、それぞれ、置
換若しくは非置換の了り−ル基、又
は置換若しくは非置換の含窒素複素環
・を表わす。)
で示される化合物である。
この化合物において、アリール基としては、例えば、ジ
置換アミノ基(例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基、ジブチルアξ)基、メチルエチルアミノ基、メ
チルブチルアミノ基、シアミルアミノ基等のジアルキル
アミノ基;ジベンジルアミノ基、ジアリールアミノ基等
のジアラルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジトリ
ルアミノ基、ジアリーアミノ基等のジアリールアミノ基
)やアルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基)やアリールオキシ基(例え
は、フェノキシ基、ナフトキシ基)やアルキル基やニト
ロ基やシアノ基やヒドロキシ基やアセチル基やハロゲン
によジ置換されてもよいフェニル基、ナフチル基、アン
トラセン基、フェナントレン基、ナト2リン基、アズレ
ン基、ビフェニレン基、アセナフチレン基、アセナフテ
ン基、フルオレン基、フルオランテン基、トリフェニレ
ン基、ピレン基、クリセン基、ナフタセン基、ビセン基
、ペリレン基、ベンゾピレン基、ルビセン基、コロネン
基、オバレン基などがあげられる。
置換アミノ基(例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基、ジブチルアξ)基、メチルエチルアミノ基、メ
チルブチルアミノ基、シアミルアミノ基等のジアルキル
アミノ基;ジベンジルアミノ基、ジアリールアミノ基等
のジアラルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジトリ
ルアミノ基、ジアリーアミノ基等のジアリールアミノ基
)やアルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基)やアリールオキシ基(例え
は、フェノキシ基、ナフトキシ基)やアルキル基やニト
ロ基やシアノ基やヒドロキシ基やアセチル基やハロゲン
によジ置換されてもよいフェニル基、ナフチル基、アン
トラセン基、フェナントレン基、ナト2リン基、アズレ
ン基、ビフェニレン基、アセナフチレン基、アセナフテ
ン基、フルオレン基、フルオランテン基、トリフェニレ
ン基、ピレン基、クリセン基、ナフタセン基、ビセン基
、ペリレン基、ベンゾピレン基、ルビセン基、コロネン
基、オバレン基などがあげられる。
含窒素複素環としては、例えば、ビロール環基、インド
ール環基、インドリン環基、イソインドール環基、カル
バゾール環基、ピッゾール環基、ピラゾリン環基、ベン
ゾピラゾール環基、イミダゾール環基、イミダシリン環
基、ベンゾイミダゾール環基、オキサゾール環基、ペン
゛ゾオキサゾール環基、ナフトオキサゾール環基、オキ
サゾリン環基、チアゾール環基、チアゾリン環基、ベン
ゾチアゾリン環基、トリアゾール環基、ベンゾトリアゾ
ール環基、オキサジアゾール環基、チアジアゾール環基
、ベンゾオキサジアゾール環基、ベンゾチアジアゾール
環基、テトラゾール環基、ピリジン環基、キノリン環基
、アクリジン環基、フェナントレン環基、ベンゾキノリ
ン環基、ナフトキノリy環基、ピリダジン環基、ピリミ
ジン環基、ピラジン環基、オキサジン環基、ベンゾオキ
サジン環基、チアジン環基、ベンゾチアジン環基、フ・
エッチアジン環基、トリアジン環基、オキサジアジン環
基、チアジアジン環基、テトラジン環基、チアゾール環
基、ベンゾチアゾール環基、チアゾリン環基、ナフトチ
アゾール環基、セレナゾール環基、ベンゾセレナゾール
環基、ナフトセレナゾール環基などがあげられる。
ール環基、インドリン環基、イソインドール環基、カル
バゾール環基、ピッゾール環基、ピラゾリン環基、ベン
ゾピラゾール環基、イミダゾール環基、イミダシリン環
基、ベンゾイミダゾール環基、オキサゾール環基、ペン
゛ゾオキサゾール環基、ナフトオキサゾール環基、オキ
サゾリン環基、チアゾール環基、チアゾリン環基、ベン
ゾチアゾリン環基、トリアゾール環基、ベンゾトリアゾ
ール環基、オキサジアゾール環基、チアジアゾール環基
、ベンゾオキサジアゾール環基、ベンゾチアジアゾール
環基、テトラゾール環基、ピリジン環基、キノリン環基
、アクリジン環基、フェナントレン環基、ベンゾキノリ
ン環基、ナフトキノリy環基、ピリダジン環基、ピリミ
ジン環基、ピラジン環基、オキサジン環基、ベンゾオキ
サジン環基、チアジン環基、ベンゾチアジン環基、フ・
エッチアジン環基、トリアジン環基、オキサジアジン環
基、チアジアジン環基、テトラジン環基、チアゾール環
基、ベンゾチアゾール環基、チアゾリン環基、ナフトチ
アゾール環基、セレナゾール環基、ベンゾセレナゾール
環基、ナフトセレナゾール環基などがあげられる。
上記した式で示されるアゾ化合物を具体的に例示すれば
、 があけられる。
、 があけられる。
′これらのうち、(1) 、 (2) 、■、 (4)
、 (8)は好適なものものである。
、 (8)は好適なものものである。
これら化合物を必須成分とする電荷輸送層の形成にあた
っては、これら化合物がいずれも充分な成膜性を備えて
いないので、例えば後述するような高分子化合物を適当
な有機溶媒に溶解せしめて調製した樹脂溶液を結合成分
とすることによって層形成することが必要である。
っては、これら化合物がいずれも充分な成膜性を備えて
いないので、例えば後述するような高分子化合物を適当
な有機溶媒に溶解せしめて調製した樹脂溶液を結合成分
とすることによって層形成することが必要である。
このような高分子化合物としては、例えば、ポリカーボ
ネート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、アクリル系樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル
、ポリビニルアセタール、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂及びアルキド樹脂等・の既知の電子写真感光体用結合
剤材料があげられる。
ネート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、アクリル系樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル
、ポリビニルアセタール、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂及びアルキド樹脂等・の既知の電子写真感光体用結合
剤材料があげられる。
そして、層形成にあたっては、上記したアゾ化合物1重
量部に対し、上記高分子化合物を好ましくは0.1〜5
重量部配合したものを、脂肪族塩素系、芳香族炭化水素
、芳香族塩素系、エーテル系、エステル系、ケトン系な
どのような有機溶媒に溶解もしくは分散して成る溶液を
、通常の塗布法、例えば、スピンコーティング法、引上
げ法、ローラ塗布法、ドグタブレード塗布法等により電
荷発生層の上に又は導電性支持体の上に塗布したのち乾
燥すればよい。
量部に対し、上記高分子化合物を好ましくは0.1〜5
重量部配合したものを、脂肪族塩素系、芳香族炭化水素
、芳香族塩素系、エーテル系、エステル系、ケトン系な
どのような有機溶媒に溶解もしくは分散して成る溶液を
、通常の塗布法、例えば、スピンコーティング法、引上
げ法、ローラ塗布法、ドグタブレード塗布法等により電
荷発生層の上に又は導電性支持体の上に塗布したのち乾
燥すればよい。
電荷輸送層の厚みは、通常、5〜10〇−程度とするこ
とが好ましく且つ、電荷発生層と電荷輸送層の合計の厚
みは100p以下であることが好ましい。合計の厚さが
100 pmを超えると、形成された被膜の可撓性及び
光感度が低下するからである。
とが好ましく且つ、電荷発生層と電荷輸送層の合計の厚
みは100p以下であることが好ましい。合計の厚さが
100 pmを超えると、形成された被膜の可撓性及び
光感度が低下するからである。
実施例1〜4
アルミニウムが蒸着されたポリエチレンテレフタレート
樹脂体を導電性支持体として使用して、そのアルミニウ
ムが蒸着されている面に表に示すような電荷発生物質を
蒸着して表に示すような膜厚の電荷発生層を形成した。
樹脂体を導電性支持体として使用して、そのアルミニウ
ムが蒸着されている面に表に示すような電荷発生物質を
蒸着して表に示すような膜厚の電荷発生層を形成した。
更に、この上に1表に示すようなアゾ化合物からなる電
荷輸送物質と高分子化合物を溶解せしめて調製した溶液
を引上げ法によル塗布し、90℃で24時間乾燥させて
表に示すような膜厚の電荷輸送層を形成した。
荷輸送物質と高分子化合物を溶解せしめて調製した溶液
を引上げ法によル塗布し、90℃で24時間乾燥させて
表に示すような膜厚の電荷輸送層を形成した。
このようにして得られた感光体゛の帯電能(帯電させた
ときの感光体表面電位の初期値)と光感度(表面電位の
初期値がV2に減衰するのに必要な露光量)を測定して
、その結果を表に示した。また、感光体の暗減衰率(暗
中における感光体表面電位の減衰率)及び残留電位(露
光により表面電位減衰が急激に遅くなるところ)線表に
示す如き結果となった。
ときの感光体表面電位の初期値)と光感度(表面電位の
初期値がV2に減衰するのに必要な露光量)を測定して
、その結果を表に示した。また、感光体の暗減衰率(暗
中における感光体表面電位の減衰率)及び残留電位(露
光により表面電位減衰が急激に遅くなるところ)線表に
示す如き結果となった。
この感光体を、熱、オゾン等発生環境下で、帯電、露光
を10,000回反復したところ、はとんど異常が認め
られず一帯電能、光感度、残留電位等の変動が小さく耐
疲労特性に擾れていることが判明し・た。
を10,000回反復したところ、はとんど異常が認め
られず一帯電能、光感度、残留電位等の変動が小さく耐
疲労特性に擾れていることが判明し・た。
比較例1〜2
電荷輸送物質としてピラゾリン誘導体を用いた他は、実
施例と同様にして電子写真感光体を作成した。
施例と同様にして電子写真感光体を作成した。
この感光体の帯電能、光感度、暗減衰率、残留電位を測
定して表に示した。
定して表に示した。
この感光体を、熱、オゾン等発生環境下で、帯電、露光
を10,000回反復したところ、帯電能、光感度、残
留電位等の変動が認められ耐疲労特性が実施例と比較し
て劣っていた。
を10,000回反復したところ、帯電能、光感度、残
留電位等の変動が認められ耐疲労特性が実施例と比較し
て劣っていた。
以上、実施例の結果から明らかなように、本発明の電子
写真感光体は、暗減衰率が少なく、帯電能が大きく優れ
た帯電特性を有すると共に、半減露光量が少なく優れた
光感度特性を有するものである。又、本発明の電子写真
感光体は、光、熱。
写真感光体は、暗減衰率が少なく、帯電能が大きく優れ
た帯電特性を有すると共に、半減露光量が少なく優れた
光感度特性を有するものである。又、本発明の電子写真
感光体は、光、熱。
オゾンに対して安定性を有し、長時間の使用に際しても
安定した噺電特性、光感度特性及び残留電位特性を保持
するものであり、浸れた耐久性を有するものである。
安定した噺電特性、光感度特性及び残留電位特性を保持
するものであり、浸れた耐久性を有するものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性支持体と電荷発生層と電荷輸送層との少なく
とも3層から成る電子写真感光体において、該電荷輸送
層の必須成分が次式:R^2−N=N−R^1 (式中、R^1とR^2は同一であつても異なつていて
もよく、それぞれ、置換若しくは非置換のアリール基、
又は置換若しくは非置換の含窒素複素環を表わす。) で示されるアゾ化合物であることを特徴とする電子写真
感光体。 2、該電荷発生層が、無金属フタロシアニン、次式:▲
数式、化学式、表等があります▼(式中、Rは、水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基のいずれかを表
わし;Mは、銅、ニッケル、コバルト、鉄、マンガン、
クロム、チタン、ルテニウム、パラジウム、インジウム
、スズ、アンチモン、亜鉛、マグネシウム、ガリウム、
ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、ケイ素、水銀、タ
リウム、バナジウム、ウランから選ばれるいずれか1種
の金属を表わし;Aは、Mが原子価2価の金属の場合は
存在せず、Mが原子価2価以外の金属の場合はハロゲン
原子を表わし;Bは、Mが原子価2価若しくは原子価3
価の金属の場合は存在せず、Mが原子価4価の金属の場
合はハロゲン原子を表わす。 ただし、Mがバナジウムの場合、Aは酸素を表わしBは
存在せず、Mがウランの場合、AとBはいずれも酸素を
表わす場合もある。) で示される金属フタロシアニン及びこれらの誘導体の少
なくとも1種からなる特許請求の範囲第1項記載の電子
写真感光体。 3、該電荷発生層が真空蒸着法により形成された薄膜で
ある特許請求の範囲第1項及び第2項記載の電子写真感
光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59147620A JPS6127549A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59147620A JPS6127549A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6127549A true JPS6127549A (ja) | 1986-02-07 |
Family
ID=15434440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59147620A Pending JPS6127549A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6127549A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS643671A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Ricoh Kk | Electrophotographic sensitive body |
JPH0240661A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-02-09 | Tsuaitowanfuaarenkoniejishiyuu Ienjiouyuen | 銅フタロシアニン感光体及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-07-18 JP JP59147620A patent/JPS6127549A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS643671A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Ricoh Kk | Electrophotographic sensitive body |
JPH0240661A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-02-09 | Tsuaitowanfuaarenkoniejishiyuu Ienjiouyuen | 銅フタロシアニン感光体及びその製造方法 |
JPH0560865B2 (ja) * | 1988-06-29 | 1993-09-03 | Tsuaitowanfuaarenkoniejishu Ie |
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